常用电路元器件及集成电路简介资料
常用电路元器件及集成电路简介
6．1电阻、电容元件简介
6．1．1产品型号的组成及各组成部分的符号意义
1．产品型号的组成
2．产品型号的组成部分的符号意义
表6-1-1 “主称”、“材料”部分的符号及意义
表6-1-2 “分类”部分的数字表示
表6-1-3 “分类”部分的字母表示
6．1．2电阻器
在电路中，电阻器是最常见的电路元件，它的种类很多。以结构形式分，有固定电阻、可调电阻和电位器，其图形符号分别如附图1-1所示。为了区别不同种类的电阻器，通常用字母和数字符号表示电阻的
类别（见附表1-1、附表1-2、附表1-3）。
固定电阻器可变电阻器电位器
热敏电阻器
1．固定电阻器
⑴固定电阻器的分类：
按制作材料的不同可分为三大类：合金类、薄膜类、合成类。
按用途可分为6种类型：通用型、精密型、高阻型、高频型、高压型、半导体电阻。
⑵固定电阻器的技术指标
①标称系列值在大多数电阻器上都标有阻值，这就是电阻器的标称阻值。通用型电阻的阻值系列如表6-1-4所示。选用电阻时，应在标称值系列中选择，电阻的标称值为表中数值乘以10n （n为正、
负整数）。
②额定功率电阻器的额定功率也有标称值（见表6-1-5），选用电阻时，其标称功率应是实际电
路功率的1.5~2.0倍。
③精度（允许）误差电阻器的实际值与标称值往往不完全符合,它们之间的相对误差值称为电阻
的精度误差。电阻精度的允许误差表示方法见表6-1-6。
表6-1-4 电阻器阻值标称系列值
表6-1-5 电阻器额定功率标称系列值
表6-1-6 电阻允许误差档次的符号表示法
⑶电阻器的标志方法
①文字符号直标法
电阻的类别：如表6-1-1、6-1-2、6-1-3所示。
标称阻值：阻值电位为Ω，KΩ，MΩ（通常“Ω”不标出）。
精度误差：普通电阻误差等级分别用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示+5%，+10%、+20%，精密电阻的误差等
级的符号表示方法见表6-1-6。
②色环标志法
色环标志电阻可分为四环、五环标志方法。其中五环色标法常用于精密电阻，靠近电阻的腿端为第一色环，依次为第二、三……色环,不同的环次和不同的颜色表示不同的含义。色环颜色所代表
的数值和含义如图6-1-2和表6-1-7所示。
（a）（b）
（c）
图6-1-2 电阻的色环标志方法
表6-1-7 色标法中颜色代表的数值及意义
2．电位器
⑴电位器的种类
电位器的种类繁多，用途各异。常见电位器的结构如图6-1-3所示。
⑵电位器的标称值见表6-1-4、6-1-5。
6．1．3电容器
电容器的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。相应的图形符号如图6-
1-4所示，常见电容器的外形结构见图6-1-5。
1．电容器的分类
按结构和介质材料的不同，电容器可分为：
⑴固定式：有机介质（纸介、有机薄膜）、无机介质（云母、瓷介、玻璃）、电解（铝、钽、铌）。
图6-1-3 常见电位器的外形结构图
固定电容器电解电容器可变电容器可调电容器
图6-1-4 电容器的图形符号
⑵可变式
可变：空气、云母、薄膜。
半可变：瓷介、云母。
图6-1-5 常用电容器的外形结构
2．电容器的标志方法
⑴文字符号直标法：标称容量单位为Pf、nF、μF、F。
⑵代码标志法：
对于体积较小的电容器常用三位数字来表示其标称容量值，前两位是标称容量的有效数字，第三位
是乘数，表示乘以10的几次方，容量单位是pF。
例：“222”表示2200pF；“103”表示104pF。
⑶极性
电容器中许多类型的电容器是有极性的，诸如电解电容、油浸电容、钽电容等，一般极性符号（“+”或“-”）都直接标在相应端脚位至置上，有时也用箭头来指明相应端脚。在使用电容器时，要注意不能将
极性接反，否则电容器的各种性能都会有所降低。
3．电容的检测
电容器的质量好坏主要表现在电容量和漏电阻。电容量可用电阻电容测量仪、交流阻抗电桥或万用电桥测量；漏电阻也可用绝缘电阻测定仪、兆欧表等专用仪器测定。现在主要介绍用万用表对电容器进行定
性质量检测的方法。
电容器的异常主要表现为失效、短路、断路、漏电等几种，下面具体介绍几种检测方法。
⑴漏电电阻的检测
①固定电容器（非电解电容器）漏电电阻的检测。根据电容器的充放电原理，可用万用表Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１０Ｋ挡（视电容器的容量而定）测量。测量时，将两表棒分别接触电容器（容量大于0．01微法）的两引线，如图6-１－６所示。此时，表针会迅速地顺时针方向跳动或偏转，然后再按逆时针方向逐渐退回“∞”处。如果回不到“∞”，则表针稳定后所指的读数就是该电容器的漏电电阻值。一般，电容器的漏
电电阻很大，约几百到几千兆欧。漏电电阻越大，则电容器的绝缘性能越好。若阻值比上述数据小得多，则说明电容器严重漏电，不能使用；若表针稳定后靠近“O”处，说明电容器内部短路；若表针毫无反应，
始终停在“∞”处，说明电容器内部开路。
图6-1－6电容器漏电电阻的检测
②电解电容器漏电电阻的检测。用万用表Ｒ×100或Ｒ×1Ｋ挡检测电解电容器的漏电电阻时，正常
情况下，其阻值应大于几百千欧。
当检测大容量的电解电容器（容量为几百至几千微法）时，由于万用表内电池通过欧姆挡内阻向电容器充电的时间较长，表针顺时针方向偏转幅度很大，甚至会冲过“０”而不动，而且需要经过几十秒到几分钟，才能缓慢回到稳走的漏电电阻值处，所以为加快检测速度，尽快读取漏电电阻值，可采用如下快速检测法：当表针顺时针偏转到最大值时，迅速将切换开关从Ｒ×１Ｋ挡拨到Ｒ×１０挡。由于Ｒ×１０挡的内阻值较小，因而向电容器充电的电流较大。当电容器充电结束后，表针便会很快回到“∞”处，然后再将切换开关拨回Ｒ×１Ｋ挡，表针会顺时针方向偏转至一个稳定的指示值，该值即为电解电容器的漏电
电阻。
⑵电解电容器正、负极的判别
电解电容器可用下述方法判别其正、负极。
①外观判别。例如ＣＤ11型电解电容器，可根据其引线的长短来加以区别，长引线为正极，短引
线为负极。对于铝壳电解电容器（ＣＤＸ型），中心引出端为正极，与铝壳连通处为负极。
②用万用表判别。电解电容器具有正向漏电电阻大于反向漏电电阻的特点。利用此特点可以判别电解电容器正、负极。具体方法是：将万用表拨至Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１０Ｋ挡，交换黑、红表棒测量电解电容器2 次，观察其漏电电阻的大小，并以漏电电阻大的一次为准，黑表棒所接的就是电解电容器正极，
红表棒所接的为负极。
测试时应注意，测试前应将电解电容器两引线先短接一下放电，以避免电容器贮存的电能对万用表放电，而毁坏仪表。测量容量较大的电解电容时，在第2次测量时也应先短接两引线进行放电，以便释放上次测量中累积的充电电荷。如仍有轻微的指针打表现象，属于正常现象，若2次测量得到的正、反向漏电电阻相差无几，则说明电解电容器正向漏电严重，已不能使用。
6．2．1国产半导体分立器件型号命名方法（表6-2-1）
