单片机期末总结材料 最完整版

单片机期末复习总结

1.MCS-51单片机芯片包含哪些主要功能？

8051单片机是个完整的单片微型计算机。芯片部包括下列主要功能部件：

1)8位CPU；

2)4KB的片程序存储器ROM。可寻址64KB程序存储器和64KB外部数据存储器；

3)128B部RAM；

4)21个SFR；

5)4个8位并行I/O口（共32位I/O线）；

6)一个全双工的异步串行口；

7)两个16位定时器/计数器；0

8)5个中断源，两个中断优先级；

9)部时钟发生器。

2.MCS-51单片机的4个I/O口在使用上各有什么功能？

1）P0口：8位双向三态端口，外接上拉电阻时可作为通用I/O口线，也可在总线外扩时用作数据总线及低8位地址总线。

2）P1口：8位准双向I/O端口，作为通用I/O口。

3）P2口：8位准双向I/O端口，可作为通用I/O口，也可在总线外扩时用作高8位地址总线。

4）P3口：8位准双向I/O端口，可作为通用I/O口，除此之外，每个端口还有第二功能。实际应用中常使用P3口的第二功能。

P3的第二功能：

【注】：P0口必须接上拉电阻；

I/O口准双向：MCS-51单片机I/O口做输入之前要先输出1.这种输入之前要先输出1的I/O口线叫做准双向I/O口，以区别真正的输入，输出的双向I/O口。

3. MCS-51单片机的存储器分为哪几个空间？是描述各空间作用？

8051存储器包括程序存储器和数据存储器，从逻辑结构上看，可以分为三个不同的空间：

1）64KB片片外统一编址的程序存储器地址空间，地址围：0000H~FFFFH，对于8051单片机，其中地址0000H~0FFFH围为4KB的片ROM地址空间，1000H ~ FFFFH为片外ROM 地址空间；

2）256B的部数据存储器地址空间，地址围为00H~FFH，对于8051单片机，部RAM分为两部分，其中地址围00H ~ 7FH（共128B单元）为部静态RAM的地址空间，80H~FFH为特殊功能寄存器的地址空间，21个特殊功能寄存器离散地分布在这个区域；对于8052系列单片机还有地址围为80H~FFH的高128B的静态RAM。

3）64KB的外部数据存储器地址空间：地址围为0000H~FFFFH，包括扩展I/O端口地址空间。

4.数据存储器

MCS-51基本型单片机部数据存储器有256B的存储空间，地址为00H~FFH;外部数据存储器的地址空间最大为64KB，编址为

0000H~FFFFH。

256B的部存储器按功能划分为两部分：地址为00H~7FH的低128B

的基本RAM区和地址为80H~FFH的高128B的特殊功能寄存器（SFR）区

基本RAM区分为工作寄存器区，位寻址区，用户RAM区

工作寄存区(00H~1FH):共分为4组，每组由

8个工作寄存器，编号R0~R7

位寻址区(20H~2FH):16个单元，既可以作为

普通RAM单元使用，有可以对单元中的每

一位进行位操作。

用户RAM区(30H~7FH)：用于存放随机数据

及运算的中间结果。

程序状态字寄存器（PSW ）：RS1,RS0(PSW.4,PSW.3):工作寄存器组选择控制位。可用软件对它们置1或清0，以选择当前工作寄存器的组号。

堆栈指针寄存器SP:

堆栈只允许在其一端进行数据插入和数据删除操作的线性表。

PUSH ，数据写入堆栈称为插入运算（入栈）；POP ，从堆栈中读出数据称为删除运算（出栈）。

堆栈的特点：后进先出 LIFO （Last-In Firt-Out)。

堆栈有两种类型：向上生长型，向下生长型。

进栈操作：先SP 加1，后写入数据

出栈操作：先读出数据，后SP 减1

MCS-51单片机复位后，SP 的初值自动设为07H;

5.什么是振荡周期，时钟周期，机器周期和指令周期?如何计算机器周期的确切时间？

1） 振荡周期是指为单片机提供脉冲信号的振荡源的周期，是单片机最基本的时间单位。通常由外接晶振与部电路来提供振荡脉冲信号，其频率记为OSC f ，此频率的倒数即是振荡周期。

2） 振荡脉冲经过二分频后就是单片机的时钟信号，时钟信号的周期称为时钟周期，又定义为状态，用S 表示。时钟周期是振荡周期的二倍。

3）机器周期是指令执行过程中完成某一个基本操作所需的时间。一个机器周期等于12个振荡周期。即OSC M f T 12 。

4）指令周期是指执行一条指令所需要的时间，根据指令不同，可包含1、2、4个机器周期。

常用符号说明：

寻址方式：

（1）立即寻址。操作数直接在指令中给出，它可以是二进制、十进制、十六进制数，也可以是带单引号的字符，通常把这种操作数称为立即数，它的寻址围就是指令本身所在的程序存储单元。

例:MOV A,#25H;MOV DPTR,#1234H;

（2）直接寻址。在指令中直接给出存放操作数的存单元的地址。寻址围为：部RAM低128字节单元，特殊功能寄存器。

例:MOV A,25H;

（3）寄存器寻址。指令中给出的是操作数所在的寄存器。寻址围为：4组工作寄存器（R0 ～R7），部分特殊功能寄存器，如A、B、DPTR。

例：MOV A,R7;

（4）寄存器间接寻址。存放操作数的存单元的地址放在寄存器中，指令只给出寄存器（包括Ri和DPTR），寄存器名称前加“”前缀标志。寻址围：地址围从00 ～FFH的全部部RAM 单元，包括堆栈区，但不包括特殊功能寄存器，以及地址围从0000 ～FFFFH的全部片外RAM。

例:MOV A,R7;

（5）变址寻址。将基址寄存器与变址寄存器的容相加，结果作为操作数的地址。变址寻址主要用于查表操作。寻址围：64KB的程序存储空间。

例:MOVC A,A+DPTR;

（6）相对寻址。指令中给出的操作数是程序相对转移的偏移量。偏移量是一个带符号的单字节数，围为-128 ～+127。

例:SJMP 50H;

（7）位寻址。操作数是位地址。寻址围：部RAM位寻址区共128位（位地址：00 ～7FH），11个特殊功能寄存器中的可寻址位（对于8051，有83位）。

MCS-51单片机指令系统

I.数据传送类(29条)

1.普通传送指令

MOV:部ROM；MOVC:外部ROM;MOVX:程序存储器。

1）片数据存储器传送指令(16条)

(1)以A为目的操作数指令(4条)

MOV A,#data;

MOV A,direct;

MOV A,Rn;

MOV A,Ri;

(2)以Rn为目的操作数的指令(3条)

MOV Rn,#data;

MOV Rn,direct;

