半导体工艺半导体制造工艺试题库1 答案
一、填空题（每空1分，计31分）
1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有 吸附法 和 精馏法 。
2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有 湿法腐蚀 和 干法腐蚀 。
3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 缩颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有 化学抛光 、 机械抛光 和 化学机械抛光 。
4、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。
5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以 间隙式 （空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为 快扩散 （快扩散或慢扩散）杂质。
6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布函数 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差分布函数 。
7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 R P 处。
8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。
9、根据分凝现象，若K 0＞1，则分凝后杂质集中在 尾部 （头部或尾部）；若K 0＜1，则杂质分凝后集中在 头部 （同上）。
10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为 掺氯氧化 。 11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是 干氧氧化 方法。
12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是 氢气流量保险装置 和 温度保险装置 。 13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 椭圆偏振光法 。 14、固态源硼扩散中常用的硼源是 氮化硼 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷 。 15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL 电路 隐埋层 的锑扩散。
二、选择题（每题2分，单项多项均有，计12分）
1、 在SiO 2网络中，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（ A ） （A ）疏松 （B ）紧密 （C ）视磷元素剂量而言
2、 在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A 、B 、C 、D ）
（A ） 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 （B ） 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。 （C ） 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 （D ） 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、离子注入设备的组成部分有（A 、B 、C 、D ）
（A ）离子源 （B ）质量分析器 （C ）扫描器 （D ）电子蔟射器 4、CVD 淀积法的特点有（A 、C 、D ）
（A ）淀积温度比较低 （B ）吸附不会影响淀积速度
（C ）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 （D ）样品本身不参与化学反应
5、 工艺中消除沟道效应的措施有（A 、B 、C 、D ）
（A ）增大注入剂量 （B ）增大注入速度 （C ）增加靶温 （D ）通过淀积膜注入 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A 、B 、C ） （A ）硼酸三甲脂 （B ）硼酸三丙脂 （C ）三溴化硼 （D ）三氯氧磷
三、判断（每题1分，计10分）
1、Ⅰ号液是碱性过氧化氢清洗液。 （ R ）
2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。 （ R ）
3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。 （ R ）
4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。 （ R ）
5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。 （ F ）
6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。 （ R ）
