模拟电子技术期末试卷5答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1
2010.05
班级 _ ______学号______姓名______分数______
得
题
一二三四五总分分
号
阅
卷
得分
阅卷
一．填空（ 25 分）
（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量
一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。
（2）把 PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。
（3）当 PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为0.6V，锗二极管的导通电压约为0.2V。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组
成共基、共射、共集电三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。
（8）假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为A u1、A u 2、A u 3......A
un ，那么多级放大
电路的放大倍数A
u＝ A u1 A u 2 ......A un
（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。
二．选择题（每题 2 分，共20 分）
（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（ B ）；
为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（ C）（ A ）电流负反馈（ B ）电压负反馈（ C）直流负反馈
。（ D）交流负反馈
f f 01
2 RC时呈
（2） RC 串并联网络在。
（A）感性（B ）阻性（ C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。
（ A ）共基接法（ B）共集接法（ C）共射接法（ D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A ）β（ B）β2（ C） 2β（ D） 1+β
（5）在（ A ）、（ B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是（ B）；
既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C）。
（ A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（ C）共射放大电路
（6）当 NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC >uB>uE 。
（A）>（B）<（C） =（ D）≤
（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（ A ）大（B ）小（ C）相等
（8）在正弦波振荡器中，放大器的主要作用是（）。
（A ）保证振荡器满足振幅平衡条件，能持续输出振荡信号
（B）保证电路满足相位平衡条件
（C）把外界的影响减弱
（9）图 1 中能组成复合管的是（C），其类型是（B）。(A、PNP B、NPN)
（10）甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是（A ）输出功率大（ B）效率高（C）交越失真小
()。（D ）电路结构简单
三．判断题（每题 2 分，共 30 分）
（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（×）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（√）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（×）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√）（5）利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。（√）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√）（7）未加外部电压时， PN 结中电流从 P 区流向 N 区。（×）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（√）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（×）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（√）（11）稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定度。（√）（12）只要工作点合适，晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。（×）（13）同一放大电路，若要其增益增大，则其通频带宽度将减小。（√）
（14）差动（差分）放大器的电压增益仅与其输出方式（单端或双端）有关，而与输入方式无关。（√ ）
（15）为使输出电压稳定，稳压电源的输出电阻应愈大愈好。（×）
四．简答题（每题 5 分，共 15 分）
（1）简述放大电路的作用和本质。
