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基于Multisim的三极管放大电路仿真分析【VIP专享】

基于Multisim 的三极管放大电路仿真分析

来源:大比特半导体器件网

引言

放大电路是构成各种功能模拟电路的基本电路，能实现对模拟信号最基本的处

理--放大，因此掌握基本的放大电路的分析对电子电路的学习起着至关重要的作

用。三极管放大电路是含有半导体器件三极管的放大电路，是构成各种实用放大

电路的基础电路，是

《模拟电子技术》课程中的重点内容。

在课程学习中，一再向学生强调，放大电路放大的对象是动态信号，但放大电

路能进行放大的前提是必须设置合适的静态工作点，如果静态工作点不合适，输

出的波形将会出现失真，这样的

“放大”就毫无意义。什么样的静态工作点是

合适的静态工作点;电路中的参数对静态工作点及动态输出会产生怎样的影响

;正

常放大的输出波形与失真的输出波形有什么区别

;这些问题单靠课堂上的推理

及语言描述往往很难让学生有一个直观的认识。

在课堂教学中引入

Multisim 仿真技术，即时地以图形、数字或曲线的形式

来显示那些难以通过语言、文字表达令人理解的现象及复杂的变化过程，有助于

学生对电子电路中的各种现象形成直观的认识，加深学生对于电子电路本质的理

解，提高课堂教学的效果。实现在有限的课堂教学中，化简单抽象为具体形象，

化枯燥乏味为生动有趣，充分调动学生的学习兴趣和自主性。

1 Multisim 10 简介

Multisim 10 是美国国家仪器公司(NI 公司)推出的功能强大的电子电路仿

真设计软件，其集电路设计和功能测试于一体，为设计者提供了一个功能强大、

仪器齐全的虚拟电子工作平台，设计者可以利用大量的虚拟电子元器件和仪器仪

表，进行模拟电路、数字电路、单片机和射频电子线路的仿真和调试。

Multisim 10 的主窗口如同一个实际的电子实验台。屏幕中央区域最大的窗

口就是电路工作区，电路工作窗口两边是设计工具栏和仪器仪表栏。设计工具栏

存放着各种电子元器件，仪器仪表栏存放着各种测试仪器仪表，可从中方便地选

择所需的各种电子元器件和测试仪器仪表在电路工作区连接成实验电路，并通过

“仿真”菜单选择相应的仿真项目得到需要的仿真数据。

2 三极管放大电路的仿真分析

、管路敷设技术通过管线不仅可以解决吊顶层配置不规范高中资料试卷问题，而且可保障各类管路习题到位。在管路敷设过程中，要加强看护关于管路高中资料试卷连接管口处理高中资料试卷弯扁度固定盒位置保护层防腐跨接地线弯曲半径标等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行

高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料试卷相互作用与相互关系，根据生产工艺高中资料试卷要求，对电气设备进行空载与带负荷下高中资料试卷调控试验；对设备进行调整使其在正常工况下与过度工作下都可以正常工作；对于继电保护进行整核对定值，审核与校对图纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

、电气设备调试高中资料试卷技术电力保护装置调试技术，电力保护高中资料试卷配置技术是指机组在进行继电保护高中资料试卷总体配置时，需要在最大限度内来确保机组高中资料试卷安全，并且尽可能地缩小故障高中资料试卷破坏范围，或者对某些异常高中资料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

本文以图1所示的阻容耦合三极管单级放大电路作为分析对象，分别进行静态

分析和动态分析。静态分析将分析电路的直流工作情况，动态分析将分析电路对

交流信号的放大情况。

根据实验电路图，在

Multisim 界面下模拟连接电路，确定电路中的各元器

件参数，使用

Multisim 虚拟仪器进行在线测量。与理论分析一样，仿真分析时

应遵循“先静态，后动态”的原则。首先获取电路的静态工作点数据，再输出电

路的动态输出情况。这里将利用

“直流工作点分析”功能读取静态工作点数据，

利用虚拟仪器“示波器”观察三极管的输入/输出波形。

2.1 仿真分析的理论依据

分析图1

所示电路，可求得其静态工作点估算表达式：

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

由理论分析可知，当利用三极管单级放大电路对交流小信号进行放大时，如果为电路设置了合适的静态工作点

Q,就能保证三极管在整个信号周期内均工作在

放大区，放大输出的信号就不会失真。若Q 点偏高，三极管会在输入信号的正

半周因集电极电位

UC 低于基极电位UB 而饱和，集电极电流

IC 因此会出现顶部失真，而放大电路输出的信号则会出现底部失真。若Q 点偏低，三极管会在输入信号的负半周因发射结电压

UBE 低于导通电压

UON 而截止，基

极电流IB 及集电极电流IC 因此会出现底部失真，而放大电路输出的信号则会

出现顶部失真。三极管在直流电源及外电路的共同作用下静态工作点是否合适，可由UBEQ ,UCEQ 的取值进行判断。

(1)若UBEQ 的取值为三极管2N222A 的导通电压UON ,约在0.6~0.7 V 之间，且UCEQ 的取值接近于VCC 的1 2 时，能保证三极管在整个信号周期均能工作在放大区，输入信号被放大一定倍数后在输出端不失真的输出，且输出与输入反向。