7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。 （ F ）
8、二氧化硅中的宏观缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。 （ R ）
9、氮化硼（BN ）是常用的固态硼杂质扩散源。 （ R ） 10、用四探针法可以测试扩散后的结深。 （ R ）
四、名词解释（每题5分，计20分）
1、杂质分凝
答：杂质在晶体中有一定分布，在固态中和液态中的分布又不一样，在晶体提纯时，利用杂质在晶体固态和液态的分布不一样，进行提纯，将杂质集中在晶体的头部或尾部，达到提纯的
装
订
班级 姓名
学号
成绩 －
学年第 学期 半导
第 学期 半导体制造工艺
半
导体制造工艺
目的。
2、鸟嘴效应
答：硅氧化成二氧化硅后体积会膨胀，所以窗口经热氧化会形成高度为0.55z ox的台阶。而掩蔽氧化的Si3N4-SiO2图形周边由于受上述台阶的影响而向上翘起，形成所谓的鸟嘴效应。
3、沟道效应
答：在单晶硅中，晶体原子都是严格按照周期性排列，若注入离子垂直入射，离管道两边的硅原子距离都较远，所以受到硅原子碰撞的几率就很小，离子主要以电子碰撞为主，这样，其能力损失就很微弱，离子射程就很深，这句是沟道效应。
4、溅射
答：溅射是制备薄膜的一种方式，它是通过在真空系统中，采用辉光放电，产生等离子体，然后轰击溅射源材料，将源材料上的靶原子打出，沉积在衬底上，从而在衬底上得到一层满足要求的薄膜。
五、简答题（每题8分，计16分）
1、请阐述离子注入掺杂法的优点（至少4点）
答：（1）低温工艺；（2分）
（2）离子通过精细筛选，掺杂纯度高；（2分）
（3）掺杂浓度不受固溶度的限制；（2分）
（4）对注入掩蔽膜的选择较广；（2分）
2、简述进行硅化反应的原因、步骤及原理。
答：金属Al与半导体之间的接触不是很好，接触电阻大，为了改善金属与半导体之间的接触，常常通过在硅表面形成一层金属硅化物，与金属形成合金，以提高接触性能；（3分）
W+2Si Wsi2 （2分）
制备过程：在半导体表面，通过蒸发工艺淀积一层金属W，通过合金，形成金属硅化物，然后再在表面淀积金属铝层，形成金属互联线。（3分）六、计算题（11分）
已知硅n型外延层的电阻率为0.5Ω·㎝，现用硼离子注入法来形成基区，其能量为60keV，若注入剂量为1015cm-2,试求注入的峰值浓度、结深及注入离子的平均浓度。(注：由E~△ＲP
曲线可得，当E为60 keV时，查表知△ＲP值为0.05μm。)
解：由能量为６０Ｋev，可得：△ＲP=0.05μm （1分）
则有N max=0.4Q0/△ＲP=0.4×1×1015/0.05×10-4=8×1019 （3分）
又△ＲP≈0.3ＲP
故：ＲP=△ＲP/0.3≈0.17μm （2分）
又N b=2×1016, 则有
Z j=ＲP+1.414△ＲP(ln(N max/ N b))1／2
=0.7×10-6+10414×0.05×10-6(ln(8×1019/2×1016)) 1／2
=0.86μm （3分）
注入离子的平均浓度为：
Q0/ Z j=1×1015/0.86×10-4（2分）
《机械制造工艺学》考试试题.doc
《机械制造工艺学》考试试题 试卷一 一、判断题（正确的在题后括号内划“√”，错误的划“×”。每小题1分，共10分） 1．劳动生产率是指用于制造单件合格产品所消耗的劳动时间。 ( ) 2．在尺寸链中必须有增环。 ( ) 3．成批生产轴类零件时。机械加工第一道工序一般安排为铣两端面、钻中心孔。 ( ) 4．箱体零件多采用锻造毛坯。 ( ) 5．采用试切法加工一批工件，其尺寸分布一般不符合正态分布。 ( ) 6．零件的表面粗糙度值越低，疲劳强度越高。 ( ) 7．在机械加工中，一个工件在同一时刻只能占据一个工位。 ( ) 8．误差复映是由于工艺系统受力变形所引起的。 ( ) 9．用六个支承点就可使工件实现完全定位。 ( ) 10．成组技术的主要依据是相似性原理。 ( ) 二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中选出一个正确的答案，并将正确答案的标号填在题干的括号内，每小题1分，共15分） 1．基准是（ ）。 A ．用来确定生产对象上几何要素关系的点、线、面 B ．在工件上特意设计的测量点 C ．工件上与机床接触的点 D ．工件的运动中心 2．ES i 表示增环的上偏差，EI i 表示增环的下偏差，ES j 表示减环的上偏差，EI j 表示减环的下偏差，M 为增环的数目，N 为减环的数目，那么，封闭环的上偏差为（ ）。 A ．∑∑==+N j j M i i ES ES 11 B ．∑∑==-N j j M i i ES ES 11 C ．∑∑==+N j j M i i EI ES 11 D ．∑∑==-N j j M i i EI ES 11 3．精加工淬硬丝杠时，常采用（ ）。 A ．精密螺纹车床车削螺纹 B ．螺纹磨床磨削螺纹 C ．旋风铣螺纹 D ．普通车床车螺纹 4．磨削加工中，大部分切削热传给了（ ）。
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程 试题2016
一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。 淀积 20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。
机械制造工艺学试卷答案(精)
