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模拟电子技术期中试卷

一、选择题。（每题3分，共36分）

1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。

A.大于

B.小于

C.等于

D.不定

2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的

电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。

A.饱和状态.

B.放大状态

C.截止状态

D.倒置状态

K是______之比.

3.共模抑制比

GMR

A．差模输入信号与共模输入信号

B．输出量中差模成分与共模成分

C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)

D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)

4.差动放大电路的主要优点是。

A、稳定的放大性能

B、较高的输入电阻

C、能有效地抑制零点漂移

D、有稳定地静态工作点

5.稳压管的稳压区是工作在______。

A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区

6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到______电压以前，通过

的电流很小。

A．击穿 B．最大 C．短路

7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻

_______。

A．R

1 B．（1+β）R

C．R

/ 1+β D．R

/ β

8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。

A．正向运用B．反向运用

9.当晶体管工作在放大区时，_______。

A．发射结和集电结均反偏；

B．发射结正偏，集电结反偏；

C．发射结和集电结均正偏。

10.在非线性失真中，饱和失真也称为（）

A．顶部失真B．底部失真C．双向失真11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。

A．能够B．不能C．不一定

12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。

A．击穿B．饱和C．门槛

二、填空题。（每空2分，共12分）

1.写出下列正弦波电压信号的表达式：

A.峰—峰值10V，频率10kHz ( )

B.均方根值220V，频率50Hz ( )

C.峰—峰值100mV，周期1ms（）

D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s( )

2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻

断开时，输出电压上升到 1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为

（）。

3.共模信号是指大小相等，极性（）的信号。

三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、

-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN 型管，是硅管还是锗管？（6分）

四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，

试画出输出电压的波形。（5分）

i u o u

五、电路如图所示，已知V CC =V EE =15V.晶体管T 1,T 2的β＝100,r bb =200Ω

R C =R L =6k Ω,R E =7.2k Ω

1.估算T 1,T 2管的静态工作点I CQ ,V CEQ （5分）

2.计算A VD =V O /(V i1-V i2),R id ,R od （8分）

v i1v i2

六、FET 恒流源电路如图，设已知管子的参数m g 、d r ，

试证明AB 两端的小信号电阻d m AB r R g R r )1(++=。（8分）

SS V -A

七、图中R S 、R e 、R b1、R b2、、R C 、R L 、V CC 均已知；求：I C 、I B 、V CB （8分）

八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为

)

101)(101(101005f

j f j f

j A V ++= (式中f 的单位为Hz)

求：1.该电路的上、下限频率；

2.中频电压增益的分贝数；

3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。（12分）