模电课后习题 (2)
习题八
8.1选择正确的答案填入空内。
（1）场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。 A.少子 B.多子 C.两种载流子 （2）场效应管是一种( )控制型的电子器件。 A.电流 B.光 C.电压
（3）场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 （4）与双极型晶体管比较，场效应管( )。
A.输入电阻小
B.制作工艺复杂
C.放大能力弱
(5)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为3mA 时，它的低频跨导将( )。 A.增大 B.减小 C.不变
(6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示，则该管是( )场效应管 。 A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS
(7)当耗尽型场效应管工作于放大区时， 场效应管I D 的数学表达式为( )。 A.GS
v D SS D e
I i = B.2)(D S G S D SS D v v I i -= C.2)
()1(off GS GS DSS D v v I i -
=
（8）当栅源电压V GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管
答案（1）B （2）C （3）B （4）C (5) A (6) B (7) C （8）A C
8.2 已知场效应管的输出特性曲线如题8.2图(a)所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
题8.2图
v DS /V
i D /mA
i D /mA
v GS /V (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线
题8.1图
P v GS /V
解：在场效应管输出特性曲线的恒流区作横坐标的垂线，如题８.2图(a)所示，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及V GS 值，建立i D ＝f （v GS ）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如题８.2图(b)所示。
8.3在题8.3图所示电路中，已知场效应管的V P =－5V ；问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个状态？
（1）v GS =－8V ，v DS =4V （2）v GS =－3V ，v DS =4V （3）v GS =－3V ，v DS =1V
8.4测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。
题8.4表
解：
因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。判断管子的工作状态：
①T 1管：V T =4V>0V ，所以T 1为N 沟道增强型MOS 管，T GS V v >且T GS DS V v v ->，因此管子处于恒流区。
②T 2管：V T =－4V<0V ，所以T 2为P 沟道增强型MOS 管，T GS V v >，因此管子处于截止区；
③T 3管：V T =－4V<0V ，所以T 3为P 沟道增强型MOS 管，T GS V v <，且T GS DS V v v ->时，因此管子处于可变电阻区；
由此可判断出它们各自的工作状态如解8.4表所示。
解8.4表
8.5 已知某结型场效应管的I DSS ＝2mA ，V P ＝－4V ，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。
题8.3图
d R V GG V DD
解：(1) 因为P GS V v <，所以管子工作在截止区。
(2)因为P GS V v >，且P GS DS V v v ->，所以管子工作在恒流区。
(3) 因为P GS V v >，且P GS DS V v v -<，所以管子工作在可变电阻区。
解：根据方程2
P
GS DSS D )1(V v I i -
=，逐点求出确定的v GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上v GD ＝V P 的点连接起来，便为予夹断线；如解8.5图所示。
8.6 电路如题8.6图所示，场效应管的输出特性如题8.2图所示，分析当v I ＝4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据题8.2图所示场效应管的输出特性可知，其开启电压V T =5V ，根据题8.6图所示电路可知v GS ＝v i 。
①当v i ＝4V 时，v GS ②当v i ＝8V 时，v GS >V T ，场效应管导通。假设场效应管工作在恒流区，根据输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降v DS ≈V CC －i D R d ≈10V ，因此，T GS DS V v v ->，说明假设成立，即场效应管工作在恒流区。 ③当v i ＝12V 时，由于V CC ＝12V ，必然使场效应管工作在可变电阻区。 8.7 电路如题8.7图所示，设FET 的参数为：I DSS =3mA ，V P =－3V 。当R D 分别为下列两个数值时，判断FET 是处在饱和区还是非饱和区，并求饱和区中的电流I D 。 (1) R D =3.9k Ω (2) R D =10k Ω 解：题8.7图所示为N 沟道结型场效应管 (1)R D =3.9k Ω时： V v GS 0=，则=--=- =22)3 1(3)1(P GS DSS D V v I i ３mA V R i V v d D CC D S 3.39.3315=?-=-= 2 1.5 1 0.5 i D /mA -4 -3 -2 -1 0 v GS /V i D /mA 2 1.5 1 0.5 0 2 4 6 8 v DS /V v GS =0V v GS =-1V v GS =-2V v GS =-3V v GS =-4V 解8.５图 题8.6图 题8.7图 V DD v i 15V ） 因为P GS DS V v v ->，所以该FET 工作在饱和区，I D =3mA ； (2) R D =10k Ω时： V v GS 0=，则=--=- =22)3 1(3)1(P GS DSS D V v I i ３mA V R i V v d D CC D S 1510315-=?