(2)若UBEQ 的取值为三极管2N222A 的导通电压UON ,但UCEQ 的取值小于UBEQ 时，三极管此时已经饱和，在输入信号的正半周会一直处于饱和状态，输出信号因此出现底部失真现象。

(3)若UBEQ 的取值小于三极管2N222A 的导通电压UON ,但UCEQ 的取值接近于VCC 时，三极管此时基本处于截止状态，在输入信号的负半周会一直处于截止状态，输出信号因此出现顶部失真现象。

2.2 仿真分析

在图1所示电路中选择节点电压

U1(UB) ,U6(UC) ,U5(UE) 作为“直流工

作点分析”的三个电路变量，据此计算UBEQ ,UCEQ 的值，并判断晶体管此时

的工作状态。

获得静态工作点数据后，通过电阻

R1 ,R2 为电路输入频率为 1 kHz 、幅

值为500 mV 的正弦信号ui ,此时三极管上真正的输入信号应为电阻R2 两

端获得的动态小信号

uR2 ,其幅值低于10 mV,符合实验电路交流小信号的要求。

三极管的动态输出信号为负载RL 两端的输出电压

uRL ,用双踪示波器显示实

时的输入信号

uR2 及输出信号uRL 的波形，验证上述分析的结果。

由式(1)~式(3)可知，可调电位器Rp 的取值将影响各静态工作点的取值，

仿真过程中通过修改电路元件

Rp 的参数改变基极电阻，观察各项静态工作点

数据及输出波形因此产生的变化。

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

2.2.1 合适的静态工作点

当Rp = 91 k Ω 时得到如图2(a)所示的直流工作点数据，可得三极管三个

极此时的电位：

UB ≈ 2.47 V, UC ≈ 7.81 V, UE ≈ 1.86 V 由此计算得静态工作点数据：

UBEQ ≈ 0.61 V, UCEQ ≈ 5.95 V 可见，UBEQ > UON ,UCEQ > UBEQ ,且

UCEQ 接近于VCC 的1 2,三极管在直流电源的作用下理论上取得合适的静态工作

点，能保证在整个小信号周期均能工作在放大区。

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

图2(b)所示即为此时的输入输出波形，从波形图看出，输入与输出反相，

uRL

正负半周对称，uR2 的信号峰值约为9.75 mV,uRL 的信号峰值约为101.78

mV,uRL 实现了对输入信号

uR2 不失真的放大，符合理论分析的结果。

2.2.2 静态工作点偏高由式(1)~式(3)可知，当Rp 减小时，三极管基极电位

UBQ 会升高，发射

极电流和集电极电流会增大，则集电极电阻

Rc 上的压降及发射极电阻

(Re1

+ Re2) 上的压降会增大，使得

UCEQ 减小，电路的静态工作点上移，接近三极

管的饱和区。

现调节Rp 使之取值为0,得到如图3(a)所示的直流工作点数据，可得三极

管三个极此时的电位：

UBQ ≈ 4.35 V,UCQ ≈ 3.81 V,UEQ ≈ 3.70 V .由此计算得静态工作点数据：

UBEQ ≈ 0.65 V, UCEQ ≈ 0.11 V 可见，UBEQ > UON ,但UCEQ < UBEQ ,

三极管在直流电源的作用下已经进入到饱和区，在输入信号的正半周会一直处于

饱和状态，输出信号的负半周会出现失真。图3(b)所示的波形图为此时测得的输入输出波形，从波形图可知，

uRL

的正向信号峰值约为

28.82 mV,反向信号峰值约为-18.26 mV,出现了明显的底

部失真，此失真显然是因为静态工作点过高导致的。

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

2.2.3 静态工作点偏低

反之，当基极电阻

Rp 增大时，三极管基极电位

UBQ 会降低，同时发射极

电流和集电极电流会减小，则集电极电阻

Rc 上的压降及发射极电阻

(Re1 +

Re2) 上的压降会减小，使得

UCEQ 增大，电路的静态工作点下移，接近三极管

的截止区。

调节Rp 取值为700 k Ω ,得到如图4(a)所示的直流工作点数据，可得三极

管三个极此时的电位：

UBQ ≈ 0.596 V,UCQ ≈ 11.82 V,UEQ ≈ 0.079 V .

