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贴片三极管进货检验规范标准

贴片三极管进货检验规范标准
贴片三极管进货检验规范标准

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AZG贴片三极管印字

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KTA1505 TRANSISTOR (PNP ) FEATURES · Excellent h FE linearity: · Complementary to KTC3876 MAXIMUM RATINGS (T a =25 unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA,I E =0 -35 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA,I B =0 -30 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V,I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V,I C =0 -0.1 μA h FE(1) V CE =-1V,I C =-100mA 70 400 DC current gain h FE(2) V CE =-6V,I C =-400mA 25 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-100mA,I B =-10mA -0.25V Base-emitter voltage V BE V CE =-1V,I C =-100mA -1 V Transition frequency f T V CE =-6V,I C =-20mA 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-6V,I E =0,f=1MHz 13 pF CLASSIFICATION OF h FE(1) Rank O Y GR Range 70-140 120-240 200-400 Marking AZO AZY AZG COLLECTOR ℃ A,May,2011 https://www.docsj.com/doc/5717636766.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

印字16贴片三极管

A,Jun,2012 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT1616 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Audio frequency power amplifier z Medium speed switching MARKING:16· MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =2mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =10μA, I C =0 6 V Collector cut-off current I CBO V CB = 60V, I E =0 100 nA Emitter cut-off current I EBO V EB =6V, I C =0 100 nA h FE(1) V CE =2V, I C =100mA 135 600 DC current gain h FE(2) V CE =2V, I C =1A 81 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =1A, I B =50mA 0.3 V Collector-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =1A, I B =50mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =2V, I C =50mA 0.6 0.7 V Transition frequency f T V CE =2V,I C =100mA, f=100MHz 100 MHz Collector output capacitance C ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 19 pF CLASSIFICATION OF h FE(1) RANK Y G L RANGE 135~270 200~400 300~600 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 60 V V CEO Collector-Emitter Voltage 50 V V EBO Emitter-Base Voltage 6 V I C Collector Current 1 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150℃ https://www.docsj.com/doc/5717636766.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

二,三极管,IC印字对型号

贴片3个脚 C001 A06 M073 QFN-6封装 IC表面编码 CCQ 09K E7E0 AR982 SOT-143 61HL SOT-143 B83 4脚 10A10 22A15 F5H3 F5HE 222 SOT-23 MARK为ECIG,封装为SOT-23 BU1H SOT-323 39BBAE AO 4MQU,封装为SOT-23的IC B8SN7 SOT-23封装, 丝印:B8TX4 SOT-23封装, 丝印:W2H SOT-23封装, 丝印:ZTW SOT-23封装, 丝印:L231 SOT-23封装 ,丝印:EA2 SOT-23封装, 丝印:8F SOT-23封装 M762 SCD7 BE30C N611 10 8Z FJKB1 FJJK5 TFT 3H0015 BA7 sot-23封装的,上标是X1YV与他垂直是10,标有A1FV与他垂直是16的是什么管子 贴片二极管上写着ZE20J 贴片二极管CCD MZ 贴片二极管第一行03A 第2行F6 5D 贴片二极管ACX K7JA SOT-23

C251A 5V的稳压芯片,贴片封装,印字为8C032 NC SN 36W D.P S3 J7 P03B XP D:P 62Z A7 S3 KW 8C032 J7 27EI WC AFPL AFPL E601 E605 28C26 XB LY AP 2 ABNJ KS5R SOT23封装的丝印28G2G BAs87 BAs88 BAs89 W3W 贴片二极管封装是1206的丝印是T72是什么型号SOT-23的上面标有OOOI 贴片二极管标有16LE4 00BC,封装SOT-23 丝印Txw3F,这个x看不清,像0也像U,用x代替了与二极管上面写着D写或5.5 SOT-89的,上面丝印为:BD S2L 和 DD S3F 2314 贴片三极管印字76ee,8626 贴片三极管标HG18