-=-= 因为P GS DS V v v -<，所以FET 工作在非饱和区（可变电阻区）。 8.8已知题8.8图(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如题8.8图 (b) (c)所示。 （1）利用图解法求解Q 点。 （2）利用等效电路法求解A v 、R i 和R o 。 解：（1）在转移特性中作直线v GS ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I DQ ＝1mA ，V GSQ ＝－2V ，如解8.8图（a ）所示。 在输出特性中作直流负载线v DS ＝V DD －i D （R D ＋R S ），与v GSQ ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，V DSQ ≈3V ，如解8.8图（b ）所示。 （2）首先画出小信号等效电路如解8.8图(c)所示，然后进行动态分析。 mA/V 1144 2 2DQ DSS P GS D m DS =?-= = ??= I I V v i g V 解8.8图 _ + o v v DS /V i D /mA i D /mA v GS /V V DSQ I DQ (a) (b) (c) 题8.8图 V DD 10V ） v DS /V i D /mA (a) (b) (c) i D /mA v GS /V Ω ==Ω==-=-=k 5 M 1 5D o i D m R R R R R g A g u 8.9电路如题8. 9图(a)所示，已知FET 的工作点上的互导g m ＝1ms 。 （1）画出电路的小信号等效电路。 （2）求电压增益A v 。 （3）求输人电阻R i 和输出电阻R o 。 解：（1）小信号等效电路如题8. 9图(b)所示。 （2）求 A v 5)10//10(101)//()//(30-≈??-=-=-== -k k R R g v R R v g v v A L d m gs L d gs m i v （3）Ω=+=k R R R R g g g i 2075)||(213 Ω==k R R 10D o 8.10一个MOSFET 的转移特性如题8．10图所示（其中漏极电流i D 的方向是它的实际方向）。试问：（1）该FET 是耗尽型还是增强型？（2）是N 沟道还是P 沟道FET ？（3）从这个转移特性上可求出该FET 的夹断电压V P 还是开启电压V T ？其值等于多少？ 解： P 沟道增强型 MOSFET ，其开启电压V T ＝－4 V 。 8.11一个JFET 的转移特性曲线如题8.11图所示。试问：（1）它是N 沟道还是P 沟道的FET ？（2）它的夹断电压V P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少？ 解： N 沟道JFET ，夹断电压V P =－4V ，漏极电流I DSS ＝4mA 。 题8.10图 题8.11图 /V v 题8.9图 _ + v o v L (a)放大电路 (b)小信号等效电路 8.12增强型FET 能否用自给偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。 解 由于增强型FET 管在v GS =0时，i D =0（无导电沟道），必须在|v GS |＞|V T | （V T 为开启电压）时才有i D ，因此，增强型的MOS 管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。 8.13电路如题8.13图所示。设FET （T 1）的参数为g m ＝0.8ms ，r d ＝200k Ω；三极管（T 2）的参数β＝40，r be ＝1k Ω。 （1）画出放大电路的小信号等效电路。 （2）计算放大电路的电压增益A v 和输入电阻R i 。 解:（1）由于 r d >>R d ，故r d 可忽略，题8.13图的小信号等效电路如解8.13图所示。 （2）求电压增益A v 和输入电阻R i 输出电压 s b gs m o R i v g v )(β-= 电阻R d 的电流 d e b be b R R i r i i )1(β++= 由b 点的KCL 定律：0=++b gs m i i v g ，即0)1(=++++ b d e b be b gs m i R R i r i v g β，可得 d e be gs m b R R r v g i )1(1β+++- = 故 s d e be gs m s d e be gs m gs m o R R R r v g R R R r v g v g v ])1(11 1[])1(1[ββββ +++ +=++++= 解8.13图 小信号等效电路 v s v s r 由KVL 定律 o gs i v v v += 所以电压增益89.0]111[])1(11 1[≈+ +++++ +==s d e be gs m gs s d e be gs m i o v R R v g v R R R r v g v v A ββββ 输入电阻 Ω=≈+=M R R R R R g g g g i 1.5)||(3213 8.14电路如题8.14图(a)所示，设FET （T 1）的互导为g m ，r d 很大；BJT （T 2）的电流放大系数为β，输入电阻为r be 。 （1）试说明T 1 、T 2各属什么组态。 （2）画出电路的小信号等效电路。 （3）写出放大电路的电压增益A v 、输入电阻R i 及输出电阻R o 的表达式。 解：(1) T 1为源极输出器(共漏极)，T 2为共射极电路。 (2)电路的小信号等效电路如题8.14图(b)所示。 (3)求电压增益A v 、输入电阻R i 及输出电阻R o )//()//(L c gs m L c b o R R v g R R i v ββ-=-= )1(be m gs be gs m gs be b gs i r g v r v g v r i v v +=+=+= 电压增益 be m L c m i o v r g R R g v v A +-≈= 1)||(β 输入电阻 g i R R = 输出电阻 c o R R = 8.15题8.15图所示电路为一带自举电路的高输入阻抗射极跟随器。试定性说明： （1）电压增益接近为1。 题8.14图 v o v i + _ (a) (b) o （2）通过C 3引入自举可减少漏栅电容对输入阻抗的影响。 （3）通过C 2引入自举大大提高了放大电路的输入电阻。 解：（1）由电路图可知T 1组成源极跟随器，因此第一级放大电路的电压增益11≈v A ；第二级放大电路由T 2组成射极输出器（射极跟随器），该级的电压增益12≈v A ，因此，整个放大电路的电压增益121≈=v v v A A A 。 （2）设场效应管漏栅极间电容为C dg 。