表6-2-1 国产半导体分立器件型号命名方法
6．2．2晶体二极管
晶体二极管又称半导体二极管。
1.晶体二极管的分类
按材料分为：硅管（正向导通压降约为0.7V）；锗管（正向导通压降约为0.2V）。
按结构分为：点接触型、面接触型。
按用途分为：检波管、整流管、稳压管、开关管、光电管、发光管。
2.晶体二极管的简易测试及管脚判别
(1)用指针式万用表的Ω档测量
万用表（R×1K档）的黑（一端或*端）表笔接二极管的一极，红（+端）表笔接另一极，然后将表笔对调再测一次。在测得阻值小的情况下，可判断黑表笔（表内电池的正极）所接的是二极管的阳极，红表笔所接的是阴极，如图6-2-1所示。一般要求正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。若正、反向电阻都很小，说明二极管已失去单向导电作用；若正、反向电阻到很大，说明二极管以断路，无法再
用。
(a)二极管反向电阻测量(b) 二极管反向电阻测量
图6-2-1 用指针示式万用表测量二极管
(2)用数字万用表的档测
将万用表的红（V、Ω）表笔接二极管的一极，黑（COM）表笔接另一极。在测得正向压降值小的情况下，红表笔（表内电池的正极）所接的是阳极，黑表笔所接是阴极。一般所显示的二极管正向压降；硅二极管为0.55~0.70V，锗二极管为0.15~0.30V。若显示“0000”。说明管子已短路；若显示“过载”，说明二极管内部开路或处于反向状态（可对调表笔再测）。
6．2．3发光二极管（LED）
图6-2-2 发光二极管的图形符号及外型图
（a）图形符号（b）外型图发光二极管的伏安特性与普通二极管类似，但它的正向压降和正向电阻要大一些，同时在正向电流达到一定值时能发出某种颜色的光。发光二极管发光颜色与在PN结中所掺加的材料有关，其发光亮度与所
通正向电流大小有关。
使用发光二极管时注意：若用直流电源电压驱动时，在电路中要串接限流电阻，以防通过LED的电流过大而烧毁管子；若用交流信号驱动时，可在两端反极性并联整流二极管，以防止LED被反向击穿；若用逻辑芯片输出的TTL电平驱动，则可直接连接。发光二极管在电路中的图形和外形结构如图6-2-2所示。
管脚及其好坏的判别与普通二极管相同。
6．2．4晶体三极管（半导体三极管）
1.三极管的外型结构见图6-2-3。
图6-2-3 三极管的外型结构
2.从外型结构判断三极管的管脚如图6-2-4所示。
3.简易测试方法及管脚判别
用指针式万用表的Ω档进行测量：
（1）估测穿透电流ICEO
用万用表的R×100档。如果测PNP型管，按图6-2-5进行连接;如果测NPN型管，红、黑表笔对调。一般测得阻值在几十至几百千欧以上较正常；若阻值较小，表明ICEO大，稳定性差；若阻值接近零，表明晶体管已经击穿；若阻值无穷大，表明晶体管内部断路。
图6-2-4 从外型结构判断三极管的管脚
（2）估测电流放大系数β
图6-2-5 用指针式万用表测三极管参数
（a）测穿透电流ICE0 （b）β值测量
用万用表的R×1k（或者R×100）档。如果测PNP型管，按图6-2-5 所示的电路连接。如果测N PN型管，红、黑笔对调。对比开关S在接通和断开时测得的电阻值，两个读数相差越大，表明晶体管的β值越高。图中的100kΩ的电阻和开关S，可以用潮湿的手指捏住电极和基极代替。注意不要
让极电极和基极碰在一起，以免损坏晶体管。
（3）判别晶体管管脚
判断PNP型和MPN型晶体管：用万用表的R×1k(或者R×100)档。用黑表笔接晶体管的某一个管脚，用红表笔分别接其它两脚。如果表针指示的两个阻值都很大，那么黑表笔接晶体管的某一个管脚，用红表笔接其它两脚。如果表针指示的两个阻值都很大，那么黑表笔所接的那一个管脚是PNP 型的基极，如果表针指示的两个阻值都很小，那么黑表笔所接的那个一个管脚是NPN型的基极；如果表针指示的阻值一个很大，一个很小，那么黑表笔所接的那一个管脚不是基极。这就要另换一个管脚来试。以上方法，不但可以判断基极，而且可以判断是PNP型还是NPN型晶体管。
判断基极后就可以进一步判断集电极和发射极。先假定一个管脚是集电极，另一个管脚是发射极，按照附图6-2-5的方法估测β值。然后反过来，把原先假定的管脚对调一下，再估测β值，其中，β值大的那次的假定是对的。这样就把集电极个发射极也判断出来了。
（4）判断硅管和锗管
用万用表R×1K档，测量三极管两个PN结的正向和反向电阻，就可以判断是硅管或是锗管。硅管PN结的正向电阻大约为3~10KΩ，反向电阻大于500KΩ；锗管PN结的正向电阻大约500~2000Ω，反向电阻大于100KΩ。使用的万用表不同，测得的数值也不同。可以测量一下已知的硅管，用
来作为比较的标准。
6．3．1半导体集成电路型号命名法（国家标准GB3430-82）
半导体集成电路的型号由5部分组成，各部分的符号及意义如表6-3-1所示。
6．3．2集成电路芯片管脚识别
1.双列直插式芯片
双列直插式集成电路一般给出顶式管脚图。芯片上以缺口、小原点或竖线等标记出管脚“1”的位置。
如图6-3-1中，左下第一脚即为1管脚，此后管脚号按逆时针方向排序。
图6-3- 1 双列直插式芯片管脚排序
表6-3-1 半导体集成电路型号命名方法
2.圆型芯片
圆型集成电路芯片给出的是底脚图。一般在其外壳上有一个突出物，由它标明最大管脚序号所在位置，起它管脚序号的排列方法有的是按逆时针方向排序，也有的是按顺时针方向排序（参阅厂家产品说明书）。
如图6-3-2 所示。
图6-3-2 圆形芯片管脚排序图6-3-3 LM741的管脚图调零电路
6．3．3线性集成运算放大器
1．通用型集成单运放LM741
LM741的管脚图见图6-3-3，特点是电压适应范围较宽，可在+ 5~+18V范围内选用；具有很高的输入共模、差模电压，电压范围分别为+15和+30V；内含频率补偿和过载、短路保护电路；可通过外接
电位器进行调零，如图6-3-3所示。
2．通用型低功耗集成四运放LM324
LM324内含4个独立的高增益、频率补偿的运算放大器；既可单电源使用（3~30V），也可双电源使用（+1.5~+15V），驱动功耗低；可与TTL逻辑电路相容。其管脚图如图6-3-4所示。
图6-3-4 LM324管脚图
6．3．4集成三端稳压器
1.集成三端稳压器根据稳定电压的正、负极性分为78×××，79×××俩大系列。图6-3-5,图6-3-6给出了正、
负稳压的典型电路。
2.三端稳压器的型号规格和管脚分布
表6-3-2 三端稳压器输出电流字母表示法
例如78M05三端稳压器可输出+5V，0.5A的稳定电压。
7912三端稳压器可输出－12V，1A的稳定电压。
3．外型及管脚分布见图6-3-7。
图6-3-7 三端稳压器的管脚图
6．3．5 TTL系列集成电路组件
TTL器件的典型产品为54族（军用品）和74（民用品）两大类。下面给出部分常用器件管脚排列和
功能说明。
1．74LS00 双输入四与非门，管脚图见图6-3-8
2．74LS02 双输入四或门，管脚图见图6-3-9。
3．74LS20 六反相器，管脚图见图6-3-10。
