西安交通大学15年7月《电工电子技术》考查课试题

西安交通大学15年7月《电工电子技术》考查课试题

西交《电工电子技术》在线作业

单选题多选题判断题

一、单选题（共25 道试题，共50 分。）

1.

图示正弦交流电路中，交流电压表V1、V2、V3的读数分别为30V、60V和20V。则电压表V的读数应为（）。

A. 110V

B. 50V

C. 30V

D. 70V

-----------------选择：B

2.

A. 串联电压负反馈

B. 并联电压负反馈

C. 串联电流负反馈

D. 并联电流负反馈

-----------------选择：A

西安交通大学2015年博士研究生入学考试英语试题

西安交通大学2015年博士研究生入学考试英语试题 The technological dimension of innovation process has been extensively commended on. Market innovation processes._____(1)has remained underexplored both theoretically and empirically. Our starting point was that the conception of market innovation depends strongly on our ____(2) Of markets. Two different approaches to markets were contrasted: one epistemologial orientation ____(3) generating the right knowledge about markets,and one ontological orientation emphasizing their active production. Drawing on the latter, we defined “market”innovation ____(4)changes in the way business is done. In this respect, the contribution to this special issue are ____(5) by the idea that market innovation is not something that envelops market from the outside (like technological innovation or regulatory change).____(6)something that comes from changing the very components that make up markets, ____(7),recent theorizing about markets from a practice prospective suggests markets are continuous outcomes of on-going efforts.____(8)change the rule and stability the exception. In line with this, the markets repeatedly illustrate efforts at directing and /or preventing change rather than promoting it. This leads us to suggest that market innovation. Face the balancing act of capturing opportunities____(9) change through stabilizing efforts that produce innovation rems. Such stabilizing efforts were noted in two special areas: establishing and maintaining a bounded network of buyers,sellers,goods, etc. And configuring this network in particular ways____(10)channel interaction between entities. These stabilizing efforts were parsued in four ways: Internationalizing norms and rules; building devlees and technical infrastructures,generating and Dissemination images, models,and representation and ____(11) practices, routines and habits. Despite stabilizing efforts,however, stability is hard to achieve,____(12)due to competing political project about how a market should work, herein wu argue,____(13)the key dynamic of market innovation processes. While market innovation seek stability,____(14)also strive for dynamic transformation. While stability id=s sought ,instability offers stack ____(15)allows markets to develop and pursue new opportunities. Actors trying to reconfigure markets ____(16) sufficient predictability to anticipate potential rents, yet thrive on the opportunities of of market in flux____(17),efforts to eliminate market slack,e.g,through extensive marked rationalization, is not only difficult but also undersirable. ____(18)brings us to our final removal. We ____(19) that market innovation processes designed above play a significant part in what has been said to characterize a well functioning market,namely the ability to handle its own overflows. To further develop action-oriented insights commingle such processes, one would do well to return the comprehensive and dynamic perspective offered by conceiving of markets as service Eco-system, social-material networks, or tech-lednical enhancements____(20) exemplifed in the subsequent articles. 1.A to be specific B however C therefore D on the other hand

电力电子技术汇总题库

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库

第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。

电力电子期末试题与答案

1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？ 解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。 导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。 晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。 关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。 晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。 2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？ 习题2图 解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。 3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。 图1-35 习题3图 解：

4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。 解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。 5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？ 解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 习题6图 解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。 （b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。 （c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。

西安交通大学考博英语试题及其解析

西安交通大学考博英语试题及其解析 I.In each question,decide which of the four choices given will most suitably complete the sentence if inserted at the place marked. Put your choice in the ANSWER SHEET,(15points) EXAMPLE: I was caught_the rain yesterday. A.in B.by C.with D.at ANSWER:(A) l.Those two families have been quarrelling__each other for many years. A.to B.between C.against D.with 2.There are many things whose misuse is dangerous,bur it is hard to think of anything that can be compared___ A.in B.with C.among D.by 3."How often have you seen cases like this?"one surgeon asked another."Oh,__times,I guess,"was the reply. A.hundred of B.hundreds C.hundreds of D.hundred 4.Give me your telephone number__I need your help. A.whether B.unless C.so that D.in case 5.You sang well last night.We hope you'll sing__. A.more better B.still better C.nicely D.best 6.Those people__a general understanding of the present situation. https://www.docsj.com/doc/ae372448.html,ck of B.are lacking of https://www.docsj.com/doc/ae372448.html,ck D.are in lack 7.Alone in a desert house,he was so busy with his research work