答：放大电路作用是把微弱的电信号（包括电压、电流、功率）增强到负载所需要数值。
其本质是一种换能器，它利用电子器件的控制作用，在输入信号的作用下，将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。
（2）三极管导通的内部和外部条件是什么？
答：内部导通条件：发射区浓度高，基区浓度低且薄，集电结面积大于发射结面积。
外部导通条件：发射结正偏，集电结反偏。
（3）理想集成运放的主要特点是什么？
答：1.开环差模电压放大倍数A
uo0； 2.输入电阻
R
id∞； 3.输出电阻
R
O0 ；
4.带宽 BW ∞；转换速率S R∞；
5.共模抑制比
K
CMR∞。
五．计算题（每题 5 分，共10 分）
（ 1）在如图所示的电路中，三极管的为 50，设三极管的U BE=0.7V ，V CC=+15V，R b475k， R c3k求电路的静态工作点I BQ、 I CQ、U CEQ。
＋V CC
R b Z Z R c
T
I B
解：由电路可知，静态工作点
I BQ
V
CC
U
BE
15 0.7 A
R b
30
475
集电极电流 I CQ I BQ 50
0.03 1.5mA
三极管 C 、 E 间静态管压降 U
CEQ
CC
I CQ
C
15 1.5 3 10.5
V R
V
(2) 如图所示电路中，已知变压器次级电压
u 2 35 2 sin t (V ) ，稳压管
V 7 的稳压值
U Z 6.3V ，晶体管均为硅管。
（ 1） 求整流二极管承受的最大反向电压； （ 2） 说明电容 C 的作用，并求 U I 的大小；
（ 3） 求 U O 的可调范围（求出最大值和最小值） 。
解：
（ 1） U RM 2U 2
2
35 49.5V
（ 2）
电容 C 起滤波作用。
U I 1.2U 2
1.2 35 42 V
R 1
R 2 R P
(U Z 0.3 0.2
0.5
10V
（ 3） U Omin
R 2 U BE )
( 6.3 0.7)V
R P 0.5 0.2
R 1 R 2 R P
(U Z 0.3 0.2 0.5
35V
U Omax
2
U BE ) 0.2
( 6.3 0.7) V
R
故输出电压
U O 的可调范围为 10V~35V 。
计算的最后结果数字：
（ 1） U RM
49.5V
（ 2） U I 42V
（ 3） U O 的可调范围为 10V~35V
《模拟电子技术》期末考试试卷2
一、填空题：（20 分，每空 1 分）
1、BJT 是电流控制器件，FET是电压控制器件。
2、多极放大电路的耦合方式有阻容、直接、变压器。
3、二极管正向导通时，正向电流为 5.2mA，则直流电阻为Ω，交流电阻为Ω。
4、差动放大电路两个输入端的电流分别是 1.1v 和 1v，则共模信号是 1.05 v，差模信号为v。
5、要获得低频信号，可选用RC振荡器；要获得高频信号可选用LC 振荡器。
6、电流并联负反馈可以稳定放大电路的输出电流
入电阻减小。
7、影响放大电路通频带下限频率的是耦合电容。电路分布极间
8、理想运算放大器工作在线性区的条件是
馈。
9、串联型反馈式稳压电路是由、、分构成。 9、基准电压、调整环节、取样电路、比较放大
二、选择题：（20 分，每题 2 分）
1、PN 结正向偏置时，其内电场被（）。
A、削弱
B、增强
C、不变电容和
和
，并使其输
旁路
深度负反
等四部
D、不确定
2、三极管工作在放大状态的条件是（）。
A、发射极正偏，集电极正偏
C、发射极反偏，集电极反偏
3、LC 正弦波振荡电路的振荡频率为（
B、发射极正偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏）。
A、f 0=1/LC
B、 f0=1/LC
C、 f0=1/2πLC
D、f 0=1/2
π LC
4、场效应管的工作原理是（）。
A、输入电流控制输出电流
B、输入电流控制输出电压
C、输入电压控制输出电压
D、输入电压控制输出电流
5、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应采用（）。
A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈
6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。
A、反向偏置击穿状态
B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态
D、正向偏置未导通状态
7、某 NPN 型三极管的输出特性如图所示，当U ce=6V 时。其电流放大系数
β为（）。
A、β=100
B、β=50
C、β=150
D、β=25
8、右图所示电路为（）。
A、甲类 OCL功率放大电路
B、乙类 OTL功率放大电路
C、甲乙类 OCL功率放大电路
D、甲乙类 OTL功率放大电路
9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值
为U1=20V，f=50H Z。若实际测得其输出电压为 28.28V，
这是由于（）的结果。
A、C开路
B、C的容量过小
C、C的容量过大
D、R L开路
10、右图为两级放大电路，接入 R F后引入了极间（）。
9题
A、电流并联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电压串联负反馈
三、判断题：（8 分，每题 1 分）
1、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由10 题
电子。（）
2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力
最强。（）
3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）