MOV Rn,A;

(3)以直接地址为目的操作数的指令(5条)

MOV direct,#data;

MOV direct,direct;

单片机学习心得体会范文五篇

单片机学习心得体会范文五篇 单片机课程设计，是很多高校，电子信息专业、自动化专业、通信专业等学生在校学习期间，必须完成的一项重要的动手实践活动，但现在很多高校的课程设计流于形式。以下是小编整理的单片机学习心得体会范文五篇，欢迎阅读参考! 单片机学习心得体会(一) 这是我第一次做单片机实验，说起来有一些紧张和新奇。在此之前我并没有接触过单片机，我本以为与之前的光学实验及其它实验差不多，可我进到实验室之后，我就改变了这个看法。 单片机实验要求的是一种思维的创新，而不是简单的重复老师所说的实验步骤。因此第一次实验，实验老师向我们讲解了CVAVR编译器的大体状况及使用方法和技巧，并简单的向我们示例——如何在CVAVR中编写一段程序。编完程序之后，明白我们如何使用AVRStudio到达将编好的程序输入到单片机中来使其运行。 之后老师让我们以组为单位合作编写一段程序，并使其运行。我们组想要编写一个跑马灯的程序。在第一次运行CVAVR时，我们组就遇到了一个麻烦，我们在建立一个新project文件那里出现了错误。在保存这个新project文件的时候，我们单击了Save，而不是Generate，SaveandExit.因此它弹不出我们我们所需要的源程序。之后我们透过询问其他人解决了这个问题。在编程中，我们开始做的是两盏灯的交替闪烁，间隔时间是1000ms。在运用AVRStudio的时候，我们又犯了一个错误。在我们打开编译好的工程文件时，开始调试，在最后一步点击Finish时，弹出一对话框，问我们是否更新，然后我们单击了Yes。这导致了仿真器无法下次使用。这是由于实验室中的仿真器是盗版的，无法进行更新。 经过我们的不断努力，我们最后实现了简单的跑马灯的运行，便是两个灯地交替闪烁。我们感到兴奋极了。但是我们并没有满足于当前，我们又编写了三个灯地交替闪烁，四个及多个。当我们一步步实现我们的目的时，我得到莫大成就感和自信。 在这次实验中，我体会到了合作的重要性。一个人也可能实现这一系列的过程，但是要花费很多精力和时间。群策群力，分工明确，能够使我们更好、更快

最新-单片机原理及应用期末考试必考知识点重点总结 精品

单片机概述 单片机是微单片微型计算机的简称，微型计算机的一种。 它把中央处理器（CPU）,随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）,定时器\计数器以及I\O 接口，串并通信等接口电路的功能集成与一块电路芯片的微型计算机。 字长：在计算机中有一组二进制编码表示一个信息，这组编码称为计算机的字，组成字的位数称为“字长”，字长标志着精度，MCS-51是8位的微型计算机。 89c51 是8位（字长）单片机（51系列为8位） 单片机硬件系统仍然依照体系结构：包括CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储器)、ROM(程序存储器）、输入设备和输出设备、内部总线等。 由于一块尺寸有限的电路芯片实现多种功能，所以制作上要求单片机的高性能，结构简单，工作可靠稳定。 单片机软件系统包括监控程序，中断、控制、初始化等用户程序。 一般编程语言有汇编语言和C语言，都是通过编译以后得到机器语言（二进制代码）。 1.1单片机的半导体工艺 一种是HMOS工艺，高密度短沟道MOS工艺具有高速度、高密度的特点； 另一种是CHMOS工艺，互补金属氧化物的HMOS工艺，它兼有HMOS工艺的特点还具有CMOS的低功耗的特点。例如：8181的功耗是630mW,80C51的功耗只有110mW左右。1.2开发步5骤： 1.设计单片机系统的电路 2.利用软件开发工具（如：Keil c51）编辑程序，通过编译得到.hex的机器语言。 3.利用单片机仿真系统（例如：Protus）对单片机最小系统以及设计的外围电路，进行模拟的硬软件联合调试。 4.借助单片机开发工具软件（如：STC_ISP下载软件）读写设备将仿真中调试好的.hex程序拷到单片机的程序存储器里面。 5.根据设计实物搭建单片机系统。 2.1MCS-51单片机的组成：(有两个定时器) CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储器)、ROM(程序存储器）、I/O口(串口、并口）、内部总线和中断系统等。 工作过程框图如下：

单片机期末章节重点总结

单片机期末章节重点总结 选择25分，填空35分，简答20分，综合20分 第一章基础知识必备 一：单片机整机概念（组成：cpu，存储器，i/o接口、存储器管理，IO的相关知识,单片机最小系统组成以及电路） 二：51单片机的外部引脚功能（特别记住特殊引脚功能，如P0端口内部没有上拉电阻，为高组态，因此使用时必须外接上拉电阻，还有P3端口各引脚都有第二功能，最好能记住所有的P3各引脚的第二功能） 三：二进制与十进制与十六进制的转换 四：keilC 中二进制的逻辑运算（& ，|，！，&&，等）或者是常用的函数（_crol_（x,y）,_cror_(x,y),_nop_(),）或者常用的头文件（reg51.h，reg52.h，math.h，intrins.h……） 四：C51数据类型扩充定义（sfr sfr16 sbit bit）第二章 keil软件使用及流水灯设计 ----实验内容 一：while语句以及for语句的格式与作用 二：单片机的周期（时钟周期，状态周期，机器周期，指令周期）三：各种显示规律的流水灯程序（移位指令，PSW寄存器）

第三章数码管显示原理及应用实现 一：共阴与共阳数码管的区别以及显示原理 二：数码管静态与动态显示原理以及程序的编写（段选与位选）----与硬件连接相关 注：如果背不了七段共阴或者共阳数码表的话，必须记得它的形成机理，否则很难编程。 三：中断 中断机制---原理与概念，分类…… 单片机如何响应中断（响应中断的条件） （1） 5个中断源（名称与优先级以及序号） 中断服务程序与普通的子程序有什么不同? （2）中断允许寄存器IE (3) 中断优先级寄存器IP (4) 定时器中断（重中之重）----实验内容 <1> 定时器/计数器工作方式的设置。 <2> 各种工作方式的区别。 <3> 定时器/计数器控制寄存器TCON <4> 定时器初值的计算 <5> 定时器中断的程序编写（中断时间超出最大定时时间时要懂得利用分段累加计时方法解决，如P74例3.5.1）第四章键盘检测原理及应用实现 一：键盘检测与数码管显示程序的编程（独立键盘与矩形键盘）

