第3章-逻辑门电路.

3 逻辑门电路

3.1 MOS 逻辑门电路

3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。

解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。

从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ，I OL =8mA ，I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ，I IL =0.1mA ，其实省略了表示电流流向的符号。

（1） 根据（3.1.4）和式（3.1.5）计算扇出数

74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数

0.4200.02OH OH IH I mA N I mA

=== 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA =

==

所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。

（2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有

0.4200.02OH OH IH I mA N I mA

=== 8800.1OL OL IL I mA N I mA =

== 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。

3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的

T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）。

解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题3.1.4（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。

对于图题3.1.4（a ），GS V =5V ，DS v =5V ，可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。对于图题

3.1.4（c ），GS V =0V ＜V T ，所以MOS 管处于截止状态。

P 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为负。当GS V ＞V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≤V T ，且DS v ≤（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。对于图题3.1.4（b ），GS V =0V ＞﹣2V ，该MOS 管处于截止状态。对于图题3.1.4（d ），GS V =-5V ，GS V =﹣5V ，可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。

3.1.5 为什么说74HC 系列CMOS 与非门在﹢5V 电源工作时，输入端在以下四种接法下都属于逻辑0：（1）输入端接地；（2）输入端低于1.5V 的电源；（3）输入端同类与非门的输出低电压0.1V ；（4）输入端接10k Ω的电阻到地。

解：对于74HC 系列CMOS 门电路来说，输出和输入低电平的标准电压值为：V OL =0.1V ， V IL =1.5V 。因此，有：

（1） I v =0＜V IL =1.5V ，属于逻辑0。

（2） I v ＜1.5V=V IL ，属于逻辑0。

（3） I v =0.1V ＜V IL =1.5V ，属于逻辑0。

（4） 由于CMOS 管得栅极电流非常小，通常小于1uA ，在10k Ω电阻上产生的压降

小于10mV 即I v ＜0.01V ＜V IL =1.5V ，故亦属于逻辑0。

3.1.6 试分析图题3.1.6所示的电路，写出其逻辑表达式，说明它是说明逻辑电路？

解：该电路由两部分组成，如图题3.1.6所示，细线左边为一级与非门，虚线右边组成与或非门，其中T 1N 和T 2N 并联实现与功能，两者再与T 3N 串联实现或功能。与非门的输出X AB =。

与或非门的输出L 为

()()L A B X A B AB AB AB A

B =+=+=+=

该电路实现同或功能。

3.1.7 求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式。

解：图题3.1.7所示电路中，1234,,,L AB L BC L D L ===实现与功能，即4123L L L L =??，而4L L E =?，所以输出逻辑表达式为L AB BC D E =???。

3.1.8 用三个漏极开路与非门74HC03和一个TTL 与非门74LS00实现图题3.1.7所示的电路，已知CMOS 管截止时的漏电流I OZ =5uA, 试计算R P(min)和R P(max)。

解：第一级的两个与非门和一个非门用漏极开路与非门74HC03组成，第二级的与非门用TTL 与非门74LS00实现。

从附录A 查得74HC 系列的参数为：V OL(max)=0.33V ,I OL(max)=4 mA ，V OH(min)=3.84V ；74LS 系列的参数为：I IL(max)=0.4mA ，I IH(max)=0.02mA 。

因为三个漏极开路门的公共上拉电阻R P 的下端74LS00的一个输入端，即：

在灌电流情况下，求出R P 的最小值：

(max)

(min)(max)()(50.33) 1.3(40.4)DD OL p OL IL total V V V R k I I mA

--==≈Ω-- 在拉电流情况下，求出R P 的最大值

(min)

(max)()()(5 3.84)33.1(0.00530.02)DD OH p OZ total IH total V V V R k I I mA

--==≈Ω+?+ 3.1.9 .图题.3.1.9表示三态门作总线传输的示意图，图中n 个三态门的输出接数据传输总线，D 1、D 2、…、n D 为数据输入端，CS 1、CS 2、…、i CS 为片选信号输入端。试问：（1）CS 信号如何进行控制，以便数据D 1、D 2、…、n D 通过该总线进行正常传输；（2）CS 信号能否有两个或两个以上同时有效？如果CS 出现两个或两个以上有效，可能发生什么情况？（3）如果CS 信号均无效，总线处在什么状态？

解：（1）根据图题3.1.9可知，片选信号CS 1、CS 2、…、i CS 为高电平有效，当i CS =1时，第i 个三态门被选中，其输入数据被送到数据传输总线上。根据数据传输的速度，分时地给CS 1、CS 2、…、i CS 端以正脉冲信号，使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上。

