硫酸的生产流程

电化学基础一 直击高考

考点整合

一：原电池

二、发展中的化学电源

3．工作原理(以锌铜原电池为例，装置如图)

（1）工作原理：铜片和锌片用导线连接，同时浸入硫酸铜溶液中，金属锌比铜活泼，锌原子容易________电子，锌片的电子通过________流向铜片，Zn被氧化生成________进入溶液，溶液中的Cu2+在铜片上获得电子被还原，生成________。

(2)电池反应。

①负极(锌片)：Zn－2e－= Zn2＋(氧化反应)

②正极(铜片)：Cu2+＋2e－= Cu(还原反应)

③电池总反应式：Zn＋CuSO4= ZnSO4＋Cu (氧化还原反应)

(3)电子与电流的流动方向

电子：________极(锌片)→导线→________极(铜片)

电流：________极(铜片)→导线→________极(锌片)

上述铜、锌原电池中，还可将Zn和CuSO4溶液的反应分别在两个烧杯中进行，中间通过盐桥连

接，这便是带盐桥的原电池其装置如下图：

盐桥中通常装有饱和的KCl或KNO3等溶液和琼脂制成的胶冻，其作用是连接内电路，形成闭合回路；平衡电荷，使原电池不断产生电流。与不带盐桥的原电池相比，带有盐桥的原电池具有产生的电流稳定，且持续时间长等优点

【例1】下列叙述中正确的是

A．构成原电池正极和负极的材料必须是两种金属。

B．由铜、锌作电极与硫酸铜溶液组成的原电池中，铜是负极。

C．马口铁（镀锡铁）镀层破损时与电解质溶液接触锡先被腐蚀。

D．铜锌原电池工作时，若有13克锌被溶解，电路中就有0.4mol电子通过。

答案：D

【例2】硝酸汞和碘化钾溶液混合后会生成红色的碘化汞沉淀，为了探究硝酸汞和碘化钾溶液之间能否发生氧化还原反应，研究人员设计了如图的实验装置，结果电流计指针发生了偏转，下列分析正确的是( )

A．如图装置的电流方向是从C1到C2

B．C1是负极，发生的反应是2I－－2e－= I2

C．K＋离子向C1电极流动

D．装置发生的总反应是Hg2＋＋2I－= HgI2↓

[解析] B I－具有还原性，则C1作负极，发生反应：2I－－2e－= I2，B项正确；C2作正极，电流方向为正极流向负极，A项错误；阳离子由负极移向正极，C项错误；D项所给方程式为复分解反应，不属于氧化还原反应，错误。

1．一次电池(碱性锌锰干电池)

最早使用的化学电池是干电池，其负极材料是；电极反应是；位于中央且顶盖有铜帽的为正极，正极周围填充NH4Cl 和MnO2糊状物。其构造如下图：

2．二次电池(可充电电池)

充电电池又称为二次电池，能够重复使用至一定的周期。放电时相当于原电池，负极发生氧化反应，正极发生还原反应；充电时相当于电解池，放电时的正极变为电解池的阳极，与外电源的正极相连，负极变为电解池的阴极，与外电源负极相连。铅蓄电池是最早使用的充电电池，它是用硬橡胶或透明塑料制成长方形外壳，在正极板上有一层棕褐色的PbO2，负极板是海绵状的金属铅，两极均浸入硫酸溶液中。

(1)放电时的反应

①负极：Pb＋SO2－4－2e－==PbSO4

②正极：PbO2＋4H＋＋SO2－4＋2e－===PbSO4＋2H2O

③电池总反应：Pb＋PbO2＋2H2SO4===2PbSO4＋2H2O

(2)充电时的反应

①阴极：PbSO4＋2e－===Pb＋SO2－4

②阳极：PbSO4＋2H2O－2e－===PbO2＋4H＋＋SO2－4

③电池总反应：2PbSO4＋2H2O === Pb＋PbO2＋2H2SO4

3．燃料电池

燃料电池是一种连续地将燃料和氧化剂的化学能直接转换成电能的化学电源。它是一种高效、对环境友好的发电装置，常见的燃料电池有氢氧燃料电池、甲烷燃料电池、肼燃料电池等。其中，氢氧燃料电池是目前最成熟的燃料电池，其工作原理是：氢气在负极失去电子被氧化，电子流到电池的正极，氧气在正极得电子并与电解质溶液形成H2O或OH－，其电解质溶液有酸性和碱性两种，两种不同电解质溶液中的电极反应不同：

【例3】一种基于酸性燃料电池原理设计的酒精检测仪，负极上的反应为：

CH3CH2OH－4e－＋H2O===CH3COOH＋4H＋。下列有关说法正确的是()

