(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期

集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川

一二三四五六七八九十总分评卷教师

1、名词解释：(7分)

答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。

SOI：绝缘体上硅。

RTA：快速热退火。

微电子：微型电子电路。

IDM：集成器件制造商。

Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。

LOCOS：局部氧化工艺。

STI：浅槽隔离工艺。

2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请

举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。

在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工

艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分)

答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。

主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无

侵蚀；与CMP兼容。

4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分)

答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把

结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。

5、解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？(7分)

答：目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：

①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电

容，从而提高器件的集成度与工作速度。②多晶硅可以高温氧化，对多层布线非常有利。③阈值电压低（取决于硅与二氧化硅的功函数差）。④有利于采用等比例缩小法则。⑤耐击穿时间长。

6、什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？(7分)

答：沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减

速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范围（如掺

杂深度和浓度）大大扩展。

方法：1、倾斜硅片；2、掩蔽氧化层；3、预非晶化。

7、在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？(7分)

答：低k材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。

高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度，抑制栅极隧穿漏电流；还可应

用于DRAM存储器，提高存储电荷（或能量）密度，简化栅介质结构。

8、阐述铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？(7分)

答：铜金属化面临的三大问题：①扩散到氧化区和有源区；②刻蚀困难（干法刻蚀难以形成挥发性物质），铜不容易形成图形；③铜在较低温度下(<200℃)极易氧化，且不能生成保护层来阻止进一步的氧化。

解决办法：①双大马士革中采用CMP，无需刻蚀铜；②钨填充用作局部互联金属和第一层金属与有源区的接触，避免铜刻蚀和铜“中毒”。

9、Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。(7分)

答：Si3N4材料在半导体工艺中不能用作层间介质，因为Si3N4材料的介电常数大，

用作层间介质会引起很严重的互连延迟。

Si3N4在集成电路工艺中的应用：①芯片最终的钝化层；②STI工艺中的CMP的阻止层。

10、化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些

优点？(7分)

答：化学机械平坦化（CMP）工作机理：表面材料与磨料发生反应，生成

容易去除的表面层；同时表面层通过磨料中的研磨剂和研磨压力与抛光垫的相对

运动而机械磨去。

与传统平坦化方法相比，CMP优点：全局平坦化；平坦化不同的材料；平

坦化多层材料；减小严重表面起伏；制作金属图形的方法之一；改善台阶覆盖；

不使用危险气体；减薄表面材料去除表面缺陷。

11、MOS器件中常使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？请分别给出原因。(7分)

答：MOS器件：<100> Si/SiO2界面态密度低；

双极器件：<111>的原子密度大，生长速度快，成本低。

12、采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质

量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？(7分)

答：区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。

8英吋以上的硅片，选择CZ法制备，晶圆直径大。

13、为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？(7分)

答：距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区；对于器件的正常工作，界面处的电荷堆积是不受欢迎的；通过在氢气或氢一氮混合气中低温450℃退火，可以减少这种不可接受的电荷。

14、比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩

模版上的图形？(7分)

答：投影掩膜版：图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。容易形成亚微

米图形；小曝光场，需要步进重复；光学缩小，允许较大的尺寸。

光学掩膜版：包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。

没有缩小系统，很难形成亚微米图形；曝光场是整个硅片；掩膜与硅片有相同的关键尺寸。

投影掩膜版的制造：电子束直接写。

15、在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制

或消除闩锁效应的方法。(7分)

答：抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：① SOI衬底技术；

②大剂量离子注入形成深埋层；③用离子注入产生倒掺杂阱；④硅片表面外延层。

16、为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？(7分) 答：随着特征尺寸的缩小，栅氧化层越来越薄，栅极隧穿漏电流指数性增加，从而导致功耗增加。高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度，抑制栅极隧穿漏电流。

低k材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。

17、解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？(7分)

答：质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。

反应速度限制淀积速率：淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低(传输速率快)，提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。

LPCVD属于：反应速度限制淀积速率；

APCVD属于：质量传输限制淀积速率。

18、铝互连复合金属膜由哪几层金属组成？每层的作用是什么？(7分)

答：铝互连复合金属膜的组成：Ti/TiN；Al/AlCu；TiN。

Ti/TiN：接触层金属和阻挡层金属。

Al/AlCu：导电层；

TiN：阻挡层金属和抗反射涂层。

19、离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？

(7分)

答：离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格。如果注入的剂量很大，被注入层将变成非晶。另外，被注入离子基本不占据硅的晶格点，而是停留

在晶格间隙位置。这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活。退火能够加热被注入硅片，修复晶格缺陷，还能使杂质原子移动到晶格点，将其激活。

高温退火和快速热处理工艺，快速热处理更优越。因为：高温炉退火在

800-1000度退火，导致杂质的再扩散；快速热退火只是1000℃下短暂时间退火，减小了杂质的再扩散和瞬时增强扩散。

二、作图题（共10分）

1、在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。

（1）分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N+区和P+区的形成。（6分）

（2）如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么？（4分）

N-Si 掩模板透光区域的表示方法

掩模板不透光区域的表示方法

P

N+P+N+

答：（1）正胶工艺的掩模板：

a. P型离子注入：；

b. N+离子注入：；

c. P+离子注入：

负胶工艺的掩模板：

a. P型离子注入：；

b. N+离子注入：；

c. P+离子注入：

（2）采用正胶。因为负胶容易被显影液泡胀变形，线宽不易控制。

2、简单示意画出制作在P+硅衬底的P-外延层上的nMOS管的剖面结构示意图，并标注出电极以及阱、源区和漏区的掺杂类型。(5分) 。并简要说明阱注入与

源漏区的离子注入时有何区别，为什么。

(5分) 答：制作在P +硅衬底的P -外延层上的nMOS 管的剖面结构示意图如下图所

示：

p + substrate

p - epi

p well

n+

n+Gate Drain

Source 阱注入与源漏区的离子注入时的区别：①阱注入通常采用倒掺杂技术，浓

度的峰值在体内的某处；而源漏区的离子注入通常为浅结注入，

浓度的峰值在表面；②阱注入通常采用质量比较大的原子，如磷、硼等；而源漏区的离子注入通常采用质量比较轻的原子，如砷、氟化硼等。

三、计算题（共20分）

1、硅片热氧化生长遵从如下公式：t 2ox ＋At ox ＝B(t + τ)，其中

t ox 为硅片经过t 时间后SiO 2的生长厚度(μm)；B 为抛物线速率系数(μｍ2/h)；B/A 为线性速率系数

(μm/h)；τ为生成初始氧化层（同一工艺参数）所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程：干氧(0.5 h)—湿氧(2 h)来生成厚的SiO 2薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃，湿氧水汽氧化温度