（2）CS 信号不能有两个或两个以上同时有效，否则两个不同的信号将在总线上发生冲突。即总线不能同时既为0又为1。

（3）如果所有CS 信号均无效，总线处于高阻状态。

3.1.10 某厂生产的双互补对及反相器（4007）引出端如图题3.1.10所示，试分别连接：（1）三个反相器；（2）三输入端或非门；（3）三输入端与非门；（4）或与非门[()L C A B =+]；

（5）传输门（一个非门控制两个传输门分时传送）。

解：（1）三个反相器

将图题3.1.10所示电路按下列方式连接，可以得到三个反相器。

①8、13相连，6端为输入，8端为输出，14端接V DD，7端接地；

②1、5相连，3端为输入，5端为输出，2端接V DD，4端接地；

③10端为输入，12端为输出，11端接V DD，9端接地。

（2）三输入端或非门

电路图如图题解3.1.10（a）所示。

（3）三输入端与非门

电路图如图题解3.1.10（b）所示。

（4）或与非门

电路图如图题解3.1.10（c）所示。

（5）传输门

电路图如图题解3.1.10（d）所示，由6端输入的信号控制TG1、TG2、分时传送数据。6端接低电平时，TG1、导通，2端得数据传送到12端；6端接高电平时，TG2导通，4端得数据传送到12端。

3.1.11试分析图题3.1.11所示某CMOS器件的电路，写出其逻辑表达式，说明它是什么逻

辑电路。

解：电路由两个输入反相器、一个输出反相器、一个传输门T1、T2、和T3构成的电路组成。传输门由B和B控制，当B=0时传输门导通，当B=1时传输门截止。T1、T2、和T3构成电路的工作状态由B控制，当B=1时T1、T3均截止，T1、T2、和T3构成的电路不工作；当B=0时T1、T3均导通，T1、T2和T3构成的电路工作，并且起反相作用，其输出等

于A。

综上所述，当B=0时，T1、T2、和T3构成的电路不工作，传输门导通，输出L=A；当B=1

=。列出真值表如表题解3.1.11时T1、T2、和T3构成的电路工作，传输门截止，输出L A

=+=⊕，故电路为异或门电路。

所示。其逻辑表达式L AB AB A B

3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS电路，说明它们的逻辑功能。

解：对于图题3.1.12（a）所示的CMOS电路，当EN=0时，T P2和T N2均导通，T P1和

=；当EN=1时，T P2和T N2均截止，无论A为高电平T N2构成的的反相器正常工作，L A

还是低电平，输出端均为高阻状态，其真值表如表题解3.1.12所示，该电路是低电平使能三态非门，其表示符号如图题解3.1.12（a）所示。

图题3.1.12（b）所示的CMOS电路，EN=0时，T P2导通，或非门打开，T P1和T N1构成的反相器正常工作，L=A；当EN=1时，T P2截止，或非门输出低电平，使T N1截止，输出端处于高阻状态，该电路是低电平使能三态缓冲器，其标示符号如图题解3.1.12（b）所示。同理可以分析图题3.1.12（c）和图题3.1.12（d）所示的CMOS电路，它们分别为高电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门，其标示符号分别如图题解3.1.12（c）和图题解3.1.12

（d ）所示。

3.1.13 试分析图题3.1.13所示传输门的电路，写出其逻辑表达式，说明它是说明逻辑电路。 解：对于图题3.1.13所示的电路，输入信号A 作为传输门的控制信号，输入信号B 通过传输门与输出L 相连。当A=0时，传输门TG 1导通，TG 2断开，L=B ；当A=1时，传输门TG 1断开，TG 2导通，L B =；其真值表如表题解3.1.13所示，该电路实现异或功能，L A B =⊕。

3.1.14 由CMOS 传输门构成的电路如图题3.1.14所示，试列出其真值表，说明该电路的逻辑功能。

解：当CS=1时，4个传输门均为断开状态，输出处于高阻状态。当CS=0时，4个传输门的工作状态由A 和B 决定，A=B=0时，TG 1和TG 2导通，TG 3和TG 4截止，L=1。依此分析电路可以列出真值表如表题解3.1.14所示，根据真值表可得L A B =+。该电路实现三态输出的2输入的或非功能。

3.2 TTL逻辑门电路

3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下，都属于逻辑1：（1）输入端悬空；（2）输入端接高于2V的电源；（3）输入端接同类与非门的输出高电压3.6V；（4）输入端接10kΩ电阻到地。

解：对于TTL门电路来说，输出和输入高电平的标准电压值为：V OH=2.7V，V IH=2V。（1）对于图题解3.2.2所示的与非门电路，当输入端悬空时，T1的发射极电流i E1=0，集电极结正偏。V CC通过R b1和T1的继电结向T2、T3提供基极电流，使T2、T3饱和导通，输出为低电平。可见输入端悬空等效于逻辑1。