4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）
5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）
6、要稳定放大电路工作点，可以引入直流负反馈。（）
7、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）
8、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越窄，（）
四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6 分）
（）（）（五、①写出右图所示电路名称？（ 3 分）
②标出反馈电压 U F的位置及极性？（ 3 分）
六、综合题：（40 分）
1、放大电路如右图所示：
① R b起何作用？
②当 R b的阻值变小时，对直流工作点有何影响？
③ R e及 R L变化时，对电压放大倍数有何影响？
2、功率放大电路如图所示，设三极管的饱和压降U CES为
1V，为了使负载电阻获得12W的功率，请问：
① 正负电源至少应为多少伏？
Ui
②三极管的 I M，BV CEO至少应为多少？
3、在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电
路，已知负载电阻 R L =200Ω，交流电源频率 f=50HZ，
则当直流输出电压为 U。=30v 时，求：
①每个二极管中流过的平均电流I D；
②二极管所承受的最高反向电压U DRM；
）
+V EE
R L =6Ω
－V EE
3题图
③确定滤波电容 C的最小值。
《模拟电子技术》期末考试试卷2（参考答案）
一、填空题：（20 分，每空 1 分）
1、电流、电压
2、阻容耦合、变压器耦合、直接耦合
3、 134.6Ω、5Ω
4、 1.05v、0.1v
5、 RC、 LC
6、输出电流、减小。
7、耦合、旁路。
8、该电路处于深度负反馈
9、基准电压、调整环节、取样电路、比较放大
二、选择题：（20 分，每题 2 分）
1、A，
2、B，
3、C，
4、D，
5、A，
6、A，
7、D，
8、B，
9、D，10、C三、判断题：（８分，每题１分）
1、√，
2、√，
3、×，
4、√，
5、×，
6、√，
7、×，
8、
√四、 a 图：不能， b 图：不能， c 图：能
五、①电路为电感三点式振荡电路
②反馈电压 U F的位置在 L2两端为其电压，极性为上正下负
六、综合题：（40 分， 1 题 14 分； 2 题 10 分； 3 题 16 分）
1、① R B作用是向三极管的基极提供合适的偏置电流，并使发射极正偏。
②R B变小时， I CQ增大， U CEQ减小。
③电压放大倍数U C ||
L） /[r be E C L be
A =- β（ R R+(1+β )R ]=-β R R/[ r+(1+β )R E](R C+R L),
可见：当 R L不变， R C变大时， A U变大； R C变小时， A U变小
当R C不变， R L变大时， A U变大； R L变小时， A U
变小【评分标准】① 3 分；② 3 分；③ 8 分。
2．解：① P OM=0.5 （ U CC-U CES）2/R3
U CC=2PcmRL +Uces＝ 2 12 6 ＋ 1=13v
②BU CEO> 2V CC=2×13=26v
I CM> V CC/R L=13/6=2.16 A
【评分标准】① 5 分；② 5 分。
3.解：① I 。＝ U。 /R L=30/200=0.15 A
I D=0.5I。=0.5×0.15=75mA
②U DRM= 2 U2= 2 U。/1.2=1.4 ×30/1.2=35v
③由 RLC=(3～5)T/2取系数为
200C=5/2f＝ 5/2 ×50=0.05
5,
C=0.00025F=250μF
【评分标准】① 8 分；② 3 分；③ 5 分。
《模拟电子技术》期末考试试卷3
一、填空题（ 25 分，每空 1 分）
1.在本征半导体中， ______是多子，由______形成。在 P 型半导体中， _______是少子，由 __________形成。
2.二极管的基本特性是 _______，其反向电阻比正向电阻值 _____。当二极管
两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而 _______。
3.共射电路中，三极管的交流电流放大作用体现在 I b的________变化可控制 I C、的_____变
化，所以三极管是一个由 ______控制 _____的器件。它的三种工作状态分别是________、
___________、___________。
4.为了稳定静态工作点 ,在放大电路中应引入负反馈;若要稳定放大倍数、
改善非线性失真等性能 ,应引入负反馈。
5.场效应管是通过改变 _______来改变漏极电流的，所以是一个 _______控制的_____器件。
6.LC 振荡器从起振到稳幅，是利用三极管的_______使放大倍数 _______，直至 ________；而 RC 文氏电桥式振荡器是利用非线性元件的_______发生变化，使放大电路中的 _____增大，
从而使 ______减小。
二、选择题（ 18 分，每小题 2 分）
1.当负载电阻 R L = 1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减
少 20%，该放大电路的输出电阻R。（）；
a．0.25 k Ω b.0 ． 5 k ΩC．1 kΩ d ．1．5kΩ
2. 二极管加正向电压时，其正向是由（）。
a： :多数载流子扩散形成
b：多数载流子漂移形成
c：少数载流子漂移形成
3. 当晶体管工作在放大区时，（
a.发射结和集电结均反偏；
）。