4．74LS27 三输入三或非门，管脚图如图6-3-11。
5．74LS30 八输入与非门，管脚图如图6-3-12。
图6-3-11 74LS27 管脚图图6-3-12 74LS30管脚图
6．3．6 CMOS系列数字集成电路组件
CC4051 八选一模拟开关。它是一个带有禁止端（INH）和三位译码端（A，B，C）控制的8路模拟开关电路；各模拟开关均为双向，既可实现8线1线传输信号，也可实现1线8线传输信号。其管脚图及
真值表见图6-3-13。
图6-3-13 CC4051 逻辑功能管脚图及真值表
6．3．7光电耦合器
光电耦合器内部由发光器件和光敏器件两部分组成，它可把由输入电流产生的光信号再转换为电信号
传输出去。其内部结构原理图如图6-3-14。
（a）二极管型（b）三极管型（c）达林顿管型（d）晶闸管驱动型
图6-3-14 光电耦合器的几种类型
6．3．8 LED数码管
常见的数码管由7个条状和一个点状发光二极管管芯制成，见图6-3-15 ，根据其结构的不同，可分为
共阳极数码管和共阴极数码管两种。
LED数码管中各段发光二极管的伏安特性和普通二极管类似，只是正向压降较大，正向电阻也较大。在一定范围内，其正向电流与发光亮度成正比。由于常规的数码管起辉电流只有1~2mA，最大极限电流也只有10~30mA，所以它的输入端在5V电源或高于TTL高电平（3.5V）的电路信号相接时，一定要串加限
流电阻，以免损坏器件。
图6-3-15 LED数码管内、外结构图及管脚分布（a）LED数码管的正面图（b）共阴极数码管等效电路（c）共阳极数码管等效电路
常用电路元器件及集成电路简介
6．1电阻、电容元件简介
6．1．1产品型号的组成及各组成部分的符号意义
1．产品型号的组成
2．产品型号的组成部分的符号意义
表6-1-1 “主称”、“材料”部分的符号及意义
表6-1-2 “分类”部分的数字表示
表6-1-3 “分类”部分的字母表示
6．1．2电阻器
在电路中，电阻器是最常见的电路元件，它的种类很多。以结构形式分，有固定电阻、可调电阻和电位器，其图形符号分别如附图1-1所示。为了区别不同种类的电阻器，通常用字母和数字符号表示电阻的
类别（见附表1-1、附表1-2、附表1-3）。
固定电阻器可变电阻器电位器
热敏电阻器
1．固定电阻器
⑴固定电阻器的分类：
按制作材料的不同可分为三大类：合金类、薄膜类、合成类。
按用途可分为6种类型：通用型、精密型、高阻型、高频型、高压型、半导体电阻。
⑵固定电阻器的技术指标
①标称系列值在大多数电阻器上都标有阻值，这就是电阻器的标称阻值。通用型电阻的阻值系列如表6-1-4所示。选用电阻时，应在标称值系列中选择，电阻的标称值为表中数值乘以10n （n为正、
负整数）。
②额定功率电阻器的额定功率也有标称值（见表6-1-5），选用电阻时，其标称功率应是实际电
路功率的1.5~2.0倍。
③精度（允许）误差电阻器的实际值与标称值往往不完全符合,它们之间的相对误差值称为电阻
的精度误差。电阻精度的允许误差表示方法见表6-1-6。
表6-1-4 电阻器阻值标称系列值
表6-1-5 电阻器额定功率标称系列值
表6-1-6 电阻允许误差档次的符号表示法
⑶电阻器的标志方法
①文字符号直标法
电阻的类别：如表6-1-1、6-1-2、6-1-3所示。
标称阻值：阻值电位为Ω，KΩ，MΩ（通常“Ω”不标出）。
精度误差：普通电阻误差等级分别用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示+5%，+10%、+20%，精密电阻的误差等
级的符号表示方法见表6-1-6。
②色环标志法
色环标志电阻可分为四环、五环标志方法。其中五环色标法常用于精密电阻，靠近电阻的腿端为第一色环，依次为第二、三……色环,不同的环次和不同的颜色表示不同的含义。色环颜色所代表
的数值和含义如图6-1-2和表6-1-7所示。
（a）（b）
（c）
图6-1-2 电阻的色环标志方法
表6-1-7 色标法中颜色代表的数值及意义
2．电位器
⑴电位器的种类
电位器的种类繁多，用途各异。常见电位器的结构如图6-1-3所示。
⑵电位器的标称值见表6-1-4、6-1-5。
6．1．3电容器
电容器的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。相应的图形符号如图6-
1-4所示，常见电容器的外形结构见图6-1-5。
1．电容器的分类
按结构和介质材料的不同，电容器可分为：
⑴固定式：有机介质（纸介、有机薄膜）、无机介质（云母、瓷介、玻璃）、电解（铝、钽、铌）。
图6-1-3 常见电位器的外形结构图
固定电容器电解电容器可变电容器可调电容器
图6-1-4 电容器的图形符号
⑵可变式
可变：空气、云母、薄膜。
半可变：瓷介、云母。
集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介
IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基
各种集成电路简介
各种集成电路简介 转帖]三.（精华）各种集成电路简介第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的 78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识）有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为 100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。
79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。第二节语音集成电路电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。别看语音IC应用电路很简单，但是它确确实实是一片含有成千上万个晶体管芯的
常用集成电路的型号及功能说明