（2）

I

v≥2V=V IH，属于逻辑1。

（3）

I

v=3.6V＞V IH，属于逻辑1。

（4）对于图题解3.2.2所示的与非门电路，考虑A端接10kΩ电阻接地，B端悬空时，则电源电压V CC=5V分配到R b1（4kΩ）电阻、T1的发射结（0.7）和10kΩ电阻上，显

然，

10

(2) k IH

V V V

Ω

>，故此时输入端亦属于逻辑1。

3.2.3 设有一74LS04反相器驱动两个74ALS04反相器和4个74LS04反相器。（1）问驱动门是否超载？（2）若超载，试提出一改进方案；若未超载，问还可增加几个74LS04门？解：（1）根据题意，74LS04为驱动门，同时它又是负载门，负载门中还有74ALS0

4.

从附录A种查出74LS04和74ALS04的参数如下（不考虑符号）。

74LS04：I OL(max)=8mA，I OH(max)=0.4mA，I IL(max)=0.4mA，I IH(max)= 0.02mA。

74ALS04：I IL(max)=0.1mA，I IH(max)=0.02mA。

4个74LS04的输入电流为：4 I IL(max)=4×0.4mA=1.6mA，4 I IH(max)=4×0.02mA=0.08mA。

2个74ALS04的输入电流为：2 I IL(max)=2×0.1mA=0.2mA，2 I IH(max)=2×0.02mA=0.04mA。

①拉电流负载情况下如图题解3.2.3（a）所示，74LS04总的拉电流为两部分，即4

个74LS04的高电平输入电流最大值4 I IH(max)=4×0.02mA=0.08mA；2个74ALS04

的高电平输入电流最大值2 I IH(max)=2×0.02mA=0.04mA。两部分拉电流之和为

0.08mA+0.04mA=0.12mA。而74LS04能提供0.4mA的拉电流，并不超载。

②灌电流负载情况如图题解3.2.3（b）所示，驱动门的总灌电流为

1.6mA+0.2mA=1.8mA。而74LS04能提供8mA的灌电流，也未超载。

(2) 从上面分析计算可知，74LS04所驱动的两类负载无论是灌电流还是拉电流均未超载，仍有一定的负载裕量。

在拉电流负载情况下电流裕量为0.4mA－0.12mA=0.28mA，可增加74LS00负载为0.28mA/0.02mA=14。

在灌电流负载情况下电流裕量为8mA－1.8mA=6.2mA,可增加74LS04负载数为

6.2mA/0.4mA≈15。

综合考虑，除了2个74ALS04反相器和4个74LS04反相器负载外，再增加负载74LS04数目不能超过14个。

3.2.4 图题3.2.4所示为集电极开路门74LS03驱动5个CMOS逻辑门。已知OC门输出管截止时的漏电流I OZ=0.2mA；负载门的参数为：V IH(min)=4V，V IL(max)=1V, I IL=I IH=1uA。试计算上拉电阻的值。

解：从附录A 查得74LS03的参数为：V OH(min)=2.7V ，V OL(max)=0.5V ，I OL(max)=8mA 。根据式（3.1.6）和式（3.1.7）可以计算出上拉电阻的值。灌电流情况如图题解3.2.4（a ）所示，74LS03输出为低电平，I IL(total)=5I IL =5×0.001mA=0.005mA ，有

(max)(min)(max)()(50.5)0.56(80.005)DD OL P OL IL total V V V R k I I mA

--=

=≈Ω-- 拉电流情况如图题解3.2.4（b ）所示，74LS03输出为高电平，I IH(total)=5I IH =5×

0.001mA=0.005mA ，

由于V OH(min)＜V IH(min)，为了保证负载门的输入高电平，取V OH(min)=4V ，有

(min)

(max)()()

(54) 4.9(0.20.005)DD OH P OZ total IH total V V V R k I I mA --==≈Ω++

综上所述，R P的取值范围为0.56~4.9kΩ。

3.5 逻辑描述中的几个问题

3.5.1 试对图题3.5.1所示电路的逻辑门进行变换，使其可以用单一的或非门实现。解：将图题3.5.1所示的电路第二级的与门用

其等效符号代替，得到图题解3.5.1（a）所示

的电路。然后将第二级输入的小圆圈移至第一

级的输出端，得到图题解3.5.1（b），该电路可

以用或非门74HCT02实现。

另外，也可以将电路的逻辑表达式进行变换得

=++=++=+++

()()()()

