文档视界 最新最全的文档下载
当前位置:文档视界 › 大学物理仿真实验教学系统中霍尔效应虚拟实验课件的设计实现

大学物理仿真实验教学系统中霍尔效应虚拟实验课件的设计实现

大学物理仿真实验教学系统中霍尔效应虚拟实验课件的设计实现
大学物理仿真实验教学系统中霍尔效应虚拟实验课件的设计实现

大学物理仿真实验——霍尔效应

大学物理实验报告 姓名:wuming 1目的:(1)霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 (2)测绘霍尔元件的V H—Is,V H—I M曲线,了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is,磁场应强度B及励磁电流I M之间的关系。 (3)学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 (4)学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 2简单的实验报告数据分析 (1)实验原理 霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如下图(1)所示,磁场B 位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。随着电荷积累的增加,f E增大,当两力大小相等(方向相反)时,f L=-f E,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H,相应的电势差称为霍尔电势V H。设电子按平均速度V,向图示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为: f L=-e V B 式中:e 为电子电量,V为电子漂移平均速度,B为磁感应强度。 同时,电场作用于电子的力为: f E H H eV eE- = - =l

霍尔效应实验报告98010

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz )、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 B e eE H v = 其中E H 称为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b , ? a

厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd ne t lbde n t q I S v =??=??= d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 比例系数R H =1/ne 称为霍尔系数。 1. 由R H 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。 2. 由R H 求载流子浓度n ,即 e R n H ?= 1 (4) 3. 结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ。 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = (5) 即σμ?=H R ,测出σ值即可求μ。 电导率σ可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间的电位差为V BC ,由下式求得σ。 S L V I BC BC s ?= σ(6) 二、实验中的副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得的霍尔电极A 、A′之间的电压为V H 与各副效应电压的叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 如图2所示,由于测量霍尔电压的A 、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧,位置不在一个理想的等势面上,Vo 可以通过改变Is 的方向予以消除。 (2)爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压V E 构成电流的载流子速度不同,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E ,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立,可以减小测量误差。 (3)能斯托效应—热磁效应直接引起的附加电压V N

大学物理仿真实验报告

实验名称:碰撞过程中守恒定律的研究 实验日期: 实验人: 1. 实验目的: 利用气垫导轨研究一维碰撞的三种情况,验证动量守恒和能量守恒定律。定量研究动量损失和能量损失在工程技术中有重要意义。同时通过实验还可提高误差分析的能力。 2. 实验仪器和使用: 实验仪器:主要有气轨、气源、滑块、挡光片、光电门、游标卡尺、米尺和光电计时装置等。 1.气垫导轨是以空气作为润滑剂,近似无摩擦的力学实验装置。导轨由优质三角铝合金管制成,长约 2m ,斜面宽度约7cm ,管腔约18.25cm ,一端密封,一端通入压缩空气。铝管向上的两个外表面钻有许多喷气小孔,压缩空气进入管腔后,从小孔喷出。导轨的一端装有滑轮,导轨的二端装有缓冲弹簧,整个导轨安装在工字梁上,梁下有三个支脚,调节支脚螺丝使气垫保持水平。 2.光电计时系统由光电门和数字毫秒计或电脑计时器构成。光电门安装在气轨上,时间由数字毫秒计或电脑计时器测量。 3.气源是向气垫导轨管腔内输送压缩空气的设备。要求气源有气流量大、供气稳定、噪音小、能连续工作的特点,一般实验室采用小型气源,气垫导轨的进气口用橡皮管和气源相连,进入导轨内的压缩空气,由导轨表面上的小孔喷出,从而托浮起滑块,托起的高度一般在0.1mm 以上。 3.实验原理: 如果一个力学系统所受合外力为零或在某方向上的合外力为零,则该力学系统总动量守恒或在某方向上守恒,即 i i v m ∑=恒量 (1) 实验中用两个质量分别为m 1、m 2的滑块来碰撞(图4.1.2-1),若忽略气流阻力,根据动量守恒有 2211202101v m v m v m v m +=+ (2) 对于完全弹性碰撞,要求两个滑行器的碰撞面有用弹性良好的弹簧组成的缓冲器,我们可用钢圈作完全弹性碰撞器;对于完全非弹性碰撞,碰撞面可用尼龙搭扣、橡皮泥或油灰;一般非弹性碰撞用一般金属如合金、铁等,无论哪种碰撞面,必须保证是对心碰撞。 当两滑块在水平的导轨上作对心碰撞时,忽略气流阻力,且不受他任何水平方向外力的影响,因此这两个滑块组成的力学系统在水平方向动量守恒。由于滑块作一维运动,式(2)中矢量v 可改成标量 , 的方向由正负号决定,若与所选取的坐标轴方向相同则取正号,反