型号功能 ACP2371NI 多制式数字音频信号处理电路ACVP2205 梳状滤波、视频信号处理电路 AN5071 波段转换控制电路 AN5195K 子图像信号处理电路 AN5265 伴音功率放大电路 AN5274 伴音功率放大电路 AN5285K 伴音前置放大电路 AN5342K 图像水平轮廓校正、扫描速度调制电路AN5348K AI信号处理电路 AN5521 场扫描输出电路 AN5551 枕形失真校正电路 AN5560 50/60Hz场频自动识别电路 AN5612 色差、基色信号变换电路 AN5836 双声道前置放大及控制电路 AN5858K TV/AV切换电路 AN5862K(AN5862S) 视频模拟开关 AN5891K 音频信号处理电路 AT24C02 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C04 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C08 2线电可擦、可编程只读存储器 ATQ203 扬声器切换继电器电路 BA3880S 高分辨率音频信号处理电路 BA3884S 高分辨率音频信号处理电路 BA4558N 双运算放大器 BA7604N 梳状切换开关电路 BU9252S 8bitA/D转换电路 CAT24C16 2线电可擦、可编程只读存储器 CCU-FDTV 微处理器 CCU-FDTV-06 微处理器 CD54573A/CD54573CS 波段转换控制电路 CH0403-5H61 微处理器 CH04801-5F43 微处理器 CH05001(PCA84C841) 微处理器 CH05002 微处理器 CH7001C 数字NTSC/PAL编码电路 CHT0406 微处理器 CHT0803(TMP87CP38N*) 8bit微处理器 CHT0807(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0808(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0818 微处理器 CKP1003C 微处理器 CKP1004S(TMP87CK38N) 微处理器 CKP1006S(TMP87CH38N) 微处理器
集成电路中的器件结构
第3章集成电路中的器件结构 3．1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征，但这种结构不能直接用于集成电路之中，在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件，而且它们都是做在一个硅芯片上，即共有同一个硅片衬底。因此，如果不把它们在电学上一一隔离起来，那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰，以至整个芯片无法正常工作，这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术，然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来，以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中，通常采用以下两种电学隔离方法：①通过反向PN结进行隔离；②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离，其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管，其结构与PN结的隔离作用见图3～1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地，就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压，漏与衬底结处于反向，沟道与衬底之间也形成一反向结，因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点，即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法，即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环，该隔离环为二氧化硅绝缘体，因而集成电路中的各个三极管之间，以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管，每个三极管四周被二氧化硅所包围，因而这两个三极管在电学上完全被隔离，其横截面图将示于3．3节中
集成电路工艺流程
集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process
教你认识如何看懂集成电路的线路图
教你认识如何看懂集成电路的线路图 集成电路应用电路图功能集成电路应用电路图具有下列一些功能： ①它表达了集成电路各引脚外电路结构、元器件参数等，从而表示了某一集成电路的完整工作情况。 ②有些集成电路应用电路中，画出了集成电路的内电路方框图，这时对分析集成电路应用电路是相当方便的，但这种表示方式不多。 ③集成电路应用电路有典型应用电路和实用电路两种，前者在集成电路手册中可以查到，后者出现在实用电路中，这两种应用电路相差不大，根据这一特点，在没有实际应用电路图时可以用典型应用电路图作参考，这一方法修理中常常采用。 ④一般情况集成电路应用电路表达了一个完整的单元电路，或一个电路系统，但有些情况下一个完整的电路系统要用到两个或更多的集成电路。 .集成电路应用电路特点集成电路应用电路图具有下列一些特点： ①大部分应用电路不画出内电路方框图，这对识图不利，尤其对初学者进行电路工作分析时更为不利。 ②对初学者而言，分析集成电路的应用电路比分析分立元器件的电路更为困难，这是对集成电路内部电路不了解的原缘，实际上识图也好、修理也好，集成电路比分立元器件电路更为方便。 ③对集成电路应用电路而言，大致了解集成电路内部电路和详细了解各引脚作用的情况下，识图是比较方便的。这是因为同类型集成电路具有规律性，在掌握了它们的共性后，可以方便地分析许多同功能不同型号的集成电路应用电路。 .集成电路应用电路识图方法和注意事项分析集成电路的方法和注意事项主要有下列几点：(1)了解各引脚的作用是识图的关键了解各引脚的作用可以查阅有关集成电路应用手册。知道了各引脚作用之后，分析各引脚外电路工作原理和元器件作用就方便了。例如：知道①脚是输入引脚，那么与①脚所串联的电容是输入端耦合电路，与①脚相连的电路是输入电
集成电路的介绍
概述集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、 电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英 文为缩写为IC，也俗称芯片。集成电路是六十年代出现的， 当时只集成了十几个元器件。后来集成度越来越高，也有了 今天的P－III。 分类 集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派 别，而具体功能更是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方 面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模中规模小规模 三类。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插” 的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品 中用贴片封装的IC等。 对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿IC，最好也不要 用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数，如工作电压， 散热等。