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

由此计算得静态工作点数据：

UBEQ ≈ 0.517 V, UCEQ ≈ 11.741 V 可见，UBEQ < UON,UCEQ 接近于

VCC ,三极管在直流电源的作用下已经接近截止，在输入信号的负半周

UBE 会更小，三极管基本处于截止状态，输出信号的正半周会出现失真。图

4(b)所

示的波形图为此时测得的输入

/输出波形，从波形图可知，

uRL 的正向信号峰值约为22.94 mV,反向信号峰值约为-25.55 mV,出现了明显的顶部失真，该

失真显然是因为三极管的静态工作点过低所致。若继续增大

Rp 的取值，会

发现UB 和UE 的值会继续减小，UC 的值会继续增大，波形的失真会越来越严

重。

3 结语

由上述仿真结果可知，电路元件

Rp 的取值将直接影响电路的静态工作点，

电路静态工作点的取值直接影响电路的动态输出，体现了静态工作的重要性，与

理论分析的结果一致。

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

利用仿真软件对电路进行仿真，可以一边修改电路参数一边观察仿真结果，能

实时看到电路参数改变带来的结果，省去了复杂的计算推理，结果却更加形象直

观。同时还能得到一些单靠理论分析所看不到的结果，如三极管出现底部失真及

顶部失真对应的电路元件参数临界值。总之，在教学中引入仿真软件，一方面可

以通过实际的数据帮助学生更好地理解放大电路的本质，同时还会引导学生思考

一些新的问题，激发学生的学习兴趣，有助于培养学生的创新意识，为学生以后

的自主学习铺就了另一条道路。

，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

Multisim基础使用方法详解

M u l t i s i m基础使用方法详解集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

第2章 Multisim9的基本分析方法主要内容 ?直流工作点分析（DC Operating Point Analysis ） ?交流分析（AC Analysis） ?瞬态分析（Transient Analysis） ?傅立叶分析（Fourier Analysis） ?失真分析（Distortion Analysis） ?噪声分析（Noise Analysis） ?直流扫描分析（DC Sweep Analysis） ?参数扫描分析（Parameter Sweep Analysis）直流工作点分析直流工作点分析也称静态工作点分析，电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时，计算电路的直流工作点，即在恒定激励条件下求电路的稳态值。在电路工作时，无论是大信号还是小信号，都必须给半导体器件以正确的偏置，以便使其工作在所需的区域，这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点，才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。 2.1.1构造电路

为了分析电路的交流信号是否能正常放大，必须了解电路的直流工作点设置得是否合理，所以首先应对电路得直流工作点进行分析。在Multisim9工作区构造一个单管放大电路，电路中电源电压、各电阻和电容取值如图所示。注意：图中的1，2，3，4，5等编号可以从Options---sheet properties—circuit—show all 调试出来。执行菜单命令（仿真）Simulate/（分析）Analyses，在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point，则出现直流工作点分析对话框，如图A所示。直流工作点分析对话框B。 1. Output 选项 Output用于选定需要分析的节点。左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量（可以通过鼠标拖拉进行全选），再单击Add按钮，相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析，则先选中它，然后点击Remove按钮，该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。 Options 和Summary选项表示：分析的参数设置和Summary页中排列了该分析所设置的所有参数和选项。用户通过检查可以确认这些参数的设置。 2.1.3 检查测试结果点击B图下部Simulate按钮，测试结果如图所示。测试结果给出电路各个节点的电压值。根据这些电压的大小，可以确定该电路的静态工作点是否合理。如果不合理，可以

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数解释 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压） IBV 反向击穿电流（漆点电流） KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压 IKF （IK）正向漆点电流 ISE（C2） B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流

BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB）正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流 RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压 MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI（PT） IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO 由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写

实验八multisim电路仿真

电子线路设计软件课程设计报告实验内容：实验八multisim电路仿真一、验目的 1、进一步熟悉multisim的操作和使用方法 2、掌握multisim做电路仿真的方法 3、能对multisim仿真出的结果做分析二、仿真分析方法介绍 Multisim10为仿真电路提供了两种分析方法，即利用虚拟仪表观测电路的某项参数和利用Multisim10 提供的十几种分析工具，进行分析。常用的分析工具有：直流工作点分析、交流分析、瞬态分析、傅立叶分析、失真分析、噪声分析和直流扫描分析。利用这些分析工具，可以了解电路的基本状况、测量和分析电路的各种响应，且比用实际仪器测量的分析精度高、测量范围宽。下面将详细介绍常用基本分析方法的作用、分析过程的建立、分析对话框的使用以及测试结果的分析等内容 1、直流工作点分析直流工作点分析也称静态工作点分析，电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时，计算电路的直流工作点，即在恒定激励条件下求电路的稳态值。在电路工作时，无论是大信号还是小信号，都必须给半导体器件以正确的偏置，以便使其工作在所需的区域，这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点，才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。执行菜单命令Simulate/Analyses，在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point，则出现直流工作点分析对话框，如图所示。直流工作点分析对话框包括3页。

Output 页用于选定需要分析的节点。左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量（可以通过鼠标拖拉进行全选），再点击Plot during simulation 按钮，相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析，则先选中它，然后点击Remove按钮，该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。Analysis Options页点击Analysis Options按钮进入Analysis Options页，其中排列了与该分析有关的其它分析选项设置，通常应该采用默认的 Summary页