A．检测时，电解质溶液中的H＋向负极移动

B．若有0.4 mol电子转移，则在标准状况下消耗4.48 L氧气

C．电池反应的化学方程式为：CH3CH2OH＋O2===CH3COOH＋H2O

D．正极上发生的反应是：O2＋4e－＋2H2O===4OH－

[答案] C

误区警示

(1)误认为两极电极材料均不与电解质溶液反应，不能构成原电池。其实不一定，如氢氧燃料电池两极均采用惰性电极。

(2)误认为金属活泼性强的一定作负极，其实不一定。如在Mg—Al—NaOH溶液构成的原电池中，由于相对于NaOH溶液来说铝比镁活泼，故铝作负极，镁作正极；又如在Cu—Al—浓HNO3溶液构成的原电池中，虽然Al比Cu活泼，但常温下，Al在浓HNO3中钝化，故铝作正极，铜作负极。

(3)在书写电极反应式时，只关注得失电子的微粒，而忽略电解质溶液中的某些微粒也有可能参加反应。如：酸性氢氧燃料电池中的正极反应式易错写成O2＋4e－= 2O2－或O2＋2H2O＋4e－= 4OH－，正确的电极反应式应为：O2＋4e－＋4H＋= 2H2O。

(4)不注意电解质溶液的成分，容易误写电极反应式，如Al作负极，在酸性溶液中生成Al3＋，在碱性溶液中生成AlO－2。

(5)电子从负极经外电路流向正极，但电子不能通过电解液，电解质溶液中是通过阴阳离子的移动导

电，形成闭合回路。

(6)用总电极反应减去一极的电极反应时，须在两式电子转移数相等的前提下进行。

化工生产工艺流程图

化工生产工艺流程图、单位制 在化学工程问题中，常常碰到一些很复杂的生产过程。例如氨碱法制纯碱，从饱和食盐水氨化、碳酸化开始，经过过滤、煅烧、洗涤，滤液经蒸氨解吸、循环使用等一系列过程。当描述这样一个复杂过程时，必须用简便的方法来组织给定的技术资料，列出已知和未知的条件，最好的方法是将该过程描绘一成个流程图。化学工业中使用的流程图，一般有表示产品流向的工艺流程图和工厂建设中实际使用的施工流程图。后者根据施工的要求，尚可细分为配管图、仪表自控图、电工配线图、公用工程流程图等。 工艺流程（又称生产流程或工业流程）图，是指从原料开始到最终产品所经过的生产步骤，把各步骤所用的设备，按其几何形状以一定的比例画出，设备之间按其相对位置及其相互关系衔接起来，象这样一种表示整个生产过程全貌的图就称为生产工艺流程图，简称生产流程。 生产工艺流程反映出工厂或车间的实际情况，即把设计的各个主要设备以及同时计算出的物料平衡、热量平衡一起写在流程图上。但在教科书中的生产流程则多为原则的示意流程。生产工艺示意流程，它只是定性的描绘出由原料变化为成品所经过的化工过程及设备的主要路线，其设备只按大致的几何形状画出，甚至用方框图表示也可，设备之间的相对位置也不要求准确。用方框图进行各种衡算，既简单、显目，也很方便。如本章前几节就多次用过。 工艺流程图中所表示的主要设备包括反应器、塔器、热交换器、加热炉、过滤机、离心分离机、干燥器、压缩机、泵等单元操作使用的全部与罐类。这些设备的几何形状，在化学工业界已被公认为标准的主要设备符号，将在以后的课程中逐步介绍。 工艺流程图的实例，可参见课本p280图9-25。 关于单位制，本课程一律采用国际单位制，即SI制。在本书中出现其它单位制的时候，将给出其与SI制的换算关系。在例题或习题中如果碰到，则应将其换算成SI制。否则，因单位制不统一而造成计算的结果与准确值相差甚远。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

彩盒生产流程图-纸盒贴角机

彩盒生产流程图 生产计 产品及样 发放制造单 车间调度 品交接划部 产前准备并 设备调试并 领取辅料 首件签样 切纸UV上 覆膜烫金裱卡、模切清糊盒机光机机机裱纸机机废机 制程控制 质量事故设备故障 及检验 手工 《品质异常反馈单》 设备部《设备维修申请表》 成品检验 不良品报废 报废 《产品报废申请单》

成品入库

产前准备 1、生产安排 1.1 、车间主管车间根据生产计划部下达的计划排程表，合理的利用车间人 员和资源安排生产。 1.2 、物料员根据车间按排的生产计划，给相关机台下发制造单。 2、物料交接 2.1 、各个机台班组长根据早会时接受的生产任务，以及车间下发的相关工 程单，与上工序交接其半成品。 2.2 、在与上工序交接的同时，要将资料袋、数码图、样品、等辅助材料一 并随产品交接，并做好相关交接记录。 2.3 、要求产品流程标示卡清楚、详细且数量准确。 2.4 、交接时要检查产品是否合格，仔细翻看垫板上产品的上面50 张左右，看是否有混款、倒张、废品的现象存在。 2.5 、检验时发现质量问题，及时通知制程巡检及来料部门，等待异常处理 完毕再确认接收。 3、领取辅料 3.1 、各机台根据各工序生产的需求，机台助手与车间物料员到仓库领取生 产辅料及设备易损品。 3.2 、物料员根据需求填写《产品领料单》，由车间主管签字。 3.2 、领取辅料时检查辅料的生产日期及保质期，避免因辅料质量问题造成 产品质量的不稳定。 4、设备检查 4.1 、机长检查设备线路是否正常，油路是否有通畅。 4.2 、给机器各个活动部位注油，注油要注意油的品种及型号。 4.3 、检查机器转动部位是否灵活、平稳无异常噪声，螺丝是否松动，机构 是否准确。 4.4 、机长填写《设备保养表》，并签字确认。 4.5 、设备异常机长应立即反馈主管，并填写《设备维修申请表》。由车间主管签字后联系设备部维修。