(完整版)单片机知识点总结

单片机考点总结 1.单片机由CPU、存储器及各种I/O接口三部分组成。 2.单片机即单片微型计算机，又可称为微控制器和嵌入式控制器。 3.MCS-51系列单片机为8位单片机，共40个引脚，MCS-51基本类型有8031、8051 和8751. （1）I/O引脚 （2）8031、8051和8751的区别: 8031片内无程序存储器、8051片内有4KB程序存储器ROM、8751片内有4KB程序存储器EPROM。 （3）

4.MCS-51单片机共有16位地址总线，P2口作为高8位地址输出口，P0口可分时复用 为低8位地址输出口和数据口。MCS-51单片机片外可扩展存储最大容量为216=64KB，地址范围为0000H—FFFFH。（1.以P0口作为低8位地址/数据总线；2. 以P2口作为高8位地址线） 5.MCS-51片内有128字节数据存储器（RAM），21个特殊功能寄存器（SFR）。（1）MCS-51片内有128字节数据存储器（RAM），字节地址为00H—7FH; 00H—1FH: 工作寄存器区； 00H—1FH: 可位寻址区； 00H—1FH: 用户RAM区。 （2）21个特殊功能寄存器（SFR）（21页—23页）;

（3）当MCS-51上电复位后，片内各寄存器的状态，见34页表2-6。 PC=0000H, DPTR=0000H, Acc=00H, PSW=00H, B=00H, SP=07H, TMOD=00H, TCON=00H, TH0=00H, TL0=00H, TH1=00H, TL1=00H, SCON=00H, P0～P3=FFH 6. 程序计数器PC：存放着下一条要执行指令在程序存储器中的地址，即当前PC值或现行值。程序计数器PC是16位寄存器，没有地址，不是SFR. 7. PC与DPTR的区别：PC和DPTR都用于提供地址，其中PC为访问程序存储器提供地址，而DPTR为访问数据存储器提供地址。 8. MCS-51内部有2个16位定时/计数器T0、T1，1个16位数据指针寄存器DPTR，其中MOVE DPTR, #data16 是唯一的16位数据传送指令，用来设置地址指针DPTR。（46页） 定时/计数器T0和T1各由2个独立的8位寄存器组成，共有4个独立寄存器：TH1、TL1、TH0、TL0,可以分别对对这4个寄存器进行字节寻址，但不能吧T0或T1当作1个16位寄存器来寻址。即：MOV T0，#data16 ；MOV T1，#data16 都是错的，MOV TH0，#data；MOV TL0，，#data是正确的。 9.程序状态字寄存器PSW（16页） （1）PSW的格式： D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 PSW D0H （2）PSW寄存器中各位的含义； Cy:进位标志位，也可以写为C。 Ac:辅助进位标志位。

最新金属材料学课后习题总结

习题 第一章 1、何时不能直接淬火呢？本质粗晶粒钢为什么渗碳后不直接淬火？重结晶为什么可以细化晶粒？那么渗碳时为什么不选择重结晶温度进行A化？ 答：本质粗晶粒钢，必须缓冷后再加热进行重结晶，细化晶粒后再淬火。晶粒粗大。A 形核、长大过程。影响渗碳效果。 2、C是扩大还是缩小奥氏体相区元素？ 答：扩大。 3、Me对S、E点的影响？ 答：A形成元素均使S、E点向左下方移动。F形成元素使S、E点向左上方移动。 S点左移—共析C量减小；E点左移—出现莱氏体的C量降低。 4、合金钢加热均匀化与碳钢相比有什么区别? 答：由于合金元素阻碍碳原子扩散以及碳化物的分解，因此奥氏体化温度高、保温时间长。 5、对一般结构钢的成分设计时，要考虑其M S点不能太低，为什么? 答：M量少，Ar量多，影响强度。 6、W、Mo等元素对贝氏体转变影响不大，而对珠光体转变的推迟作用大，如何理解? 答：对于珠光体转变：Ti, V：主要是通过推迟（P转变时）K形核与长大来提高过冷γ的稳定性。 W，Mo： 1）推迟K形核与长大。 2）增加固溶体原子间的结合力，降低Fe的自扩散系数，增加Fe的扩散激活能。 3）减缓C的扩散。 对于贝氏体转变：W，Mo，V，Ti：增加C在γ相中的扩散激活能，降低扩散系数，推迟贝氏体转变，但作用比Cr，Mn，Ni小。 7、淬硬性和淬透性 答：淬硬性：指钢在淬火时硬化能力，用淬成马氏体可能得到的最高硬度表示。 淬透性：指由钢的表面量到钢的半马氏体区组织处的深度。 8、C在γ-Fe与α-Fe中溶解度不同，那个大？ 答：γ-Fe中，为八面体空隙，比α-Fe的四面体空隙大。 9、C、N原子在α-Fe中溶解度不同，那个大？ 答：N大，因为N的半径比C小。 10、合金钢中碳化物形成元素（V，Cr，Mo，Mn等）所形成的碳化物基本类型及其相对稳定性。 答：V：MC型；Cr：M7C3、M23C6型；Mo：M6C、M2C、M7C3型；Mn：M3C型。 复杂点阵：M23C6、M7C3、M3C、稳定性较差；简单点阵：M2C、MC、M6C稳定性好。 11、如何理解二次硬化与二次淬火？ 答：二次硬化：含高W、Mo、Cr、V钢淬火后回火时，由于析出细小弥散的特殊碳化物及回火冷却时A’转变为M回,使硬度不仅不下降，反而升高的现象称二次硬化。 二次淬火：在高合金钢中回火冷却时残余奥氏体转变为马氏体的现象称为二次淬火。