数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异。 集成电路有各种型号，其命名也有一定规律。一般是由前缀、数 字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀 一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电 路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。 LM386N是美国国家半导体公司的产品，LM代表线性电路，N代表 塑料双列直插。 集成电路型号众多，随着技术的发展，又有更多的功能更强、集成度更高的集成电路涌现，为电子产品的生产制作带来了方便。在设计制作时，若没有专用的集成电路可以应用，就应该尽量选用应用广泛的通用集成电路，同时考虑集成电路的价格和制作的复杂度。在电子制作中，有许多常用的集成电路，如NE555（时基电路）、LM324（四个集成的运算放大器）、TDA2822（双声道小功率放大器）、KD9300（单曲音乐集成电路）、LM317（三端可调稳压器）等。 这里有些集成电路的样子：
数字集成电路总结
数字集成电路基础学习总结
第一章数字电子技术概念 1.1 数字电子技术和模拟电子技术的区别 模拟信号：在时间上和数值上均作连续变化的电路信号。 数字信号：表示数字量的信号，一般来说数字信号是在两个稳定状态之间作阶跃式变化的信号，它有电位型和脉冲型两种表达形式：用高低不同的电位信号表示数字“1”和“0”是电位型表示法；拥有无脉冲表示数字“1”和“0”是脉冲型表示法。 数字电路包括：脉冲电路、数字逻辑电路。数字电路的特点：1）小、轻、功耗低2）抗干扰力强3）精度高 按电路组成的结构可分立元件电路 集成电路 数数字电路分类 小规模 按集成度的大小来分中规模 大规模 超大规模 双极型电路 按构成电路的半导体器件来分 单极型电路 组合逻辑电路 按电路有记忆功能来分 1.2 1.3 三极管：是一种三极（发射极E、基极B(发射结、集电结)半导体器件，他有NPN和PNP两种，可工作在截止、放大、饱和三种工作状态。 电流公式：I(E)=I(B)+I(C) 放大状态：I(C)=βI(B) 饱和状态：I(C)< βI(B) 1.4 数制，两要素基数 权 二进制，十进制，十六进制之间的转换： 二进制转换成十进制：二进制可按权相加法转化成十进制。 十进制转换成二进制：任何十进制数正数的整数部分均可用除2取余法转换成二进制数。 二进制转化成八进制：三位一组分组转换。 二进制转换成十六进制：四位一组分组转换。 八进制转换成十六进制：以二进制为桥梁进行转换。 1.5 码制 十进制数的代码表示法常用以下几种：8421BCD码、5421BCD码、余3BCD码。 8421BCD码+0011=5421BCD码 第二章逻辑代数基础及基本逻辑门电路
数字集成电路复习资料
第一章 数字集成电路介绍 第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统 抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。 固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。 可变成本 （重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。 一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。 一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。 理想数字门 特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。 传播延时、上升和下降时间的定义 传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。 上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。 对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。 一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。 第三章、第四章CMOS 器件 手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝ 寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可 以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长 铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很 慢。 当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互 连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。 当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很 短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可 以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接 地电容。 平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚度。 边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分：一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。 多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相 邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再 多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著， 因为这些导线离衬底更远。 例4.5与4.8表格 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。 平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电 容。 耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层 接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。 