为920℃。已知：920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μｍ，B=0.20μｍ2/h ；1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：A=0.09μｍ，B=0.03μｍ2/h 。试计算：

a 、0.5 h 内干氧生成的SiO 2厚度（μｍ）；（4分）

b 、2 h 内湿氧水汽氧化所生成的SiO 2厚度（μｍ）；（4分）

c 、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度（μｍ）。（2分）

提示：在计算a 、b 时请注意，需要通过之前的初始SiO 2层厚度来确定对应氧化步骤的初始SiO 2层生长时间τ（非真实生长时间，令t=0即得）。

提示：在计算a 、b 时请注意，需要通过之前的初始SiO 2层厚度来确定对应氧化步骤的初始SiO 2层生长时间τ（非真实生长时间，令t=0即得）。

解：(a) ∵t 2ox + At ox ＝B(t + τ)，又∵初始氧化层厚度为

0；∴τ

1＝( t 2ox + At ox ) / B = 0 h ∵t 2

ox ＋At ox ＝B(t 1+τ1)，又∵t 1=0.5 h ；∴t 2ox ＋0.09t ox ＝0.03×(0.5 +0)；即t ox ＝0.0855 μｍ

答：0.5 h 内干氧生成的SiO 2厚度为0.0855μｍ。

(b) ∵t2ox + At ox＝B(t +τ2)，又∵湿氧时初始氧化层厚度为0.0855μｍ；

∴τ2＝( t2ox + At ox ) / B = 0.25 h

∵t2ox＋At ox＝B(t2+τ2)，又∵t2=2 h；

∴t2ox＋0.5t ox＝0.2×(2 +0.25)；即t ox＝0.4659μｍ

答：2 h内湿氧水汽氧化所生成的SiO2厚度为0.4659μｍ。

(c) 总的硅片氧化生成的二氧化硅厚度t ox＝0.0855 +0.4659 =0.5514μｍ

∴消耗的硅层厚度为t Si＝0.5514×0.45=0.2481μｍ

答：整个氧化过程所消耗的硅层的厚度为0.2481μｍ。

2、假如从气态BF3分子中提取两种复合离子BF21+和BF12+分别进行浅结离子注入，实现P型掺杂，当加速场的电势差为30 kV，束流为20微安，注入扫描面积是20×20 cm2。

计算（1）离子注入的能量分别为多少？（5分）

（2）当注入剂量为3×1015原子/cm2，注入时间分别是多少？（5分）

解：(1) ∵KE = nV

∴BF21+：30 kV×1 = 30 keV

∴BF12+：30 kV×2 = 60 keV

答：BF21+和BF12+离子注入的能量分别为：30 keV和60 keV。

(2) ∵Q ＝It / enA

∴BF21+：t = Q enA / I = 3×1015×20×20×1.6×10-19 / 20×10-6 = 9600S

∴BF12+：t = Q enA / I = 3×1015×20×20×2×1.6×10-19 / 20×10-6 = 19200S

答：当注入剂量为3×1015原子/cm2，BF21+和BF12+离子注入时间分别是：9600S和19200S。

3、为实现更小的微细加工线宽，最新的光刻技术采用浸没式光刻机以实现更高

的分辨率。假定光刻机所用透镜的半径为6cm，透镜的焦长为10cm，浸没的液体为折射率 1.44的水溶液，光刻机使用的光源为波长193nm的准分子激光器，k 值为0.6，试求此镜头的数值孔径NA、焦深和光刻机的分辨率。(10分)解：(1) 数值孔径：NA = (n)sinθm≈(n)透镜半径/透镜的焦长≈6/10≈0.6

(2) 焦深：DOF = λ/2(NA)2 = 193/2*(0.6)2 =268 nm

(3) 分辨率：R = kλ/NA= 0.6*193/0.6 =193 nm

答：镜头的数值孔径NA为0.6、焦深为268nm、分辨率为193nm。

计算机操作系统原理复习题

课程成绩构成 笔试：70% 平时：30% 试卷构成： 名词解释五小题，共15分； 简答五小题，共35分； 综合题四小题，共50分。 第一章操作系统引论 1、设计现代操作系统的主要目标？ 答：（1）有效性（2）方便性（3）可扩充性（4）开放性 2、操作系统的作用？ 答：（1）作为用户与计算机硬件系统之间的接口 （2）作为计算机系统资源的管理者 （3）实现了对计算机资源的抽象 3、操作系统发展的主要动力？ 答：（1）不断提高计算机资源的利用率 （2）方便用户 （3）器件的不断更新换代 （4）计算机体系结构的不断发展 4、为什么说操作系统实现了对计算机资源的抽象？ 答：OS首先在裸机上覆盖一层I/O设备管理软件，实现了对计算机硬件操作的第一层次抽象；在第一层软件上再覆盖文件管理软件，实现了对硬件资源操作的第二层次抽象。OS 通过在计算机硬件上安装多层系统软件，增强了系统功能，隐藏了对硬件操作的细节，由它们共同实现了对计算机资源的抽象。 5、单道批理？多道程序设计？多道批处理？ 单道批处理系统定义：把一批作业以脱机方式输入到磁带上，并在系统中配上监督程序(Monitor)，在它的控制下使这批作业能一个接一个地连续处理，直至磁带(盘)上的所有作业全部完成，系统对作业的处理都是成批地进行的，且在内存中始终只保持一道作业。 多道批处理系统定义：由多道程序设计技术组成的系统。