用霍尔效应测量螺线管磁场 物理实验报告

华南师范大学实验报告 学生姓名 学 号 专 业 化学 年级、班级 课程名称 物理实验 实验项目 用霍尔效应测量螺线管磁场 实验类型 □验证 □设计 □综合 实验时间 2012 年 3 月 07 实验指导老师 实验评分 一、 实验目的: 1.了解霍尔效应现象,掌握其测量磁场的原理。 2.学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。 二、 实验原理: 根据电磁学毕奥-萨伐尔定律,通电长直螺线管线上中心点的磁感应强度为: 2 2 M D L I N B +??μ= 中心 (1) 理论计算可得,长直螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为内腔中部磁 感应强度的1/2: 2 2M D L I N 21B 21B +??μ? ==中心端面 (2) 式中,μ为磁介质的磁导率,真空中的磁导率μ0=4π×10-7 (T ·m/A),N 为螺线管的总匝数,I M 为螺线管的励磁电流,L 为螺线管的长度,D 为螺线管的平均直径。 三、 实验仪器: 1.FB510型霍尔效应实验仪 2.FB510型霍尔效应组合实验仪(螺线管) 四、 实验内容和步骤: 1. 把FB510型霍尔效应实验仪与FB510型霍尔效应组合实验仪(螺线管)正确连接。把励磁电流接到螺线 管I M 输入端。把测量探头调节到螺线管轴线中心,即刻度尺读数为13.0cm 处,调节恒流源2,使I s =4.00mA ,按下(V H /V s )(即测V H ),依次调节励磁电流为I M =0~±500mA ,每次改变±50mA, 依此测量相应的霍尔电压,并通过作图证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比。 2. 放置测量探头于螺线管轴线中心,即1 3.0cm 刻度处,固定励磁电流±500mA ,调节霍尔工作电流为:I s =0~ ±4.00mA ,每次改变±0.50mA ,测量对应的霍尔电压V H ,通过作图证明霍尔电势差与霍尔电流成正比。 3. 调节励磁电流为500mA ,调节霍尔电流为 4.00mA ,测量螺线管轴线上刻度为X =0.0cm~13.0cm ,每次移动 1cm ,测各位置对应的霍尔电势差。(注意,根据仪器设计,这时候对应的二维尺水平移动刻度读数为:13.0cm 处为螺线管轴线中心,0.0cm 处为螺线管轴线的端面,找出霍尔电势差为螺线管中央一半的数值的刻度位置。与理论值比较,计算相对误差。按给出的霍尔灵敏度作磁场分布B ~X 图。) 五、 注意事项: 图1

大学物理仿真实验报告

大学物理仿真实验报告 姓名: 学号: 班级:

实验-----利用单摆测量重力加速度 实验目的 利用单摆来测量重力加速度 实验原理 单摆的结构参考图1单摆仪,一级近似的周期公式为 由此通过测量周期摆长求重力加速度 实验仪器 单摆仪、摆幅测量标尺、钢球、游标卡尺 实验内容 一.用误差均分原理设计一单摆装置,测量重力加速度g. 设计要求: (1)根据误差均分原理,自行设计试验方案,合理选择测量仪器和方法. (2)写出详细的推导过程,试验步骤.

