电子技术发展报告

研究性教学题目:从1990年到2050年电子技术的发展一、研究目的:

掌握从1900年至今的电子技术发展脉络，了解当下最新的电子技术的发展情况，并从中分析电子技术的发展趋势，推测未来四十年电子技术的发展方向。

二、研究主线:

从因特网、数据库、以及图书馆，查找电子技术的发展史和现代电子技术最新成果，并加以理解、归纳，总结出电子技术的发展趋势，并从已有的电子技术中找出当下发展过程中遇到的难题。最后以电子技术的发展趋势和所遇难题为出发点，大胆推测未来四十年电子技术的发展方向.

三、正文:

可以毫不夸张的说，人们现在生活在电子世界中。电子技术无处不在：近至计算机、手机、数码相机、音乐播放器、彩电、音响等生活常用品，远至工业、航天、军事等领域都可看到电子技术的身影。电子技术是十九世纪末，二十世纪初开始发展起来的新兴技术，它在二十世纪的迅速发展大大推动了航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术以及网络技术的迅速发展，因此它成为近代科学技术发展的一个重要标志。

1、电子技术的发展简史（20世纪）

电子技术是研究电子器件与电子电路应用的一门学科。电子技术发展至今，大致可以分为四个阶段。

1.1 第一代电子技术（电子管时代）：

起源于20世纪初，20世纪三十年代达到了鼎盛时期。第一代电子技术的核心是电子管。1904年，弗莱明制成了第一只电子二极管用于检测电波, 标志着电子时代的到来。过了不久，美国的德福雷斯特(Lee de Forest)在灯丝和极板之间加人了栅极，从而发明了三极管（如图1.1.1），并于1906年申请了专利。比起二极管，三极管有更高的敏感度，而且集检波、放大和振荡三种功能于一体。1925年，苏格兰的贝尔德公开展示了他制造的电视，成功地传送了人的面部活动，分辨率为30线，重复频率为每秒5帧。从此，电视开始了它神奇的发展历程。电子管不仅广泛应用于家庭娱乐领域，如广播、收音机、电视机，也广泛应用于电话等通讯领域，甚至在飞机、雷达、火箭等高新领域都广泛的使用了。

1.2 第二代电子技术（晶体管时代）：

然而，电子管体积大、笨重、能耗大、寿命短的缺点，使得人们迫切需要一种新的电子元件来替代电子管。飞速发展的半导体物理为新时代的到来铺平了道路。二十世纪二十年代，理论物理学家们建立了量子物理，1928年普朗克应用量子力学，提出了能带理论的基本思想，1931年英国物理学家威尔逊在能带理论的基础上，提出半导体的物理模型，1939年肖特基、莫特和达维多夫，建立了扩散理论。这些理论上的突破，为半导体的问世提供了理论基础。

1947年l2月23日，贝尔实验室的巴丁和布拉顿制成了世界上第一个晶体管——点接触三极管，这是世界上第一只晶体三极管，它标志着电子技术从电子管时代进入到晶体管时代迈开第一步。此后不久，贝尔实验室的肖克利又于1948年11月提出一种更好的结型晶体管的设想。到了1954年，实用的晶体管开发成功，并由贝尔实验室率先应用在电子开关系统中。与以前的电子管相比，晶体管体积小、能耗低、寿命长、更可靠，因此，随着半导体

技术的进步，晶体管在众多领域逐步取代了电子管。更重要的是，体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。

图1.1.1 电子管图1.3.1 第一块集成电路

1.3 第三代电子技术（集成电路）：

1952年，英国雷达研究所的一个著名科学家达默提出能否将晶体管等元件不通过连接线而直接集成在一起从而构成一个有特定功能的电路。之后，美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路，于1958年制成了第一个集成电路的模型（如图1.3.1），1959年德州仪器公司宣布发明集成电路，从此，电子技术进入集成电路时代。同年，美国著名的仙童电子公司也宣布研究成功集成电路，该公司赫尔尼等人发明的一整套制造微型晶体管的“平面工艺”被移用到集成电路的制作中，集成电路很快就由实验室试验阶段转入了工业生产阶段。1959年，德州仪器公司建成世界上第一条集成电路生产线。1962年，世界上第一块集成电路正式商品问世。与分立元件的电路相比，集成电路体积重量都大大减小，同时，功耗小，更可靠，更适合大批量生产。集成电路发明后，其发展非常迅速，其制作工艺不断进步，规模不断扩大。