[VIP专享]基于Multisim的三极管放大电路仿真分析

Multisim数字电路仿真快速上手教程

Multisim快速上手教程每一次数电实验都要疯了有木有！！！全是线！！！全是线！！！还都长得要命！！！完全没地方收拾啊！！！现在数电实验还要求做开放实验，还要求最好先仿真！！！从来没听说过仿真是个什么玩意儿的怎么破！！！以下内容为本人使用仿真软件的一些心路历程，可供参考。所谓仿真，以我的理解，就是利用计算机强大的计算能力，结合相应的电路原理（姑且理解为KVL+KCL）来对电路各时刻的状态求解然后输出的过程。相较于模拟电路，数字电路的仿真轻松许多，因为基本上都转化为逻辑关系的组合了。有人用minecraft来做数字电路，都到了做出8bitCPU的水平（https://www.docsj.com/doc/b813150102.html,/v_show/id_XMjgwNzU5MDUy.html、https://www.docsj.com/doc/b813150102.html,/v_show/id_XNjEwNTExODI4.html）。这个很神奇。以下进入正文首先，下载Multisim安装程序。具体链接就不再这里给出了（毕竟是和$蟹$版的软件），可以到BT站里搜索，有一个Multisim 12是我发的，里面有详细的安装说明，照着弄就没问题了。好，现在已经安装上Multisim 12了。然后运行，在Circuit Design Suite12.0里，有一个multisim，单击运行。进去之后就是这样的。那一大块白的地方就是可以放置元件的地方。现在来以一个简单的数字逻辑电路为例：

菜单栏下一排是这些东西，划线的是数字电路仿真主要用得上的元件。来个7400吧点击TTL那个图标（就是圈里左边那个）。出来这样一个东西：红圈里输入7400就出来了，也可以一个一个看，注意右边“函数”栏目下写的“QUAD 2-INPUT NAND”即是“四个双输入与非门”的意思。点击确认，放置元件。 A、B、C、D在这里指一块7400里的四个双输入与非门，点击即可放置。看起来很和谐，那就做个RS触发器吧。这里输出用的是一种虚拟器件PROBE，在Indicators组，图标就是个数码管的那个。功能相当于实验箱上那些LED，也是高电平就点亮。元件旋转方向的方法是选中元件然后按Ctrl+R(otate)。还可以选中元件后点击右键，选择“水平翻转”等。

multisim中有关元器件参数的中英文对照

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管） IS 传输饱和电流 EG 禁带宽度 XTI（PT）IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压 IKF （IK）正向漆点电流 ISE（C2）B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流 BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB）正想欧拉电压

IKR 反向漆点电流 ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB 零偏压基极电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE PE 发射结内建电势 MJE ME 集电结剃度因子 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 FC 正偏势垒电容系数 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间 XTB BF和BR的温度系数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数

multisim 电路仿真课程设计

4.1 仿真设计 1、用网孔法和节点法求解电路。如图4.1-1所示电路： 3Ω （a）用网孔电流法计算电压u的理论值。（b）利用multisim进行电路仿真，用虚拟仪表验证计算结果。（c）用节点电位法计算电流i的理论值。（d）用虚拟仪表验证计算结果。解：电路图：（a） i1=2 解得 i1=2 5i2-31-i3=2 i2＝1 i3=-3 i3=-3 u=2 v （b）如图所示：（c）列出方程 4/3 U1- U2=2 解得 U1＝3 v U2=2 v 2A1Ω _ + 1Ω 2V - 3A 图4.1-1 i

2U 1- U 2=2 i=1 A 结果：计算结果与电路仿真结果一致。结论分析：理论值与仿真软件的结果一致。 2、叠加定理和齐次定理的验证。如图4.1-2所示电路： (a)使用叠加定理求解电压u 的理论值； (b)利用multisim 进行电路仿真，验证叠加定理。 (c)如果电路中的电压源扩大为原来的3倍，电流源扩大为原来的2倍，使用齐次定理，计算此时的电压u ； (d)利用multisim 对（c ）进行电路仿真，验证齐次定理。电路图：（a ） I 1=2 7 I 2-2 I 1- I 3=0 3 I 3- I 2-2 I 4=0 解得 U 1=7（V ） I 4=-3 U 1 U 1=2（I 1- I 2）如图所示电压源单独作用时根据网孔法列方程得： 3 I 1-2 I 2- I 3= 4 I 2=-3 U 2 7 I 3 - I 1=0 解得 U 2=9（V ） U 2=4-2 I 3 所以 U= U 1+ U 2=16（V ）（b ）如图所示。 2Ω 1Ω 2Ω 4Ω 2A 3u + 4V - + u - 图4.1-2

Multisim电路仿真

Multisim电路仿真示例1．直流电路分析步骤一：文件保存打开Multisim 软件，自动产生一个名为Design1的新文件。打开菜单File>>Save as…，将文件另存为“CS01”(自动加后缀) 步骤二：放置元件打开菜单Place>>Component… 1.选择Sources(电源)Group (组)，选择POWER_SOURCES(功率源)Family(小组)，在元件栏中用鼠标双击DC_POWER，将直流电源放置到电路工作区。说明：所有元件按Database -> Group -> Family 分类存放