当接入电容C 3后，因为C 3远比C dg 大得多，因此，在一定频率范围内可将C 3视为短路，则C dg 的一端相当于接到输出端，而其另一端接到输入端。由于电路的电压增益接近于１，因此当输入信号v i 变化时，C dg 两端电位变化基本相同，相当于基本没有交流电流信号流经C dg ，即此时C dg 相当于开路，因此，通过C ３引入自举可减少漏栅电容C dg 对输入阻抗的影响。 （3）当接入电容C ２后，在一定频率范围内可将C ２视为短路。这时R g1的下端相当于接到了电路的输出端，而R g1的上端接到电路的输入端。由于电路的电压增益接近于１，因此当输入信号v i 变化时，R g1两端电位变化基本相同，R g1（及R g ２）几乎不取交流信号电流，因此，通过C 2引入自举可克服栅极偏置电路会降低输入电阻的影响，从而大大提高了放大电路的输入电阻。 8.16电路如题8.16图(a)所示，已知R g1=100k Ω，R g2=300kΩ，R g3=2M Ω，R d =10k Ω，R s1=10k Ω，R s2=2k Ω，V DD =20V ，g m =1ms 。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益A v 。 (3)求放大器的输入电阻R i 及输出电阻R o 。 解：（1）小信号等效电路如题8.16图(b)所示。 （2）电压增益 3.32 -=+-==s gs m gs d gs m i O v R v g v R v g v v A （3）输入电阻 Ω=+=M R R R R g g g i 075.2)//(213 输出电阻 Ω==k R R d o 10 题8.15图 v o v EE 8.17源极输出器电路如题8.17图(a)所示，已知FET 工作点上的互导g m =0.9s ，其它参数如图所示。 （1）画出电路的小信号等效电路。 （2）求电压增益A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。 解：(1) 小信号等效电路如题8.17图(b)所示。 (2) 求电压增益A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o 电压增益 92.0=+== s gs m gs s gs m i O V R v g v R v g v v A 输入电阻 Ω=+=M R R R R g g g i 075.2)//(213 输出电阻 Ω==k g R R m s O 02.11 // 8.18 利用Multisim 分析图 P8.8(a)所示场效应管放大电路中R g 、R d 、R s 变化对Q 点、A v 、R i 、R o 和V om 的影响。 解答：略 8.19场效应管放大电路如题8.16图所示，利用Multisim 分析下列问题： （1）确定一组电路参数，使电路的Q 点合适；（2）若输出电压波形出现顶部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形出现底部失真，则可采取哪些措施？调整相关电路参数使Q 点大约在交流负载线的中点；（3）要想提高电路的电压放大能力，可采取哪些措施？ 解答：略 题8.17图 v (a)放大电路 (b)小信号等效电路 v v 题8.16图 (a)放大电路 (b)小信号等效电路 _ + v o v 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A，试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10C， 反向电流大致增加一倍。 解：在20C时的反向电流约为：2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为： 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，贝V二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k? 习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin? t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 模电典型例题分析 第二章 题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解： 14V ,1V,6V 题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 （1） 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3，1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===- ()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ （2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴=Q F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ + N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA =8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v 第五章 放大电路的频率响应 自 测 题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 倍 倍 倍 即增益下降 。 （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 。 A.＋45? B.－90? C.－135? U 与i U 的相位关系是。 当f ＝f H时， o A.－45? B.－135? C.－225? 解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C 二、电路如图所示。已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T= 50MHz， r＝100Ω, 0＝80。试求解： ' bb A ； （1）中频电压放大倍数 u sm C； （2）' （3）f H和f L； （4）画出波特图。 