生产岗位流程设置及岗位明细职责(20200523192025)

生产岗位流程设置及岗位明细职责 生产主管岗位职责 生产主管直属生产总部及分厂厂长领导，接受生 产指令，按照技术部配方生产，指挥所属员工正确 使用设备，生产出合格的成品。具体职责如下： 1、每日主持召开班前会，按照生产部下达的生 产计划，合理安排、配置生产人员，严密组织， 保证生产计划的有效实施，满足销售需要。 2、严格按照各项规章制度和作业规程要求部 下，并带头遵照执行。 3、加强与部下沟通，做好部下的思想工作， 并协助厂长解除部下的后顾之忧 ，及时将部下的合 理化建议报告总部或厂长。4、按照现场管理要求，做好生产现场安全、操 作、质量、卫生、定置管理等的监督、检查，及时、 灵活、有效地纠正、处理生产中出现的各种问题， 减少停机时间，保证产品质量，做到不合格产品不 出车间。 5、掌握生产工艺流程和所有生产设备的性能， 指导生产员工合理使用设备。 6、努力钻研生产技术，提高自身素质，利用 各种机会对生产员工进行培训和交流，强化员工的 效率和节约意识，提高工作技能和生产效率， 确保生产部分解到车间的各项指标得以完成。 7、审核本车间每天出库的原料种类及数量，审 核生产记录，月终汇总所有报表上报给北京总部。 8、定期组织车间所有员工对生产现场、退火炉 进行安全检查；对安全隐患及时组织整改， 并做好 相关记录。 9、有权调整本车间员工工作岗位；有权制定车 间管理制度并报厂长批准后实施； 10、月终核算车间员工记件工分，并核算员工工 资报厂长审核后发北京总部。 11、向公司领导和厂长提出工作改进建议。 12、完成上级交给的其它任务。北京总部副总经理生产主管生产统计质检员缠绕组封装组退火作业员喷涂+包装作业员

半导体工艺流程

1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2

3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就

彩盒生产流程图讲解学习

彩盒生产流程图

彩盒生产流程图

产前准备 1、生产安排 1.1、车间主管车间根据生产计划部下达的计划排程表，合理的利用车间人员和资源安排生产。 1.2、物料员根据车间按排的生产计划，给相关机台下发制造单。 2、物料交接 2.1、各个机台班组长根据早会时接受的生产任务，以及车间下发的相关工程单，与上工序交接其半成品。 2.2、在与上工序交接的同时，要将资料袋、数码图、样品、等辅助材料一并随产品交接，并做好相关交接记录。 2.3、要求产品流程标示卡清楚、详细且数量准确。 2.4、交接时要检查产品是否合格，仔细翻看垫板上产品的上面50张左右，看是否有混款、倒张、废品的现象存在。 2.5、检验时发现质量问题，及时通知制程巡检及来料部门，等待异常处理完毕再确认接收。 3、领取辅料 3.1、各机台根据各工序生产的需求，机台助手与车间物料员到仓库领取生产辅料及设备易损品。 3.2、物料员根据需求填写《产品领料单》，由车间主管签字。 3.2、领取辅料时检查辅料的生产日期及保质期，避免因辅料质量问题造成产品质量的不稳定。

4、设备检查 4.1、机长检查设备线路是否正常，油路是否有通畅。 4.2、给机器各个活动部位注油，注油要注意油的品种及型号。 4.3、检查机器转动部位是否灵活、平稳无异常噪声，螺丝是否松动，机构是否准确。 4.4、机长填写《设备保养表》，并签字确认。 4.5、设备异常机长应立即反馈主管，并填写《设备维修申请表》。由车间主管签字后联系设备部维修。 5、做好生产之前的一切准备工作 设备调试 1、切纸机： 1.1、打开电源开关，启动电机。 1.2、按制造单要求裁切白料或半成品一张，由机长自检后把前后数据按以下步骤输入显示屏内。 1.3、进入程序主画面，按选择键加2号键，然后再按选择键加1号键选择序号后输入裁切数据，从1开始，以此类推输入全部裁切数据，然后按选择键加[/]，再按选择键加[.]，主画面会显示自动模式后开始裁切。 1.4、如果需修正目前数据，请按选择键加1号键就可以进行修正目前数据，结束后按选择键加[/]恢复到自动模式，开始裁切。 1.5、若需恢复到手动模式，请按选择键加[/]就可以。

化工厂生产业务流程

化工生产业务流程. 资料.