b..发射结正偏，集电结反偏；
c..发射结和集电结均正偏；
4.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是
U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V ,
那么此三极管是（）型三极管， U1=2.8V 的那个极是（），U2=2.1V的那个极是（），
U3=7V 的那个极是（）。
a. NPN
b.PNP
c. 发射极 d . 基极 e. 集电极
5. 在固定式偏置电路中，若偏置电阻 R B的值增大了，则静态工作点 Q 将（）。
a.上移
b. 下移
c. 不动
d.上下来回移动
6.在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W ，则电路中功放管的集电极
最大功耗约为（）。
ａ． 1W ｂ． 0.5Wｃ．0.2W
7.对于放大电路，所谓开环是指（）．
a. 无信号源
b. 无反馈通路
c.无电源I
D
为8.若桥式整流由两个二极管组成，负载流过电流I O，则每只整流管中电流
（），承受最高反向电压为（）。
ａ． I
O ｂ． I /2 c．I /4d.U e． 2U 2f ．2U O O2
9.串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是（）。
ａ．基准电压ｂ．取样电压ｃ．基准电压与取样电压之差
三、判断题（ 8 分，每小题 1 分）
1.在分压式偏置电路中，β值的大小对放大器静态工作点 Q 无影响。（）
2.通
常多级阻容耦合放大电路，若各级均采用共射电路，则电路的输出电压与输入电压总是反向的。 ( ) 3.振荡电路中只有正反馈
网络而没有负反馈网络。 ( )
4.一个理想的差分放大电路 ,只能放大差模信号 ,不能放大共模信号。 ( )
5.在互不对称功率放大电路输入端所加的电源电压越大越好，则交越失真
就越容易
消除。
（）
6.若放大电路的负载固定,为使其电压放大倍数稳定 ,可以引入电压负反馈 ,也可以
引入电流负反馈。 ( )
7.共集电极 (或共漏极 )放大电路 ,由于 A u≤1,故没有反馈。 ( )
8.使用集成运算放大器器件来组成比例运算电路,这时可按比例运算关系任意选
用电阻值。 ( )
四、分析判断题（ 8 分）
1.判断下图的反馈类型（ 8 分，每小题 4 分）
V CC
R C1C2R b2R C2
R b1
C 1 C 3
R L
R e1
C e1
R e2
R f
C f
R 5
2.
R 3
-
- +
v O
v I
R 1
R 4
+
R 2
1（
） 2 ( )
五、计算题（ 41 分）
1. （6 分） 图中 R S 、R e 、R b1、R b2、、R C 、R L 、V CC 均已知；求： I C 、I B 、
V CB
V CC
R b1
R C
C b1
C b2
R s
R e
R L
v o
v S R b2
C B
2. 电路如图 (2) 所示 , 设运放是理想的 , 试求 v o1 , v o 2 , v o 的值。（8 分）
R1R330k
A1
v o1 30k
V1
3V
A3
v o
R2
A2
15k
v o2 30k R4
R5
V2
4V V33V30k
图(2)
3. 如下图所示电路为输出电压可调电路，当V31 1.2V 时，流过 R1的最小电流I
R min
为
（5~10）mA，调整端 1 输出的电流
I adj远小于 I Rmin， V I V 2V 。（１5分）
O
（1）求 R1的值；
（2）当 R1210， R23K 时，求输出电压 V O；
（3）调节R2从 0~6.2K时，求输出电压的调节范围。
2
LM 3173
V I R
1D
V O
1
C1210
C3
R2C2
6.2K
4.电路如图所示，已知 V CC=V EE=15V.晶体管 T1,T 2的β＝100,r
bb=200Ω R C=R L=6kΩ,R E=7.2k Ω（12分）
1.估算T1,T 2管的静态工作点 I CQ,V CEQ
2.计算A VD=V O/(V i1 -V i2 ),R id ,R od
+V CC
R C R C
R L
+v O-
v
i1T1T2
v
i2
R e
-V EE
《模拟电子技术》期末考试试卷3（参考答案）
一、填空题（ 25 分，每空 1 分）
1.自由电子掺杂自由电子本征激发
2.单向导电性大减小
3.微小较大电流电流源饱和状态放大状态截止状态
4.直流
5.栅源电压
6. 非线性性交流
电压
减小
电流源
KF=1阻值负反馈深度放大倍
数
二、选择题（ 18 分，每小题 2 分）
1.a
2.a
3.b
4.a,d,c,e
5.b
6.b
7.b
8.b,e
9.C
三、判断题（ 8 分，每小题 1 分）
1. ×
2.×
3.×
4.√
5.×
6.√
7.×
8.×
四、分析判断题（ 8 分）
1.判断下图的反馈类型（ 8 分，每小题 4 分）
1．本级反馈：
R e1：第一级的直流的电流串联负反馈
R e2：第二级的交、直流的电流串联负反馈
级间反馈：
R f1、C f：交流的电流并联负反馈
2．本级反馈：
第一级的电压串联负反馈
第二级的电压并联负反馈 级间反馈：
电压并联负反馈
【评分标准】每题 4 分
五、计算题（ 41 分）
R
b2
1. （６分）解： I C
I
E V B / R E
V CC
(R b1
R b2 ) R E
I B
I C /
V CB
V CC
I C R C R
b 2
V CC
(R b1
R b 2 )
R b 2
R
C
R
b 2
V CC (R b1
R b 2 )R E
V CC
(R b1 R b 2 ) V CC
【评分标准】①过程６分；
2. （8 分）解 :
v
o2
V 2
4V
v o
(1
R 3
)(
R 5
)V 3
R 3
v o1
R 3
v o 2
R //R