贴片三极管上的印字与真实型号对照手册

贴片三极管上的印字与真实名称的对照表 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA

贴片三极管封装上的印字,与真实名称的对照表

贴片三极管封装上的印字,与真实名称的对照表 印字器件名厂家类型封装器件用途及参数 T2 HSMS-286C HP D SOT323 dual series HSMS-286B T2 HSMS-2862 HP D SOT23 dual series HSMS-286B t23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k t24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k t2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906 t2A PMST3906 Phi N SOT323 2N3906 t2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N2907 t2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300V t2D PMSTA92 Phi N SOT323 MPSA92 pnp Vce 300V t2E PMBTA93 Phi N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200V t2E PMSTA93 Phi N SOT323 MPSA93 pnp Vce 200V t2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907A t2F PMBT2907A Phi N SOT323 2N2907A t2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56 t2G PMSTA56 Phi N SOT323 MPSA56 t2H PMBTA55 Phi N SOT23 MPSA55 t2H PMSTA55 Phi N SOT323 MPSA55 t2L PMBT5401 Phi N SOT23 2N5401 pnp 150V t2L PMST5401 Phi N SOT323 2N5401 pnp 150V T2p BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2T PMBT4403 Phi N SOT23 2N4403 t2T PMST4403 Phi N SOT323 2N4403 T2t BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2U PMBTA63 Phi N SOT23 MPSA63 darlington t2V PMBTA* Phi H SOT23 MPSA* darlington t2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401 t2X PMST4401 Phi N SOT323 2N4401 T3 BSS63 Phi N SOT23 BSS68 T3 HSMS-286E HP A SOT323 ca dual HSMS-286B T3 HSMS-2863 HP A SOT23 ca dual HSMS-286B t31 PDTA143XT Phi N SOT23 pnp dtr4k7+10k t32 PDTC143XT Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+10ks T32 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 60-105 T33 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 85-150 T34 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 120-220 T4 BCX17R Phi R SOT23R BC327 T4 HSMS-286F HP B SOT323 cc dual HSMS-286B T4 HSMS-28* HP B SOT23 cc dual HSMS-286B T4 MBD330DW Mot DL SOT363 dual UHF schottky diode T42 2SC3545P Nec N - npn RF fT 2GHz hfe 50-100

最新电子元器件来料检验规范标准

IQC 来料检验指导书

检验说明: 一、目的: 对本公司的进货原材料按规定进行核对总和试验,确保产品的最终品质。 二、围: 1、适用于IQC 对通用产品的来料检验。 2、适用对元件检验方法和围的指导。 3、适用于IPQC、QA 对产品在制程和终检时,对元件进行覆核查证。 三、责任: 1、IQC 在检验过程中按照检验指导书所示检验专案,参照供应商器件确认书对来料进行检验。 2、检验标准参照我司制定的IQC《进料检验规》执行。 3、本检验指导书由品管部QE 负责编制和维护,品管部主管负责审核批准执行。 四、检验 4.1 检验方式:抽样检验 4.2 抽样方案:元器件类:按照GB 2828-87 正常检查一次抽样方案,一般检查水准Ⅱ进行。非元器 件类:按照GN 2828-87 正常检查一次抽样方案,特殊检查水准Ⅲ进行。盘带包装物料 按每盘取3 只进行测试替代法检验的物料其替代数量根据本公司产品用量的2~3 倍进 行替代测试 4.3 合格品质水准:AQL 为acceptable quality level 验收合格标准的缩写。A 类不合格AQL=0.4 B 类不合格 AQL=1.5 替代法测试的物料必须全部满足指标要求 4.4 定义: A 类不合格:指对本公司产品性能、安全、利益有严重影响不合格项目 B 类不合格:指对本公司产品性能影响轻微可限度接受的不合格项目 4.5 检验仪器、仪表、量具的要求所有的检验仪器、仪表、量具必须在校正计量器 4.6 检验结果记录在“IQC来料检验报告”中

目录

检验指导书机型适用于通用产品 工序时间无 工序名称晶振检验工序编号无 测试工具/仪器:频率计、万用表检验员IQC 图示:频率计频率计PPM 值的计算:如27MHZ晶振,+/-30PPM 检验步骤及容 转化为百分比为百万分之: 1、对单、抽样: 30 =30/10 X(27X10 ) . 根据货仓开出的IQC 品检报告单或上料单,核对上料供方是否为合格供方,再查找相应订单和产品 =0.00081MHZ=810MHZ 制造标准书,核实相应机型和数量。 晶振即27MHZ+/-30PPM . 取待检物料准备检验工具/仪器,对照相应产品制造标准书,参照样板或规格承认书,以IQC 检验 晶振测试示意图=26.99919/27.00081 MHZ 标准为依据,按AQL:0.4/1.0 均匀抽样。 2、包装/外观检查: 检查包装应合理,有无按常规或指定材料包装(以不伤物料本体为原则),标示容是否与确认书 一致,本体有无破损、外壳、引脚有无氧化发黑、中振极性标识位置与样板是否相同等。 3、规格测量: 试装观察各部位大小形状与样板(或确认书)有无不同,封装形式有无不同(如:U 和S 封装)用 相应测量工具再进行测量,需要试装才能确认的应进行相应试装。 4、材质验证: 参照样板对来料材质进行相关验证是否与样板不符,如:外壳分铜质金属外壳和瓷等。注意事项 5、性能测试: 1、物料送检时要及时检验。 按正确方式连接频率计和晶振测试架(如右图所示),打开电源开关按被测晶振所配负载电容大小, 将晶振引脚插入相应的插座位置,根据测试点电压、频率围不同将频率计进行正确设置:2、测试架第一次测试前由领班或技术员校正后才能进行测试。 . 试点电压在3~42V 围将VOLTAGE 键按入。3、所照参样板必须为合格样板。 . 测试点电压在50mV~5V 围将VOLTAGE 键按出。4、晶振应根据所用机型的负载电容和等效电阻的大小对应插座孔插入进行. 测试点在80MHZ~1.3GHZ 频率围时将F UNC 设置键设置到F REQ B 位LED 灯亮.测试。 . 测试点在1HZ ~`100MHZ 频率围时将FUNC 设置键设置到FREQ A 位 LED 灯5、当引脚表面有氧化发黑时需做耐温/可焊性试验进行进一步确认。 亮.(10MHZ100MHZ 频率围时将PRESCALE 键按入, 1HZ~`10MHZ 频率围时将PRESCALE 键6、测试前应将晶振由50-70CM 高处自由跌落木版上面,在进行电性能测试。 按出. . 为了读出精确的测试频率将GATE 键按入进行倍数设置,可分别设置为XI、X10、X1000。设置正 修订记录 确后,LED 将显示频率计所测试到的正确频率(如须长时间保留测试资料,将HOLD 键按入)。 6、判定/标识将: 修改次数日期容参考文件不良品标识清楚并及时隔离,以物料检验报告单的形式交由上级处理。将 PASS 好的物料做好标 识放入指定区域,并做好相关记录。供应商器件确认书、检验规 文件编号编制:日期: 版本审核:日期: 页脚