6、分时系统产生主要动力？关键技术？特征？ 答：(1)推动分时系统形成和发展的主要动力是更好地满足用户的需要。主要表现在：CPU 的分时使用缩短了作业的平均周转时间；人机交互能力使用户能直接控制自己的作业；主机的共享使多用户能同时使用同一台计算机，独立地处理自己的作业。 （2）关键技术：为实现分时系统，其中，最关键的问题是如何使用户能与自己的作业进行交互，即当用户在自己的终端上键入命令时，系统应能及时接收并及时处理该命令，再将结果返回给用户。此后，用户可继续键入下一条命令，此即人—机交互。应强调指出，即使有多个用户同时通过自己的键盘键入命令， （3）特征：多路性；独立性；及时性；交互性。 7、实时任务划分？实时系统与分时系统比较？ 实时任务划分：（1）按任务执行时是否呈现周期性来划分 （2）根据对截止时间的要求来划分。 比较：（1）多路性。实时信息处理系统的多路性主要表现在系统周期性的对多路现场信息进行采集，以及对多个对象或多个执行机构进行控制。而分时系统的多路性则与用户情况有关，时多时少。 （2）独立性。实时信息处理系统的每个终端用户在向实时系统提出服务请求时是彼此独立操作，互不干扰。而分时控制系统中，对象的采集和对象的控制也是互不干扰。 （3）及时性。实时信息处理系统的及时性以人所能接受的等待时间来确定。分时系统的及时性是以控制对象所要求的开始截止时间或完成时间来确定的，一般为毫秒级。 （4）交互性。实时信息处理系统仅限于访问系统中某些特定的专用服务程序。分时系统能够向终端用户提供数据处理和资源共享等服务。 （5）可靠性。分时系统也要求可靠性，但实时系统要求更高度的可靠性。 8、操作系统定义？特征？ 答：操作系统的定义：操作系统（operating system，简称OS）是计算机系统中的一个系统软件，它是这样一些程序模块的集合——它们管理和控制计算机系统中的软件和硬件资源，合理地组织计算机工作流程，以便有效地利用这些资源为用户提供一个功能强大、使用方便和可扩展的工作环境，从而在计算机与其用户之间起到接口的作用。 特征：（1）并发性（2）共享性（3）虚拟技术（4）异步性 9、是什么原因使操作系统具有异步性特征？ 答：操作系统的异步性体现在三个方面：一是进程的异步性，进程以人们不可预知的速度向前推进，二是程序的不可再现性，即程序执行的结果有时是不确定的，三是程序执行时间的不可预知性，即每个程序

操作系统原理考题及答案

《操作系统原理》期末考试题 班级学号姓名 一、单项选择题（每题2分，共26分） 1.操作系统是一种()。 A. 系统软件 B. 系统硬件 C. 应用软件 D. 支援软件 2.分布式操作系统与网络操作系统本质上的不同在于（）。 A.实现各台计算机这间的通信 B.共享网络中的资源 C.满足较在规模的应用 D.系统中多台计算机协作完成同一任务 3.下面对进程的描述中，错误的是（）。 A.进程是动态的概念 B. 进程执行需要处理机 C.进程是指令的集合 D. 进程是有生命期的 4.临界区是指并发进程中访问共享变量的（）段。 A.管理信息 B.信息存储 C.数据 D.程序 5.要求进程一次性申请所需的全部资源，是破坏了死锁必要条件中的哪一条（）。 A.互斥 B.请求与保持 C.不剥夺 D.循环等待 6.以下哪种存储管理不可用于多道程序系统中（）。 A.单一连续区存储管理 B.固定式区存储管理 D. 段式存储管理 C.可变分区存储管理7.在可变式分区存储管理

中，某作业完成后要收回其主存空间，该空间可能与 1 / 8 相邻空闲区合并，修改空闲区表，使空闲区数不变且空闲区起始地址不变的 情况是（）。 A.无上邻空闲区也无下邻空闲区 B.有上邻空闲区但无下邻空闲区 C.有下邻空闲区但无上邻空闲区 D.有上邻空闲区也有下邻空闲 区 8.系统“抖动”现象的发生不是由（）引起的。 A.置换算法选择不当 B.交换的信息量过大 C.主存容量不足 D.请求页式管理方案 9.在进程获得所需全部资源，唯却CPU时，进程处于（）状态。 A.运行 B.阻塞 C.就绪 D.新建 10.要页式存储管理系统中，将主存等分成（）。 A.块 B.页 C.段长 D.段 11.系统利用SPOOLING技术实现（）。 A.对换手段 B.虚拟设备 C.系统调用 D.虚拟存储 12.设备从磁盘驱动器中读出一块数据的总时间为（）。 A.等待时间+ 传输时间 B.传输时间 D.延迟时间+ 查找时间+ 传输时间 C.查找时间+ 传输时间 13.如果允许不同用户的文件可以具有相同的文件名，通常采用（）

电子科技大学集成电路原理实验CMOS模拟集成电路设计与仿真王向展

实验报告 课程名称：集成电路原理 实验名称： CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员： 实验地点：科技实验大楼606 实验时间： 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院

一、实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时：4 三、实验原理 1、转换速率（SR）：也称压摆率，单位是V/μs。运放接成闭环条件下，将一个阶跃信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益：当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积：放大器带宽和带宽增益的乘积，即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度：使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围：在差分放大电路中，二个输入端所加的是大小相等，极性相同的输入信号叫共模信号，此信号的范围叫共模输入信号范围。 6、输出电压摆幅：一般指输出电压最大值和最小值的差。 图 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构，M1、M2构成源耦合对，做差分输入；M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载；M5、M8构成电流镜提供恒流源；M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路，Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系：