2.继续放置元件： Sources Group –>POWER_SOURCES Family->ROUND(接地点 Basic Group->RESISTOR Family（选择5个电阻） 3.设定元件参数。采用下面两种方式之一 1)在放置元件时（在一系列标准值中）选择； 2)在工作区，鼠标右键点击元件，在Properties (属性)子菜单中设定。步骤三.根据电路图连线用鼠标拖动元件到合适位置，如果有必要，鼠标右键点击元件，可对其翻转(Flip)或旋转(Rotate)。连线时先用鼠移至一个元件的接线端，鼠标符号变成叉形，然后拖动到另一结点，点击右键确认连线。若需显示全部节点编号，在菜单 Option>>Sheet Properties>>Sheet visibility 的Net names 选板中选中show all。

步骤四.电路仿真选择菜单Simulate>>Analyses>>DC operating point…(直流工作点分析) 在DC operating point analysis窗口中，选择需要分析的变量（节点电压、元件电流或功率等）。

实验1：电路仿真工具Multisim的基本应用

实验一电路仿真工具Multisim的基本应用一．实验目的 1.学会电路仿真工具Multisim的基本操作。 2.掌握电路图编辑法，用Multisim对电路进行仿真。二、实验仪器 PC机、Multisim软件三、实验原理 MultiSim 7 软件是加拿大Electronics Workbench 公司推出的用于电子电路仿真的虚拟电子工作台软件。它可以对模拟电路、数字电路或混合电路进行仿真。该软件的特点是采用直观的图形界面，在计算机屏幕上模仿真实实验室的工作台，用屏幕抓取的方式选用元器件，创建电路，连接测量仪器。软件仪器的控制面板外形和操作方式都与实物相似，可以实时显示测量结果。 1. Multisim 7主窗口 2. 常用Multisim7 设计工具栏元件编辑器按钮--用以增加元件仿真按钮--用以开始、暂停或结束电路仿真。分析图表按钮--用于显示分析后的图表结果分析按钮--用以选择要进行的分析。3．元件工具栏（主窗口左边两列）其中右边一列绿色的为常用元器件（且为理想模型）。左边一列包含了所有元器件（包括理想模型和类实际元器件模型）。在电路分析实验中常用到的器件组包括以下三个组（主界面左边第二列）：电源组信号源基本器件组

（1）电源（点击电源组）交流电源直流电源接地（2）基本信号源交流电流源交流电压源（3）基本元器件（点击基本器件组）电感电位器电阻可变电容电容 4.常用虚拟仪器（主窗口右侧一列） ⑴数字万用表数字万用表的量程可以自动调整。双击虚拟仪器可进行参数设定。下图是其图标和面板：其电压、电流档的内阻，电阻档的电流和分贝档的标准电压值都可以任意设置。从打开的面板上选Setting按钮可以设置其参数。（2）信号发生器信号发生器可以产生正弦、三角波和方波信号，其图标和面板如下图所示。可调节方波和三角波的占空比。双击虚拟仪器可进行参数设定。（3）示波器在Multisim 7中提供了两种示波器：通用双踪示波器和4通道示波器。双击虚拟仪器可进行参数设定。这里仅介绍通用双踪示波器。其图标和面板如下图所示。

Multisim仿真应用手册_92309562

电子电路仿真应用手册 2009年6月前言本手册基于Multisim V7仿真环境，从最基本的仿真电路图的建立开始，结合实际的例子，对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括：常用半导体器件特性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。更高版本的Multisim仿真环境与之类似。此外，本手册侧重于测试方法的介绍，仅对主要步骤进行说明，如碰到更细节的问题，可参阅《Multisim V7教学版使用说明书》或其它帮助文档。目录 1 Multisim主界面简介 (2) 2仿真电路图的建立 (2) 3常用半导体器件特性曲线的测试方法 (3) 3.1 晶体三极管特性曲线的测试 (3) 3.1.1 IV分析仪测试方法 (3) 3.1.2 直流扫描分析方法 (3) 3.2 结型场效应管特性曲线的测试 (4) 3.2.1 IV分析仪测试方法 (4) 3.2.2 直流扫描分析方法 (4) 3.3 二极管、稳压管伏安特性曲线的测试 (5) 4放大电路静态工作点的测试方法 (5) 4.1 虚拟仪器测试方法 (5) 4.2 静态工作点分析方法 (5) 5放大电路动态参数的测试方法 (6) 5.1 电压放大倍数的测试 (6) 5.1.1瞬态分析测试方法 (6) 5.1.2虚拟仪器测试方法 (6) 5.2 输入电阻的测试 (6) 5.3 输出电阻的测试 (7) 5.4频率响应的测试 (7) 5.4.1交流分析方法 (7) 5.4.2 波特图仪测试方法 (7) 6电压传输特性的测试方法 (8) 7上升时间的测试方法 (9) 8逻辑函数的转换与化简 (10) 8.1 逻辑函数转换为真值表 (10) 8.2 真值表转换为逻辑函数 (10) 9逻辑分析仪的使用方法 (11)