(3)用自制的单摆装置测量重力加速度g,测量精度要求△g/g < 1%. 可提供的器材及参数: 游标卡尺、米尺、千分尺、电子秒表、支架、细线(尼龙线)、钢球、摆幅测量标尺(提供硬白纸板自制)、天平(公用). 假设摆长l≈70.00cm;摆球直径D≈2.00cm;摆动周期T≈1.700s; 米尺精度△米≈0.05cm;卡尺精度△卡≈0.002cm;千分尺精度△千≈0.001cm;秒表精度△秒≈0.01s;根据统计分析,实验人员开或停秒表反应时间为0.1s左右,所以实验人员开,停秒表总的反应时间近似为△人≈0.2s. 二.对重力加速度g的测量结果进行误差分析和数据处理,检验实验结果是否达到设计 要求. 三.自拟实验步骤研究单摆周期与摆长,摆角,悬线的质量和弹性系数,空气阻力等因素 的关系,试分析各项误差的大小. 四.自拟试验步骤用单摆实验验证机械能守恒定律. 实验数据 摆线长+小球直径L=91.50cm

D(平均)=(1.750+1.752+1.744+1.740+1.749+1.748)÷6=1.7 47m R=D/2=0.850cm l=L-R=91.05cm t=95.91s,周期数n=50,周期T=1.92s 所以g=9.751 2ΔT/t=0.0022,ΔL/l=0.0005,所以Δg/g=0.27%,Δg=0.026 所以: g=(9.751±0.026) 实验结论与误差分析: 结论:g=(9.751±0.026),Δg/g=0.27%<1%,所以达到设计要求。 误差分析: 1.若θ>5°(即角度过大)因为T 与θ相关,当θ越大时T也越大,所以θ偏大,测量 值比值偏小。

北京大学物理实验报告:霍尔效应测量磁场(pdf版)

霍尔效应测量磁场 【实验目的】 (1) 了解霍尔效应的基本原理 (2) 学习用霍尔效应测量磁场 【仪器用具】 仪器名参数 电阻箱? 霍尔元件? 导线? SXG-1B毫特斯拉仪±(1% +0.2mT) PF66B型数字多用表200 mV档±(0.03%+2) DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源0~32V 0~2A Fluke 15B数字万用表电流档±(1.5%+3) Victor VC9806+数字万用表200 mA档±(0.5%+4) 【实验原理】 (1)霍尔效应法测量磁场原理 若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流I S(沿着x轴)的方向,如图1所示则在导体中垂直于B和I S方向将出现一个横向电位差U H,这个现象称之为霍尔效应。 图 1 霍尔效应示意图 若在x方向通以电流I S,在z方向加磁场B,则在y方向A、A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场.当载流子所受的横向电场力F E洛伦兹力F B相等时: q(v×B)=qE 此时电荷在样品中不再偏转,霍尔电势差就有这个电场建立起来。 N型样品和P型样品中建立起的电场相反,如图1所示,所以霍尔电势差有不同的符号,由此可以判断霍尔元件的导电类型。

设P型样品的载流子浓度为p,宽度为w,厚度为的d。通过样品电流I S=pqvwd,则空穴速率v=I S/pqwd,有 U H=Ew=I H B =R H I H B =K H I H B 其中R H=1/pq称为霍尔系数,K H=R H/d=1/pqd称为霍尔元件灵敏度。(2)霍尔元件的副效应及其消除方法 在实际测量过程中,会伴随一些热磁副效应,这些热磁效应有: 埃廷斯豪森效应:由于霍尔片两端的温度差形成的温差电动势U E 能斯特效应:热流通过霍尔片在其端会产生电动势U N 里吉—勒迪克效应:热流通过霍尔片时两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势U R 除此之外还有由于电极不在同一等势面上引起的不等位电势差U0 为了消除副效应,在操作时我们需要分别改变IH和B的方向,记录4组电势差的数据 当I H正向,B正向时:U1=U H+U0+U E+U N+U R 当I H负向,B正向时:U2=?U H?U0?U E+U N+U R 当I H负向,B负向时:U3=U H?U0+U E?U N?U R 当I H正向,B负向时:U4=?U H+U0?U E?U N?U R 取平均值有 1 (U1?U2+U3?U4)=U H+U E≈U H (3)测量电路 图 2 霍尔效应测量磁场电路图 霍尔效应的实验电路图如图所示。I M是励磁电流,由直流稳流电源E1提供电流,用数字万用表安培档测量I M。I S是霍尔电流,由直流稳压电源E2提供电流,用数字万用表毫安档测量I S,为了保证I S的稳定,电路中加入电阻箱R进行微调。U H是要测的霍尔电压,接入高精度的数字多用表进行测量。 根据原理(2)的说明,在实验中需要消除副效应。实际操作中,依次将I S、 I M的开关K1、K2置于(+,+)、(?,+)、(?,?)、(+,?)状态并记录U i即可,其 中+表示正向接入,?表示反向接入。