最新单片机重点知识点整理

1单片机内部RAM 256个单元功能划分 通用工作寄存器区：用于存放操作数及中间结果 位寻址区：作为一般RAM单元使用，进行字节操作，也可对单元中每一位进行操作 用户区：供用户一般使用 特殊功能寄存器区：共专用寄存器使用 同步通信，依靠起始位和停止位实现同步 异步通信，依靠同步字符实现同步 1．方式0 串行接口工作方式0为同步移位寄存器方式，多用于I/O口的扩展，其波特率是固定的，为fosc/12。TXD引脚输出同步移位脉冲，RXD引脚串行输入/输出。 2．方式1 在方式l时，串行口被设置为波特率可变的8位异步通信接口。发送/接收1帧数据为10位，其中1位起始位、8位数据位（先低位后高位）和1位停止位。 3．方式2 串行口工作为方式2时，被定义为9位异步通信接口。发送/接收1帧数据为11位，其中1位起始位、8位数据位、1位控制/校验位和1位停止位。控制/校验位为第9位数据。 4．方式3 方式3为波特率可变的11位异步通信方式，除了波特率有所区别之外，其余同方式 3产品设计的步骤 1明确设计任务和性能指标2总体设计3硬件测试4软件设计5产品调试 4指令的寻址方式、分类，会举例 （1）立即数寻址指令本身直接含有所需要的8位或16位的操作数。 将此数称为“立即数”（使用#标明）。 MOV A,#5FH ；将（8位）立即数送累加器A （2）直接寻址指令直接给出了操作数的地址。 MOV A,3AH ;将RAM3AH单元内容送累加器 （3）寄存器寻址当所需要的操作数在内部某一个寄存器Rn中时，将此寄存器名Rn直接写在指令的操作数的位置上。 MOV A,R0 注意：寄存器寻址方式的指令大多是单字节指令。指令本身并不带有操数，而是含有存放操作数的寄存器的3位代码。以MOV A,Rn为例，使用R7寄存器，所以rrr=111,既指令的机器码为：0EFH （4）寄存器间接寻址指令中含有保存操作数地址的寄存器Ri。 MOV A,@Ri ( i=0、1) 如：MOV R0,#3AH ；立即数送R0寄存器 （5）变址寻址；指令使用DPTR或PC中的内容作为基地址，再与累加器A的内容相加，和作为操作数地址。 指令使用DPTR或PC中的内容作为基地址，再与累加器A的内容相加，和作为操作数地址。 MOVX A,@A+PC ；PC内容与A的内容相加得操作数地址并将此操作数送A

单片机原理及应用知识点汇总复习

单片机原理及应用知识点汇总 一、填空题 1、单片机是将微处理器、一定容量的RAM和ROM以及I/O 口、定时器等电路集成在一块芯片上而构成的微型计算机。 2、单片机80C51片内集成了 4 KB的FLASH ROM，共有 5 个中断源。 3、两位十六进制数最多可以表示256 个存储单元。 4、在80C51中，只有当EA引脚接高电平时，CPU才访问片内的Flash ROM。 5、当CPU访问片外的存储器时，其低八位地址由P0 口提供，高八位地址由P2 口提供，8位数据由P0 口提供。 6、在I/O口中，P0 口在接LED时，必须提供上拉电阻，P3 口具有第二功能。 7、80C51具有64 KB的字节寻址能力。 特 第 持 ，其 。 IP。 边沿 计数 / 22 、串行通信有同步通信和异步通信两种通信方式。 23、在异步通信中，数据的帧格式定义一个字符由4部分组成，即：起始位、数据位、奇偶校验位和停止位。 24、串行通信中，为使设备同步工作，需要通信双方有两个共同的要求，一是通信双方必须采用统一的编码方式，二是通信双方必须能产生相同的传送速率。 25、单片机80C51中的串行通信共有 4 种方式，其中方式0 是用作同步移位寄存器来扩展I/O口的。 26、设80C51的晶振频率为11.0592MHz，选用定时器T工作模式2作波特率发生器，波特率为2400b/s，且SMOD置0，则定时器的初值为F4H 27、键盘可分为独立连接式和矩阵式两类。键盘可分为编码式和非编 码式两类。 28、LED数码管有静态显示和动态显示两种方式。 29、在执行下列指令后，A=___60H___，R0=__45H____，（60H）=___45H___。

金属材料学总结

第一章 1、为什么钢中的硫和磷一般情况下总是有害的？控制硫化物形态的方法有哪些？ 答：S与Fe形成FeS，会导致钢产生热脆；P与形成Fe3P，使钢在冷加工过程中产生冷脆性，剧烈降低钢的韧性，使钢在凝固时晶界处发生偏析。 硫化物形态控制：a、加入足量的锰，形成高熔点MnS；b、控制钢的冷却速度；c、改善其形态最好为球状，而不是杆状，控制氧含量大于0.02%；d、加入变形剂，使其在金属中扩散开防止聚焦产生裂纹。 2、钢的强化机制有哪些?为什么一般钢的强化工艺采用淬火加回火？答：a、固溶强化（合金中形成固溶体、晶格畸变、阻碍位错运动、强化） b、细晶强化（晶粒细化、晶界增多、位错塞积、阻碍位错运动、强化） c、加工硬化（塑性变形、位错缠绕交割、阻碍位错运动、强化） d、弥散强化（固溶处理的后的合金时效处理、脱溶析出第二相、弥散分布在基体上、与位错交互作用、阻碍位错运动、强化） 淬火处理得到强硬相马氏体，提高钢的强度、硬度，使钢塑性降低；回火可有效改善钢的韧性。淬火和回火结合使用提高钢的综合性能。 3、按照合金化思路，如何改善钢的韧性？ 答：a、加入可细化晶粒的元素Mo、W、Cr； b、改善基体韧性，加Ni元素；

c、提高冲击韧性，加Mn、Si元素； d、调整化学成分； e、形变热处理； f、提高冶金质量； g、加入合金元素提高耐回火性，以提高韧性。 4、试解释40Cr13属于过共析钢，Cr12钢中已出现共晶组织，属于莱氏体钢。 答、Cr元素使共析点左移，当Cr量达到一定程度时，共析点左移到碳含量小于0.4%，所以40Cr13属于过共析钢；Cr12中含有高于12%的Cr元素，缩小Fe-C平衡相图的奥氏体区，使共析点右移。 5、试解释含Mn钢易过热，而含Si钢高淬火加热温度应稍高，且冷作硬化率高，不利于冷变性加工。 答：Mn在一定量时会促使晶粒长大，而过热就会使晶粒长大。 6、合金钢中碳化物形成规律①②③④⑤⑥⑦ 答：①、K类型：与Me的原子半径有关；②、相似相容原理；③、强碳化物形成元素优先于碳结合形成碳化物；④、NM/NC比值决定了K类型；⑤、碳化物稳定型越好，溶解越难，析出越难，聚集长大也越难。 第二章 1、简述工程钢一般服役条件、加工特点和性能要求。 答：服役条件：静载、无相对运动、受大气腐蚀。 加工特点：简单构件是热轧或正火状态，空气冷却，有焊接、剪切、

(完整word版)单片机知识点总结

第一部分硬件基础 1、单片机的组成； 2、单片机的并行I/O口在使用时，有哪些注意的地方？ 3、单片机的存储器；程序存储器和数据存储器的寻址范围，地址总线和数据总线的位数；数据存储器内存空间的分配；特殊功能寄存器区； 4、时钟及机器周期； 5、单片机的控制总线、地址总线及数据总线等。 例： 一、填空 1．MCS-51单片机有4个存储空间，它们分别是：、、、。 2、MCS-51单片机的一个机器周期包括个状态周期，个振荡周期。设外接12MHz晶振，则一个机器周期为μs。 3．程序状态字PSW由位组成。 4．在MCS-51单片机内部，其RAM高端128个字节的地址空间称 为区，但其中仅有个字节有实际意义。 5. MCS-51 系列单片机为位单片机，其数据总线为位，地址总线为位，可扩展的地址范围为。 6. MCS-51 单片机的4 个并行I/O 口若作为普通I/O 口使用时，输入操作分为读引脚和读锁存器，需要先向端口写“1”的操作是。 7. MCS-51 单片机的特殊功能寄存器分为可位寻址和不可位寻址两种，那么IE 为，TMOD 为。 8．通常MCS-51单片机上电复位时PC= H、SP= H、通用寄存器采用第组，这一组寄存器的地址范围 是 H。 9．MCS-51单片机堆栈遵循的数据存储原则。 10．在MCS-51单片机中，使用P2、P0口传送信号，且使用P0口来传送信号，这里采用的 是技术。 11．MCS-51单片机位地址区的起始字节地址为。