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

西安交大_电力电子技术课后答案

第1章电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流(脉冲)。 或：U AK >0 且 U GK >0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流， 即维持电 流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形， 各波形的电流最大值均为 I d2 = 1 二I m sin ?，td C ，t)=上(2 ■ 1 p- 0.5434 I m n 2 3 1 一 7.67411 2 二 I d3= — 2 I m d e .t) = 1 I m 2n 4 4 I 3 =： 2 (2) 川(“=2 4. 上题中如果不考虑安全 裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流 I d1、応、I d3各为多 少？这时，相应的电流最大值 咕1、I m2、I m3各为多少？ I m , 解：a) b) c) 试计算各波形的电流平均值 I d1、I d2、I d3与电流有效值l i 、12、％。 4 r ：-5 -： b) 1 di = 2n 7T I m 4 图1-43图晶御管导电波形 I 42 _.I m sin ? ,td (? ,t ) = - ( 1 ) ■ 0.2717 I m "1 2 I -3 1 I 1= I (I m sin d(；.- 「t) = 0.4767 1 2-卩 I

西安交大课程考试《政治经济学》在线作业

一、单选题（共26 道试题，共52 分。）V 1. 资本周围速度（）、 A. 与周转时间成正比，与周转次数成反比 B. 与周转时间成反比，与周转次数成正比 C. 与周转时间成正比，与周转次数成正比 D. 与周转时间成反比，与周转次数成反比 标准答案：B 2. 把剩余价值看成是全部预付资本的产物，剩余价值就转化为（）、 A. 成本价格 B. 利润 C. 生产价格 D. 利息 标准答案：B 3. 社会资本简单再生产的基本实现条件是（）、 A. I（c+v+m）=I(c+△c)+II(c+△c) B. I(v+m)＞IIc C. I(v+m)=IIc D. I(v+m)＜IIc 标准答案：C 4. 划分固定资本和流动资本的根据是（）、 A. 生产资本不同部分在价值形成中的作用不同 B. 生产资本不同部分在剩余价值生产中的作用不同 C. 生产资本不同部分的价值转移方式不同 D. 生产资本不同部分的价值周转方式不同 标准答案：D 5. 我国在发展对外经济关系中必须坚持的根本方针是（）、 A. 独立自主自力更生 B. 自筹资金没有外债 C. 大量进口不怕逆差 D. 自给自足剩余出口 标准答案：A 6. 生产关系的基础是（）、 A. 产品归谁所有 B. 人们在生产中的地位及相互关系 C. 生产力 D. 生产资料所有制 标准答案：D 7. 农业雇佣工人创造的剩余价值中，土地所有者获得的是（）、 A. 全部剩余价值 B. 租金 C. 平均利润 D. 超额利润 标准答案：D 8. 社会主义制度的经济基础是（）、 A. 股份制

B. 国家所有制 C. 多种经济形式 D. 生产资料公有制 标准答案：D 9. 资本主义经济危机的实质是（）、 A. 生产绝对过剩 B. 生产相对不足 C. 生产相对过剩 D. 资本主义基本矛盾 标准答案：C 10. 国家垄断资本主义的实质是（）、 A. 国家政权同私人垄断资本相结合 B. 国家直接掌握垄断资本 C. 国有资本和私人资本在企业内、外部的结合 D. 私人垄断资本利用国家机器来为其服务的手段 标准答案：D 11. G-W…W`-G`是（）、 A. 货币资本循环公式 B. 生产资本循环公式 C. 商品资本循环公式 D. 流通资本循环公式 标准答案：A 12. 垄断资本主义阶段，资本主义对外经济关系的一个重要经济特征是（）、 A. 商品输出 B. 原料输出 C. 资本输出 D. 劳动力输出 标准答案：C 13. 社会主义按劳分配的对象是（）、 A. 生产资料 B. 个人消费品 C. 社会总产品 D. 生存资料 标准答案：B 14. 垄断资本主义阶段，价值规律发挥作用的形式是（）、 A. 商品价格围绕价值上下波动 B. 商品价格采取垄断价格形式 C. 商品价格围绕生产价格上下波动 D. 价值规律已经不再起作用 标准答案：B 15. 职能资本家使用借贷资本所获得的平均利润可以分割为（）、 A. 利息和企业利润 B. 产业利润和商业利润 C. 利息和超额利润

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，_________损 耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________ 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。 4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是 _____________，应用最为广泛的是___________。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压 为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电 流的通路为_______； 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.