霍尔效应实验数据及曲线

表1 测绘Vh-Is实验曲线数据记录表(Im=0.500A) Is(mA)V1(Mv)V2(Mv)V3(Mv)V4(Mv) Vh=(|V1|+|V2|+|V3|+|V4|)/4 +B,+Is-B,+Is-B,-Is+B,-Is 0.50.64-0.370.37-0.630.5025 1 1.28-0.740.75-1.271 1.5 1.91-1.11 1.12-1.9 1.53 2 2.53-1.48 1.49-2.52 2.005 2.5 3.16-1.86 1.87-3.15 2.51 3 3.79-2.2 4 2.25-3.77 3.0125 3.5 4.42-2.61 2.62-4.39 3.51 4 5.03-2.99 3.01-5.01 4.01 Vh-Is实验曲线 表2 测绘Vh-Im实验曲线数据记录表 Im(mA)V1(Mv)V2(Mv)V3(Mv)V4(Mv) Vh=(|V1|+|V2|+|V3|+|V4|)/4 +B,+Is-B,+Is-B,-Is+B,-Is

0.1 1.380.16-0.15-1.360.7625 0.2 1.980.44-0.43-1.96 1.2025 0.3 2.59 1.04-1.03-2.57 1.8075 0.4 3.18 1.64-1.63-3.16 2.4025 0.5 3.79 2.25-2.23-3.77 3.01 表3 测绘Vh-X实验曲线数据记录表 X V1(Mv)V2(Mv)V3(Mv)V4(Mv)Vh=(|V1|+|V2|+|V3|+|V4|)/4 Vh 0 2.12-0.570.59-2.09 1.3425 1 2.92-1.37 1.39-2.89 2.1425 2 3.38-1.82 1.85-3.35 2.6 3 3.58-2.03 2.06-3.56 2.8075 4 3.68-2.12 2.06-3.6 5 2.8775 5 3.73-2.17 2.2-3.7 2.95 6 3.76-2.2 2.23-3.73 2.98 8 3.77-2.21 2.24-3.74 2.99

大学物理实验报告霍尔效应

大学物理实验报告霍尔效应 一、实验名称:霍尔效应原理及其应用二、实验目的:1、了解霍尔效应产生原理;2、测量霍尔元件的、曲线,了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系;3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法,测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布;4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具:YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理:1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图1 所示。半导体样品,若在x 方向通以电流,在z 方向加磁场,则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场,电场的指向取决于样品的导电类型。显然,当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积,电场不断加强,直到样品两侧电荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场,是载流子在电流方向上的平均漂移速度;样品的宽度为,厚度为,载流子浓度为,则有:(1-1) 因为,,又根据,则(1-2)其中称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和,可按下式计算:(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。 根据RH 可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+,+),若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位),则样品属N 型,反之为P 型。(2)由求载流子浓度,即。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系:(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应,使的测量产生系统误差,如图 2 所示。 (1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v 沿y 轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3 的侧面,从而导致3 侧面较4 侧面集中较多能量高的电子,结果3、4 侧面出现温差,产生温差电动势。 可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2 间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2 两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在 3、4 点间形成电势差。 若只考虑接触电阻的差异,则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4 点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关,而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4 两点实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿x 方向流过,即使没有磁场,3、4 两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关,而与的方向无关。综上所述,在确定的磁场和电流下,实际测出的电压是霍尔

大学物理仿真实验报告-碰撞与动量守恒

大学物理仿真实验报告 实验名称 碰撞与动量守恒 班级: 姓名: 学号: 日期:

碰撞和动量守恒 实验简介 动量守恒定律和能量守恒定律在物理学中占有非常重要的地位。力学中的运动定理和守恒定律最初是冲牛顿定律导出来的,在现代物理学所研究的领域中存在很多牛顿定律不适用的情况,例如高速运动物体或微观领域中粒子的运动规律和相互作用等,但是能量守恒定律仍然有效。因此,能量守恒定律成为了比牛顿定律更为普遍适用的定律。 本实验的目的是利用气垫导轨研究一维碰撞的三种情况,验证动量守恒和能量守恒定律。定量研究动量损失和能量损失在工程技术中有重要意义。同时通过实验还可提高误差分析的能力。 实验原理 如果一个力学系统所受合外力为零或在某方向上的合外力为零,则该力学系统总动量守恒或在某方向上守恒,即 (1) 实验中用两个质量分别为m1、m2的滑块来碰撞(图),若忽略气流阻力,根据动量守恒有 (2) 对于完全弹性碰撞,要求两个滑行器的碰撞面有用弹性良好的弹簧组成的缓冲器,我们可用钢圈作完全弹性碰撞器;对于完全非弹性碰撞,碰撞面可用尼龙搭扣、橡皮泥

或油灰;一般非弹性碰撞用一般金属如合金、铁等,无论哪种碰撞面,必须保证是对心碰撞。 当两滑块在水平的导轨上作对心碰撞时,忽略气流阻力,且不受他任何水平方向外力的影响,因此这两个滑块组成的力学系统在水平方向动量守恒。由于滑块作一维运动,式(2)中矢量v可改成标量,的方向由正负号决定,若与所选取的坐标轴方向相同则取正号,反之,则取负号。 1.完全弹性碰撞 完全弹性碰撞的标志是碰撞前后动量守恒,动能也守恒,即 (3) (4) 由(3)、(4)两式可解得碰撞后的速度为 (5) (6) 如果v20=0,则有 (7) (8) 动量损失率为 (9) 能量损失率为 (10)

大学物理实验报告系列之霍尔效应-大物霍尔效应实验报告Word版

【实验名称】霍尔效应 【实验目的】 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2.学习用“对称测量法”消除付效应的影响,测量试样的VH—IS;和VH—IM 曲线。 3.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 【实验仪器】 霍尔效应实验仪 【实验原理】霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场。 对于图1(a)所示的N型半导体试样,若在X方向通以电流1s,在Z方向加磁场B,试样中载流子(电子)将受洛仑兹力 F B = e v B (1) 则在Y方向即试样A、A'电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场一霍尔电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对N型试样,霍尔电场逆Y方向,P型试样则沿Y方向,有: Is (X)、 B (Z) E H (Y) <0 (N型) E H (Y) >0 (P型) 显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H eE与 洛仑兹力eVB相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 H eE= B v e(2) 其中 H E为霍尔电场,v是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n,则 bd v ne Is=(3)由(2)、(3)两式可得 d B I R d B I ne b E V S H S H H = = = 1 (4) 即霍尔电压 H V(A、A'电极之间的电压)与IsB乘积成正比与试样厚度成反比。 比例系数 ne R H 1 =称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数, 整理为word格式

霍尔效应实验报告(DOC)

大学 本(专)科实验报告 课程名称: 姓名: 学院: 系: 专业: 年级: 学号: 指导教师: 成绩: 年月日

? (实验报告目录) 实验名称 一、实验目的和要求 二、实验原理 三、主要实验仪器 四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据处理与分析 六、质疑、建议

霍尔效应实验 一.实验目的和要求: 1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. 2、测绘霍尔元件的s H I V -,M H I V -曲线了解霍尔电势差H V 与霍尔元件控制(工作)电流s I 、励磁电流M I 之间的关系。 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 4、判断霍尔元件载流子的类型,并计算其浓度和迁移率。 5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二.实验原理: 1、霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应,从本质上讲,霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。 如右图(1)所示,磁场B 位于Z 的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X 正向通以电流s I (称为控制电流或工作电流),假设载流子为电子(N型半 导体材料),它沿着与电流s I 相反的X负向运动。 由于洛伦兹力L f 的作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B 侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A 侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力E f 的作用。随着电荷积累量的增加,E f 增大,当两力大小相等(方向相反)时,L f =-E f ,则电子积累便达到动态平衡。这时在A 、B 两端面之间建立的电场称为霍尔电场H E ,相应的电势差称为霍尔电压H V 。 设电子按均一速度V 向图示的X 负方向运动,在磁场B 作用下,所受洛伦兹力为L f =-e V B 式中e 为电子电量,V 为电子漂移平均速度,B 为磁感应强度。 同时,电场作用于电子的力为 l eV eE f H H E /-=-= 式中H E 为霍尔电场强度,H V 为霍尔电压,l 为霍尔元件宽度