转换速率：SR=I5 I I 第一级增益：I I1=?I I2 I II2+I II4=?2I I1 I5(I2+I3) 第二级增益：I I2=?I I6 I II6+I II7=?2I I6 I6(I6+I7) 单位增益带宽：GB=I I2 I I 输出级极点：I2=?I I6 I I 零点：I1=I I6 I I 正CMR：I II,III=I II?√5 I3 ?|I II3|(III)+I II1,III 负CMR：I II,III=√I5 I1+I II5,饱和 +I II1,III+I II 饱和电压：I II,饱和=√2I II I 功耗：I IIII=(I8+I5+I7)(I II+I II) 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，为IC设计性实验。其目的在于： 根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计，掌握基本的IC设计技巧。 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法，并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求，针对CMOS两级共源运放结构，分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。

南开《操作系统原理》20春期末考核

1.哲学家就餐问题，揭示的是（）。 A.共享某种资源的并发进程调度问题 B.存储器分配问题 C.操作系统构 建问题 【参考答案】: A 2.在UNIX系统中提出了逻辑设备的概念，利用逻辑设备描述可以解决 （）的问题。 A.提升设备使用率 B.设备无关性设计 C.I/O访问速度与处理器不匹 配 【参考答案】: B 3.UNIX操作系统属于（）类型的操作系统。 A.批处理 B.分时 C.实时 D.分布式 【参考答案】: B 4.SPOOLing技术可以实现设备的虚拟管理，即将独占设备改造成（）。 A.共享设备 B.块设备 C.字符设备 【参考答案】: A 5.采用时间片轮转（RR）法调度时，如果时间片过长，该算法将退化为 ( )算法。 A.短进程优先（SPN） B.时间片轮转（RR） C.先来先服务（FCFS） D.优先级法（PS） 【参考答案】: C 6.I/O 中断处理程序，属于（）程序。 A.操作系统后台管理 B.用户级设计 C.系统工具软件

【参考答案】: A 7.若系统中有五个并发进程使用了相同的变量名A，则系统中对变量A 管理的临界区是由( )临界区构成的。 A.1个 B.2个 C.4个 D.5个 【参考答案】: D 8.采用可变分区存储管理时，最佳适应分配算法通常要求对空闲区表项 按( )进行排列。 A.存储区空间按照从大到小 B.存储区空间按照从小到大 C.存储区空间随机 【参考答案】: B 9.对文件实施加密管理后，可以防止文件被( )。 A.复制 B.内容扩散 C.删除 【参考答案】: B 10.在段页式存储管理中，每访问一个数据至少需要（）次对内存的访 问。 A.一次 B.两次 C.三次 【参考答案】: C 11.存储器按照读写功能分类时可分为（）。 A.ROM和RAM B.非永久记忆性存储器和永久记忆性存储器 C.顺序存储器和随机存 【参考答案】: A

《集成电路原理及应用》课后答案..

集成电路原理及应用（第2版）谭博学苗汇静主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4， v 2_=v 2 - =u i2， 代入 U o1 得U 。哙呱…）， 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能 则 u i1 = U 01 R 1 R 2 R 2 R 1 ，即 u o-(1 K )u i1 ， 则 U 。1 -U i2 R 3 U i2 -U o R 4 R 3 因两个输入信号均从同相端输入, 所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 解：第一级运放为同相放大器。对 A 1 :由"虚断”和"虚短”得 i 1 =i 2， v^=v 1. =u ， 1)U i2 - U o1

解：该电路由两个集成运放构成， A1为主放大器接成反相运算放大器， A2为辅助放大器, A2也接成反相放大器，利用 A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1 :由“虚断”和“虚短”得 R i U i I i u i 01 u 。 R 2 R i R 2 u i u i 辅助放大器A2的电压放大倍数: o2 u o2 2R 1 该电路为自举电路, U i U i U i R i I i I i - I R 2 R 2 U i U i u i2 u 。 R 2 目的是提高电路的输入电阻。 2R 得 U^2U i RR

当 R = R 1 时，R t 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么 功能 i1 -u o1 ，即u o1 =-u i1 。A 1为倒相器 解：对A 1 :由

操作系统原理期末试卷10套含答案7

操作系统原理期末试卷10套含答案7 一、单项选择题(每题2分，共20分) 1．以下著名的操作系统中，属于多用户、分时系统的是( B ). A．DOS系统B．UNIX系统 C．Windows NT系统D．OS／2系统 2．在操作系统中，进程的最基本的特征是( A ). A．动态性和并发性B．顺序性和可再现性 C．与程序的对应性D．执行过程的封闭性 3．操作系统中利用信号量和P、V操作，( C ). A．只能实现进程的互斥B．只能实现进程的同步 C．可实现进程的互斥和同步D．可完成进程调度 4．作业调度的关键在于( C ). A．选择恰当的进程管理程序B．用户作业准备充分 C．选择恰当的作业调度算法D．有一个较好的操作环境 5．系统抖动是指( D ). A．使用机器时，屏幕闪烁的现象 B．由于主存分配不当，偶然造成主存不够的现象 C．系统盘有问题，致使系统不稳定的现象 D．被调出的页面又立刻被调入所形成的频繁调入调出现象 6．在分页存储管理系统中，从页号到物理块号的地址映射是通过( B )实现的. A．段表B．页表 C. PCB D．JCB 7．在下述文件系统目录结构中，能够用多条路径访问同一文件(或目录)的目录结构是( D ) A．单级目录B．二级目录