1.4 第四代电子技术（超大规模集成电路）

1958年，贝尔实验室制造出金属—氧化物—半导体场效应晶体管（MOSFET），尽管它比双极型晶体管晚了近十年，但由于其制造工艺简单，为集成化提供了有利条件。随着硅平面工艺技术的发展，MOS集成电路遵循Moore定律，即一个芯片上所集成的器件，以每隔18个月提高一倍的速度向前飞速发展（见图1.4.1）。至今集成电路的集成度已提高了500万倍，特征尺寸缩小200倍，单个器件成本下降100万倍。

图1.4.1 集成电路发展曲线

以计算机的核心CPU的规模为例：1971年，Intel推出世界上第一块微处理器4004，线宽10μm，集成2300个晶体管；1979年，第一块成功用于个人电脑的CPU 8088内含2.9万个晶体管，线宽2μm；1989年,80486芯片集成12万个晶体管，首次突破了100万个的界限，同时，线宽也突破了1μm，达到0．8μm。而现在，Intel公司更是将其生产工艺提升到0．13μm，其Northwood Penfium4处理器已集成5200万个晶体管。如今，193nm DUV技术（ArF准分子激光）可降光刻的特征尺寸推进到0.090μm 特征尺寸。

至20世纪末，电子技术已经有了近100年的历史，电子技术正向着高集成、大规模、高速度、低功耗以及小体积的方向发展。下表为20世纪电子技术发展的主要里程碑。

表3-1 20世纪电子技术发展的主要里程碑

2、电子技术发展现状

近十年来，电子技术依旧高速发展，并且向着更加多元化的方向前进。现代电子技术包括微电子技术、光电子技术、纳米电子技术、EDA技术、机电一体化技术、嵌入式技术、现代电力电子技术、虚拟仪器技术等分支。下面对于以上部分技术做一些简单的介绍。

2.1 微电子技术

微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、子系统及系统的电子学分支，是一门主要研究电子或离子在固体材料中的运动及应用，并利用它实现信号处理功能的科学。

微电子技术在近半个世纪以来得到迅猛发展，是现代电子工业的心脏和高科技的原动力。微电子技术与机械、光学等领域结合而诞生的微机电系统（MEMS）技术、与生物工程技术结合的DNA生物芯片成为新的研究热点。目前，微电子技术已经成为衡量一个国家科学技术和综合国力的重要标志。微电子技术的发展方向是高集成、高速度、低功耗和智能化。2.2 光电子技术

光电子技术是由光子技术和电子技术结合而成的新技术，涉及光显示、光存储、激光等领域，是未来信息产业的核心技术。光电子技术主要包括以下器件及技术：激光器及其应用、红外探测器及其应用、CCD 成像器件及其应用、光纤光缆、光无源器件及其应用等。目前，信息的探测、传输、存储、显示、运算和处理等环节已由光子和电子共同参与来完成，即由电子技术与光子技术相配合的光电子技术将在信息领域起主要作用。可见，光电子技术已经融入了信息流的各个环节中，渗透到我们信息社会的每个角落。

2.3 纳米电子技术

纳米电子学主要在纳米尺度空间内研究电子、原子和分子运动规律和特性，研究纳米尺度空间内的纳米膜、纳米线。纳米点和纳米点阵构成的基于量子特性的纳米电子器件的电子学功能、特性以及加工组装技术。其性能涉及放大、振荡、脉冲技术、运算处理和读写等基本问题。其新原理主要基于电子的波动性、电子的量子隧道效应、电子能级的不连续性、量子尺寸效应和统计涨落特性等。

从微电子技术到纳米电子器件将是电子器件发展的第二次变革，与从真空管到晶体管的第一次变革相比，它含有更深刻的理论意义和丰富的科技内容。在这次变革中，传统理论将不再适用，需要发展新的理论，并探索出相应的材料和技术。