一、单项选择题（本大题共10 小题，每小题1分，共10分） 1. 加工套类零件的定位基准是（ D ）。 A.端面 B.外圆 C.内孔 D.外圆或内孔 2. 磨刀、调刀、切屑、加油属于单位时间哪部分。（ C ） A.基本 B.辅助 C.服务 D.休息 3. 车床主轴轴颈和锥孔的同轴度要求很高，常采用（ B ）来保证。 A.基准重合 B.互为基准 C.自为基础 D.基准统一 4. 平键连接中，传递转矩是依靠键与键槽的（ C ）。 A.上、下平面 B.两端面 C.两侧面 D.两侧面与底面 5. 常用的光整加工的方法中只能减少表面粗糙度的是（ C ）。 A.研磨 B.高光洁度磨削 C.超精加工 D.珩磨 6. 轴类零件加工时最常用的定位基准是（ C ）。 A.端面 B.外圆面 C.中心孔 D.端面和外圆面 7. 轴类零件定位用的顶尖孔是属于（ A ）。 A.精基准 B.粗基准 C.互为基准 D.自为基准 8. 定位消除的自由度少于六个，但满足加工精度要求的定位称为（ B ）。 A.完全定位 B.不完全定位 C.过定位 D.欠定位 9. 试指出下列刀具中，哪些刀具的制造误差不会直接影响加工精度（ B ）。 A.齿轮滚刀 B.外圆车刀 C.成形铣刀 D.键槽铣刀 10. 车削时，车刀刀尖运动轨迹若平行于工件轴线，则不为（C ）。 A.车外圆 B.车螺纹 C.车圆锥面 D. 车孔 二、判断题（判断对错并改正。本大题共10小题，每小题2分，共20分） 11. 铰孔可以提高孔的尺寸精度、减小孔表面粗糙度，还可以对原孔的偏斜进行修正。（错） 正确答案: 做不到对原孔的偏斜进行修正。 12. 所有零件在制定工艺过程时都应划分加工阶段。（错） 正确答案:看具体情况而定。 13. 钻出的孔一般应经扩孔或半精镗等半精加工，才能进行铰孔。（对） 14. 拉孔前工件须先制出预制孔。（对） 15. 不完全定位消除的自由度少于六个，没有满足加工精度要求。（错）正确答案: 满足加工精度要求。 16. 同种磨料制成的各种砂轮，其硬度相同。（错） 正确答案:可能相同，也可能不同。 17. 单件、小批生产宜选用工序集中原则。（对）
《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲
《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲 课程类别：技术基础必修课课程代码：BT1410_2 总学时：总学时48 （双语讲授48） 适用专业：微电子制造工程 先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础 一、课程的地位、性质和任务 本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。其作用与任务是：使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识，初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。 二、课程教学的基本要求 1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法； 2.掌握半导体制造技术的基本工艺（硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注 入、金属化、化学机械平坦化）及其设备； 3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。 三、课程主要内容与学时分配 1、半导体制造概述3学 时 半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容 2、硅材料制备3学 时 直拉法、区熔法 3、氧化4学时 氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉 4、淀积5学 时 物理淀积与化学气相淀积（CVD）、淀积工艺、CVD淀积系统 5、光刻8学 时 光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。 6、刻蚀4学 时 刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器 7、离子注入3学 时 扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机 8、金属化4学时 金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺 9、化学机械平坦化（CMP）2学时 传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用
机械制造工艺学实训报告
百度文库 机械制造工艺学实训报告传动轴加工工艺规程制定
实训任务：制定以下零件小批量试制的加工工艺规程 材料：45#钢热处理：调质处理 零件的分析 （一）零件结构工艺性分析 由实训题目可知，该轴是减速器的一个传动轴。传动轴与机构中的其他零件通过间隙配合相结合，具有传递力矩，转矩和扭矩等作用。从零件图上看，该零件是典型的轴类零件，结构比较简单，结构呈阶梯状，属于阶梯轴，尺寸精度，形位精度要求均较高。其主要加工的面有Φ45mm、Φ56mm、Φ67mm、Φ55mm、Φ44mm和Φ35mm的外圆柱面及2个键槽。 （二）零件技术要求分析 ①两个Φ45r6的圆柱面μm; Φ55k7的圆柱面和Φ35h7的圆柱面Ra均为μm且Φ55k7外圆轴线和Φ35h7外圆轴线均与基准轴线同轴 ②Φ56左端面、Φ67右端面、Φ55右端面和Φ44右端面的Ra均为μm ；其中