大学物理仿真实验报告牛顿环分析

大学物理仿真实验报告 实验名称:牛顿环法测曲率半径实验日期: 专业班级: 姓名:学号: 教师签字:________________ 一、实验目的 1.学会用牛顿环测定透镜曲率半径。 2.正确使用读书显微镜,学习用逐差法处理数据。 二、实验仪器 牛顿环仪,读数显微镜,钠光灯,入射光调节架。 三、实验原理 如图所示,在平板玻璃面DCF上放一个曲率半径很大的平 凸透镜ACB,C点为接触点,这样在ACB和DCF之间,形 成一层厚度不均匀的空气薄膜,单色光从上方垂直入射到 透镜上,透过透镜,近似垂直地入射于空气膜。分别从膜 的上下表面反射的两条光线来自同一条入射光线,它们满 足相干条件并在膜的上表面相遇而产生干涉,干涉后的强 度由相遇的两条光线的光程差决定,由图可见,二者的光 程差等于膜厚度e的两倍,即 此外,当光在空气膜的上表面反射时,是从光密媒质射向光疏媒质,反射光不发生相位突变,而在下表面反射时,则会发生相位突变,即在反射点处,反射光的相位与入射光的相位之间相差π,与之对应的光程差为λ/2 ,所以相干的两条光线还具有λ/2的附加光程差,总的光程差为(1) 当?满足条件(2)时,发生相长干涉,出现第K级亮纹,而当(k = 0,1,2…)(3)时,发生相消干涉,出现第k级暗纹。因为同一级条纹对应着相同的膜厚,所以干涉条纹是一组等厚度线。可以想见,干涉条纹是一组以C点为中心的同心圆,这就是所谓的牛顿环。

如图所示,设第k级条纹的半径为,对应的膜厚度为,则 (4) 在实验中,R的大小为几米到十几米,而的数量级为毫米,所以R >> e k,e k2相对于2Re k是一个小量,可以忽略,所以上式可以简化为 (5) 如果r k是第k级暗条纹的半径,由式(1)和(3)可得 (6) 代入式(5)得透镜曲率半径的计算公式 (7) 对给定的装置,R为常数,暗纹半径 (8) 和级数k的平方根成正比,即随着k的增大,条纹越来越细。 同理,如果r k是第k级明纹,则由式(1)和(2)得 (9) 代入式(5),可以算出(10)由式(8)和(10)可见,只要测出暗纹半径(或明纹半径),数出对应的级数k,即可算出R。

大学物理实验教案-霍尔效应 (1)

大学物理实验教案

实验名称:霍尔效应 实验目的: 1、了解霍尔效应原理。 2、了解霍尔电势差V H 与霍尔元件工作电流s I 之间的关系,了解霍尔电势差V H 与励磁电流m I 之 间的关系。 3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 4、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 的原理和方法。 实验仪器: TH-H 霍尔效应实验仪 TH-H 霍尔效应测试 实验原理: 一、霍尔效应原理 若将通有电流的导体置于磁场B 之中,磁场B (沿z 轴)垂直于电流S I (沿x 轴)的方向,如图所示,则在导体中垂直于B 和S I 的方向上出现一个横向电势差H U ,这个现象称为霍尔效应。 这一效应对金属来说并不显著,但对半导体非常显著。利用霍尔效应可以测定载流子浓度、载流子迁移率等重要参数,是判断材料的导电类型和研究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率,以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。 霍尔电势差产生的本质,是当电流S I 通过霍尔元件(假设为P 型,即导电的载流子是空穴。)时,空穴有一定的漂移速度v ,垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力