2.4 EDA技术

电子设计技术的核心就是EDA技术。EDA是指以计算机为工作平台，融合应用电子技术、计算机技术、智能化技术最新成果而研制成的电子CAD通用软件包，主要能辅助进行三方面的设计工作，即IC设计、电子电路设计、PCB设计和PLD设计。其中IC设计软件供应商主要有Cadence，Mentor Graphics、Synopsys等公司。电子电路设计与仿真软件主要包括SPICE/PSPICE、Multisim、和System View等。PCB设计软件种类很多，如Protel、OrCAD、Viewlogic、PCB Studio等。而PLD设计软件主要包括Altera、Xilinx、Atmel等。EDA技术应用广泛、工具多样、软件功能强大，开发的产品向超高速、高密度、低功耗、低电压和复杂的片上系统器件方向发展。

2.5 嵌入式技术

嵌入式系统的核心部件是各种类型的嵌入式处理器，一类是采用通用计算机的CPU处理器，另一类是采用微控制器，微控制器具有单片化、体积小、功耗低、可靠性高、芯片上的外设资源丰富等特点，成为嵌入式系统的主流器件。嵌入式处理器已经从单一的微处理器嵌入、发展到DSP和目前主要采用的32位嵌入式CPU，未来发展方向为片上系统。

由电子技术衍生出的技术还有很多，在此不再赘述。

3、电子技术发展展望

3.1 电子技术所面临的挑战（这里主要讨论微电子技术方面）

电子技术经历了一百多年的发展，尤其是近五十年来，其技术已快接近理论的极限。随着整个制造技术水平向纳米级逼近，人类的加工能力也将面临着巨大的挑战。

3.1.1 光刻技术所面临的挑战

几十年来，集成电路内晶体管的尺寸和线宽不断缩小，其基本方法在于改进光刻技术，使用更短波长的曝光光源。现在大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前应用最为广泛的是深紫外线光刻技术(DUV)，这个技术可以使芯片线宽下降到0．18μm～0．13μm，其理论上将能使集成电路的线宽达到0．1μm。而英特尔、摩托罗拉等公司从九十年代起就开始研发超紫外线光刻技术(EUV)，它能使集成电路的线宽突破0．1μm的大关。然而，这种缩小趋势不可能长久持续，物理和技术上的限制会阻碍这种持续，晶体管的尺寸小到一定程度，就不得不考虑电子的量子效应。那时，现有技术就将达到极限。不仅如此，随着集成电路集成度的提高，芯片的生产成本也越来越高，一个0．18μm生产工艺制造厂的生产、建设成本高达40亿美元。

3.1.2 制造大直径硅材料所面临的挑战

随着集成电路技术的发展，硅单晶直拉生产技术，在单晶尺寸、金属杂质含量、掺杂元素和氧分布的均匀性及结晶缺陷等方面得到了不断的改进。目前，通常使用的硅单晶抛光片的直径以到达200mm或300mm。但随着集成电路规模的不断增大，对硅单晶片的尺寸要求越来越大，如何控制尺寸变大后晶体中点缺陷将会面临着重大的挑战。

3.1.3 器件工艺

当器件的沟通长度缩小到0.1μm时，一开始逼近传统的半导体物理的极限。随之而来的是，栅氧化层不断减薄，SiO2作为传统的栅氧化层已经难以保证器件的性能。因此，超薄的栅氧化层是研究领域的又一重大挑战。

3.2 2011-2050电子技术展望

在21世纪的上半叶，我认为能够打破瓶颈，保持电子技术持续快速发展的方法主要分为三种，其一：提高制造工艺；其二：采用新的材料；其三：创造新的发展方向。

3．2 .1提高制造工艺

尽管无情的自然规律使得莫尔定律迟早会死亡，但是至少目前全世界的芯片厂商都在努力使其生存下去，各厂商仍投入巨资开发新技术。Intel公司仍然推出使用0．09μm工艺的微处理器。现在，芯片制造业纷纷采用更先进的技术来加强自身竞争力。这些技术主要有：铜互连技术取代铝互联技术；进一步缩小集成电路内部线宽；采用新的芯片制造技术。