布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。 采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。 例4.2 金属线的电阻 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□′(0.1′106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型 假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ′ 10 k Ω ′ 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ′ 10 k Ω ′ 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时 节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数 总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻 和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (2222) +=+=+++??? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN =τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的 Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38′RC = 0.38 ′ (0.075 Ω/μm) ′ (110 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ′ (150 Ω/μm) ′ (88+2′54 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ′ (0.0375 Ω/μm) ′ (5.2+2′12 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。 应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为 2.67cm 第五章CMOS 反相器 静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 à 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 à 晶体管可以采用最小尺寸 à 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 à 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) à 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) à 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。 门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的 。 开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝ ，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值 通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。 所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()() ()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35 .320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266 ==?==----?-???----=－－－＝ 分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。 增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。 噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点 逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点用来定义V IH 和V IL 。点。
各种集成电路介绍
第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。
常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号
常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号
图 D-1 74LS00 四 2 输入与非门
图 D-2 74LS01 四 2 输入与非门（OC）
图 D-3 74LS02 四 2 输入或非门
图 D-4 74LS04 六反相器
图 D-5 74LS08 四 2 输入与门
图 D-6 74LS10 三 3 输入与非门
图 D-7 74LS20 双 4 输入与非门
图 D-8
R
74LS32 四 2 输入或门
S
Q
S R Q
R Q S
R
S
Q
图 D-9 74LS54 4 路 2-2-2-2 输入与或非门
图 D-10 74LS74 双上升沿 D 型触发器
图 D-11 74LS86 四 2 输入异或门
图 D-12
74LS112 双下降沿 J-K 触发器
图 D-13 74LS126 四总线缓冲器
图 D-14
74LS138 3 线-8 线译码器
图 D-15 74LS148 8 线-3 线优先编码器
图 D-16 74LS151 8 选 1 数据选择器
图 D-17 74LS153 双 4 选 1 数据选择器
图 D-18 74LS161 4 位二进制同步计数器
图 D-19 74LS194 4 位双向移位寄存器
图 D-20 74LS196 二-五-十进制计数器
图 D-21 74LS283 4 位二进制超前进位全加器
图 D-22
74LS290 二-五-十进制计数器
图 D-23
CD4011B 四 2 输入与非门
图 D-24 CD4081 四 2 输入与门
常用集成电路功能