R
R
R
R
1
2
4
5
1
2
(1
30)(
30
)
3
30 (3)
30
4 5V
15
30
15
30
30
【评分标准】求得每个电压值得
4 分
3. （13 分）【评分标准】① 4 分
②3 分
③8 分
解：① R 1
V 31
1.2 240 ~ 120
I
Rmin
5 ~ 10
② V O R 1
V 31
R 1 R 2
可得
V O V
31R1 R2 1.2
210
300018.343V R1210
③当 R20 时，V Omax V
31
R1R2V
31 1.2V
R1
当 R26.2kΩ时，
V Omax V31R1
R1
R2
210 6200
1.2 36.63V
210
即输出电压的 V O的调节范围（ 1.2V ～ 36.63V ）。
4.【评分标准】①6分；
②6 分；
解： (1) I=1mA,V =9.7V
CQ CEQ
(2)A=-71.4,R
id =5.6k Ω,R=12kΩ
VD od
《模拟电子技术》期末考试试卷4
一、填空题：（2８分，每空 1 分）
1、BJT 是控制器件，FET是控制器件。
2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则
此二极管 _____；
若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管 ______________。
3.简单的差分放大器双端输出时，对 _______信号有较强的抑制能力，而对
________信号有较强的放大作用。
4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v 和3v，则共模信号是v，差模信号
为v。。
5、要获得低频信号，可选用振荡器；要获得高频信号可选用振荡器。
6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：
_________、 _____________、 ____________、 ____________。
7 、射极输出器的重要特点是 ____________、 _______________和___________。
8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是 ______， ____________和____________。
9、理想集成运放的条件是_________、 _____________、 ___________、
________和_________________。
二、选择题：（20 分，每题 2 分）
1、PN 结反向向偏置时，其内电场被（）。
A、削弱
B、增强
C、不变
D、不确定
2、三极管工作在饱和状态的条件是（）。
A、发射极正偏，集电极正偏
B、发射极正偏，集电极反偏
C、发射极反偏，集电极反偏
D、发射极反偏，集电极正偏
3、PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。
a：其反向电流增大
b：其反向电流减小
c：其反向电流基本不变
4、稳压二极管是利用PN 结的（）。
a：单向导电性
b：反向击穿性
c：电容特性
5、二极管的反向饱和电流在
电流增大一倍，当温度为
a：10μ A b：15μA 20℃时是 5μA ，温度每升高
40℃时，反向饱和电流值为（
c：20μ A d：40μ A
10℃，其反向饱和
）。
6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（
A、反向偏置击穿状态
C、正向偏置导通状态
7、某 NPN 型三极管的输出特性如图所示，当
）。
B、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态U ce=6V 时。
）。
其电流放大系数β为（
A、β=100
B、β=50
C、β=150
D、β=25
8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）
a．集电极最大允许功耗ＰＣＭb．集电极最大允许电流ＩＣＭ
c．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1 =20V，f=50H Z。
若实际测得其输出电压为 28.28V，这是由于（）的结果。
a. 开路
b.C的容量过小
c.C 的容量过大
d.R L 开路
10、在非线性失真中，饱和失真也称为（）
a 顶部失真
b 底部失真
c 双向失真
三、判断题：（８分，每题１分）
9 题图
1、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子
是自由电子。（）
2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力
最强。（）
3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）
4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）
5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）
6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（）
7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）
8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）
四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6 分）
1． 2.