Φ56左端面和Φ55右端面均对Φ55k7和Φ55k7的轴线端面圆跳动公差为。Φ67右端面和Φ44右端面均对Φ55k7和Φ55k7的轴线端面圆跳动公差为。 ③键槽16和10：IT9；侧面μ m ； ④材料40钢，热处理：调质处理。 毛坯的选择 轴类零件最常用的毛坯是棒料和锻件，只有某些大型或结构复杂的轴（如曲轴），在质量允许下采用锻件。由于毛坯经过加热，锻造后能使金属内部的纤维组织表面均与分布，可获得较高的抗拉，抗弯及抗扭强度，所以除光轴外直径相差不大的阶梯轴可使用热轧棒料或冷轧棒料，一般比较重要的轴大部分都采用锻件，这样既可以改善力学性能，又能节约材料，减少机械加工量。根据生产规模的大小，毛坯的锻造方式有自由锻和模锻。自由锻多用于中小批量生产。模锻适用于大批量生产，而且毛坯制造精度高，加工余量小，生产效率高，可以锻造形状复杂的毛坯。 故综合考虑本设计实际情况，选用冷轧圆钢作为毛坯。 （一）毛坯形状及尺寸的确定 分析零件图可知，轴为阶梯轴，没有斜度，传动轴的外圆直径相差不大（最小端为35mm， 最大端为67mm），故选用棒料。从生产类型来看为小批量试制生产，因此综合考虑选用Φ75mm 的，长度为307mm的冷轧圆钢作为毛坯。 （二）定位基准的选择 ①粗基准的选择：按照粗基准的选择原则，应选择次要加工表面为粗基准。又考虑到台阶轴的工艺特点，所以选择外圆端面为粗基准面。 ②精基准的选择：按照基准重合原则及加工要求，以Φ55k7外圆轴线和Φ35h7外圆轴线为基准，加工内孔时的定位基准为Φ35h7外圆中心。 零件表面加工方法的选择 当零件的加工质量要求较高时,往往不可能用一道工序来满足要求,而要用几道工序逐 步达到所要求的加工质量和合理地使用设备、人力。 零件的加工过程通常按工序性质不同,可以分为粗加工,半精加工,精加工三个阶段。 ③加工阶段：其任务是切除毛坯上大部分余量，使毛坯在形状和尺寸上接近零件成品，主要目标是提高生产率，去除内孔，端面以及外圆表面的大部分余量，并为后续工序提供精基准。此零件即加工Φ45mm、Φ56mm、Φ67mm、Φ55mm、Φ44mm和Φ35mm的外圆柱面。 ④半精加工阶段：其任务是使主要表面达到一定的精加工余量，为主要表面的精加工做好准备。此零件即加工Φ45mm、Φ56mm、Φ67mm、Φ55mm、Φ44mm和Φ35mm的外圆柱面、孔等。 ⑤精加工阶段：其任务就是保证各主要表面达到规定的尺寸精度，留一定的精加工余量，为主要表面的精加工做好准备，并可完成一些次要表面的加工。如精度和表面粗糙度要求，主要目标是全面保证加工质量。 基面先行原则 该零件进行加工时，要将右端面先加工，再以右端面、外圆柱面为基准来加工，因
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译 active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI） 第一章半导体产业介绍 1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分) 集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。集成电路芯片/元件数产业周期 无集成 1 1960年前 小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期 中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期 大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期 超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在 2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)
机械制造工艺学试题答案
机械制造工艺学试试题及答案 一、单项选择题（本大题共10 小题，每小题1分，共10分） 1. 加工套类零件的定位基准是（ D ）。 A.端面 B.外圆 C.内孔 D.外圆或内孔 2. 磨刀、调刀、切屑、加油属于单位时间哪部分。（ C ） A.基本 B.辅助 C.服务 D.休息 3. 车床主轴轴颈和锥孔的同轴度要求很高，常采用（ B ）来保证。 A.基准重合 B.互为基准 C.自为基础 D.基准统一 4. 平键连接中，传递转矩是依靠键与键槽的（ C ）。 A.上、下平面 B.两端面 C.两侧面 D.两侧面与底面 5. 常用的光整加工的方法中只能减少表面粗糙度的是（ C ）。 A.研磨 B.高光洁度磨削 C.超精加工 D.珩磨 6. 轴类零件加工时最常用的定位基准是（ C ）。 A.端面 B.外圆面 C.中心孔 D.端面和外圆面 7. 轴类零件定位用的顶尖孔是属于（ A ）。 A.精基准 B.粗基准 C.互为基准 D.自为基准 8. 定位消除的自由度少于六个，但满足加工精度要求的定位称为（ B ）。 A.完全定位 B.不完全定位 C.过定位 D.欠定位 9. 试指出下列刀具中，哪些刀具的制造误差不会直接影响加工精度（ B ）。 A.齿轮滚刀 B.外圆车刀 C.成形铣刀 D.键槽铣刀 10. 车削时，车刀刀尖运动轨迹若平行于工件轴线，则不为（C ）。 A.车外圆 B.车螺纹 C.车圆锥面 D. 车孔 二、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 11. 铰孔可以提高孔的尺寸精度、减小孔表面粗糙度，还可以对原孔的偏斜进 行修正。（错） 12. 所有零件在制定工艺过程时都应划分加工阶段。（错） 13. 钻出的孔一般应经扩孔或半精镗等半精加工，才能进行铰孔。（对） 14.拉孔前工件须先制出预制孔。（对） 15.不完全定位消除的自由度少于六个，没有满足加工精度要求。（错）