12．对于并行口在读取端口引脚信号时，必须先对端口写。13．PC的内容是。 14、MCS-51 单片机运行出错后需要复位，复位的方法是在复位引脚上加一个持续时间超过个时钟周期的高电平。 15、具有4KBytes 储存容量之存储器，其至少需具有根地址线。 二、问答 1.简述MCS-51 单片机的P0、P1、P2 和P3 口的功能。 2．MCS-51单片机的三总线是由哪些口线构成的。 3．MCS-51单片机的位寻址区的字节地址范围是多少？位地址范围是多少？ 4. MCS-51单片机存储器在结构上有什么特点？在物理上和逻辑上各有那几个地址空间？ 5．简述MCS-51单片机00H-7FH片内RAM的功能划分，写出它们的名称以及所占用的地址空间，并说明它们的控制方法和应用特性。 6．请写出MCS-51单片机的五个中断源的入口地址。 第二部分 C51程序设计 1、C51的指令规则；C51编程语句及规则； 2、C51表达式和运算符； 3、顺序程序、分支程序及循环程序设计； 4、C51的函数； 5、中断函数。 例： 1．程序的基本结构有。 2．C51的存储器模式有、、。 3．C51中int型变量的长度为，其值域为；unsigned char型变量的长度为位，其值域为。 4．C51中关键字sfr的作用，sbit的作 用。 5．函数定义由和两部分组成。 6．C51的表达式由组成。C51表达式语句由表达式和组成。

单片机实验心得体会3篇

单片机实验心得体会一：单片机实验心得体会 时间过得真快，不经意间，一个学期就到了尾声，进入到如火如荼的期末考试阶段。 在学习单片机这门课程之前，就早早的听各种任课老师和学长学姐们说过这门课程的重要性和学好这门课程的关键~~多做单片机实验。 这个学期，我们除了在课堂上学习理论知识，还在实验室做了7次实验。将所学知识运用到实践中，在实践中发现问题，强化理论知识。 现在，单片机课程已经结束，即将开始考试了，需要来好好的反思和回顾总结下了。 第一次是借点亮led灯来熟悉keil软件的使用和试验箱上器材。第一次实验体现了一个人对新事物的接受能力和敏感度。虽然之前做过许多种实验。但依旧发现自己存在一个很大的问题，对已懂的东西没耐心听下去，容易开小差；在听老师讲解软件使用时，思路容易停滞，然后就跟不上老师的步骤了，结果需要别人再次指导；对软件的功能没有太大的热情去研究探索，把一个个图标点开，进去看看。所以第一次试验相对失败。鉴于此，我自己在宿舍下载了软件，然后去熟悉它的各个功能，使自己熟练掌握。 在做实验中，第二个问题应该是准备不充分吧。一开始，由于没有课前准备的意识，每每都是到了实验室才开始编程，完成作业，导致每次时间都有些仓促。后来在老师的批评下，认识到这是个很大的问题：老师提前把任务告诉我们，就是希望我们私下把程序编好。于是我便在上机之前把程序编好，拷到u盘，这样上机时只需调试，解决出现的问题。这样就会节约出时间和同学讨论，换种思路，换种方法，把问题给吃透。发现、提出、分析、解决问题和实践能力是作为我们这个专业的基本素质。 三是我的依赖性很大，刚开始编程序时喜欢套用书上的语句，却对语句的理解不够。于是当程序出现问题时，不知道如何修改，眼前的程序都是一块一块的被拼凑整合起来的，没法知道哪里错了。但是编程是一件很严肃的事情，容不得半点错误。于是便只能狠下决心，坚持自己编写，即使套用时，也把每条语句弄懂。这也能激发了学习的兴趣。 还有一次实验是调出电脑里的程序，让它在试验箱上实现其功，让我们去体会别人编程的技巧和程序逻辑美感。看了之后，不得不说我目前的水平简直太小儿科了。还有连线也是个问题，

材料科学基础知识点总结

金属学与热处理总结 一、金属的晶体结构 重点内容：面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，八面体、四面体间隙个数；晶向指数、晶面指数的标定；柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。 基本内容：密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。 晶胞：在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元，用来分析原子排列的规律性，这个最小的几何单元称为晶胞。 金属键：失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来，这种结合方式称为金属键。 位错：晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。 位错的柏氏矢量具有的一些特性： ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型；②柏氏矢量的守恒性，即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关；③位错的柏氏矢量个部分均相同。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直；螺型平行；混合型呈任意角度。 晶界具有的一些特性： ①晶界的能量较高，具有自发长大和使界面平直化，以减少晶界总面积的趋势；②原子在晶界上的扩散速度高于晶内，熔点较低；③相变时新相优先在晶界出形核；④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚；⑤晶界易于腐蚀和氧化；⑥常温下晶界可以阻止位错的运动，提高材料的强度。 二、纯金属的结晶 重点内容：均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系；细化晶粒的方法，铸锭三晶区的形成机制。 基本内容：结晶过程、阻力、动力，过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷；结晶的热力学条件和结构条件，非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。 相起伏：液态金属中，时聚时散，起伏不定，不断变化着的近程规则排列的原子集团。 过冷度：理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。 变质处理：在浇铸前往液态金属中加入形核剂，促使形成大量的非均匀晶核，以细化晶粒的方法。 过冷度与液态金属结晶的关系：液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看，