V CC
R C R1
R B V CC
R L
R2v o
V s v i
（）（）
五、综合题（ 38 分）
1. 已知如图： V=12V， R BΩ， WΩ，C＝４ＫΩ，β＝３７.5
ＣＣ=100k R =400K R
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线（设 U BE=0 ）（8 分）
R W+VＣＣ
RＣ
RＢC2
Ｃ1
2 、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc＝12 V，
+V EE R L＝6Ω，v I为正弦波。求：（1）在 BJT 的饱和压降 V CES可
以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om；
（ 2）每个管子允许的管耗P CM至少应为多少？（ 3）每个管
Ui
子的耐压 |V(BR)CEO应大于多少？（
10分）R L=6 Ω
|
－V EE
3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知R L=40， C=1000uF，
u2=20 2 sinwtV, 现用万用表测量输出直流电压，如果
出现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不
合理？会出现什么故障？（ 10 分）
④U O=18V:
⑤ U O=28V:
⑥U O=9V:
3 题图
⑦ U O=24V:
4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一 T 形网络以代替R f ,如图
(4)所示 ,试证明（ 10 分）
v o R2R3R2 R3 / R4
v s R1
R2R3
R4
R1
v N
v s A
v p v o
图(4)
《模拟电子技术实验》实验指导书
北方民族大学 Beifang University of Nationalities 《模拟电子技术实验》课程指导书 北方民族大学教务处
北方民族大学 《模拟电子技术实验》课程指导书 编著杨艺丁黎明 校审杨艺 北方民族大学教务处 二〇一二年三月
《模拟电子技术实验》课程是工科类大学二年级学生必修的一门实践类课程。实验主要设备包括模拟电子技术实验箱、信号发生器、示波器、数字万用表、交流毫伏表和直流电源等。 课程教学要求是：通过该课程，学生学会正确使用常用的电子仪器，掌握三极管放大电路分析和设计方法，掌握集成运放的使用及运算放大电路各项性能的测量，学会查找并排除实验故障，初步培养学生实际工程设计能力，学会仿真软件的使用，掌握工程设计的概念和步骤，为以后学习和工作打下坚实的实践基础。 《模拟电子技术实验》课程内容包括基础验证性实验，设计性实验和综合设计实践三大部分。 基础验证性实验主要包括仪器设备的使用、双极性三极管电路的分析、负反馈放大电路的测量等内容。主要培养学生分析电路的能力，掌握电路基本参数的测量方法。 设计性实验主要包括运算电路的实现等内容。主要要求学生掌握基本电路的设计能力。 综合设计实践主要包括项目的选题、开题、实施和验收等过程，要求学生能够掌握电子产品开发的整个过程，提高学生的设计、制作、调试电路的能力。 实验要求大家认真做好课前预习，积极查找相关技术资料，如实记录实验数据，独立写出严谨、有理论分析、实事求是、文理通顺、字迹端正的实验报告。 本书前八个实验项目由杨艺老师编写，实验九由丁黎明老师编写。全书由丁黎明老师提出课程计划，由杨艺老师进行校对和排版。参与本书课程计划制订的还有电工电子课程组的全体老师。 2012年3月1日
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t
1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
模拟电路期末试卷及标准答案
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合; 阻容 耦合;变压器 耦合; 在集成电路中通常采用 直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ，要消除此失真，应改 用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式,h 接成 共基 组 态，T 2接成 共集 组态,R i 和R 2的作用是 为T1管提供基极偏置 。 I ------------ 1 ------------------------------ 曲叫 前卜L 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大。 7. 共射一共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小干 共基电路的上 限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是T （j ?） = -1，相应的振幅条件是T （j ） =1， 图1
相位条件是T 匸：吆
二、简答(共3小题，每小题5分，共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示 (1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出 答：见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1 分, 共3 分) (2)估算(b)图晶体管的1和〉值 p 0.985 （各1分，共2分） 1 e , b ，c 极; I C 6 'LOT 60， 图2
广西大学模拟电子技术实验答案汇总
实验一、 一、实验目的 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验原理 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1.信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围（选定一个频率分挡开关按下）、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2.交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 操作要领： 1.为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前（即在输入端开路情况下）应先将量程 开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2.读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的 示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 操作要领： 1.时基线位置的调节开机数秒钟后，适当调节垂直（↑↓）和水平（←→）位移旋 钮，将时基线移至适当的位置。
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