L A B C D A B C D A B C D

直接用或非门实现上述表达式，得到如图题解3.5.1（b）所示的逻辑电路。

3.5.2电路如图题3.5.2所示，试用与非门实现。

解：将图题3.5.2所示电路第二级的或门用其等效符号代替，

得到图题解3.5.2（a）所示电路。然后将第二级输入端的小圆

圈移至第一级的输出端，得到图题解3.5.2（b）所示电路，

该电路可以用一片包含四个2输入与非门的74HCT00的

一片包含三个3输入与非门的74HCT10实现。

第3章-逻辑门电路

3 逻辑门电路 3.1 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ，I OL =8mA ，I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ，I IL =0.1mA ，其实省略了表示电流流向的符号。 （1） 根据（3.1.4）和式（3.1.5）计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 （2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的 T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）。 解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题3.1.4（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。 对于图题3.1.4（a ），GS V =5V ，DS v =5V ，可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。对于图题

第三章集成逻辑门电路例题补充

第2章 逻辑门电路 2.1解题指导 【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门，驱动一只V D =1.5V ，I D =6mA 的发光二极管。 解：74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ，不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ，故可选用74LS01来驱动发光二极管，其电路如图所示。限流电阻R 为 Ω =--=--=k V V V R OL D CC 5.065.05.156 【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。 解：由模拟开关的功能知：当A =1时，开关接通。传输门导通时，其导通电阻小于1k Ω，1k Ω与200k Ω电阻分压，输出电平近似为0V 。 而A =0时，开关断开，呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压，输出电平近似为V DD 。 故电路实现了非逻辑功能。 【例2-3】 试写出由TTL 门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F 。 & ≥1 F ≥1 A B 图2-3 例2-3门电路 解：由TTL 门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 【例2-4】 试分别写出由TTL 门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻 辑值。 B F 图2-4 例2-4门电路 解：由TTL 门组成上面逻辑门由于10k Ω大于开门电阻R ON ，所以，无论 A 、B 为何值 。 由CMOS 门组成上面逻辑门由于CMOS 无开门电阻和关门电阻之说，所以， 。 2.2 例题补充 2-1 一个电路如图2-5所示，其三极管为硅管，β=20，试求：ν1小于何值时，三极管T 截止，ν1大于何值时，三极管T 饱和。 解：设v BE =0V 时，三极管T 截止。T 截止时，I B =0。此时 10) 10(020I --= -v v I =2V T 临界饱和时，v CE =0.7V 。此时 V CC v I v O +10V -V BB V V V 0200 11 DD F ≈+=DD DD 44 DD 599F 210101021010V V V V ≈+≈?+=A B A F =++?=110≡F AB F =

数字电路与逻辑设计习题-3第三章集成逻辑门

第三章集成逻辑门 一、选择题 1. 三态门输出高阻状态时，是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。 A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门 3．以下电路中常用于总线应用的有。 A.T S L门 B.O C门 C.漏极开路门 D.C M O S与非门 4．逻辑表达式Y=A B可以用实现。 A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门 5．T T L电路在正逻辑系统中，以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B.通过电阻 2.7kΩ接电源 C.通过电阻 2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地 6．对于T T L与非门闲置输入端的处理，可以。 A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联7．要使T T L与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻R I。 A.＞R O N B.＜R O F F C.R O F F＜R I＜R O N D.＞R O F F 8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可。 A.降低饱和深度 B.增加饱和深度 C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管 9．C M O S数字集成电路与T T L数字集成电路相比突出的优点是。 A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽 10．与C T4000系列相对应的国际通用标准型号为。 A.C T74S肖特基系列 B.C T74L S低功耗肖特基系列 C.C T74L低功耗系列 D.C T74H高速系列 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1．TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（） 2．当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。（） 3．普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起，否则可能会损坏器件。（） 4．两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。（） 5．CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。（） 6．三态门的三种状态分别为：高电平、低电平、不高不低的电压。（） 7．TTL集电极开路门输出为１时由外接电源和电阻提供输出电流。（） 8．一般TTL门电路的输出端可以直接相连，实现线与。（）

第3章_门电路 课后答案要点

第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流 2DD I A μ=，输入信号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不 计），负载电容200L C pF =，功耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S D D D D P I V m W m W -==??= 动态功耗 ()()2125220020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11T O T S D P P P m W =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗

()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y （b） A

第3章-逻辑门电路

3 逻辑门电路 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =，I OL =8mA ，I IH =,I IL =；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =，I IL =，其实省略了表示电流流向的符号。 （1） 根据（3.1.4）和式（）计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 （2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题所示各MOSFET 管的 T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导 通或截止）。 解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。