单片机原理及应用期末考试试题汇总

单片机原理及应用期末考试试题汇总

单片机原理及应用期末考试试题汇总 1、单片机是将微处理器、一定容量的 RAM 和ROM 以及 器等电路集成在一块芯片上而构成的微型计算机 2、 单片机89C51片内集成了 有 5 个中断 源。 3、 两位十六进制数最多可以表示 4、 89C51是以下哪个公司的产 品? 4 KB 的 FLASH RO ,共 256 个存储单元。 C ） A 、INTEL B 、AMD C 、ATMEL D 、PHILIPS 8、当CPU 访问片外的存储器时，其低八位地址由 P0 口提供，高八位 地址由 P2 口提供，8位数据由 P0 口提供。 9、在I/O 口中， P0 口在接LED 时，必须提供上拉电 阻， P3 口具有第二功能。 10、是非题：MCS-51系列单片机直接读端口和读端口锁存器的结果永远是相同 的。F 11、 是非题：是读端口还是读锁存器是用指令来区别的。 T 12、 是非题：在89C51的片内RAM 区中，位地址和部分字节地址是冲突的。 F 13、 是非题：中断的矢量地址位于 RAM 区中。F 14、 M CS-51系列单片机是属于（ B ）体系结构。 A 、冯诺依曼 B 、普林斯顿 C 、哈佛 D 、图 灵 15、 89C51具有 64 KB 的字节寻址能力。 16、 是非题：在89C51中，当CPU 访问片内、夕卜ROM 区时用MOV 指令，访问片 外RAM 区时用MOV 指令，访问片内 RAM 区时用MOV 旨令。T I/O 口、定时 5、在89C51中，只有当EA 引脚接 Flash ROM 。 高 电平时，CPU 才访问片内的 6、是非题：当89C51的EA 引脚接低电平时, 内是否有程序存储器。T CPL 只能访问片外ROM 而不管片 7、是非题：当89C51的EA 引脚接高电平时, CPU 只能访问片内的4KB 空间。F

单片机期末总结材料 最完整版

单片机期末复习总结 1.MCS-51单片机芯片包含哪些主要功能？ 8051单片机是个完整的单片微型计算机。芯片部包括下列主要功能部件： 1)8位CPU； 2)4KB的片程序存储器ROM。可寻址64KB程序存储器和64KB外部数据存储器； 3)128B部RAM； 4)21个SFR； 5)4个8位并行I/O口（共32位I/O线）； 6)一个全双工的异步串行口； 7)两个16位定时器/计数器；0 8)5个中断源，两个中断优先级； 9)部时钟发生器。 2.MCS-51单片机的4个I/O口在使用上各有什么功能？ 1）P0口：8位双向三态端口，外接上拉电阻时可作为通用I/O口线，也可在总线外扩时用作数据总线及低8位地址总线。 2）P1口：8位准双向I/O端口，作为通用I/O口。 3）P2口：8位准双向I/O端口，可作为通用I/O口，也可在总线外扩时用作高8位地址总线。 4）P3口：8位准双向I/O端口，可作为通用I/O口，除此之外，每个端口还有第二功能。实际应用中常使用P3口的第二功能。 P3的第二功能：

【注】：P0口必须接上拉电阻； I/O口准双向：MCS-51单片机I/O口做输入之前要先输出1.这种输入之前要先输出1的I/O口线叫做准双向I/O口，以区别真正的输入，输出的双向I/O口。 3. MCS-51单片机的存储器分为哪几个空间？是描述各空间作用？ 8051存储器包括程序存储器和数据存储器，从逻辑结构上看，可以分为三个不同的空间： 1）64KB片片外统一编址的程序存储器地址空间，地址围：0000H~FFFFH，对于8051单片机，其中地址0000H~0FFFH围为4KB的片ROM地址空间，1000H ~ FFFFH为片外ROM 地址空间； 2）256B的部数据存储器地址空间，地址围为00H~FFH，对于8051单片机，部RAM分为两部分，其中地址围00H ~ 7FH（共128B单元）为部静态RAM的地址空间，80H~FFH为特殊功能寄存器的地址空间，21个特殊功能寄存器离散地分布在这个区域；对于8052系列单片机还有地址围为80H~FFH的高128B的静态RAM。 3）64KB的外部数据存储器地址空间：地址围为0000H~FFFFH，包括扩展I/O端口地址空间。

金属材料学 简要总结

《金属材料学》复习总结 第1章：钢的合金化概论 一、名词解释： 合金化：未获得所要求的组织结构、力学性能、物理性能、化学性能或工艺性能而特别在钢铁中加入某些元素，称为合金化。 过热敏感性：钢淬火加热时，对奥氏体晶粒急剧长大的敏感性。 回火稳定性：淬火钢在回火时，抵抗强度、硬度下降的能力。 回火脆性：淬火钢回火后出现韧性下降的现象。 二、填空题： 1.合金化理论是金属材料成分设计和工艺过程控制的重要原理，是材料成分、工艺、组织、 性能、应用之间有机关系的根本源头，也是重分发结材料潜力和开发新材料的基本依据。 2.扩大A相区的元素有：Ni、Mn、Co（与Fe -γ无限互溶）；C、N、Cu（有限互溶）； α无限互溶）；Mo、W、Ti（有限互溶）； 扩大F相区的元素有：Cr、V（与Fe - 缩小F相区的元素有：B、Nb、Zr（锆）。 3.强C化物形成元素有：Ti、Zr、Nb、V； 弱C化物形成元素有：Mn、Fe； 4.强N化物形成元素有：Ti、Zr、Nb、V； 弱N化物形成元素有：Cr、Mn、Fe； 三、简答题： 1.合金钢按照含量的分类有哪些？具体含量是多少？按含碳量划分又如何？ ●按照合金含量分类：低合金钢：合金元素总量<5%； 中合金钢：合金元素总量在5%～10%； 高合金钢：合金元素总量>10%； ●按照含碳量的分类：低碳钢：w c≤0.25%； 中碳钢：w c=0.25%～0.6%； 高碳钢：w c>0.6%； 2.加入合金元素的作用？ ①：与Fe、C作用，产生新相，组成新的组织与结构； ②：使性能改善。 3.合金元素对铁碳相图的S、E点有什么影响？这种影响意味着什么？ (1)A形成元素均使S、E点向左下方移动，如Mn、Ni等； F形成元素均是S、E点向左上方移动，如Cr、V等 (2)S点向左下方移动，意味着共析C含量减小，使得室温下将得到A组织； E点向左上方移动，意味着出现Ld的碳含量会减小。 4.请简述合金元素对奥氏体形成的影响。 (1)碳化物形成元素可以提高碳在A中的扩散激活能，对A形成有一定阻碍作用； (2)非碳化物形成元素Ni、Co可以降低碳的扩散激活能，对A形成有一定加速作用。 (3)钢的A转化过程中存在合金元素和碳的均匀化过程，可以采用淬火加热来达到成 分均匀化。 5.有哪些合金元素强烈阻止奥氏体晶粒的长大？组织奥氏体晶粒长大有什么好处？ (1)Ti、Nb、V等强碳化物形成元素会强烈阻止奥氏体晶粒长大，因为：Ti、Nb、V等