鹏运发科技有限公司收音机用集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统 2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191 3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600 4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619 5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800 6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003 7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111 8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149 9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T 10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130 11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131 12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343 13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA7640 音频功率放大集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1001 720mW单声道音频功放电路 DIP8 2 YD1006 18W单声道音频功放电路 TO-220B 3 YD1008 22W单声道音频功放电路 TO-220B 4 YD1026 具有待机、静音功能的25W双声道音频功放电路 FZIP12 5 YD131 6 2W双声道音频功放电路 FDIP14 μPC1316C 6 YD1519 具有待机、静音功能的6W双声道音频功放电路 FSIP9 TDA1519 7 TDA2003 10W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2003 8 YD2025 2.3W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 9 YD2025A 2.4W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 10 YD2025H 2.4W单声道音频功放电路 HDIP12 11 YD2030 18W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030 12 YD2030A 20W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030A
常用基本数字集成电路应用设计
课程设计题目：常用基本数字集成电路应用设计 学生姓名： 学号： 院系： 专业班级： 指导教师姓名及职称： 起止时间： 课程设计评分： 常用基本数字集成电路应用设计 1.多谐振荡器概述 多谐振荡器是一种自激振荡器，它不需要输入触发信号，接通电源后就可自动输出矩形脉冲。由于矩形脉冲含有丰富的谐波分量，因此，常将矩形脉冲产生电路称为多谐振荡器。 1.1非门电路构成的多谐振荡器设计
1.1.1基本原理 门电路构成多谐振荡器 非门作为一个开关倒相器件，可用以构成各种脉冲波形的产生电路。电路的基本工作 原理是利用电容器的充放电，当输入电压达到与非门的阈值电压VT 时，门的输出状态即发生变化。因此，电路输出的脉冲波形参数直接取决于电路中阻容元件的数值。 （1）不对称多谐振荡器 非对称型多谐振荡器的输出波形是不对称的，当用TTL与非门组成时，输出脉冲宽度 tw1=RC, tw2=1.2RC, T=2.2RC 调节 R和C值，可改变输出信号的振荡频率，通常用改变C实现输出频率的粗调，改 变电位器R实现输出频率的细调。 图1为不对称多谐振荡器，为了使电路产生振荡，要求U1A和U1B两个反向器都工作在电压传输特性的转折区，即工作在放大区。 （2）对称型多谐振荡器 电路完全对称，电容器的充放电时间常数相同, 故输出为对称的方波。改变R和C的值， 可以改变输出振荡频率。非门3用于输出波形整形。 一般取R≤1KΩ?,当R1＝R2=1KΩ，C1=C2＝100pf～100μf时，f可在几Hz～MHz 变化。
脉冲宽度tw1＝tw2＝0.7RC，T＝1.4RC. 图2中，U1A和U1B两个反向器之间经电容C1和C2耦合形成正反馈回路。 (3) 石英晶体稳频的多谐振荡器 当要求多谐振荡器的工作频率稳定性很高时，上述几种多谐振荡器的精度已不能满足要 求。为此常用石英晶体作为信号频率的基准。用石英晶体与门电路构成的多谐振荡器常用来 为微型计算机等提供时钟信号。 图3所示为常用的晶体稳频多谐振荡器。（a）、 (b)为TTL器件组成的晶体振荡电路；（c）、 (d)为CMOS器件组成的晶体振荡电路，一般用于电子表中，其中晶体的f0=32768Hz。 图3（c）中，门1用于振荡，门2用于缓冲整形。Rf是反馈电阻，通常在几十兆欧之 间选取，一般选22MΩ。R起稳定振荡作用，通常取十至几百千欧。C1是频率微调电容器， C2用于温度特性校正。
集成电路技术应用专业简介
集成电路技术应用专业简介 专业代码610120 专业名称集成电路技术应用 基本修业年限三年 培养目标 本专业培养德、智、体、美、劳全面发展，具有良好职业道德和人文素养，掌握微电子工艺和集成电路设计领域相关专业理论知识，具备微电子工艺管理、集成电路设计及应用等能力，从事微电子制造和封装测试工艺维护管理、集成电路辅助逻辑设计、版图设计和系统应用等方面工作的高素质技术技能人才。 就业面向 主要面向半导体制造、集成电路设计等企事业单位，在微电子工艺技术员、集成电路逻辑和版图设计助理工程师、系统应用工程师等岗位，从事微电子工艺制造和封装测试、集成电路逻辑设计、版图设计、FPGA开发与应用、芯片应用方案开发等工作。主要职业能力 1．具备对新知识、新技能的学习能力和创新创业能力； 2．掌握半导体器件、集成电路的基础理论知识； 3．具备微电子工艺加工及相关设备操作能力； 4．具备集成电路逻辑设计及仿真能力； 5．具备集成电路版图设计与验证的能力；
6．具备FPGA开发与应用的能力； 7．具备芯片应用方案开发能力。 核心课程与实习实训 1．核心课程 半导体器件物理、集成电路制造工艺、半导体集成电路、VerilogHDL应用、集成电路版图设计技术、系统应用与芯片验证。 2．实习实训 在校内进行集成电路制造工艺、半导体集成电路项目、项目化版图设计与验证等实训。 在集成电路企业及相关科研院所进行实习。 衔接中职专业举例 电子与信息技术电子技术应用 接续本科专业举例 电子科学与技术微电子科学与工程 声明：此资源由本人收集整理于网络，只用于交流学习，请勿用作它途。如有侵权，请联系，删除处理。