一、盐调配业务流程 1、在班长的领导下认真履行本岗位的工作责任，完成上级交给的各项工作任务。 2、认真执行公司的各项规章制度，积极参加班组的各项活动。 . 资料.

3、认真学习和严格遵守各项安全生产规章制度，安全生产操作规程，严格遵守劳动纪律，操作纪律和工艺 纪律。 4、上岗是要详细了解和掌握每个盐液储罐槽的储量和储罐的温度，对所属运行设备要认真检查，确保设备 运行正常。 5、对每个盐液储罐的N2封系统要认真检查，确保整个系统无泄漏，确保盐液质量合格。 6、按工艺要求及时准确地调配盐液个各种添加剂，对化验分析结果有异议时，要重新取样化验分析，直至 分析结果准确，保证盐液调配质量，满足生产的正常需求。 7、当盐液质量和添加剂质量以及运行设备发生异常时，要及时向班长报告，并协助班长将故障处理好。 8、严格执行操作规程，认真、如实、准确填写调配记录。 9、认真做好交接班工作，对当班期间出现的生产故障和处理结果，要做好详细记录，并与接班人员交接清 楚。 10、做好岗位的文明生产，所有物品要摆放整齐有序，做到定置管理。 . 资料.

二、铸带岗位业务流程 1、在班长的领导下认真履行本岗位的工作责任，完成上级交给的各项工作任务。 2、认真执行公司各项规章制度，积极参加班组的各项活动。 3、认真学习和严格遵守各项安全生产规章制度、安全生产操作规程，严格遵守劳动纪律、操作纪律和工艺纪律。 4、上岗时要详细了解和掌握上班铸带生产的状态，对所属运行设备要认真检查，准备好足够量的排料桶，确保设备运行正常。 5、当班期间要对水下切粒系统的水温、水量及所有运行设备经常巡回检查，保证所有设备运行正常。 6、当班期间要经常对切片的质量进行检查，当发现切片质量出现异常时(切片中有铸头切片、长切片、碳粒切片等)，要及时挑选出，严重时应立即向班长报告，并在班长的指挥下，及时处理。确保质量合格。 7、严格执行本岗位的操作规程，密切注意观察水下切粒系统的运行状态，一旦发现断条或自动排废等现象时，要及时处理，并查找原因，防止事故再次发生，确保生产稳定。 8、当缩聚生产出现故障或开停车时，要在班长的统一指挥下，会同其他岗位人员共同把生产中出现的故障或开停. 资料.

【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1

煤化工工艺流程

煤化工工艺流程 典型的焦化厂一般有备煤车间、炼焦车间、回收车间、焦油加工车间、苯加工车间、脱硫车间和废水处理车间等。 焦化厂生产工艺流程 1.备煤与洗煤 原煤一般含有较高的灰分和硫分，洗选加工的目的是降低煤的灰分，使混杂在煤中的矸石、煤矸共生的夹矸煤与煤炭按照其相对密度、外形及物理性状方面的差异加以分离，同时，降低原煤中的无机硫含量，以满足不同用户对煤炭质量的指标要求。 由于洗煤厂动力设备繁多，控制过程复杂，用分散型控制系统DCS改造传统洗煤工艺，这对于提高洗煤过程的自动化，减轻工人的劳动强度，提高产品产量和质量以及安全生产都具有重要意义。

洗煤厂工艺流程图 控制方案 洗煤厂电机顺序启动/停止控制流程框图 联锁/解锁方案：在运行解锁状态下，允许对每台设备进行单独启动或停止；当设置为联锁状态时，按下启动按纽，设备顺序启动，后一设备的启动以前一设备的启动为条件（设备间的延时启动时间可设置），如果前一设备未启动成功，后一设备不能启动，按停止键，则设备顺序停止，在运行过程中，如果其中一台设备故障停止，例如设备2停止，则系统会把设备3和设备4停止，但设备1保持运行。

2.焦炉与冷鼓 以100万吨/年-144孔-双炉-4集气管-1个大回流炼焦装置为例，其工艺流程简介如下：

100万吨/年焦炉_冷鼓工艺流程图 控制方案 典型的炼焦过程可分为焦炉和冷鼓两个工段。这两个工段既有分工又相互联系，两者在地理位置上也距离较远，为了避免仪表的长距离走线，设置一个冷鼓远程站及给水远程站，以使仪表线能现场就近进入DCS控制柜，更重要的是，在集气管压力调节中，两个站之间有着重要的联锁及其排队关系，这样的网络结构形式便于可以实现复杂的控制算法。

