西安电子科技大学《微电子技术概论》大纲 -_百度文库

《微电子技术概论》复习大纲

1. 考试的总体要求,包含考试范围、要点以及各部分所占比例。总体要求:

本课程以硅集成电路为中心, 要求全面掌握有关微电子的专业基础知识,重点是集成器件物理基础、集成电路制造工艺、集成电路设计和微电子系统设计的基本方法。

考试范围、要点以及各部分所占比例:

一、概论(5分

微电子技术的发展历程、集成电路的分类、设计和制造特点二、集成器件物理基础(35分

半导体的特点、共价键模型和能带模型、半导体中的载流子和电流、半导体基本方程;

PN 结和晶体二极管、双极型晶体管、 MOS 场效应晶体管等集成器件的工作原理、电特性、模型和基本模型参数; 三、集成电路制造工艺(15分

硅平面工艺的概念、氧化工艺、扩散和离子注入掺杂技术、光刻、制版、外延、金属化、引线封装、隔离技术、绝缘物上硅(SOI 技术、典型双极和 CMOS 集成电路工艺流程四、集成电路设计(25分

集成电路中的无源与有源元件以及互连线、双极集成器件和电路版图设计、MOS 集成器件和电路版图设计、双极和 MOS集成电路比较。

五、微电子系统设计(20分

双极数字电路单元电路设计、 MOS 数字电路单元电路设计、半导体存储器电路、专用集成电路(ASIC 设计方法。

2. 考试的形式与试卷结构:

试卷分值:100分

考试时间:120分钟

答题方式:闭卷、笔试

题型结构:填空题、名词解释、问答题、电路分析题、版图设计题

3. 参考书目:

9111 微电子技术概论,参考书《微电子概论》郝跃等著高等教育出版社 2003 注:复试笔试:(总分:100分