常用的集成电路
常用的集成电路 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将各元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用“N”等)表示。 电子制作中常用的集成电路有稳压集成电路、运放集成电路、语音集成电路、数字集成电路和时基集成电路等。 1．数字集成电路 数字集成电路可分为TTL数字集成电路、CMOS数字集成电路和ECL数字集成电路，它们的逻辑电平不同。较常用的是TTL数字集成电路和CMOS数字集成电路。图1是几种常用数字集成电路外形图。
图 1 TTL数字集成电路 TTL电路是晶体管－晶体管逻辑电路的英文缩写。TTL数字集成电路属于双极型晶体管集成电路，它又分为N-TTL、LS-TTL、ALS-TTL、AS-TTL、S-TTL等多种，其工作频率低于100MHz。 常用的TTL数字集成电路有74LS××系列、74S××系列、74ALS××系列、74AS××系列和74F××系列等。 COMS数字集成电路
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路的英文缩写。CMOS数字集成电路属于单极型晶体管集成电路，其工作频率低于100kHz。它有多种类型，但最常见的是门电路。CMOS门电路中的逻辑门有非门、与门、与非门、或非门、或门、异或门、异或非门（同或门）、施密特触发门、缓冲器、驱动器等。 常用的CMOS数字集成电路有4000B系列、40H××系列（TC40H××、LR40H××、LS40H××、CC40H××）、74HC××系列等。 2．遥控集成电路 遥控集成电路包括红外线遥控集成电路、无限遥控集成电路和超声波遥控集成电路。 红外线遥控集成电路 红外线遥控集成电路分为红外线遥控发射集成电路和红外线遥控接收集成电路。 红外线遥控发射集成电路的作用是将代表各种指令的编码信号调制在红外线载体（红外线发光二极管）上，通过发射驱动电路向外辐射包含指令的红外光波。常用的红外线遥控发射集成电路有MN6014W、M3004LAB1 红外线遥控接收集成电路的作用是将光敏管接收的红外光波（已调制的含有控制指令的红外光波）转换为电信号，再将其解调还原为编码信号，送到译码电路译码后得到各种控制指令。常用的红外线遥控接收集成电路有AN5020、AN5026、CX20106A、KA2182、KA2183、μPC1373、μPC1490HA、LA7224、MC3373、TA8141、TC9134P、TC9149、TC9150、TDA2320、TDA3048等型号。 无线遥控集成电路 无线遥控电路是用无线电波作为载体来传输控制指令的。无线遥控集成电路也分为无线遥控发射集成电路和无线遥控接收集成电路。 无线遥控发射集成电路内部通常由射频振荡器、缓冲器、可控振荡器等组成。常用的无限遥控发射集成电路型号有T630、TDC1808、MC2831A、MC2833P、BA1404等。 常用的无线遥控接收集成电路有SL517、T631、M303R、TDC1809、μPC1651、C1676、MC3362、MC3363、MC3367、MC3372、TDA7021等型号。 超声波遥控集成电路 超声波遥控是利用超声波来传送控制指令的。 超声波接收集成电路内部由放大电路、检波电路、整形电路和双稳态电路等组成，常用的型号有NYKD 等。 超声波发射集成电路内部由振荡器、单脉冲放大器等组成。常用的型号有NYKO等。NYKO通常与NYKD配合使用。 3．语音集成电路 语音集成电路也称语音掩膜ROM或语音合成集成电路，其内部有存储器等电路，是一种大规模CMOS 集成电路，分为语言集成电路和音乐集成电路。厂家在生产语音集成电路时，将语言或音乐等信息以数字代码形式储存固化在集成电路内部，当该集成电路受到触发时，即可输出所储存的信息。
数字集成电路的分类
数字集成电路的分类 数字集成电路有多种分类方法，以下是几种常用的分类方法。 1.按结构工艺分 按结构工艺分类，数字集成电路可以分为厚膜集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路、半导体集成电路四大类。图如下所示。 世界上生产最多、使用最多的为半导体集成电路。半导体数字集成电路（以下简称数字集成电路）主要分为TTL、CMOS、ECL三大类。 ECL、TTL为双极型集成电路，构成的基本元器件为双极型半导体器件，其主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。双极型集成电路主要有TTL(Transistor-Transistor Logic)电路、ECL(Emitter Coupled Logic)电路和I２L(Integrated Injection Logic)电路等类型。其中TTL电路的性能价格比最佳，故应用最广泛。
ECL，即发射极耦合逻辑电路，也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。在所有数字电路中，它工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。这种门电路输出阻抗低，负载能力强。它的主要缺点是抗干扰能力差，电路功耗大。 MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。 MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。CMOS数字集成电路电路主要分为4000（4500系列）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列等，实际上这三大系列之间的引脚功能、排列顺序是相同的，只是某些参数不同而已。例如，74HC4017与CD4017为功能相同、引脚排列相同的电路，前者的工作速度高，工作电源电压低。4000系列中目前最常用的是B 系列，它采用了硅栅工艺和双缓冲输出结构。 Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点。 （1）TTL类型 这类集成电路是以双极型晶体管（即通常所说的晶体管）为开关元件，输入级采用多发射极晶体管形式，开关放大电路也都是由晶体管构成，所以称为晶体管-晶体管-逻辑，即Transistor-Transistor-Logic，缩写为TTL。TTL电路在速度和功耗方面，都处于现代数字集成电路的中等水平。它的品种丰富、互换性强，一般均以74（民用）或54（军用）为型号前缀。 ①74LS系列（简称LS，LSTTL等）。这是现代TTL类型的主要应用产品系列，也是逻辑集成电路的重要产品之一。其主要特点是功耗低、品种多、价格便宜。 ②74S系列（简称S，STTL等）。这是TTL的高速型，也是目前应用较多的产品之一。