生产部工作流程教学文稿

第一部分生产管理规定 生产管理概述 1、生产计划系统 2、生产过程管理 3、生产设备管理 4、生产统计和成本控制 5、生产人员管理 6、生产质量和安全管理 生产计划系统 ?生产计划包含1、年、月、周、日、班生产计划2、设备零配件库存、采购、使用计划、3全年人员需求培训计划、4、设备维修计划、5、设备更新改造计划、6、产品质量持续改进计划等。 设备更新改造计划 1.每年根据公司总体的经营计划做出相应的设备改造更新计划。 2.生产部组织技术人员提出方案，包含技术可行性，经济实用性。 3.报总经理审批。 4.执行方案。 设备维修计划 1.统计上一年的设备故障率，找出关键设备。 2.根据上一年的设备使用情况，提出当年的设备维修总计划，一般在上一年的11月份作出。 3.根据年度设备维修总计划，作出分月度的分计划。

4.执行月计划，并标明完成情况。 零配件库存采购计划 1.统计上一年度的零配件的领用情况，对常规的配件做适当的库存。 2.零配件采购根据当年的使用情况，确定采购的厂家，型号，价格。争取每种类的配件有三家以上的供应商。 3.生产部经理根据公司全年的生产计划和设备运行情况作出全年的零配件 采购计划，报总经理审核批准。 4.每月零配件采购计划由分管设备的经理提出经生产部经理审核报总经理批准采购 5.零配件采购人员根据零配件价值的大小和重要程度，由生产部经理安排相关人员采购。 6.生产常用零配件定点采购，争取有三家以上的供应商。货比三家，质量第一，努力降低采购成本。 员工需求计划 1.生产部经理根据公司全年的经营计划作出生产部全年的人员需求计划。 2.对于需要招聘的人员向公司行政部提出申请，说明招聘条件。由行政部安排招聘。 3.对于需要招聘的技术人员，生产部经理提前3个月提出申请。 员工培训计划 1.生产部每年须安排两次以上的人员培训计划。 2.人员培训计划包括岗位技能培训和素质培训。 3.培训方式为实际操作和理论讲授相结合。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

彩盒车间模切流程

彩盒车间模切流程 1、产前准备： 1.1、模切机长根据早会时接受的生产任务，以及车间下发的相关工程单，与上工序交接其半成品。 1.2、要求产品流程标示卡清楚、详细且数量准确。 1.3、交接时要检查产品是否合格，确认无质量状况。如果发现问题及时和品管部反馈，并告上工序组长或车间主（副）管，及时处理异常。处理完毕再按程序交接合格的产品。 1.4、对于明细较多的产品，要特别重视。交接时一定仔细翻看垫板上产品的上面50张左右，看是否有混款、倒张、废品的现象存在，如果发现质量问题要拒绝接收，等待上工序全检完毕再确认接收。 1.5、在与上工序交接的同时，要将资料袋、数码图、样品、烫金对位菲林等辅助材料一并随产品交接，并做好相关交接记录。如有特殊情况可在交接本注明。 1.6、根据工程单上的刀模版号，翻单产品则去刀版管理员处领取刀模，领取刀模时一定要确认刀模版号是否和工程单上一致，用尺子和样品比对尺寸是否正确。新刀模版则需要到刀模制作室领取，做好交接，并填写交接记录表。 1.7、检查刀版质量有无变形、刀线，刀线是否有松动

现象，版材是否坚固，海绵条是否齐全，有无破损，并进行补充或更换检查窄缝刀线有无塞线现象，如有及时清理并更换橡皮条。新刀模版则需要机台根据产品类型贴海绵条、弓形条，弯刀处需要塞橡皮条，并用502胶水粘牢。如存在不合格项请示上级并移交刀模房整改，合格后再投入生产。 1.8、取一张本批次生产的面纸和刀模对照，看成品线及色位是否能够对应。如有出入，应立即反馈给车间主（副）管，疑问解决后方可上机。 1.9、根据纸张的厚度和产品要求，与车间物料员到仓储部领取压痕线、刀片、502胶水、橡皮条、海绵条、弓形胶条。 2、生产过程控制： 2.1、检查开机前对设备进行检查，注意检查机器转动部位是否灵活、平稳无异常噪声，电路是否正常。检查各部位机构准确度，有无漏油现象，如有异常应立即反馈主管，并填写《设备维修申请表》，车间主（副）管签字后，由机台人员联系设备部维修。 2.2、上刀版时根据印刷咬口方向安装刀模版，根据印刷咬口大小，调整刀版咬口边的大小（一般咬口在9—17mm），刀版一般居中安防。锁刀版时要螺丝锁紧，但不可过紧二导致刀模弯曲变形，防止刀模版弹出，造成安全隐患。 2.3、刀版锁好后，根据纸张的厚薄选择压痕线的高度及宽度。一定要选择合适，过宽或浅会导致盒子不易成型，过窄过过高易造成爆色或爆线的现象发生。压痕线安装完

生产加工单主要操作流程

生产加工单操作流程 1.1 业务流程： 1.2 部门职责 生产部门的日常工作在ERP系统中主要有： 1.技术部维护产品结构BOM的数据准确性，子件定额数量，用料车 间； 2.下达生产计划，及时录入生产加工单； 3.生产订单执行过程中，及时做生产进度汇报； 4．与材料库管员核对生产过程中的材料实际领用情况，与成品库管核对完工产品的数量