(1)采用铜互连技术

铝在半导体工业中一直被用来作为芯片中的互连金属，但随着集成电路特征尺寸的缩小，工作频率的提高，芯片中铝互连线的电阻已开始阻碍芯片性能的提高，因此，人们开始在芯片制造中用铜代替铝来作为互连金属。铜的阻抗系数只有铝的一半，用铜互连可以减小供电分布中的电压下降，或在电阻不变的情况下减小同一层内互连线之间的耦合电容，可降低耦合噪音和信号延迟，从而可以达到更高的性能。而且，铜在金属迁移方面也更稳定，因而可容纳更高密度的电流，从而在减小线宽的同时提高了可靠性。现在已有众多厂商在其芯片生产中采用了铜互连技术。但该技术也并非完美，目前，还在研究铜与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性等问题。

(2) 采用新的光刻技术

集成电路生产中广泛使用了光刻技术，它是芯片制造业中最关键的工艺光刻技术的不断创新，使得半导体技术一再突破人们所预期的极限。目前的芯片制造中广泛使用的是光学光刻技术，为减小集成电路的线宽，光刻机光源的波长非常短，目前多使用深紫外光(DUV)，但此技术难以实现0．07μm以下工艺，因此各厂商正大力研发下一代非光学曝光系统，目前

比较看好的有超紫外线光刻系统(EUV)、X 光刻系统等。

3.2.2 采用新的材料

（1）寻找新的K 介质材料

随着集成电路制作工艺的进步，集成电路互连金属间的介质材料对性能的影响越来越大，以往集成电路工艺中广泛使用的介电常数为4的氧化硅和氮化硅溅射介质层，已不能适应新一代铜多层互连技术。因此，各大厂商都在寻造新的低K 介质材料，尤其是在铜互连技术中使用的绝缘介质。Intel 公司在其新推出的Prescott 处理器中就使用了一种新型掺碳氧化物绝缘材料。但目前，在这一领域，仍有大量研究工作要做。在寻求合适的低K 介质材料的同时，科学家们同样在寻找新的高K 介质材料。在元件尺寸小于0．1μm 时，栅极绝缘介质层的厚度将减小到3nm 以下，如果此时仍用二氧化硅作为栅极绝缘材料，栅极与沟道间的直接隧穿将非常严重，因此，科学家们正努力寻找合适的高K 介质材料来取代二氧化硅。

（2）采用新型纳米材料

近年来，随着纳米技术的发展，人们发现一些材料达到纳米量级时会出现一些新的性质。因此，人们开始寻找合适的纳米材料来代替硅制造晶体管，实现从半导体物理器件向纳米物理器件的转变，进一步缩小集成电路的体积。这在硅芯片的工艺快要达到物理极限的今天尤为必要。

（3）采用超导材料

超导材料是当下有一热门学科。如果集成电路中能够用到超导材料，那么与现在的半导体集成电路相比，它的功耗会更低，速度也会更快（有数据表明，其功耗将比同等规模集成电路低两个量级，而速度却要快上三个量级）。

3．2 .3微电子技术的新方向

随着集成电路技术的发展，人们开始从多个方面来发展半导体技术，目前及将来，人们会通过许多途径发展微电子技术来满足社会生产的需要，而不仅仅局限于提高现有的工艺。这些途经有：SOC 技术、MEMS 技术等。

SOC(System —on —chip)这一概念是二十世纪九十年代提出的，它从整个系统的角度出发，把处理机制、模拟算法、软件、芯片结构、各层次电路直至器件的设计都紧密结合起来，用一块芯片实现以往由多块芯片组成的一个电子系统的功能。SOC 的出现，使得微电子技术由电路集成(IC)转向(IS)发展。由于SOC 技术能综合并全盘考虑整个系统的各个情况，因此与传统的多芯片的电路系统相比，在性能相当时能降低电路的复杂性，从而使得电路成本下降，可靠性提高。所以，SOC 是电子技术发展的新途径

MEMS 则是微电子技术与其他学科结合的典型。MEMS 即微电子机械系统，它将传感器、执行器和相应的处理电路集成在一起。MEMS 将电子系统与外界环境联系起来，系统不仅能感应到外界的信号，同时能处理这些信号并由此做出相应的操作。MEMS 是微电子技术的拓宽和延伸，它将微电子技术与精密加工技术结合起来，实现了微电子与机械融为一体。MEMS 技术及其产品开辟了一个全新的领域和产业，它们不仅能降低机电系统的成本，而且还能完成许多大尺寸机电系统所无法完成的任务。