基于Multisim的电路仿真

模拟电子技术实验《信号放大器的设计》班级：姓名：指导老师： 2013年12月10日至12日

1.实验目的（1）掌握分立或集成运算放大器的工作原理及其应用。（2）掌握低频小信号放大电路和功放电路的设计方法。（4）通过实验培养学生的市场素质，工艺素质，自主学习的能力，分析问题解决问题的能力以及团队精神。（5）通过实验总结回顾所学的模拟电子技术基础理论和基础实验，掌握低频小信号放大电路和功放电路的设计方法 2.实验任务和要求 2.1实验任务 1）已知条件：信号放大电路由“输入电路”、“差分放大电路”、“两级负反馈放大电路”、“功率放大器”、“扬声器”几部分构成。图2-1 信号放大器的系统框图 2）性能指标： a)输入信号直接利用RC 正弦波振荡电路产生。 b) 前置放大器：输入信号：Uid ≤ 10 mV 输入阻抗：Ri ≥ 100 k c) 功率放大器：最大不失真输出功率：Pomax ≥1W 负载阻抗：RL= 8；电源电压：+ 5 V ，+ 12V ，- 12V d) 输出功率连续可调直流输出电压 ≤ 50 mV 信号产生差分放大共射级放大功率放大负反馈输出信号

静态电源电流≤100 mA 2.2实验要求 1）选取单元电路及元件根据设计要求和已知条件，确定信号产生电路、前置放大电路、功率放大电路的方案，计算和选取单元电路的原件参数。 2）前置放大电路的组装与调试测量前置放大电路的差模电压增益AU、共模电压增益AUc、共模抑制比KCMR、带宽BW、输入电压Ri等各项技术指标，并与设计要求值进行比较。 3）有源带通滤波器电路的组装与调试测量有缘带通滤波器电路的差模电压增益AUd、带通BW，并与设计要求进行比较。 4）功率放大电路的组装与调试功率放大电路的最大不失真输出功率Po,max、电源供给功率PDC、输出效率η、直流输出电压、静态电源电流等技术指标。 5）整体电路的联调 6）应用Multisim软件对电路进行仿真分析。 2.3选用元器件电容电阻若干、双踪示波器1个、信号发生器一个、交流毫伏表1个、数字万用表等仪器、晶体三极管 2N3906 1个，2N2222A 5个，2N2222 2个，2N3904 2个，1N3064 1个。 3、实验内容 1、总电路图（一）实验总体电路图

Multisim仿真混沌电路

Multisim仿真—混沌电路 1104620125

Multisim仿真—混沌电路一、实验目的 1、了解非线性电阻电路伏安特性，以及其非线性电阻特征的测量方法； 2、使用示波器观察混沌电路的混沌现象，通过实验感性地认识混沌现象，理解非线性科学中“混沌”一词的含义；； 3、研究混沌电路敏感参数对混沌现象的影响二、实验原理 1、蔡氏电路本实验采用的电路图如图9-16 所示，即蔡氏电路。蔡氏电路是由美国贝克莱大学的蔡少棠教授设计的能产生混沌行为的最简单的一种自制电路。R 是非线性电阻元件，这是该电路中唯一的非线性元件，是一个有源负阻元件。电容C2 与电感L 组成一个损耗很小的振荡回路。可变电阻1/G 和电容C1 构成移相电路。最简单的非线性元件R 可以看作由三个分段线性的元件组成。由于加在此元件上的电压增加时，故称为非线性负阻元件。三、实验内容为了实现有源非线性负阻元件实，可以使以下电路，采用两个运算放大器（1 个双运放TL082）和六个配置电阻来实现，其电路如图1，这主要是一个正反馈电路，能输出电流以维持振荡器不断震荡，而非线性负阻元件能使振荡周期产生分岔和混沌等一系列非线性现象。 1、实验电路如下图，电路参数：1、电容：100nf 一个，10nf 一个； 2、线性电阻6 个：

200Ω二个，22kΩ二个，2.2kΩ一个，3.3kΩ一个；3、电感：18mH 一个；4、运算放大器：五端运放TL083 二个；5、可变电阻：可变电阻一个；6、稳压电源：9V 的VCC 二个，-9V 的VEE 二个；图1 选好元器件进行连接，然后对每个元器件进行参数设置，完成之后就可以对蔡氏电路进行仿真了。双击示波器，可以看到示波器的控制面板和显示界面，在控制面板上可以通过相关按键对显示波形进行调节。下面是搭建完电路的截图： 2、将电压表并联进电路，电流表串联进电路可以直接测出加在非线性负阻的电压、电流， U/V I/mA U/V I/mA 12 0.1579 -1 -0.76917 11 2.138 -2 -1.44352 10 4.601 -3 -1.84752

multisim电路仿真图

一．直流叠加定理仿真图1.1 图1.2 图1.3 结果分析：从上面仿真结果可以看出，V1和I1共同作用时R3两端的电压为36.666V；V1和I1单独工作时R3两端的电压分别为3.333V和33.333V，这两个数值之和等于前者，符合叠加定理。二．戴维南定理仿真戴维南定理是指一个具有直流源的线性电路，不管它如何复杂，都可以用一个电压源UTH与电阻RTH串联的简单电路来代替，就它们的性能而言，两者