1.3 日常业务操作 1.1填制一张生产加工单点击保存：（或根据销售订单生成） 第一步：领料 点击‘领料’按钮，把表体中本次出库数量中系统自动带出的定额数量修改为实际领用数量，（可以分多次出库），输入完成后，点击“保存”按钮。 第二步：分单 1、单击工具条上的“分单”按钮，进行分单，根据出库数量自动生成材料出库单。 2、在弹出的分单出库方式窗口中选择出库方式，依据出库方式的不同可生成包含不同材料数据的材料出库单。系统默认按仓库进行分单，其他选项可在此基础上进行更为明细的单据划分。

如：按仓库+材料方式，即按同一仓库同一材料生成一张材料出库单。

3、单击确认生成材料出库单，在生产加工单的分单号栏中可看到所分出的分单号，在出库单号栏可看到出库单号。 4、分单时，如果存货的现存量小于零，而且用户在【选项】中设置为不允许零出库时，系统将让用户重新输入数量。 5、下次分单要在上次分单审核清空数据后再进行分单 第三步：打单 1、单击工具栏上的〖打单〗按钮，弹出打单条件输入窗口。 2、录入打单条件指定打单的范围 3、注意： 打单应在分单之后，审核之前执行。 审核后的分单不能再进行打单，只能在材料出库单中打印。 打单与打印不同，打印是打印当前生产加工单。 第四步：签收

化工厂生产操作流程

生产操作流程 1、进入车间和仓库前注意释放人体静电（尤其秋冬干燥季节，并在 车间多洒水）。 2、按时上班，工作前穿带好工作服、安全帽、手套、防毒面罩、眼 罩。 3、由值班生产人员负责电源总开关的打开和关闭。 4、生产员工在生产前检查平台各釜的阀门开关是否关闭，然后打开空压机开关。 5、各组生产员工按照领料单一次性领完生产所需的材料，领料人并在领料单上记录自己实际领用数,数量不足需要增加必须通知生产主管并作好登记。 6、使用隔膜泵抽料前接好至指定生产分散釜的进料口，并检查管道 是否完好，快速接口是否牢固，接好隔膜泵的供气管。 7、打开隔膜泵和进料管口的球阀，其中一个人把抽料软管插到大桶 内并用手扶着，一个人打开进气阀门，观察抽料过程是否正常稳定，出现异常情况及时关闭进气阀门，关闭进料口阀门再处理异常情况，抽料完毕用10KG溶剂清洗管道，抽完后关闭进料口阀门，把隔膜泵和软管内的溶剂倒到空胶桶内，并投入釜内。 8、在平台上投放粉体料和固体料前，启动分散釜电机，转速调到工 艺单所要求速度，打开抽风机，然后分别打开抽风管阀门、射灯，人孔，然后往分散釜内投料，投料完毕关闭人孔盖子锁好，再把抽风管阀门关闭好；配料员认真做好投料记录，组长认真做监称

工作，确保投料准确。 8、严格按照生产工艺制程要求生产，搅拌足够时间，搅拌好后两人 配合接好连接灌装机管道。 9、检查管口是否接好，管道是否完整，然后装好过滤小车滤网、内 外垫片，压片，再盖上盖子，拧好固定螺栓，打开分散釜或搅拌釜的上展阀和球阀，打开过滤筒盖上球阀排出一定空气然后关闭，打开灌装机开关和供气阀开关，灌装称台上不放置东西并归零，归零完毕放入空桶进行灌装，灌装完毕，用电子秤验证重量，每桶灌装重量19.3KG范围波动（加盖子），不断修正灌装机灌装的重量，在灌装过程中，更换桶时确保桶放好桶口对准灌装口时才按灌装开关，灌装的第一桶倒回釜内。 10、一釜料灌装完毕后，抽取10KG溶剂倒到搅拌釜内冲洗釜、灌装 机、隔膜泵、管道，用一个20KG空桶把冲先液装好，标签好这个哪一个配方的冲洗液，下次做相同配方时当溶剂使用掉。 11、生产好的成品拉到一边等待检测和贴标签，检测合格后才进仓入 数，每天生产完毕下班前把生产工具摆放好，清洁好自己所在生产区域，把设备开关、阀门调回原始状态，为下一个循环生产做好准备。离开车间前注意关好门窗，关闭空压机及抽风机，关闭平台上各釜射灯，关闭好液压升降平台，最后到控制室关闭设备总开关。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。

欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。

半导体生产流程

半导体生产流程 所谓的半导体,是指在某些情况下，能够导通电流，而在某些条件下,又具有绝缘体效用的物质;而至于所谓的IC，则是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件,作在一微小面积上，以完成某一特定逻辑功能(例如：ＡND、OR、ＮAND等）,进而达成预先设定好的电路功能。自1947年12月2３日第一个晶体管在美国的贝尔实验室(BellLaｂ)被发明出来，结束了真空管的时代,到1958年TI开发出全球第一颗IC成功,又意谓宣告晶体管的时代结束，IC的时代正式开始。从此开始各式IC 不断被开发出来,集积度也不断提升。从小型集成电路(SSI）,每颗IC包含10颗晶体管的时代;一路发展MSI、LSＩ、ＶLＳＩ、ＵLＳＩ;再到今天，短短50年时间，包含千万个以上晶体管的集成电路已经被大量生产,并应用到我们的生活的各领域中来，为我们的生活带来飞速的发展。不能想象离开半导体产业我们的生活将会怎样,半导体技术的发展状况已成为一个国家的技术状况的重要指针,电子技术也成为一个国家提高国防能力的重要途径。?半导产品类别目前的半导体产品可分为集成电路、分离式组件、光电半导体等三种。?集成电路(IC）,是将一电路设计，包括线路及电子组件,做在一片硅芯片上,使其具有处理信息的功能,有体积小、处理信息功能强的特性。依功能可将ＩC分为四类产品:内存IC、微组件、逻辑IC、模拟ＩＣ。?分离式半导体组件，指一般电路设计中与半导体有关的组件。常见的分离式半导体组件有晶体管、二极管、闸流体等。?光电式半导体，指利用半导体中电子与光子的转换效应所设计出之材料与组件。主要产品包括发光组件、受光组件、复合组件和光伏特组件等。?IC产品介绍 IC产品可分为四个种类，这些产品可细分为许多子产品,分述如下：?内存IC：顾名思义,内存IC是用来储存资料的组件,通常用在计算机、电视游乐器、电子词典上。依照其资料的持久性(电源关闭后资料是否消失)可再分为挥发性、非挥发性内存；挥发性内存包括DRAM、SRＡＭ,非挥发性内存则大致分为MａskRO Ｍ、EＰROM、ＥEPＲOM、FlashMemorｙ四种。?微组件IＣ:指有特殊的资料运算处理功能的组件；有三种主要产品：微处理器指微电子计算器中的操作数件,如计算机的CPU;微控制器是计算机中主机与接口中的控制系统,如声卡、影视卡．．．等的控制组件；数字讯号处理IC可将模拟讯号转为数字讯号,通常用于语音及通讯系统。?模拟IC:低复杂性、应用面积大、整合性低、流通性高是此类产品的特色,通常用来作为语言及音乐IC、电源管理与处理的组件。?逻辑IC:为了特殊信息处理功能(不同于其它ＩC用在某些固定的范畴)而设计的IC，目前较常用在电子相机、３DＧaｍe、 IC产业 IＣ的制造可由上游至下游分为三种工业，一是与IC的制造有直接关系的工业、包括晶圆制造业、ＩC制造业、IＣ封装业;二是辅助ＩC制造的工业,包括IC设计、光罩制造、ＩC测试、化学品、导线架工业；三是提供IＣ制造支持的产业,如设备、仪器、计算机辅助设计工具工业.．.等。? IC（集成电路)制作过程简介?集成电路的生产过程极其复杂，习惯上将其分为前置作业，电路的制作，晶圆及晶粒测试和后段的封装测试等。因为ＩC是由很多的电路集合而成的,而这些电路组件和线路是以晶圆为基础并以层状分布的,制造过程也是一层层的建造出来的,类似于建楼房的过程。?其中前置作业类似于楼房的设计

化工生产流程图

化工生产流程图 1．一工厂用软锰矿（含 MnO 2约70%及Al 2O 3）和闪锌矿（含ZnS 约80%及FeS ）共同生产MnO 2和Zn （干电池原料）： 已知① A 是MnSO 4、ZnSO 4、Fe 2(SO 4)3、Al 2(SO 4)3的混合液。 ② IV 中的电解反应式为MnSO 4＋ZnSO 4＋2H 2O ══通电 MnO 2＋ Zn ＋2H 2SO 4。 （1）A 中属于还原产物的是___________。 （2）MnCO 3、Zn 2(OH )2CO 3的作用是_____________________________；II 需要加热的缘故是___________；C 的化学式是____________。 （3）该生产中除得到MnO 2和Zn 以外，还可得到的副产品是______________。 （4）假如不考虑生产中的损耗，除矿石外，需购买的化工原料是___________。 （5）要从Na 2SO 4溶液中得到芒硝（Na 2SO 4·10H 2O ），需进行的操作有蒸发浓缩、________、过滤、洗涤、干燥等。 （6）从生产MnO 2和Zn 的角度运算，软锰矿和闪锌矿的质量比大约是__________。 2、碘化钠是实验室中常见分析试剂，常用于医疗和照相业。工业上用铁屑还原法来制备，工艺流程如下： （1）碘元素属于第 周期第 族；反应②中的氧化剂是（写化学式） 。 （2）判定反应①中的碘是否已完全转化的具体操作方法是 。 （3）反应②的离子方程式为 ； 反应③的化学方程式为 。 （4）将滤液浓缩、冷却、分离、干燥和包装过程中，都需要注意的咨询题 碘 共热反应① NaIO 3溶液 反应② 混合物 过滤 Fe(OH)2滤液 灼烧 副产品 浓缩冷却结晶 分离 干燥包装 铁屑 反应③