3. 3 未来四十年电子技术畅想

就集成电路而言的规模而言，现在一片芯片上可容纳9810~10个晶体管，在G 的数量

级上。相信四十年后，晶体管的个数可以逐步发展到T 个数量级上，甚至更高。就其速度而言，也可以提高至少三个数量级，达到THz 。而在功耗方面，随着制作工艺的进步，功耗更低，更为节能。

除此之外，利用生物工程制作而成的电子芯片，可以不再单纯的用大规模的“计算”来进行思考，而采取一些人类的思考方式，当然，这并不意味着它可以代替人类。进一步设想，

也许我们可以模拟动物体，用神经元制作真正意义上的生物芯片，数字时代再次向模拟时代转换也未可知。

而由电子技术所形成的系统，将更为智能化，人性化。举个例子来说，也许到了2050年，我们再也不用为污染、交通拥堵而烦恼。在地球上、太空中，有数以百万计的电子测量设备，时时检测城市交通、环境的变化，并将数据送入数据库进行分析，自动设计方案，对环境、交通进行实时调节。

参考文献：

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[11]摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望(网络)

[12]https://www.docsj.com/doc/7e10990706.html,/13/86_121325.html

[13] https://www.docsj.com/doc/7e10990706.html,/view/b0c97842a8956bec0975e334.html

电子技术基础试题

电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）

数电期末模拟题及答案

《数字电子技术》模拟题一 一、单项选择题（2×10分） 1．下列等式成立的是（ ） A 、 A ⊕1=A B 、 A ⊙0=A C 、A+AB=A D 、A+AB=B 2．函数F=(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+C+D)的标准与或表达式是（ ） A 、F=∑m(1,3,4,7,12) B 、F=∑m(0,4,7,12) C 、F=∑m(0,4,7,5,6,8,9,10,12,13,14,15) D 、F=∑m(1,2,3,5,6,8,9,10,11,13,14,15) 3．属于时序逻辑电路的是（ ）。 A 、寄存器 B 、ROM C 、加法器 D 、编码器 4．同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ ） A 、没有触发器 B 、没有统一的时钟脉冲控制 C 、没有稳定状态 D 、输出只与内部状态有关，与输入无关 5．将容量为256×4的RAM 扩展成1K ×8的RAM ，需（ ）片256×4的RAM 。 A 、 16 B 、2 C 、4 D 、8 6．在下图所示电路中，能完成01=+n Q 逻辑功能的电路有（ ） 。 A 、 B 、 C 、 D 、 7．函数F=A C+AB+B C ，无冒险的组合为（ ）。 A 、 B=C=1 B 、 A=0，B=0 C 、 A=1，C=0 D 、 B=C=O 8．存储器RAM 在运行时具有（ ）。 A 、读功能 B 、写功能 C 、读/写功能 D 、 无读/写功能 9．触发器的状态转换图如下，则它是： （ ） A 、T 触发器 B 、RS 触发器 C 、JK 触发器 D 、D 触发器 10．将三角波变换为矩形波，需选用 （ ） A 、多谐振荡器 B 、施密特触发器 C 、双稳态触发器 D 、单稳态触发器 二、判断题（1×10分） （ ）1、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系： （1001110111110001）B =（9DF1）H （ ）2、8421码和8421BCD 码都是四位二进制代码。 （ ）3、二进制数1001和二进制代码1001都表示十进制数9。 （ ）4、TTL 与非门输入采用多发射极三极管，其目的是提高电路的开关速度。 （ ）5、OC 与非门的输出端可以并联运行，实现“线与”关系，即L=L 1+L 2 （ ）6、CMOS 门电路中输入端悬空作逻辑0使用。 （ ）7、数字电路中最基本的运算电路是加法器。 （ ）8、要改变触发器的状态，必须有CP 脉冲的配合。