()B q =?F v B (1) 式中q 为载流子电荷。洛沦兹力使载流子产生横向的偏转,由于样品有边界,所以有些偏转的载流子将在边界积累起来,产生一个横向电场E ,直到电场对载流子的作用力F E =q E 与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止,即 ()q q ?=v B E (2) 这时载流子在样品中流动时将不偏转地通过霍尔元件,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是N 型样品,即导电的载流子是电子,则横向电场与前者相反,所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。 设P 型样品的载流子浓度为n ,宽度为b ,厚度为d 。通过样品电流nevbd I S =,则空穴的速度nebd I v S = ,代入(2)式有 nebd B I S = ?=B v E (3) 上式两边各乘以b ,便得到 S S H H I B I B V Eb R ned d == = (4) 霍尔电压H V ( A 、A '之间电压)与S I 、B 的乘积成正比,与霍尔元件的厚度d 成反比,比例系数H R ,称为霍尔系数。它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。 H H S V d 1 R I B ne = = (5) 在应用中一般写成 H H S V K I B = (6) 比例系数ned 1 I R K S H H = = ,称为霍尔元件灵敏度,单位为mV/(mA ·T)。一般要求H K 愈大愈好。H K 与载流子浓度n 成反比,半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小,所以选用半导体材料作为霍尔元件。H K 与片厚d 成反比,所以霍尔元件都做的很薄,一般只有0.2mm 厚。 由(4)式可以看出,知道了磁感应强度B ,只要分别测出传导电流S I 及霍尔电势差H V ,就可算出霍尔系数H R 和霍尔元件灵敏度H K 。

霍尔效应实验报告

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学得迅速发展,霍尔系数与电导率得测量已成为研究半导体材料得主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料得霍尔系数与电导率可以判断材料得导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中得载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流与磁场得方向会产生一附加得横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但就是测定半导体材料电学参数得主要手段,而且随着电子技术得发展,利用该效应制成得霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制与信息处理等方面. 【实验目得】 1.通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件得基本结构; 2.学会测量半导体材料得霍尔系数、电导率、迁移率等参数得实验方法与技术; 3.学会用“对称测量法"消除副效应所产生得系统误差得实验方法。 4.学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布. 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲就是运动得带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起得偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流与磁场得方向上产生正负电荷得聚积,从而形成附加得横向电场。如图1所示.当载流子所受得横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷得积累就达到平衡,故有

? 其中EH 称为霍尔电场,就是载流子在电流方向上得平均漂移速度。设试样得宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n ,则 ? ? ? 比例系数R H=1/n e称为霍尔系数. 1. 由RH 得符号(或霍尔电压得正负)判断样品得导电类型。 2. 由R H求载流子浓度n ,即 (4) 3. 结合电导率得测量,求载流子得迁移率. 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率之间有如下关系 (5) 即,测出值即可求。 电导率可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间得电位差为VBC ,由下式求得。 (6) 二、实验中得副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应得同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得得霍尔电极A 、A′之间得电压为V H 与各副效应电压得叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 图1、 霍尔效应原理示意图,a)为N 型(电子) b)为P 型(孔穴)

大学物理仿真实验实验报告 超声波测声速

大学物理仿真实验实验报告 试验日期: 实验者: 班级: 学号: 超声波测声速 一实验原理 由波动理论可知,波速与波长、频率有如下关系:v = f λ,只要知道频率和波长就可以求出波速。本实验通过低频信号发生器控制换能器,信号发生器的输出频率就是声波频率。声波的波长用驻波法(共振干涉法)和行波法(相位比较法)测量。下图是超声波测声速实验装置图。 驻波法测波长 由声源发出的平面波经前方的平面反射后,入射波与发射波叠加,它们波动方程分 别是:

叠加后合成波为: 的各点振幅最大,称为波腹,对应的位置: ( n =0,1,2,3……) 的各点振幅最小,称为波节,对应的位置: ( n =0,1,2,3……) 二实验仪器 1)声速的测量实验仪器 包括超声声速测定仪、函数信号发生器和示波器 2)超声声速测定仪 主要部件是两个压电陶瓷换能器和一个游标卡尺。 3)函数信号发生器 提供一定频率的信号,使之等于系统的谐振频率。 4)示波器 示波器的x, y轴输入各接一个换能器,改变两个换能器之间的距离会影响示波器上的图形。并由此可测得当前频率下声波的波长,结合频率,可以求得空气中的声速。 三实验内容 1.调整仪器使系统处于最佳工作状态。 2.用驻波法(共振干涉法)测波长和声速。 3.用相位比较法测波长和声速。