模拟电子技术基础I考核作业标准答案
东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V)
五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小
模拟电路期末考试题A卷
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
模拟电子技术基础期末考试试题(B)
模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω
4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )
r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）
《数字电路》期末模拟考试试题及答案
数字电子电路模拟试题-2 一、填空题（共30分） 1. 三极管有NPN和PNP两种类型，当它工作在放大状态时，发射结＿＿＿＿， 集电结＿＿＿＿＿＿；NPN型三极管的基区是＿＿＿＿＿＿型半导体，集电区和发射区是＿＿＿＿＿＿型半导体。 2. 把高电压作为逻辑1，低电平作为逻辑0的赋值方法称作＿＿＿＿＿＿＿逻 辑赋值。一种电路若在正逻辑赋值时为与非门，则在负逻辑赋值时为＿＿＿＿＿＿＿＿。 3. 四位二进制编码器有＿＿＿＿个输入端；＿＿＿＿个输出端。 4. 将十进制数287转换成二进制数是＿＿＿＿＿＿＿＿；十六进制数是＿＿＿ ＿＿＿＿。 5. 根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是＿＿＿＿触发器、＿ 6. 下图所示电路中， 7. Y 2 二、选择题(共 20分) 1. 当晶体三极管＿＿＿＿时处于饱和状态。 A. 发射结和集电结均处于反向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C. 发射结和集电结均处于正向偏置
2. 在下列三个逻辑函数表达式中，＿＿＿＿是最小项表达式。 A ．B A B A )B ,A (Y += B. C B C B A BC A )C ,B ,A (Y ++= C. C AB ABC B C A C B A )D ,C ,B ,A (Y +++??= 3．用8421码表示的十进制数45，可以写成＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ A ．45 B. [101101]BCD C. [01000101]BCD D. [101101]2 4．采用OC 门主要解决了＿＿＿＿＿ A ．TTL 与非门不能相与的问题 B. TTL 与非门不能线与的问题 C. TTL 与非门不能相或的问题 5．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为＿＿＿ A ． Q n+1 ＝A B. n n 1n Q A Q A Q +=+ C. n n 1n Q B Q A Q +=+ 三、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式：（共20分） 1． BC A C B A C B B A Y 1+?++= 2． Y 2＝Σm （0，1，8，9，10，11） 3． Y 3见如下卡诺图
大学《模拟电子线路实验》实验报告
大连理工大学网络高等教育《模拟电子线路》实验报告 学习中心：奥鹏教育中心 层次：高中起点专科 专业：电力系统自动化 年级： 学号： 学生姓名：杨
实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 答：1.了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 2.了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 3.学习并掌握TDS1002型数字存储示波器和信号源的基本操作方法。 二、基本知识 1．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 2．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答：1.输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号； 2.输出频率：10HZ~1HZ连续可调； 3.幅值调节范围：0~10Vp-p连续可调； 4.波形衰减：20db、40db； 5.带有6位数字频率计，即可作为信号源的输出监视仪表，也可以作为外侧频率计使用。 3．试述使用万用表时应注意的问题。 答：使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则： 1.若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 2.如果被测参数的范围未知，则选择所需功能的最大量程测量，根据粗侧结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加精准的数值。 如屏幕显示“1”，表明以超过量程范围，需将量程开关转至相应档位上。 3.在测量间歇期和实验结束后，不要忘记关闭电源。 三、预习题 1．正弦交流信号的峰-峰值=__2__×峰值，峰值=__√2__×有效值。 2．交流信号的周期和频率是什么关系？ 答：周期和频率互为倒数。T=1/f f=1/T
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
模拟电子技术基础第三版课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
模拟电子技术考试试题大全及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电 压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电 阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用 （）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= （）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大 小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点， 所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息 的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止
大连理工大学 《模拟电子线路实验》实验报告
网络高等教育 《模拟电子线路》实验报告 学习中心：咸阳远程网络教育学校奥鹏学习中心 层次：高中起点专科 . 专业：电力系统自动化技术 . 年级： 2015 年春季 . 学号 161586128155 . 学生姓名：惠伟 .