西安交通大学课程考试侵权行为法作业考核试题图文稿

西安交通大学课程考试侵权行为法作业考核试 题 集团文件发布号：（9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） V 1. 患者在诊疗活动中受到损害，医疗机构及其医务人员有过错的，由（）承担赔偿责任。 A. 医务人员 B. 医疗机构 C. 医疗机构负责人 D. 医务人员和医疗机构 满分：2 分 2. 受害人和行为人对损害的发生都没有过错的，（） A. 受害人自行承担责任 B. 行为人承担责任 C. 可以根据实际情况，由双方分担损失 D. 由受害人和行为人平均承担责任 满分：2 分 3. 劳务派遣期间，被派遣的工作人员因执行工作任务造成他人损害的，由（）承担侵权责任；劳务派遣单位有过错的，承担相应的补充责任。 A. 劳务派遣单位 B. 被派遣的工作人员 C. 当地人民政府 D. 接受劳务派遣的用工单位

满分：2 分 4. 侵害他人财产的，财产损失按照（）的市场价格或者其他方式计算。 A. 提出请求时 B. 判决生效时 C. 损失发生时 D. 财产生成时 满分：2 分 5. 请求赔偿精神损害必须是造成他人（）。 A. 严重精神损害 B. 一般精神损害 C. 精神损害 D. 身体残疾 满分：2 分 6. 因抢救生命垂危的患者等紧急情况，不能取得患者或者其近亲属意见时，经谁批准可以立即实施相应的医疗措施（） A. 经治医生批准 B. 所在临床科室的主任批准 C. 医疗机构负责人或者授权的负责人批准 D. 医疗机构职工代表大会批准 满分：2 分 7. 药品不合格导致患者损害时，患者可以向谁索赔（）

西交大 机械考博 经验

第一个人：我报考的是西安交大机械学院的博士生，只考一门英语，主要内容就是英汉互译。如果平时看的文献较多，且对专业术语了解较好，那翻译部分基本就没问题了，不过文字的表述还是非常重要的。英译汉部分有一题是关于机械加工方法的，另外两题记不清具体内容了。汉译英部分有两题，其中一题是关于数控机床方面的，另外一题是关于激光金属直接成形方面的。 还有一个大题，简述硕士期间的工作成果以及实际应用价值，用英文，要求250字以内。 考试时间是3小时，时间刚好够用，英译汉后面两题做的不好。 大概内容就这些，希望大家多多交流…… 第二人 回忆不太全，希望大家补充西交机械专业的英语近几年已经取消，04年是马玉录、刘东学主编的教材（化学工业出版社），这是我到西交读博事才知道的。不过结合我考试的题目来看，看这本书的作用不是很大，我也没看过这本书，考试题目遍及了许多机械、材料，机械电子、信息、能量、科幻的知识。例外，考博是可以带电子词典的，大家做题时不要惊慌，先把会做的做好，我考试成绩为66分，估计及格线在50分以上，祝大家考博顺利，也希望大家考博成功以后能多发paper。 下面是回忆的题型 一共四道大题，包括7个小题，其中第7道题是对硕士阶段所做工作总结，为选做题，不计入总分。 第一大题是撰写专业英语，包括2小题，给出了中文摘要，让翻译成英文。 第1题与几何测量、材料成型、板材成型、仿真模拟、测试有关。Key words是：几何测量、板材成型、测定标准（20分） 第2题与电学、电焊接相关。加热电阻丝、电阻导致温度、温度场等。其中关键名词已经给出翻译（20分）。Key words是电阻丝、温度场、机械加工、测试第二大题是英译汉。给出3段英文，让翻译成中文 第1题是：机械工程师、机械设计所涉及的领域而被人纵所周知、涉及工程师的发明——功率消耗装置、功率产生装置：包括发动机、船舶、汽车、机械制造、自动机器人、人造器官、发电机等、芯片手机或者说是超薄手机。最后说明机械无处不在（15分） 第2题是：这题比较简单，我很快做完了：全球化的普及，该段提到产品可以在美国设计、在日本制造，在中国台湾组装，在中国大陆出售，也可以是虚拟计划在香港设计、在欧洲实行的，随着信息的爆炸，顾客对全球化产品也有了足够的了解，或者说进一步了解，占有市场、让概念深入人心才是公司赢得全球化的关键（15分） 第3题是：人类想象现在机械发展有多快、举了在美国一个科幻电影在20年后变成现实的例子。还包括开发外星球不知名的无机物给太阳系的人们使用，指出人类的想法是奇特甚至是荒缪的，但却又是现实合理的。该题还包括：有关于创