C．纯树型目录D．非循环图目录 8．SPOOLing技术可以实现设备的( C )分配. A．独占B．共享 C．虚拟D．物理 9．避免死锁的一个著名的算法是( C ). A．先人先出算法B．优先级算法 C．银行家算法D．资源按序分配法 10．下列关于进程和线程的叙述中，正确的是( C ). A．一个进程只可拥有一个线程 B．一个线程只可拥有一个进程 C．一个进程可拥有若干个线程 D．一个线程可拥有若干个进程 二、判断题(选择你认为正确的叙述划√，认为错误的划×并说明原因.每题2分，共10分) 1．简单地说，进程是程序的执行过程.因而，进程和程序是一一对应的.( ) 2．V操作是对信号量执行加1操作，意味着释放一个单位资源，加l后如果信号量的值小于等于零，则从等待队列中唤醒一个进程，使该进程变为阻塞状态，而现进程继续进行.( ) 3．段页式存储管理汲取了页式管理和段式管理的长处，其实现原理结合了页式和段式管理的基本思想，即用分段方法来分配和管理用户地址空间，用分页方法来管理物理存储空间.( ) 4．在采用树型目录结构的文件系统中，各用户的文件名必须互不相同.( ) 5．用户程序应与实际使用的物理设备无关，这种特性就称作与设备无关性.( ) 答案：1．(×)改正为：进程和程序不是一一对应的. 2．(×)改正为：V操作是对信号量执行加1操作，意味着释放一个单位资源，加1后如果信号量的值小于等于零，则从等待队列中唤醒一个进程，现进程变为就绪状态，否则现进程继续进行. 3．(√) 4．(×)改正为：在采用树型目录结构的文件系统中，不同用户的文件名可以相同. 5．(√) 三、填空题(每空2分，共30分)

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

中山大学操作系统原理A卷试题答案

2008操作系统A卷参考答案 班级 __________ 姓名____________ 学号________ 成绩_________ 一、术语解释（5个，共20分） 1、内核：实现操作系统的最基本功能、常驻内容并要求CPU在核心态方式下运行的代码 和相关数据结构。 2、信号量：操作系统内容定义和管理的一种特殊数据结构，提供了初始化、增值和减值等操 作供进程调用，以实现进程互斥或同步。 3、临界区：两个或多个进程中，对应的程序中各存在一段访问共享数据的代码块，设 为CS1、CS2、。。。，这些代码块中，若有某个进程执行其中一个（设CSi）,则其它进 程执行其它相应代码块只能在CSi完成后才能开妈执行。具有这种要求的代码块称为临界 区 4、线程：进程中的一个独立的调度执行单位。多线程技术中，同一进程中可以有多个独立的 调度执行单位，并且可以并发执行。 5、逻辑地址：程序设计员在程序中使用的地址。 二、简答题（5题，共30分） 6、系统调用的过程中，控制的转移步骤如何？ 答：CPU控制权在用户态的进程中，进程执行陷入或软中断指令硬件执行中断响应动作进入内核，CPU控制权在核心态的操作系统内核代码中，执行系统调用服务程序,并可能进行进程调度，选择下一个可运行的进程恢复可运行进程的上下文CPU 控制权又交给在用户态的进程， 7、与层次结构比较，微内核结构的主要优缺点是什么？ 答：优点有接口一致性、系统安全性高、功能扩展灵活性、可移植性高、适用于分布式环境。 缺点是效率较低。 8、与多进程技术相比，多线程技术有哪些优点？ 答：同一进程的多个线程共享进程的资源，因此与进程相比，线程占用的资源极少；创建/撤消线程更快；同一进程的多个线程同属一个地址空间，可以使用共享变量直接通信；用户级线程还不需内核管理，减少了内核的开销。 9、用Test_And_Set指令如何实现互斥？ 10、文件打开过程主要工作及步骤 答：1搜索文件目录，以获取该文件控制信息；2检查操作权限；3分配活动文件表的 表项和打开文件表的表项，填入相应的文件控制信息；分配必要的缓冲区；4返回打开文件表的表项指针（文件句柄），供进程以后读写文件。 三、应用分析题（共4题，共40分） 11、（10分）k读者-写者问题：有一个文件F被多个进程读取或修改，其中一批进程 只读取F，另一些进程只修改F。为了保证系统响应时间，规定最多只能有k个进 程同时操作F。试用信号量及P、V操作实现读者与写者的同步。 答: Semaphore wr=1;

硅集成电路基本工艺流程简介

硅集成电路基本工艺流程简介 近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。以下是关于这些基本工艺的简单介绍。 IC制造工艺的基本原理和过程 IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。 一、硅片制备（切、磨、抛） 1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）： 1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O99％ 经过提纯:>99.999999% 2) 提拉法 基本原理是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体.

2、晶体切片：切成厚度约几百微米的薄片 二、晶圆处理制程 主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件，是整个集成电路制造过程中所需技术最复杂、资金投入最多的过程。 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 其工艺流程如下： 1、表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2、初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 3、CVD法沉积一层Si3N4。 CVD法通常分为常压CVD、低压CVD 、热CVD、电浆增强CVD及外延生长法（LPE）。 着重介绍外延生长法（LPE）：该法可以在平面或非平面衬底上生长出十分完善的和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜的结构。在外延工艺中，可根据需要控制外延层的导电类型、电阻率、厚度，而且这些参数不依赖于衬底情况。 4、图形转换（光刻与刻蚀） 光刻是将设计在掩模版上的图形转移到半导体晶片上，是整个集成电路制造流程中的关键工序，着重介绍如下： 1）目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线。 2）原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复印在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗蚀剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂融解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，然后在SiO2层或金属蒸发层得到与掩模板(用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600 800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高)相对应的图形。 3）现主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术，步骤如下：涂胶、前烘、曝光、显影、坚模、腐蚀、去胶。 4）光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 5) 掺杂工艺（扩散、离子注入与退火） 掺杂是根据设计的需要，将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻欧姆接触，通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素，如硼，或五价元素，如磷、砷等掺入半导体衬底，掺杂方法有两种：

苏州大学操作系统原理期中考试试卷2012软工(含答案)