*注意事项 1.确保换能器S1和S2端面的平行。 2.信号发生器输出信号频率与压电换能器谐振频率f 0保持一致。 三 数据记录与处理 1. 基础数据记录 谐振频率=33.5kHz 2. 驻波法测量声速 λ的平均值:==∑=1 6i i λλ 1.0585(cm ) λ的不确定度: ) 1()(6 1 2 --= ∑=i i S i i λλ λ=0.002(cm ) 因为,λi = (1i+6-1i ) /3,Δ仪=0.02mm 所以,=仪?= 3 32λu 0.000544(cm ) =+=22λ λλσu S 0.021(mm ) 计算声速: 50.354==λυf (m/s ) 计算不确定度: (m/s) 3)()((kHz) 2.03 %122=+==?= f f f f λσσσσλυ 实验结果表示:υ=(354±3)m/s ,=0.8% 3. 相位比较法测量声速

霍尔效应实验报告

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz )、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 B e eE H v 其中E H 称为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则 图1. 霍尔效应原理示意图,a )为N 型(电子) b )为P 型(孔穴) f e f m v -e E H A / A B C I S V mA B a +e E H f e f m v I S B b l d b

霍尔效应实验报告

南昌大学物理实验报告 课程名称:普通物理实验(2) 实验名称:霍尔效应 学院:专业班级: 学生姓名:学号: 实验地点:座位号: 实验时间:

一、 实验目的: 1、了解霍尔效应法测磁感应强度S I 的原理和方法; 2、学会用霍尔元件测量通电螺线管轴向磁场分布的基本方法; 二、 实验仪器: 霍尔元件测螺线管轴向磁场装置、多量程电流表2只、电势差计、滑动变阻 器、双路直流稳压电源、双刀双掷开关、连接导线15根。 三、 实验原理: 1、霍尔效应 霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。 当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横加电场,即霍尔电场H E . 如果H E <0,则说明载流子为电子,则为n 型试样;如果H E >0,则说明载流子为空穴,即为p 型试样。 显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场

力e H E 与洛仑磁力B v e 相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有: e H E =-B v e 其中E H 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均速度。若试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd v ne I = 由上面两式可得: d B I R d B I ne b E V S H S H H == =1 (3) 即霍尔电压H V (上下两端之间的电压)与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。比列系数ne R H 1 = 称为霍尔系数,它是反应材料霍尔效应强弱的重要参量。只要测出H V 以及知道S I 、B 和d 可按下式计算H R : 410?= B I d V R S H H 2、霍尔系数H R 与其他参量间的关系 根据H R 可进一步确定以下参量: (1)由H R 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别方法是电压为负,H R 为负,样品属于n 型;反之则为p 型。 (2)由H R 求载流子浓度n.即e R n H 1 = 这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。 (3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = 即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。 3、霍尔效应与材料性能的关系

霍尔效应实验报告

大学物理实验报告 课程名称:普通物理实验(2) 实验名称:霍尔效应 学院:专业班级: 学生:学号: 实验地点:座位号: 实验时间:

一、 实验目的: 1、了解霍尔效应法测磁感应强度S I 的原理和方法; 2、学会用霍尔元件测量通电螺线管轴向磁场分布的基本方法; 二、 实验仪器: 霍尔元件测螺线管轴向磁场装置、多量程电流表2只、电势差计、滑动变阻 器、双路直流稳压电源、双刀双掷开关、连接导线15根。 三、 实验原理: 1、霍尔效应 霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。 当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横加电场,即霍尔电场H E . 如果H E <0,则说明载流子为电子,则为n 型试样;如果H E >0,则说明载流子为空穴,即为p 型试样。 显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场

力e H E 与洛仑磁力B v e 相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有: e H E =-B v e 其中E H 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均速度。若试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd v ne I = 由上面两式可得: d B I R d B I ne b E V S H S H H == =1 (3) 即霍尔电压H V (上下两端之间的电压)与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。比列系数ne R H 1 = 称为霍尔系数,它是反应材料霍尔效应强弱的重要参量。只要测出H V 以及知道S I 、B 和d 可按下式计算H R : 410?= B I d V R S H H 2、霍尔系数H R 与其他参量间的关系 根据H R 可进一步确定以下参量: (1)由H R 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别方法是电压为负,H R 为负,样品属于n 型;反之则为p 型。 (2)由H R 求载流子浓度n.即e R n H 1 = 这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。 (3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = 即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。 3、霍尔效应与材料性能的关系

相关文档
相关文档 最新文档