图 解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178 )(mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ 6.22c m be e b'i s i sm T EQ m b be i e b'bb'be EQ e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u （2）估算' C ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m ' μT e b'0 μπe b'0 T C R g C C C f r C C C r f （3）求解上限、下限截止频率： Hz 14)π(21 kHz 175π21 567)()(i s L ' πH s b b'e b'b s b b'e b' C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）在中频段的增益为 dB 45lg 20sm u A 模拟电子技术第九章课后习题答案 第九章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案，填入空内。只需填入A、B或C。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。 A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。 A．1W B．0.5W C．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有。 A．β B．I C M C．I C B O D．B U C E O E．P C M F．f T （5）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S│，则最大输出功率P O M＝。 A． L 2 CES CC 2 ) ( R U V- B． L 2 CES CC ) 2 1 ( R U V- C． L 2 CES CC 2 ) 2 1 ( R U V- 图T9.1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 二、电路如图T9.2所示，已知T1和T2的饱和管压降│U C E S│＝2V，直流功耗可忽略不计。 图T9.2 回答下列问题： （1）R3、R4和T3的作用是什么？ （2）负载上可能获得的最大输出功率P o m和电路的转换效率η各为多少？ （3）设最大输入电压的有效值为1V。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？ 解：（1）消除交越失真。 （2）最大输出功率和效率分别为 % 8. 69 4 π W 16 2 ) ( CC CES CC L 2 CES CC om ≈ - ? = = - = V U V R U V P η （3）电压放大倍数为 3. 11 1 3. 11 2 1 6 i omax ≈ + = ≈ = R R A U U A u u R1＝1kΩ，故R5至少应取10.3 kΩ。 习题 9.1分析下列说法是否正确，凡对者在括号内打“√”，凡错者在括号内打 第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的 ＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ； 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100 vd = A ，共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V，则输出电压o V为（）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。 第四章部分习题解答 4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V （BR ）CEO =30V ，若它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA ，则工作电压的极限值应为多少？ 解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。当V CE =10V 时， mA V P I CE CM C 15== 此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 。 4．3．3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。 图题3.3.1 图题 3.3.3 解: 由题3.3.1已求得β=200，故 mA R V V I b BE BB B 03.0=-= I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V 4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 图题3.3.6 解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V 。由Q 点的位置可知，I B =20μA ，I C =1mA ，V CE =3V 。 （2）由基极回路得 Ω=≈ k I V R B cc b 300 由集-射极回路得 Ω=-= k I V V Rc C CE CC 3 （3）求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知，在输入信号的正半周，输出电压v CE 从3V 到0.8V ，变化范围为2.2V ；在输入信号的负半周，输出电压v CE 从3V 到4.6V ，变化范围为1.6V 。综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1.6V 。模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
模拟电路第三版课后习题答案详解
模电试题及答案1-2
最新模电课后习题答案
模拟电路第三版课后习题答案详解
模电试题及答案
模拟电子技术教程课后习题答案大全
2017模电习题课复习
《模拟电子技术基础》第三版习题解答第5章放大电路的频率响应题解
模拟电子技术第九章课后习题答案知识分享
最新模电数电复习题(已整理)
华南理工大学模电试题(附答案)
模电 习题答案
模拟电子技术基础第三版课后答案
模电试卷题库(含答案)
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模电试卷题库含答案
《模电》经典题目-含答案
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题