是相同的。图2.1 如上图2.1电路所示，可以看出在XMM1和XMM2的两个万用表的面板上显示出电流和电压值为：IRL=16.667mA，URL=3.333V。图2.2 如上图2.2所示电路中断开负载R4，用电压档测量原来R4两端的电压，记该电压为UTH，从万用表的面板上显示出来的电压为UTH=6V。

图2.3 在图2.2所测量的基础之上，将直流电源V1用导线替换掉，测量R4两端的的电阻，将其记为RTH，测量结果为RTH=160Ω。图2.4

在R4和RTH之间串联一个万用表，在R4上并接一个万用表，这时可以读出XMM1和XMM2上读数分别为：IRL1=16.667mA，URL1=3.333V。结果分析：从图2.1的测试结果和图2.4的测试结果可以看出两组的数据基本一样，从而验证了戴维南定理。三．动态电路的仿真 1、一阶动态电路：图3.1 2、二阶动态电路分析：图3.2 2、二阶动态电路：图3.3

一阶动态电路中V2随时间的变化可以看出，在0~500ms之间随时间的增大而非线性增大，大于500ms后趋于稳定。图3.4 当R1电位器阻值分别为500Ω,2000Ω,4700Ω时，输出瞬态波形的变化如上图所示。四．交流波形叠加仿真图4.1

电路分析multisim仿真实验二

电路分析Multisim仿真实验二验证欧姆定律 1．实验要求与目的（1）学习使用万用表测量电阻。（2）验证欧姆定律。 2. 元器件选取（1）电源：Place Source→POWER_SOURCES→DC_POWER,选取直流电源,设置电源电压为12V。（2）接地：Place Source→POWER_SOURCES→GROUND，选取电路中的接地。（3）电阻：Place Basic→RESISTOR,选取R1=10Ω,R2=20Ω。（4）数字万用表：从虚拟仪器工具栏调取XMM1。（5）电流表：Place Indicators→AMMETER，选取电流表并设置为直流档。 3. 仿真实验电路图1 数字万用表测量电阻阻值的仿真实验电路及数字万用表面板

图2 欧姆定律仿真电路及数字万用表面板 4．实验原理欧姆定律叙述为：线性电阻两端的电压与流过的电流成正比，比例常数就是这个电阻元件的电阻值。欧姆定律确定了线性电阻两端的电压与流过电阻的电流之间的关系。其数学表达式为U=RI，式中，R为电阻的阻值（单位为Ω）；Ｉ为流过电阻的电流（单位为Ａ）；Ｕ为电阻两端的电压（单位为Ｖ）。欧姆定律也可以表示为Ｉ＝Ｕ／Ｒ，这个关系式说明当电压一定时电流与电阻的阻值成反比，因此电阻阻值越大则流过的电流就越小。如果把流过电阻的电流当成电阻两端电压的函数，画出Ｕ（Ｉ）特性曲线，便可确定电阻是线性的还是非线性的。如果画出的特性曲线是一条直线，则电阻式线性的；否则就是非线性的。 5．仿真分析（1）测量电阻阻值的仿真分析 ①搭建图1所示的用数字万用表测量电阻阻值的仿真实验电路，数字万用表按图设置。 ②单击仿真开关，激活电路，记录数字万用表显示的读数。 ③将两次测量的读数与所选电阻的标称值进行比较，验证仿真结果。（2）欧姆定律电路的仿真分析 ①搭建图2所示的欧姆定律仿真电路。 ②单击仿真开关，激活电路，数字万用表和电流表均出现读数，记录电阻R1两

Multisim数电仿真 555电路应用

实验3.12 555电路应用一、实验目的： 1. 了解555电路的工作原理。 2. 学会分析555电路所构成的几种应用电路工作原理。 3．掌握555电路的具体应用。二、实验准备： 555电路是一种常见的集模拟与数字功能于一体的集成电路。只要适当配接少量的元件，即可构成时基振荡、单稳触发等脉冲产生和变换的电路，其内部原理图如图3.12.1所示，其中(1)脚接地，(2)脚触发输入，(3)脚输出，(4)脚复位，(5)脚控制电压，(6)脚阈值输入，(7)脚放电端，(8)脚电源。图3.12.1 555集成电路功能如表3.12.1所示。表3.12.1：

注：1.(5)脚通过小电容接地。 2.*栏对CMOS 555电路略有不同。图3.12.2是555振荡电路，从理论上我们可以得出：振荡周期： C R R T ?+=)2(7.021...........................…….....3.12.1 高电平宽度： C R R t W ?+=)(7.021 ..........................…….....3.12.2 占空比： q = 2 12 12R R R R ++............................................…......3.12.3 图3.12.3为555单稳触发电路，我们可以得出(3)脚输出高电平宽度为： RC t W 1.1=............................................................3.12.4 三、计算机仿真实验内容： 1. 时基振荡发生器： (1). 单击电子仿真软件Multisim7基本界面左侧左列真实元件工具条

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数解释 The latest revision on November 22, 2020

电阻模型参数 R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数 C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数 L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数