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；

电力电子技术习题(西安交通大学版)

电力电子技术习题（西安交通大 学版） 第1章电力电子器件 填空题： 1. 电力电子器件一般工作在________ 状态。 2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为___________ ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要 为________ 。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由__________ 、________ 、_________ 三部分组成，由于电路中存在 电压和电流的过冲，往往需添加__________ 。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、__________ 、 ________ 三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为_________ 。 6. 电力二极管的主要类型有________ 、_________ 、_________ 。 7. 肖特基二极管的开关损耗_________ 快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为______ 正向有触发则导通、反向截止________ 。 9. 对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L ____________ I H 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDR _________ UbQ 11. 逆导晶闸管是将_______ 与晶闸管________ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12. GTO的 _____ 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为____________ 。 14. MOSFE的漏极伏安特性中的三个区域与GT哄发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的__________ 、前者的饱和区对应后者的__________ 、前者的非饱和区对应后者的 15. 电力MOSFET勺通态电阻具有_______ 温度系数。 16. IGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而__________ ，开关速度 _______电力MOSFET。 17. 功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_____________ 。 18. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_________ 和________ 两类。

西安交通大学课程考试计算机应用基础作业考核试题完整版

西安交通大学课程考试计算机应用基础作业考 核试题 集团标准化办公室：[VV986T-J682P28-JP266L8-68PNN]

西安交通大学18年3月课程考试《计算机应用基础》作业考核试题 试卷总分:100 得分:100 一、单选题 (共 20 道试题,共 40 分) 1.以下说法正确的是()。 A.在Word中新建文档会替代原来的窗口 B.每次选择“保存”命令都会打开“另存为”对话框 C.使用Alt+F4组合键可以关闭Word窗口 D.以上都不对 正确答案:C 2.在Excel工作表第4行第D列交叉位置处的单元格,其绝对单元格名应是()。 A.D4 B.$D4 C.D$4 D.$D$4 正确答案:D 3.下面以()为扩展名的文件是不能直接运行的。 https://www.docsj.com/doc/ae372448.html, B..BAT C..SYS D..EXE 正确答案:C 4.在Excel单元格中输入负数时,可以用“-”开始,也可以采用()的形式。 A.用[ ]括起来 B.用括起来 C.用（）括起来 D.用{ }括起来 正确答案:C 5.个人计算机(PC)属于()类型。 A.微型计算机 B.大型计算机 C.小型机 D.超级计算机 正确答案:A 6.下列属于音频文件扩展名的是()。 A.WAV B.MID C.MP3 D.以上都是 正确答案:D 7.对于Excel数据库,排序是按照()进行的。 A.记录 B.字段

D.工作表 正确答案:B 8.下列关于“快捷方式”的说法中,错误的是()。 A.“快捷方式”是打开程序的捷径 B.“快捷方式”的图标可以更改 C.删除“快捷方式”，它所指向的应用程序也会被删除 D.可以在桌面上创建打印机的“快捷方式” 正确答案:C 9.在PowerPoint2003中,要使幻灯片在放映时能够自动播放,需要为其设置为()。 A.超接链接 B.排练计时 C.动作按钮 D.录制旁白 正确答案:B 10.Windows XP 任务栏不能设置为()。 A.自动隐藏 B.时钟显示 C.总在最前 D.总在底部 正确答案:D 11.在Windows系统中,下列不属于对话框的组成元素的是()。 A.标题栏 B.菜单 C.输入框 D.按钮 正确答案:B 12.在PowerPoint2003中,按()键可以停止幻灯片播放。 A.Ctrl B.Shift C.Esc D.Enter 正确答案:C 13.在Word中,要选定全文,可用的快捷键为()。 A.Ctrl+S B.Ctrl+V C.Ctrl+A D.Ctrl+C 正确答案:C 14.以下()不是常用的声音文件格式。 A.JPEG文件 B.WAV文件 C.MIDI文件

电力电子技术试题及答案分享

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 题号一二三四合计 分数 阅卷人得分 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（）个PN结。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。 A、越大 B、越小 C、不变 D、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。 A、一个 B、两个 C、三个 D、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（） A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（） A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（） A、在栅极加正电压 B、在集电极加正电压 C、在栅极加负电压 D、