苏州大学操作系统原理期中考试试卷共6页 学院专业成绩 年级学号姓名日期 考试形式：闭卷时间： 120分钟 一、填空题（10分，每空1分） 1、在有m个进程的系统中出现死锁时，死锁进程的个数k应该满足的条件是 1

（B）它的优先权变为最大 （C）其PCB移至等待队列队首 （D）进程变为就绪状态 6、对于给定的一组进程， C 算法可以获得最小的平均等待时间。（A）先到先服务调度（B）优先权调度 （C）最短作业优先调度（D）轮转法调度 7、分布式系统又被称为D。 （A）紧耦合系统（B）松耦合系统 （C）对等系统（D）网络操作系统 8、进程在就绪队列中等待调度的时间片总和称为 B 。 （A）运行时间（B）等待时间（C）响应时间（D）周转时间 9、银行家算法是一种 B 算法。 （A）死锁解除（B）死锁避免 （C）死锁预防（D）死锁检测 10、分时系统中，当用户数目为100时，为保证响应不超过1秒；此时的时间片最大应为A。 (A)10ms (B)20ms (C)50ms (D)100ms 三、（10分）CPU调度可发生在哪些情况下？哪些情况是可抢占式调度？哪些是非抢占式调度？ （1）正在执行的进程执行完毕。 （2）执行中进程自己调用阻塞原语。 （3）执行中进程调用了P原语操作，从而因资源不足而被阻塞；或调用了V 原语操作激活了等待资源的进程队列。 （4）执行中进程提出I/O请求后被阻塞。 （5）在分时系统中时间片已经用完。 （6）在执行完系统调用，在系统程序返回用户进程时，可认为系统进程执行完毕，从而可调度选择一新的用户进程执行。 （7）就绪队列中的某进程的优先级变的高于当前执行进程的优先级，从而也将引发进程调度。 可抢占式调度：（7） 非抢占式调度：（1）、（2）、（3）、（4）、（5）、（6） 四、（10分）什么是用户态线程和核心态线程？它们之间的映射关系有哪些？

集成电路基本工艺

集成电路基本工艺 发表时间：2011-07-29T10:01:47.187Z 来源：《魅力中国》2011年6月上供稿作者：朱德纪李茜刘丹彤 [导读] 在此，我们重点是讨论集成电路芯片加工过程中的一些关键手艺。 朱德纪李茜刘丹彤中国矿业大学，江苏徐州 221000 中图分类号：TN47 文献标识码：A 文章编号：1673-0992（2011）06-0000-01 摘要：当今社会已进入信息技术时代，集成电路已经被广泛应用于各个领域，典型的集成电路制造过程可表示如下： 在此，我们重点是讨论集成电路芯片加工过程中的一些关键手艺。 集成电路基本工艺包括基片外延生长、掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。 关键词：外延、掩膜、光刻、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、淀积、金属层 集成电路芯片加工工艺，虽然在进行IC设计时不需要直接参与集成电路的工艺流程，了解工艺的每一个细节，但了解IC制造工艺的基本原理和过程，对IC设计是大有帮助的。 集成电路基本工艺包括基片外延生长掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。 下面我们分别对这些关键工艺做一些简单的介绍。 一、外延工艺 外延工艺是60年代初发展起来的一种非常重要的技术，尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上，但是未经过外延生长的基片通常不具有制作期间和电路所需的性能。外延生长的目的是用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。常用的外延技术主要包括气相、液相金属有机物气相和分子束外延等。其中，气相外延层是利用硅的气态化合物或液态化合物的蒸汽在衬底表面进行化学反应生成单晶硅，即CUD单晶硅；液相外延则是由液相直接在衬底表面生长外延层的方法；金属有机物气相外延则是针对Ⅲ?Ⅴ族材料，将所需要生长的Ⅲ?Ⅴ族元素的源材料以气体混合物的形式进入反应器中加热的生长区，在那里进行热分解与沉淀反映，而分子束外延则是在超高真空条件下，由一种或几种原子或分子束蒸发到衬底表面形成外延层的方法。 二、掩模板的制造 掩模板可分成整版及单片版两种，整版按统一的放大率印制，因此称为1×掩模，在一次曝光中，对应着一个芯片陈列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。单片版通常八九、实际电路放大5或10倍，故称作5×或10×掩模，其图案仅对应着基片上芯片陈列中的单元。 早期掩模制作的方法：①首先进行初缩，把版图分层画在纸上，用照相机拍照，而后缩小为原来的10%~%20的精细底片；②将初缩版装入步进重复照相机，进一步缩小，一步一幅印到铬片上，形成一个阵列。 制作掩模常用的方法还包括：图案发生器方法、x射线制版、电子束扫描法。 其中x射线、电子束扫描都可以用来制作分辨率较高的掩模版。 三、光刻技术 光刻是集成电路工艺中的一种重要加工技术，在光刻过程中用到的主要材料为光刻胶。光刻胶又称为光致抗蚀剂，有正胶、负胶之分。其中，正胶曝光前不溶而曝光后可溶，负胶曝光前可溶而曝光后不可溶。 光刻的步骤：①晶圆涂光刻胶；②曝光；③显影；④烘干 常见的光刻方法：①接触式光刻；②接近式光刻；③投影式光刻 其中，接触式光刻可得到比较高的分辨率，但容易损伤掩模版和光刻胶膜；接近式光刻，则大大减少了对掩模版的损伤，但分辨率降低；投影式光刻，减少掩模版的磨损也有效提高光刻的分辨率。 四、刻蚀技术 经过光刻后在光刻胶上得到的图形并不是器件的最终组成部分，光刻只是在光刻胶上形成临时图形，为了得到集成电路真正需要的图形，必须将光刻胶上的图形转移到硅胶上，完成这种图形转换的方法之一就是将未被光刻胶掩蔽的部分通过选择性腐蚀去掉。 常用的刻蚀方法有：湿法腐蚀、干法腐蚀。 湿法腐蚀：首先要用适当的溶液浸润刻蚀面，溶液中包含有可以分解表面薄层的反应物，其主要优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。存在的问题有钻蚀严重、对图形的控制性较差、被分解的材料在反应区不能有效清除。 干法刻蚀：使用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术，按反应机理可分为等离子刻蚀、反应离子刻蚀、磁增强反应例子刻蚀和高密度等离子刻蚀等类型，是大规模和超大规模集成电路工艺中不可缺少的工艺设备。干法刻蚀具有良好的方向性。 五、氧化 在集成电路工艺中常用的制备氧化层的方法有：①干氧氧化；②水蒸气氧化；③湿氧氧化。 干氧氧化：高温下氧与硅反应生成sio2的氧化方法； 水蒸气氧化：高温下水蒸气与硅发生反应的氧化方法； 湿氧氧化：氧化首先通过盛有95%c左右去离子睡的石英瓶，将水汽带入氧化炉内，再在高温下与硅反映的氧化方法。 影响硅表面氧化速率的三个关键因素：温度、氧化剂的有效性、硅层的表面势。 六、扩散与离子注入 扩散工艺通常包括两个步骤：即在恒定表面浓度条件下的预淀积和在杂志总量不变的情况下的再分布。预淀积只是将一定数量的杂质