(完整版)单片机原理及应用考试复习知识点

单片机原理及应用考试复习知识点 第1章计算机基础知识 考试知识点： 1、各种进制之间的转换 （1）各种进制转换为十进制数 方法：各位按权展开相加即可。 （2）十进制数转换为各种进制 方法：整数部分采用“除基取余法”，小数部分采用“乘基取整法”。 （3）二进制数与十六进制数之间的相互转换 方法：每四位二进制转换为一位十六进制数。 2、带符号数的三种表示方法 （1）原码：机器数的原始表示，最高位为符号位（0‘+’1‘-’），其余各位为数值位。 （2）反码：正数的反码与原码相同。负数的反码把原码的最高位不变，其余各位求反。 （3）补码：正数的补码与原码相同。负数的补码为反码加1。 原码、反码的表示范围：-127～+127，补码的表示范围：-128～+127。 3、计算机中使用的编码 （1）BCD码：每4位二进制数对应1位十进制数。 （2）ASCII码：7位二进制数表示字符。0～9的ASCII码30H～39H，A的ASCII码41H，a的ASCII码61H。 第2章80C51单片机的硬件结构 考试知识点： 1、80C51单片机的内部逻辑结构 单片机是把CPU、存储器、输入输出接口、定时/计数器和时钟电路集成到一块芯片上的微型计算机，主要由以下几个部分组成。 （1）中央处理器CPU 包括运算器和控制器。 运算电路以ALU为核心，完成算术运算和逻辑运算，运算结果存放于ACC中，运算结果的特征存放于PSW中。 控制电路是单片机的指挥控制部件，保证单片机各部分能自动而协调地工作。程序计数器PC是一个16位寄存器，PC的内容为将要执行的下一条指令地址，具有自动加1功能，以实现程序的顺序执行。 （2）存储器 分类： 随机存取存储器RAM：能读能写，信息在关机后消失。可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。 只读存储器：信息在关机后不会消失。 掩膜ROM：信息在出厂时由厂家一次性写入。 可编程PROM：信息由用户一次性写入。

单片机心得体会

单片机心得体会 时光飞逝，一转眼，一个学期又进尾声了，本学期的单片机 综合课程设计也在一周内完成了。 俗话说“好的开始是成功的一半”。说起课程设计，我认为 最重要的就是做好设计的预习，认真的研究老师给的题目，选一 个自己有兴趣的题目。其次，老师对实验的讲解要一丝不苟的去 听去想，因为只有都明白了，做起设计就会事半功倍，如果没弄 明白，就迷迷糊糊的去选题目做设计，到头来一点收获也没有。 最后，要重视程序的模块化，修改的方便，也要注重程序的调试，掌握其方法。 虽然这次的课程设计算起来在实验室的时间只有三天，不过 因为我们都有自己的实验板，所以在宿舍里做实验的时间一定不 止三天。 硬件的设计跟焊接都要我们自己动手去焊，软件的编程也要 我们不断的调试，最终一个能完成课程设计的劳动成果出来了， 很高兴它能按着设计的思想与要求运动起来。 当然，这其中也有很多问题，第一、不够细心比如由于粗心 大意焊错了线，由于对课本理论的不熟悉导致编程出现错误。第二，是在学习态度上，这次课设是对我的学习态度的一次检验。 对于这次单片机综合课程实习，我的第一大心得体会就是作为一 名工程技术人员，要求具备的首要素质绝对应该是严谨。我们这

次实习所遇到的多半问题多数都是由于我们不够严谨。第三，在 做人上，我认识到，无论做什么事情，只要你足够坚强，有足够 的毅力与决心，有足够的挑战困难的勇气，就没有什么办不到的。 在这次难得的课程设计过程中我锻炼了自己的思考能力和动 手能力。通过题目选择和设计电路的过程中，加强了我思考问题 的完整性和实际生活联系的可行性。在方案设计选择和芯片的选 择上，培养了我们综合应用单片机的能力,对单片机的各个管脚的 功能也有了进一步的认识。还锻炼我们个人的查阅技术资料的能力，动手能力，发现问题，解决问题的能力。并且我们熟练掌握 了有关器件的性能及测试方法。 再次感谢老师的辅导以及同学的帮助，是他们让我有了一个 更好的认识，无论是学习还是生活，生活是实在的，要踏实走路。课程设计时间虽然很短，但我学习了很多的东西，使我眼界打开，感受颇深。

(完整版)单片机原理及应用期末考试必考知识点重点总结

单片机概述： 单片机是微单片微型计算机的简称，微型计算机的一种。 它把中央处理器（CPU）,随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）,定时器\计数器以及I\O 接口，串并通信等接口电路的功能集成与一块电路芯片的微型计算机。 字长：在计算机中有一组二进制编码表示一个信息，这组编码称为计算机的字，组成字的位数称为“字长”，字长标志着精度，MCS-51是8位的微型计算机。 89c51 是8位（字长）单片机（51系列为8位） 单片机硬件系统仍然依照体系结构：包括CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储器)、ROM(程序存储器）、输入设备和输出设备、内部总线等。 由于一块尺寸有限的电路芯片实现多种功能，所以制作上要求单片机的高性能，结构简单，工作可靠稳定。 单片机软件系统包括监控程序，中断、控制、初始化等用户程序。 一般编程语言有汇编语言和C语言，都是通过编译以后得到机器语言（二进制代码）。 1.1单片机的半导体工艺 一种是HMOS工艺，高密度短沟道MOS工艺具有高速度、高密度的特点； 另一种是CHMOS工艺，互补金属氧化物的HMOS工艺，它兼有HMOS工艺的特点还具有CMOS的低功耗的特点。例如：8051的功耗是630mW,80C51的功耗只有110mW左右。1.2开发步5骤： 1.设计单片机系统的电路 2.利用软件开发工具（如：Keil c51）编辑程序，通过编译得到.hex的机器语言。 3.利用单片机仿真系统（例如：Protus）对单片机最小系统以及设计的外围电路，进行模拟的硬软件联合调试。 4.借助单片机开发工具软件（如：STC_ISP下载软件）读写设备将仿真中调试好的.hex程序拷到单片机的程序存储器里面。 5.根据设计实物搭建单片机系统。 2.1MCS-51单片机的组成：(有两个定时器) CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储器)、ROM(程序存储器）、I/O口(串口、并口）、内部总线和中断系统等。 工作过程框图如下： 运算器 组成：8位算术逻辑运算单元ALU（Arithmetic Logic Unit）、8位累加器A（Accumulator）、8位寄存器B、程序状态字寄存器PSW（Program Status Word）、8位暂存寄存器TMP1和TMP2等。 功能：完成算术运算和逻辑运算