机械制造工艺学总结
机 械 制 造 工 艺 学 学 习 报 告 学院：机电工程学院 班级：13机械本2 姓名：黄宇 学号：20130130815
机械制造过程是机械产品从原材料开始到成品之间各相互关联的劳动过程的总和。它包括毛坯制造、零件机械加工、热处理、机器的装配、检验、测试和油漆包装等主要生产过程，也包括专用夹具和专用量具制造、加工设备维修、动力供应（电力供应、压缩空气、液压动力以及蒸汽压力的供给等）。 工艺过程是指在生产过程中，通过改变生产对象的形状、相互位置和性质等，使其成为成品或半成品的过程。机械产品生产工艺过程又可分为铸造、锻造、冲压、焊接、机械加工、热处理、装配、涂装等。其中与原材料变为成品直接有关的过程，称为直接生产过程，是生产过程的主要部分。而与原材料变为产品间接有关的过程，如生产准备、运输、保管、机床与工艺装备的维修等，称为辅助生产过程。 主要包括机械加工工艺规程的制订、机床夹具设计原理、机械加工精度、加工表面质量、典型零件加工工艺、机器装配工艺基础、机械设计工艺基础、现代制造技术及数控加工工艺等部分。 机械制造工艺学的研究对象是机械产品的制造工艺，包括零件加工和装配两方面，其指思想是在保证质量的前提达到高生产率、经济型。课程的研究重点是工艺过程，同样也包括零件加工工艺过程和装配工艺过程。工艺是使各种原料、半成品成为产品的方法和过程。 各种机械的制造方法和过程的总称为机械制造工艺 工艺系统：在机械加工时，机床、夹具、刀具和工件构成的一个完整的系统。研究加工精度的方法：单因素分析法、统计分析法 加工表面质量：加工表面的几何形貌和表面层材料的力学物理和化学性质 几何形貌：表面粗糙度表面波纹度纹理方向表面缺陷。表面材料力学的物理化学性能：表面层金属的冷作硬化、表面层金属金相组织变化。冷作硬化：机械加工中因切削力产生的塑性变形使表层金属硬度和强度提高的现象。 机械加工工艺规程是规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件，是一切有关生产人员都应严格执行、认真贯彻的纪律性文件机械加工工艺规程的作用 1根据机械加工工艺规程进行生产准备（包括技术准备） 2.机械加工工艺规程是生产计划、调度，工人的操作、质量检查等的依据 3.新建或扩建车间，其原始依据也是机械加工工艺规程 机械加工工艺规程的设计原则： （1）可靠地保证零件图样上所有技术要求的实现 （2）必须能满足生产纲领要求 （3）在满足技术要求和生产纲领要求前提下，一般要求工艺成本 最低 （4）尽量减轻工人的劳动强度，保障生产安全。 通过对机械制造工艺学的学习我对我们机械设计制造及其自动化这个专业有了更深一步的理解，知道了工件的装夹与夹具的基础、机械工艺规程的制定典型模具与机械零件加工工艺、装配工艺、还有刀具的相关知识。使我受益匪浅。
半导体工艺半导体制造工艺试题库1 答案
一、填空题（每空1分，计31分） 1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有 吸附法 和 精馏法 。 2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有 湿法腐蚀 和 干法腐蚀 。 3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 缩颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有 化学抛光 、 机械抛光 和 化学机械抛光 。 4、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。 5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以 间隙式 （空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为 快扩散 （快扩散或慢扩散）杂质。 6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布函数 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差分布函数 。 7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 R P 处。 8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。 9、根据分凝现象，若K 0＞1，则分凝后杂质集中在 尾部 （头部或尾部）；若K 0＜1，则杂质分凝后集中在 头部 （同上）。 10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为 掺氯氧化 。 11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是 干氧氧化 方法。 