半导体工艺流程

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1－6所示。 图1－6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250℃高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2→SiO2

扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B 2H 6）作为N －源和磷烷（PH 3）作为P +源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH 3 → 2P + 3H 2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的基片 涂胶后基片 光刻胶 阻挡层

纸箱生产流程介绍

纸箱生产流程介绍 一：设计决定产品的最终效果 对纸箱产品来讲设计尤为重要，否则很难达到客户要求，可能出现退货，给企业造成重大损失。 我认为市场部门接到订单后，应该把客户的所有信息传递到工艺设计部门。其中包括版面的装饰要求、规格尺寸、

箱型结构、内装物及盛重、堆码层数等相关内容。经设计部门设计后，方可传到制造部门完成产品的实现。 1）计算出最下层纸箱所能承受的最大堆码载荷Ps 即Ps=（Nmax-1）·G，其中，Nmax为最大堆码层数，G为内装物和箱体重。 2）选取合适的安全系数K

根据SN/T0262-93出口运输包装瓦楞纸箱检验规程的要求，在贮存期小于30天时，K=1.6；贮存期在30～100天时， K=1.65；贮存期大于100天时，K=2。 当然，为了安全起见，安全系数通常取3以上。不过安全系数取得过大，原材料的各种指数相对要高，纸张的价格会明显上升，致使成本增加，对市场开发不利。再有如果安全系数选取过大，会出现质量过剩，系数过小，又造成

塌箱等质量问题。所以，要根据客户的实际要求，选取合适的安全系数。 3）根据安全系数计算出所要达到的最大抗压强度值P 即P=K·Ps 4）根据Kelicutt公式，选择合适的纸张搭配组合 即Px·F=P（已算出）

所以Px=P/F，其中，F为与纸箱周边长和瓦楞型有关的常数，通过查表得出。Px为瓦楞纸板综合环压强度值，Px=（R1+R2+Rm1C）/15.2 如果已知R1、R2、Rm1C中任何一种或两种材料的环压指数和克重，便可求出第三种材料的环压指数和克重，达到纸张合理搭配的目的。 二：做好过程控制是产品实现的保证

生产工艺流程及简述

生产工艺流程及简述 表面毡、短切毡无碱玻璃纤维浸胶 胶液配置→制衬→浸胶→螺旋、环向缠绕及夹砂→固化→修整→脱模→检验→成品 玻璃钢管道缠绕操作程序 1. 准备工作：将模具表面处理干净，做到光洁无毛刺、无伤害，装到制衬机上。配树脂：将促进剂（锌酸钴）按工艺配置1—2%与不饱和聚酯树脂混合搅拌1 小时左右，然后静置消除气泡，冬季可适当增加促进剂的用量。 2. 制衬：内衬层是制品直接与介质接触的内表层，它的主要作用是防腐、防渗漏、耐温，要求内衬材料有优良的气密性、耐腐蚀性和耐一定温度等。 3. 缠聚酯薄膜：开动制衬机，将薄膜滚架上的聚酯薄膜缠到模具上，缠时薄膜的第一圈与第二圈之间一定要搭界1—2cm，以保证内衬不泄露。 4. 缠表面毡：开动树脂泵，将以配置好的引发剂（过氧化甲乙酮）1—2%（冬季可加至4%左右），加到喷枪泵中混合后，通过树脂管道淋到已缠好的聚酯薄膜上，在淋树脂的同时将表面毡（如无纺布的形状，是细纤维连接成的，宽度为220mm）带状缠绕1 层，此层主要是防渗漏，需要注意的是，缠表面毡时，气泡一定要处理彻底，同时表面毡在缠绕的过程中，同缠绕聚酯布一样，必须搭界1—2cm 的叠合接口。 5. 缠短切毡：缠表面毡的作用是增加强度、增加防渗漏性，短切毡是根据管子的设计可缠1—2 层。短切毡是用粗纤维纺织成的强筋毡，边缠边淋树脂，再缠绕的同时必须用条状的压滚将气泡赶出。 6. 缠网格布：主要作用是赶走气泡，进一步增加强度。种类有玻璃纤维网格布、涤纶纤维网格布。网格布的方法与网格毡的方法一样，网格布缠好后，必须将气泡处理干净。

7. 固化：内衬层制好后，将缠在模具轴上的内衬层吊到固化机上进行固化，固化的时间以加入引发剂剂量及固化温度而定，（在制衬时加入引发剂的树脂一定要充分混合好才能使用与制衬，否则将形成带状固化。） 8. 缠结构层：结构层又称增强层，它的作用是保证制品在受力的作用下，具有足够的强度、刚度和稳定性，而增强材料玻璃纤维是主要的承载体，树脂是对纤维起均衡载荷的作用，采用夹层结构（加石英砂）纤维缠绕可有效的提高玻璃钢管的刚度。夹层管材的强度、刚度大、重量轻、造价低，使用寿命长、耐腐蚀、无毒无味等特点，石英加砂管也越来越体现出来。