金属材料学

名词解释 合金元素：特别添加到钢中为了保证获得所要求的组织结构从而得到一定的物理、化学或机 械性能的化学元素。（常用Me表示） 微合金元素：有些合金元素如V，Nb，Ti, Zr和B等，当其含量只在0.1%左右（如B 0.001%，V 0.2 %）时，会显著地影响钢的组织与性能，将这种化学元素称为微合金元素。 奥氏体形成元素：在γ-Fe中有较大的溶解度,且能稳定γ-Fe的元素C,N,Cu,Mn,Ni,Co,W 等 铁素体形成元素：在α-Fe中有较大的溶解度，且能α-Fe稳定的元素Cr，V，Si，Al，Ti，Mo等 原位析出：指在回火过程中，合金渗碳体转变为特殊碳化物。碳化物形成元素向渗碳体富集，当其浓度超过在合金渗碳体中的溶解度时, 合金渗碳体就在原位转变成特殊碳化物。如Cr 钢碳化物转变 异位析出：含强碳化物形成元素的钢，在回火过程中直接从过饱和α相中析出特殊碳化物，同时伴随着渗碳体的溶解，如V，Nb，Ti。（Ｗ和Mo既有原味析出又有异位析出） 网状碳化物：热加工的钢材冷却后，沿奥氏体晶界析出的过剩碳化物（过共析钢）或铁素 体（亚共析钢）形成的网状碳化物。 水韧处理：高锰钢铸态组织中沿晶界析出的网状碳化物显著降低钢的强度、韧性和抗磨性。将高锰钢加热到单相奥氏体温度范围，使碳化物完全溶入奥氏体，然后在水中快冷，使碳化 物来不及析出，从而获得获得单相奥氏体组织。（水韧后不再回火） 超高强度钢：用回火M或下B作为其使用组织，经过热处理后抗拉强度大于1400 MPa （或屈服强度大于1250MPa）的中碳钢，均可称为超高强度钢。 晶间腐蚀：沿金属晶界进行的腐蚀（已发生晶间腐蚀的金属在外形上无任何变化，但实际 金属已丧失强度） n/8规律：随着Cr含量的提高，钢的的电极电呈跳跃式增高。即当Cr的含量达到1/8，2/8，3/8，……原子比时，Fe的电极电位就跳跃式显著提高，腐蚀也跳跃式显著下降。这个定律 叫做n/8规律。 黄铜： Cu与Zn组成的铜合金 青铜： Cu与Zn、Ni以外的其它元素组成的铜合金 白铜： Cu与Ni组成的铜合金 灰口铸铁：灰口铸铁中碳全部或大部分以片状石墨形式存在，其断口呈暗灰色。（片状石墨 对基体产生割裂作用，并在尖端造成应力集中，故灰口铸铁力学性能较差） 可锻铸铁：可锻铸铁中的碳全部以或大部分以图案絮状的石墨形式存在，它是由一定成分的 白口铸铁经长时间高温石墨化退火而形成的。又称韧性铸铁。 蠕墨铸铁：蠕墨铸铁中的碳大部分以蠕虫状石墨形式存在。（高耐热性） 麻口铸铁：：麻口铸铁中的碳一部分以渗碳体形式存在，另一部分以石墨形式存在，端口呈 黑白相间。（无实用价值）。 基体钢：指其成分含有高速钢淬火组织中除过剩余碳化物以外的基体化学成分的钢种。（高 强度高硬度，韧性和疲劳强度优于高速钢，可做冷热变形模具刚，也可作超高强度钢） 双相钢：是指显微组织主要是由铁素体和５％－２０％体积分数的马氏体所组成的低合金高 强度结构钢，即在软相铁素体基体上分布着一定量的硬质相马氏体。 黑色组织：高速钢在实际铸锭凝固时，冷速＞平均冷速。合金元素来不及扩散，在结晶和固 态相变过程中转变不能完全进行，共析转变形成δ共析体为两相组织，易被腐蚀，在金相组 织上呈黑色，而称作黑色组织。 低（中高）合金钢：合金元素总量小于５％的合金钢叫低合金钢。合金含量在５％－１０％

单片机基础知识点总结

单片机基础知识点总结 单片机基础知识点总结 第1章 1、微型计算机通常由哪些部分组成？各有哪些功能？ 答：微型计算机通常由控制器、运算器、存储器、输入输出接口电路、输入设备和输出设备组成。控制器的功能是负责从内部存储器中取出指令 并对指令进行分析、判断、并根据指令发出控制信号，使计算机有条不紊 的协调工作；运算器主要完成算数运算和逻辑运算；存储器用于存储程序 和数据；输入输出接口电路完成CPU与外设之间相连；输入和输出设备用于和计算机进行信息交流的输入和输出。 2、单片微型计算机与一般微型计算机相比较有哪些区别？有哪些特点？ 答：与通用微型计算机相比，单片机的硬件上，具有严格分工的存储器ROM和RAM和IO端口引脚具有复用功能；软件上，采用面向控制的 指令系统和硬件功能具有广泛的通用性，以及品种规格的系列化。单片机 还具备体积小、价格低、性能强大、速度快、用途广、灵活性强、可靠性 高等特点。 3、单片机的几个重要指标的定义。 答：单片机的重要指标包括位数（单片机能够一次处理的数据的宽度）、存储器（包括程序存储器、数据存储器）、IO口（与外界进行信息交换）、速度（每秒执行多少条指令）、工作电压（通常是5V）、功耗和温度。

4、单片微型计算机主要应用在哪些方面？ 答：单片机的主要应用领域有智能化产品、智能化仪表、智能化测控系统、智能化接口等方面。 5、单片机的特点 存储器ROM和RAM严格分工；采用面向控制的指令系统；输入输 出端口引脚具有复用功能；品种规格的系列化；硬件功能具有广泛的通用 性 6、水塔水位的控制原理 (1)当水位上升达到上限时，B、C棒与A棒导电，从而与+5V电源连通。b、c两端均呈高电平状态，这时应使电机和水泵停止工作，不再给水 塔供水。(2)当水位降到下限以下时，B、C棒不与A棒导电，从而断开与 +5 V电源的连通。b、c两端均呈低电平状态。这时应启动电机，带动水泵工作给水塔供水。(3)当水位处于上下限之间时，B棒与A棒导电，而C棒不与A棒导电。b端呈高电平状态，c端呈低电平状态。这时无论是电机已在运转还是停止，都应维持电机和水泵的现有工作状态，直到水位上升到 水位上限或下降到水位下限。 第2章 1、MCS-51单片机内部包含哪些主要功能部件？它们的作用是什么？ 答：MCS-51单片机在一块芯片中集成了CPU、RAM、ROM、定时计数器、多功能IO口和中断控制等基本功能部件。1)单片机的核心部分是CPU，CPU是单片机的大脑和心脏。2)程序存储器用于存放编好的程序或表格常数。数据存储器用于存放中间运算结果、数据暂存和缓冲、标志位等。3)