双极晶体管（三极管） IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间

XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI（PT） IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO

multisim中三极管参数

Is=14.34f 反向饱和电流。 Xti=3 饱和电流的温度指数 Eg=1.11 硅的带隙能量 Vaf=74.03 正向欧拉电压1 Bf=255.9 正向电流放大系数 Ne=1.307 B--E极间的泄漏饱和发射系数 + Ise=14.34f B--E极间的泄漏饱和电流 Ikf=.2847 正向BET A大电流时的滑动拐点 Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数 Br=6.092 理想反向电流放大系数 Nc=2 B--C间的泄漏发射系数 Isc=0 Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点 Rc=1 集电极电阻 + Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。 Mjc=.3416 B-C结指数因子 Vjc=.75 B-C结内建电势 Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数 Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容 Mje=.377 B——E结指数因子 Vje=.75 B-E结内建电势 + Tr=46.91n 反向渡越时间 Tf=411.1p 正向渡越时间 Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10) 正向渡越时间随偏置变化的参数 1,什么是欧拉电压(early voltage)? 三极管的Ic-Vbe图、MOS管的Id-Vgs图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为early voltage。 Early voltage 是一个重要参数"Early voltage"符号VA，在三极管放大区中，理想情况下vce的变化是不会引起ic的变化的，但实际上vce变化会引起ic的变化，那么ic-vce就不是一条直线，而是一条斜线，这也是导致了β值不是固定值，ic-vce曲线在放大区斜率的倒数，就是我们在小信号分析中考虑到的ro，理想情况下公式: ic=Is*exp(vbe/VT) 考虑到VA的修正公式：ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA) ro 是vce对ic的求导，即ic-vce在放大区的斜率的倒数，得到ro≈VA/Ic VA越大，ro越大，ic-vce越接近理想水平线。但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？ "We observe that the characteristic curves, though still straight lines, have finite slope.In fact, when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon. ... The linear dependence of ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant and including the factor (1+vce/VA) in the equation for ic as follows:

基于Multisim的三极管放大电路仿真分析【VIP专享】

基于Multisim 的三极管放大电路仿真分析来源:大比特半导体器件网引言放大电路是构成各种功能模拟电路的基本电路，能实现对模拟信号最基本的处理--放大，因此掌握基本的放大电路的分析对电子电路的学习起着至关重要的作用。三极管放大电路是含有半导体器件三极管的放大电路，是构成各种实用放大电路的基础电路，是《模拟电子技术》课程中的重点内容。在课程学习中，一再向学生强调，放大电路放大的对象是动态信号，但放大电路能进行放大的前提是必须设置合适的静态工作点，如果静态工作点不合适，输出的波形将会出现失真，这样的 “放大”就毫无意义。什么样的静态工作点是合适的静态工作点;电路中的参数对静态工作点及动态输出会产生怎样的影响 ;正常放大的输出波形与失真的输出波形有什么区别 ;这些问题单靠课堂上的推理及语言描述往往很难让学生有一个直观的认识。在课堂教学中引入 Multisim 仿真技术，即时地以图形、数字或曲线的形式来显示那些难以通过语言、文字表达令人理解的现象及复杂的变化过程，有助于学生对电子电路中的各种现象形成直观的认识，加深学生对于电子电路本质的理解，提高课堂教学的效果。实现在有限的课堂教学中，化简单抽象为具体形象，化枯燥乏味为生动有趣，充分调动学生的学习兴趣和自主性。 1 Multisim 10 简介 Multisim 10 是美国国家仪器公司(NI 公司)推出的功能强大的电子电路仿真设计软件，其集电路设计和功能测试于一体，为设计者提供了一个功能强大、仪器齐全的虚拟电子工作平台，设计者可以利用大量的虚拟电子元器件和仪器仪表，进行模拟电路、数字电路、单片机和射频电子线路的仿真和调试。 Multisim 10 的主窗口如同一个实际的电子实验台。屏幕中央区域最大的窗口就是电路工作区，电路工作窗口两边是设计工具栏和仪器仪表栏。设计工具栏存放着各种电子元器件，仪器仪表栏存放着各种测试仪器仪表，可从中方便地选择所需的各种电子元器件和测试仪器仪表在电路工作区连接成实验电路，并通过 “仿真”菜单选择相应的仿真项目得到需要的仿真数据。 2 三极管放大电路的仿真分析、管路敷设技术通过管线不仅可以解决吊顶层配置不规范高中资料试卷问题，而且可保障各类管路习题到位。在管路敷设过程中，要加强看护关于管路高中资料试卷连接管口处理高中资料试卷弯扁度固定盒位置保护层防腐跨接地线弯曲半径标等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料试卷相互作用与相互关系，根据生产工艺高中资料试卷要求，对电气设备进行空载与带负荷下高中资料试卷调控试验；对设备进行调整使其在正常工况下与过度工作下都可以正常工作；对于继电保护进行整核对定值，审核与校对图纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。、电气设备调试高中资料试卷技术电力保护装置调试技术，电力保护高中资料试卷配置技术是指机组在进行继电保护高中资料试卷总体配置时，需要在最大限度内来确保机组高中资料试卷安全，并且尽可能地缩小故障高中资料试卷破坏范围，或者对某些异常高中资料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

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