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。

电子技术基础课程标准

〖专业课〗 《电子技术基础》 课程标准

二Ｏ一二年八月 三年制中等职业教育 《电子技术基础》课程标准 一、概述 （一）课程性质。本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 （二）课程设计基本理念。注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 （三）课程设计思路。该课程是依据“电子技术应用专业工作任务与职业能力分析表”中的以能力目标指导下，基于职业教育的校企合作、工学结合、基于生产过程的工作项目设置的。其总体设计思路是，打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式，转变为以工作任务为中心组织课程内容，并让学生在完成具体的项目中学会完成相应的工作任务，并构建相关理论知识，发展职业能力。课程内容突出对学生职业能力的训练，理论知识的选取紧紧围绕工作任务完成的需要来进行，同时又充分考虑了中等职业教育对理论知识学习的需要，并融合了相关职业资格证书对知识、技能和态度的要求。项目设计以生产过程为线索来进行。教学过程中，要通过校企合作，校内实训基地建设等多种途径，采取工学结合、半工半读等形式，充分开发学习资源，给学生提供丰富的实践机会。教学效果评价采取过程评价与结果评价相结合的方式，通过理论与实践相结合，重点评价学生的职业能力。

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。

12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

数字电子技术期末复习题库及答案完整版

数字电子技术期末复习 题库及答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

第1单元能力训练检测题 一、填空题 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑 关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和 非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的 权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换 的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和 非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。 （对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。 （错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。 （对）

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。

10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

完整版电子技术基础课程标准

电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类：第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习，使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点，熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法，初步具有查阅电子元器件手册，正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能，并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路，并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识，为今后从事实际

工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际，使课内与课外实验，科技活动紧密结合，提高学生学习兴趣，增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备，加大实验比重，使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情，勇于探究与日常生活有关 的电学问题；享受快乐的学习过程及学习成果，养成持之以恒的学习精神；形成主动与他人合作的精神，具有团队精神；关心国内外科技发展现状与趋势，有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念；二极管的单

电子技术基础期末考试试题及答案

10.电路如下图所示，若初态都为0，则=1的是（）

精品文档 注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0= 。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。

精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题（本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V 接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q 2Q 1Q 0=000 （1）第一个CP 作用后，Q 0=0→1，0Q =1→0=CP 1，对F 1触发无效，所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号，所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后，Q 0=1→0，而0Q =0→1=CP 1，对F 1属有效触发，所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2，对F 2无效，所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析，可得如下计数状态表为 （2）从状态表和电路结构可知，该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

数字电子技术期末试题库

【数字电子技术】【试题库】 一、填空题 1.电子电路中的信号可分为两大类，即模拟信号和。 2.数字信号是时间上和上都不连续的信号。 3.十进制数176转换成二进制数为。 4.二进制数11010011转换成十进制数为。 5.所谓二-十进制编码，就是用若干位二进制码元按一定的规律排列起来表示十进制数的过程，也称为码。 6.目前，国际最通用的处理字母、专用符号和文字的二进制代码就是美国标准信息交换码，即码。 ?+?=。 7.二进制数的逻辑运算0111 8. 二进制数的逻辑运算11=。 ⊕=。 9. 二进制数的逻辑运算11 +?=。 10.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A A B ++?=。 11.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A B A B 12.逻辑代数的三条重要规则分别是代入规则、反演规则和。 13.由n个逻辑变量组成的不同最小项个数为个。 14.由n个变量组成的“与或”逻辑表达式，若其中每一项均是关于n个逻辑变量的最小项，则称这一表达式为。 15.利用卡诺图求解最简逻辑表达式时，需要画方格圈，其中有三条要求：将2n个值为1的方格划为一个方格圈，方格圈的数量应（越少/越多）越好，方格圈所含的方格数应（越少/越多）越好。 16.三极管作为开关元件，通常工作在截止区和。 17.集成门电路主要有TTL门电路和。 18.三态门电路的输出有高电平、低电平和共3种状态。 19.TTL集成门电路是由半导体构成的，由于它工作速度快，带负载和抗干扰能力强，因而在数字电路中应该广泛。 20.根据逻辑功能的不同特点，数字逻辑电路可以分为两大类：组合逻辑电路和。 21.在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现干扰脉冲，从而导致逻辑电路产生错误输出的现象，称为。 22.触发器有两种稳定状态，即0状态和。 23.RS触发器由两个门电路首尾相连构成。 24.为了避免基本RS触发器输出存在不确定的情况，对其输入端设置了相应的约束条件是。