实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1．了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 2．了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 3．学习并掌握TDS1002 型数字存储示波器和信号源的基本操作方法。 二、基本知识 4．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答：模拟电子技术试验箱布线区：用来插接元件和导线，搭建实验电路。配有2 只8 脚集成电路插座和 1 只14 脚集成电路插座。结构及导电机制：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 5．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答：NEEL-03A 型信号源的主要技术特性： ①输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号； ②输出频率：10Hz~1MHz 连续可调； ③幅值调节范围：0~10VP-P 连续可调； ④波形衰减：20dB、40dB； ⑤带有 6 位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频率计用。 注意：信号源输出端不能短路。 6．试述使用万用表时应注意的问题。 答：应注意使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。确定量程的原则： ①若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 ②如果被测参数的范围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。如屏幕显示“1”，表明已超过量程范围，须将量程开关转至相应档位上。
模拟电子技术基础试题及复习资料
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)
例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( ) GS u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的 GS 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。 二、选择正确答案填人空内。 (1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。． A．变窄 B．基本不变 C．变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波
模拟电路期末试卷答案
――――――――――――――――――――――――――――――――――一．选择题（每小题2分，共20分） 1．稳压管是特殊的二极管，它一般工作在【】状态。【 C 】A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.饱和区 2．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的【】。【 B 】A.直流参数 B.交流参数 C.静态工作点 D.交流和直流参数 3．在放大电路中，场效应管应工作在【】。【 B 】A.可变电阻区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区 4．P 型半导体的多数载流子为【】。【 B 】A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5．工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运算的主要区别是，前者的运放通常工作在【 A 】A．开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 6．甲类功放效率低是因为【 B 】 A.只有一个功放管 B.静态电流过大 C.管压降过大 D.静态电流过小 7．直接耦合放大器放大倍数越大，零点漂移现象就越【 C 】A.轻 B.与放大倍数无关 C.严重 D.同或门 8．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入【 D 】 A.电压负反馈 B.交流负反馈 C.电流负反馈 D.直流负反馈 9．石英晶体振荡器的主要优点是【 B 】A．振幅稳定B．频率稳定度高 C．频率高 D.选频特性好 10．为了使高内阻信号源与低阻负载能够很好地配合，可以在信号源与低阻负载之间接入 【 C 】A．共射电路 B. 共基电路 C.共集电路 D. 共集-共基电路 二．填空题（每小题2分，共20分） 1．测得量三极管三个电极对地电位如图2所示， 试判断三极管的工作状态放大。 图2 2．晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 3.放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；容阻耦合变压器耦合。 4．工作在线性区的理想运放器，两个输入端的电位相等称为虚地。 5．正弦波振荡电路发生自激振荡的振幅平衡条件是。 6．迟滞比较器有二个门限电压。 7.在信号处理电路中，有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器。
模拟电子技术基础课后答案-沈任元
模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解：，，，，，。 2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD 1、VD 4 导通，VD 2 、VD 3 截止，
。 2-6 解： 2-8 解：1) ，，。2）， 。 2-11解：1） 2）；3）； 4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。 或，相当于半波整流滤波（无电容）。
2-12 解： 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。 4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。 10. __PNP___， ___锗___。 11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。 13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__，__小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态