技术参数表
0.56"三位数SMD显示屏
ELST-512SURWA/S530-A3/S290特征
?Packaged在磁带和卷轴SMT制造.
.设计灵活性(共同阴极或阳极).
?Categorized发光强度.
?The厚度薄比传统显示器.
?Pb free
?The产品本身将防护持在RoHS
标准版
说明
?The SMD型比传统小得多
型部件,从而使更小电路板尺寸,更高堆
产品密度,降低存储空间,并最终更小设备来获得
.
应用
.适当在室内使用.
.音频系统.
?Set机顶盒.
?Game机.
.渠道指标电视.
设备选型指南
Chip
材料AlGaInP 发光颜色
超红Gray
表面颜色
ELST-512SURWA/S530-A3/S290包装尺寸土地模式(推荐)
笔记:
?All尺寸以毫米,公差为0.25mm除非另有说明.
.以上规格可能未经预告而更改.供应商将防护留
权力对材料规格变更以上.
绝对最大额定值(TA = 25℃)
参数
正向电流
脉冲正向电流*1工作温度
储存温度
回流焊温度
静电放电
功耗
反向电压符号
I F
I FP
T opr
T stg
T ref
ESD
P d
V R
等级
25
160
-40 ~ +105
-40 ~ +105
260
2000
60
5
Units
mA
mA
℃
℃
℃
V
mW
V
笔记:*1:I FP条件 - 脉冲宽度≦10毫秒和责任≦1/10.
*2:回流时间≦5秒.
ELST-512SURWA/S530-A3/S290光电特性(Ta = 25℃)
参数
正向电压
反向电流
发光每段
烈度
每十进制
point
山顶Wavelenght
主导Wavelenght
光谱辐射
频带符号
V F
I R
Min.
--
--
11.0
I V
λp
λd
△λ
5.6
--
--
--
Typ.
2.0
--
21.6
9.8
632
624
20
Max.
2.4
10
--
mcd
--
--
--
--
nm
nm
nm
I F=20mA
I F=20mA
I F=20mA
I F=10mA
Units
V
μA
条件
I F=20mA
V R=5V
色度坐标规格斌等级(单位:MCD)
Rank R S T Min.
11.0
15.0
21.0
Max.
17.6
24.0
34.0
Rank
U
V
W
Min.
30.0
42.0
59.0
Max.
48.0
67.0
94.0
ELST-512SURWA/S530-A3/S290典型光电特性曲线
ELST-512SURWA/S530-A3/S290■回流温度. / 时间:
■烙铁:
基本规范是≦5秒时260℃.如果温度较高,时间要短(+ 10℃
→-1sec).铁功率消耗应小于15瓦,和温度应
是可控.该装置表面温度应该是下230℃.
■重工:
1.客户必须在260℃5秒内完成返工.
2.烙铁头不能接触铜箔.