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）

数电期末练习题

第一章数制与码制 一、单项选择题： 1. 十进制数32转换为二进制数为（C）A、1000 B、10000 C、100000 D、1000000 2. 二进制数转换为十六进制数为（D ）A、FE1H B、FC2H C、7D1H D、7E1H 3. 十进制数36转换为8421BCD码为（C）A、00100100 B、00110100 C、00110110 D、 4. 一位十六进制数可以用（C ）位二进制数来表示。A、１B、２C、４D、16 5. 十进制数25用8421BCD码表示为（B ）。A、10 101 B、0010 0101 C、100101 D、10101 6．十进制数35转换为8421BCD码为（B ）A、00100100 B、00110101 C、00100011 D、00110110 7．三位二进制数码可以表示的状态是（ D ）。A、2 B、4 C、6 D、8 8．十进制数25转换为二进制数为（ D ）。A、110001 B、10111 C、10011 D、11001 9．BCD代码为（）表示的数为(594)10，则该BCD代码为（）。 A、8421BCD码 B、余3 BCD码 C、5421BCD码 D、2421BCD码（C） 10．与二进制数00100011相应的十进制数是( B )。A、35 B、19 C、23 D、67 11. 是8421BCD码的是（ B ）。A、1010B、0101 C、1100 D、1101 12. 二进制数1101转换为十进制数为（D ）A、10 B、11 C、12D、13 13. 比较数的大小，最大数为（ C ）A、(1 B、(51)10C、(34)16 =(52) 10 D、(43)8 14．把二进制数转换成十进制数为（A ）A、150 B、96 C、82 D、159 15. 将十六进制数4FB转换为二进制数等于( C ) A、0B B、0B C、0 D、 16. 将数转换为十六进制数为（ A ）A、 B 、C、 D 2 17. 将十进制数130转换为对应的八进制数：( ) A、202 B、82 C、120 D、230 18. 二进制整数最低位的权是（c ）A、0 B、2 C、02D、4 19. n位二进制整数，最高位的权是（）A、n2B、1n2-C、1n2+D、2n2+ 20. 下列四个数中最大的数是( ) A、(AF)16 B、(0010)8421BCD C、()2 D、(198)10 21. 将代码()8421BCD转换成二进制数为（b） A、(01000011)2 B、(01010011)2 C、()2 D、(0001)2 22. 十进制数4用8421BCD码表示为：（）A、100 B、0100 C、0011 D、11 23. 下列不同进位制中最大的是（） A、（76）8 B、（1100101）2 C、（76）10 D、（76）16 24. 用8421码表示的十进制数45，可以写成（） A、45 B、[101101]BCD C、[01000101]BCD D、[101101]2 25. 下列属于8421BCD码的是（）A、1011B、1111C、0111D、1100 26. 下列不属于8421BCD码的是（）A、0101B、1000C、0111D、1100 27. 下列四个数中最大的数是( )

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋

电子技术基础课程标准教案3

《电子技术基础》课程标准教案 一、概述 （一）课程性质 本课程是高等职业技术学校机电一体化技术专业的核心课程，是本专业学生必修的专业基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作，使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能，为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性，一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解，更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。 （二）课程设计理念与思路 本课程贯彻以就业为导向，以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发，以应用为目的，以必需、够用为度，以职业能力分析为依据，设定课程培养目标，较大程度降低理论教学的重心，删除与实际工作关系不大的繁冗计算，以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容，注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 本课程在教学中，将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境，使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动，激发了学生学习的潜能。 二、课程目标 （一）总目标 通过学习，使学生获得电子技术方面的基础知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法，发展自主学习能力，养成良好的思维习惯和职业规范，能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲，发展科学探索兴趣，培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神，有振兴中华，将科技服务于社会的责任感。 理解科学技术与社会的相互作用，形成科学的价值观；培养学生的团队合作精神，激发学生的创新潜能，提高学生的实践能力。 （二）具体目标 1．知识与技能 （1）了解电子元器件的性能，能识别与检测常用电子元器件； （2）掌握电子线路的工作原理，并会分析具体的电子电路； （3）会使用万用表等常用电工仪表及常用电子仪器仪表来检测电子电路； （4）能阅读与理解整流电路及典型稳压电源的原理图； （5）能阅读与理解典型放大电路、运算放大电路； （6）能了解集成电路基本常识；重点理解集成电路在工业中的应用； （7）会使用常用电子仪表进行数字电路的测量与调试； （8）初步具有查阅电子元器件手册，撰写实验、实训技术报告和合理选用元器件的能力；

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。