BV4贴片三极管印字

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB624 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z High DC current gain. h FE :200 TYP .(V CE =-1V,I C =-100mA) z Complimentary to 2SD596. MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -30 V V CEO Collector-Emitter Voltage -25 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -Continuous -700 mA P D Total Device Dissipation 200 mW T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25 unless otherwise specified ) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA,I E =0 -30 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = -1mA, I B =0 -25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E = -100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-30 V ,I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = -5V , I C =0 -0.1 μA h FE(1)* V CE = -1V,I C = -100mA 110 400 DC current gain h FE(2)* V CE =-1V,I C = -700mA 50 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) * I C =-700 mA, I B = -70mA -0.6 V Base-emitter voltage V BE * V CE =-6V, I C =-10mA -0.6 -0.7 V Transition frequency f T V CE = -6V,I C = -10mA 160 MHz Collector Output Capacitance C ob V CB =-6V,I E =0,f=1MH Z 17 pF * Pulse test : Pulse width ≤350μs,Duty Cycle ≤2%. CLASSIFICATION OF h FE (1) Marking BV1 BV2 BV3 BV4 BV5 Range 110-180 135-220 170-270 200-320 250-400 ℃ A,May,2011

三极管检验作业指导书 Rev.B

三极管检验作业指导书 1.目的和范围 确定三极管检查步骤及方法,指导检验员进行三极管来料的品质检查。具体检验项目参考《来料检验记录》。 2. 定义: 2.1 不合格品: 凡是不符合产品图纸、工艺文件和技术标准的产品、无任何标识的产品。 2.2 AQL: 可接收的质量水平。 2.3 Plan C=0: 零缺陷(样本经检验后是零缺陷方可接收)。 2.4 SCAR: 针对公司内部产生不合格品时,要求责任部门采取纠正预防措施的报告。 2.5 ICAR: 针对公司供应商产生不合格品时,要求供应商采取纠正预防措施的报告。 2.6 NCS: 异常通知单,用来报告不合格品的表格,同时请求处置和纠正预防措施。 3. 职责 3.1来料品质检查员负责抽样检验,鉴别产品是否符合品质标准要求。 3.2质量工程师根据异常通知单所反馈来料不良情况,确定处理意见。 4. 授权 4.1质保经理 5. 程序 5.1 目检:

5.2 引脚可焊性试验: 方法为引脚上助焊剂,放入小锡炉(温度为235±10°C)3秒钟后拿出,引脚上锡覆盖面应大于95%以上。若上锡后引脚表面有小气泡,或焊锡轻易剥落,为上锡不良,属严重缺陷。 5.3 电性能检测: 用晶体管特性图示仪测量出 值,符合规格要求;如产品对三极管某一参数有特别要求时须测其参数,如VCE饱和压降。 三极管检验作业指导书 5.4 尺寸测量: 参考产品规格书或图纸要求。 6. 参考程序 6.1 不合格品控制程序AL/QP8301 6.2 纠正与预防措施程序AL/QP8502 7. 表格/记录 7.1 异常通知单FM-0027-XXXX 7.2 来料检验记录FM-0013-XXXX 7.3 ICAR FM-0028-XXXX 7.4 SCAR FM-0029-XXXX