《集成电路原理及应用》课后答案

集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 3 4 21R R R R =。 （图1） 解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ， 则u 1i = 1211R R R u o +，即11 21)1(i o u R R u +=， 对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则 4 2321R u u R u u o i i o -=-，即1342 34)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1( 123 4 i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。

解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得 2 1R u R u o i -= ,则A f =121o o i i u u R u u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：221222 2o o VF i o u u R A u u R = ==- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。 由1i i i i U U R I I I = = - 由 12i o U U R R =-和321 2o U U R R =-得32i U U = 所以 1i i i U U I R R = - 因此1 1 i i i U RR R I R R = = - 当1R R =时，i R →∞，1I I = 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。

操作系统原理期末试卷及答案

操作系统原理试卷1 一、填空题（20分） 1．在操作系统中， _________是资源分配、调度和管理的最小单位。 2．不在主机控制下进行的输入/输出操作称为______________操作。 3．在操作系统中，不可中断执行的操作为_____________。 4．当系统采用资源有序分配方法预防死锁时，它破坏产生死锁的必要条件中的___________。 5．利用SPOOLING技术可以将___________设备改造成可共享的虚拟设备。 6．系统中各进程之间逻辑上的相互制约关系称为__________。 7．访问磁盘的时间由三部分构成，即_________,__________和_________。 8．文件的逻辑结构分为流式文件和_________。 二、简答题（20分） 1.为什么说PCB是进程存在的唯一标志？ 2.比较段式管理和页式管理。 3.在请求分页系统中，产生抖动的原因是什么？ 4.调度的类型有哪几种？ 5. 为什么说程序并发执行失去了封闭性和可再现性？ 三、计算题（30分） 1. 若一个作业的运行时间为2小时，等待时间为3小时，计算机其响应比。 2．如下访问序列：0，1，0，3，1，2，4，3，驻留集大小为2，计算OPT算法的缺页中断率。 3.对于具有快表的分页系统，内存访问时间200ns，快表的访问时间20ns，快表的命中率为85％，计算数据的访问时间。 4.当前磁头位于20号磁道，多个磁盘请求：10、22、20、2、40、6、38，计算电梯算法（磁道号增加的方向）的寻道距离。 5．假定磁盘块大小为2KB，对于20G的硬盘，计算其文件分配表FAT占用的空间。 四、有一系统采用请求页式存储管理，有一作业大小是8KB，页大小为2KB，已知1号、2 号页面已调入内存，且对应块号为第7、9块，试问虚地址0AFEH，1ADDH对应页面是否在 内存，若在求其内存地址。（10分） 五、以两个用户A、B共享同一文件File1为例，用图的方式说明基于索引结点

操作系统原理试题

操作系统原理试题 一. 名词解释题 1. 中断 2. 进程控制块(PCB) 3. 虚时钟 4. 段式管理 5. 文件控制块(FCB) 6. 对换(SWAPPING) 7. 系统调用 8. 绝对路径名 9. 特别文件10. 虚设备技术 11. 管道 12. 中断接收 13. 恢复现场 14. 页式管理 15. 作业步 16. 字符流文件 17. 通道 18. 页面淘汰 19. 多道程序设计 20. 死锁 21. 当前目录 22. 快表 23. 作业调度 24. 原语 25. 中断屏蔽 26. 地址映射 27. 文件目录 28. 死锁避免 29. 原语 30. 作业控制块 31. CPU状态 32. 虚存 33. 磁盘调度 34. 缓冲技术 35. 中断 36. 进程调度 37. 虚设备 39. 死锁预防 40. 文件目录 41. 原语 42. 交换技术 43. 互斥区 二. 填空题 1. 分时系统追求的目标是_____. 2. 用户进程从目态(常态)转换为管态(特态)的唯一途径是____. 3. 从静态的观点看, 操作系统中的进程是由程序段、数据和____三部分组成. 4. 在系统内核中必须包括的处理模块有进程调度、原语管理和____. 5. 批处理操作系统中, 作业存在的唯一标志是____. 6. 操作系统中的一种同步机制, 由共享资源的数据及其在该数据上的一组操作组成, 该同步机制称为________. 7. 在可变分区存储管理中, 为实现地址映射, 一般由硬件提供两个寄存器, 一个是基址寄存器, 另一个是____. 8. 联想寄存器(相联存储器)的最重要、最独到的特点是____. 9. 在虚拟段式存储管理中, 若逻辑地址的段内地址大于段表中该段的段长, 则发生____中断. 10. 文件系统中若文件的物理结构采用顺序结构, 则文件控制快FCB 中关于文件的物理位置应包括____. 11. 在操作系统设计时确定资源分配算法, 以消除发生死锁的任何可能性, 这种解决死锁的方法是____. 12. 选择对资源需求不同的作业进行合理搭配, 并投入运行是由____来完成的. 13. 实时系统应具有两个基本特征: 及时性和______. 14. 磁带上的文件只能采用_____存取方式. 15. 不让死锁发生的策略可以分成静态和动态的两种, 死锁避免属于_____. 16. 在UNIX系统中, 文件分成三类, 即普通文件, 目录文件和_____. 17. 在磁盘调度策略中有可能使I/O请求无限期等待的调度算法是_____. 18. 进程获得了除CPU外的所有资源, 一旦获得CPU即可执行, 这时进程处于_____状态.