常用贴片三极管与直插三极管型号对应

1.直插贴片型号对应 直插封装的型号贴片的型号9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1a bc846b 1b bc847a 1e bc847b 1f bc847c 1g bc848a 1j bc848b 1k bc848c 1l bc856a 3a bc856b 3b bc857a 3e bc857b 3f bc858a 3j

bc858b 3k bc858c 3l 2sa733 cs un2111 v1 un2112 v2 un2113 v3 un2211 v4 un2212 v5 un2213 v6 2sc3356 r23 2sc3838 ad 2n7002 702 2.直插贴片及极性、频率 直插封装的型号贴片的型号极性Ft VCEO Ic hfe 配对型号9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN

常用贴片三极管主要参数及丝印

常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G

三极管检验标准OK

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版 本 A.0 页次Page 2 of 2 2.3.3参数特性 三极管电参数用晶体管特性图示仪或三极管电性能测试仪。 抽验项目:三极管的β值、Ts值、VBE值、VCE值。 以120±2℃加温2小时,在置于常温下0.5小时,其电性能应在格内。 3. 检验方法 3.1 外观 目测实物。人眼与被测物体保持≤20cm的距离。检测外形和封装是否符合图纸要求。晶体管引脚是否错误(如B C E三个极有乱排现象)。晶体管引脚长短 ,是否影响元器件安装。晶体管引脚直径粗细,导致引脚无法顺利插入印刷板。 3.2 尺寸要求 外型尺寸参见图纸要求。 3.3 性能要求。 3.3.1电性能 用晶体管特性图示仪或三极管电性能测试仪。检测三极管的电性能是否超出精度范围。(如耐压)。 3.3.2 管脚排列 用晶体管特性图示仪或三极管电性能测试仪。检测三极管脚位排列是否一致。 4 检验规则 4.1 为了检验提交的三极管质量是否符合本标准的要求,品质部、生产部应对三极管进行交收试验。 4.2 交收试验应从提交批次的三极管同一规格中均匀抽取,同时提交验收的同一规格三极管应为同一批。 5 抽样方案 交收试验按GB/T 2828-2003正常检验一次抽样方案执行,其检验项目、抽样方案、检验水平及合格质量水平应符合下表的规定。 验收条款 序号 检验项目 技术要求 试验方法 抽样方案 缺陷分类 检查水平 AQL/% 1 外观 2.1 3.1 Ⅲ类 2 外形尺寸 2.2 3.2 Ⅱ类 Ⅱ 4.0 3 性能要求 2.3 3.3 Ⅰ类 S-1 1.0 4 脚位排列 2.3 3.3 一次 Ⅰ类 S-1 0 编制: 日期: 审核: 日期: 批准: 日期:

贴片三极管封装形式

贴片三极管封装 1A SOT323 BC846AW NPN 1A SOT416 BC846AT N BC546A 1A SOT89 PXT3904 NPN 1A SOT89 SXT3904 NPN -1A SOT323 PMST3904 N 2N3904 1A- SOT323 BC846AW N BC546A 1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904 1Ap SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN 1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222 1B SOT23 PMBT2222 NPN 1B SOT23 SMBT2222 NPN 1B SOT23 YTS2222 NPN 1B SOT323 BC846BW NPN 1B SOT416 BC846BT N BC546B 1B SOT89 PXT2222 NPN -1B SOT323 PMST2222 N 2N2222 1B- SOT323 >BC846BW N BC546B

1Bs SC74 BC817UPN N 1Bt SOT23 BC846B N BC546B 1Bt SOT323 BC846BW N BC546B 1C SOT23 FMMT-A20 NPN 1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20 1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A 1C SOT23 MMBTA20 NPN 1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904 1C SOT23 SMBTA20 NPN 1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457 1D SOT23 BC846 NPN 1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A 1D SOT23 MMBTA42 NPN 1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn 1D SOT23 SMBTA42 NPN 1D SOT323 BC846W NPN 1D SOT89 SXTA42 NPN 1D- SOT323 BC846W N BC456 1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners 1Dp SOT23 BC846 N BC456 1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN 1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA 1Ds SC74 BC846U N BC456 1Ds SOT363 BC846U BC456 1Dt SOT23 BC846 N BC456 1Dt SOT323 BC846W N BC456 1E FMMT-A43 N MPSA43 1E SOT23 BC847A NPN 1E SOT23 BC847A N BC547A 1E SOT23 FMMT-A43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn 1E SOT23 SMBTA43 NPN 1E SOT323 BC847AW NPN 1E SOT416 BC847AT N BC547A 1E SOT89 SXTA43 NPN 1E- SOT323 BC847A N BC547A 1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners 1Ep SOT23 BC847A N BC547A 1ER SOT23R BC847AR R BC547A 1Es SOT23 BC847A N BC457 1Es SOT323 BC847AW N BC457

贴片三极管参数大全(材料相关)

贴片三极管上的印字与真实名称的对照表印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 BC849 Mot N SOT23 BC 549B

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