操作系统试卷A及答案

2013学年秋季学期2011级计算机科学与技术、网络工程专业 《操作系统原理》期末考试试卷（A卷、闭卷、120分钟） 一、判断题（每题1分，共10分） ( )1．文件系统中分配存储空间的基本单位不是记录。 ()2．具有多道功能的操作系统一定是多用户操作系统。 ( )3．虚拟存储器是由操作系统提供的一个假想的特大存储器，它并不是实际的内存，其大小可比内存空间大得多。 ( )4．批处理系统的（主要优点）是系统的吞吐量大、资源利用率高、系统的开销较小。 ()5．文件系统中源程序是有结构的记录式文件。 ( )6．即使在多道程序环境下，普通用户也能设计用内存物理地址直接访问内存的程序。 ( )7．顺序文件适合建立在顺序存储设备上，而不适合建立在磁盘上。 ( )8．SPOOLing系统实现设备管理的虚拟技术，即：将独占设备改造为共享设备。它由专门负责I/O的常驻内存进程以及输入、输出井组成。 ( )9．系统调用是操作系统与外界程序之间的接口，它属于核心程序。在层次结构设计中，它最靠近硬件。( )10．若系统中存在一个循环等待的进程集合，则必定会死锁。 二、单项选择题（每题2分，共30分） 1. UNIX操作系统是一个( ) A、交互式分时操作系统 B、多道批处理操作系统 C、实时操作系统 D、分布式操作系统 2. 进程调度的对象和任务分别是( )。 A、作业，从就绪队列中按一定的调度策略选择一个进程占用CPU B、进程，从后备作业队列中按调度策略选择一个作业占用CPU C、进程，从就绪队列中按一定的调度策略选择一个进程占用CPU D、作业，从后备作业队列中调度策略选择一个作业占用CPU 3．支持程序浮动的地址转换机制是( ) A、动态重定位 B、段式地址转换 C、页式地址转换 D、静态重定位 4．在可变分区存储管理中，最优适应分配算法要求对空闲区表项按( )进行排列。 A、地址从大到小 B、地址从小到大 C、尺寸从小到大 D、尺寸从大到小 5. 一级目录结构的文件系统的主要特点是( ) A、适用于多道程序设计 B、适用于单用户系统 C、无需把索引表放到磁盘上 D、存取所有文件都无需用到索引表 6．进程有三种基本状态，可能的状态转换是( ) A、就绪态到运行态、等待态到就绪态、运行态到等待态 B、就绪态到运行态、就绪态到等待态、等待态到运行态 C、就绪态到运行态、等待态到就绪态、等待态到运行态 D、运行态到就绪态、就绪态到等待态、等待态到运行态 7．引入缓冲技术的主要目的是( ) A、改善用户编程环境 B、提高CPU的处理速度 C、提高CPU与设备之间的并行程度 D、降低计算机的硬件成本 8．文件系统的主要目的是（）。 A、实现对文件的按名存取 B、实现虚拟存贮器 C、提高外围设备的输入输出速度 D、用于存贮系统文档 9．为了允许不同用户的文件具有相同的文件名，通常在文件系统中采用（）。

集成电路工艺基础复习题

集成电路工艺基础 氧化 1、SiO 2的特性和作用 2、SiO 2 的结构分为哪两种 3、什么是桥键氧和非桥键氧 4、在无定形的SiO2中，Si 、O 那个运动能力强，为什么？ 5、热氧化法生长SiO2过程中，氧化生长的方向是什么？ 6、SiO 2只与什么酸、碱发生反应？ 7、杂质在S iO 2中的存在形式。 8、水汽对SiO 2网络的影响。 9、选用SiO 2作为掩蔽的原因。 是否可以作为任何杂质的掩蔽材料？为什么？ 10、制备SiO 2有哪几种方法？ 11、什么是Si 的热氧化法？热生长SiO 2的特点。 12、生长一个单位厚度的SiO 2需要消耗多少单位的S i ？ 13、热氧化分为哪几种方法？各自的特点是什么？ 14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的SiO 2层？ 15、分析Si 的热氧化的两种极限情况。 16、热氧化速率受氧化剂在SiO 2的扩散系数和与Si 的反应速度中较快还是较慢的影响？ 17、SiO 2生长厚度与时间的关系 18、氧化剂分压、温度对氧化速度的影响。 19、Si 表面晶向对氧化速率的影响。 20、什么是硅氧化时杂质的分凝现象？ 21、纳和氯对氧化的影响 当氧化层中如果含有高浓度钠时，则线性和抛物型氧化速率都明显变大；在干氧氧化的气氛中加氯，氧化速率常数明显变大。 22、SiO 2和Si-SiO 2界面中的四种类型电荷，解释可动离子电荷的主要存在形式和危害。 扩散 1、什么是扩散？扩散有哪几种形式？ 2、什么是间隙式杂质？什么是替位式杂质？ 3、为什么替位式杂质的运动相比间隙式杂质运动更为困难？ 4、菲克第一定律、菲克第二定律、扩散系数 ) 1 4 / 1 ( 2 2 - + = B A x o t + τ A ) /exp(kT E D D o ?-=