12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是 氢气流量保险装置 和 温度保险装置 。 13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 椭圆偏振光法 。 14、固态源硼扩散中常用的硼源是 氮化硼 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷 。 15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL 电路 隐埋层 的锑扩散。 二、选择题（每题2分，单项多项均有，计12分） 1、 在SiO 2网络中，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（ A ） （A ）疏松 （B ）紧密 （C ）视磷元素剂量而言 2、 在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A 、B 、C 、D ） （A ） 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 （B ） 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。 （C ） 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 （D ） 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、离子注入设备的组成部分有（A 、B 、C 、D ） （A ）离子源 （B ）质量分析器 （C ）扫描器 （D ）电子蔟射器 4、CVD 淀积法的特点有（A 、C 、D ） （A ）淀积温度比较低 （B ）吸附不会影响淀积速度 （C ）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 （D ）样品本身不参与化学反应 5、 工艺中消除沟道效应的措施有（A 、B 、C 、D ） （A ）增大注入剂量 （B ）增大注入速度 （C ）增加靶温 （D ）通过淀积膜注入 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A 、B 、C ） （A ）硼酸三甲脂 （B ）硼酸三丙脂 （C ）三溴化硼 （D ）三氯氧磷 三、判断（每题1分，计10分） 1、Ⅰ号液是碱性过氧化氢清洗液。 （ R ） 2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。 （ R ） 3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。 （ R ） 4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。 （ R ） 5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。 （ F ） 6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。 （ R ） 7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。 （ F ） 8、二氧化硅中的宏观缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。 （ R ） 9、氮化硼（BN ）是常用的固态硼杂质扩散源。 （ R ） 10、用四探针法可以测试扩散后的结深。 （ R ） 四、名词解释（每题5分，计20分） 1、杂质分凝 答：杂质在晶体中有一定分布，在固态中和液态中的分布又不一样，在晶体提纯时，利用杂质在晶体固态和液态的分布不一样，进行提纯，将杂质集中在晶体的头部或尾部，达到提纯的 装 订 班级 姓名 学号 成绩 － 学年第 学期 半导 第 学期 半导体制造工艺 半 导体制造工艺
《机械制造工艺》试卷答案
A45 B20 C60 Mn D 合金钢 《机械制造工艺》试卷 注意事项： 1 ?答卷前将班级姓名项目填写清楚。 2 ?答卷必须用蓝色或黑色钢笔圆珠笔，不许用铅笔或红笔 。 3 ?本份试卷共5道大题，满分100分，考试时间100分钟。 一、 填空题（请将正确答案填在横线空白处,每空1.5分,共10题30分） 1. 机械制造工艺过程一般是技术准备f ____ 毛坯制造 ___ f _______ 零件加工 ___ f 产品检验和装配产品检验f 机械。 2. 零件机械加工一般可分为粗加工、 _半粗_加工、 ________ 精加工—加工和光整 加工四个阶段。 3. 时间定额是完成某一 _产品 ______ 或_工序_所规定的时间。 4. 特种铸造是除砂型铸造以外的其他铸造方法的统称 ,如 金属型铸造_、 _压力铸造______ 、熔模铸造、离心铸造及连续铸造等。 6磨床切削加工中，加工精度可选 _ IT6-IT5 表面粗糙可达_ 0.8~0.2 um_________ 。 7、 机械加工工艺规程是指产品或零部件机械加工—制造工艺过程—和_操作方法 等的工艺文 件。 8. 零件的加工精度包括尺寸精度、 —形状—精度和—相互位置 精度三方面内容。 9?以加工表面的设计 _____ 基准作为定位称为基准重台原则，以同一个精基准定位加工大多 数（或全部）其它表面，称为基准 统一 _________ 原则。 10?毛抷的种类有：—铸件_、—型材一、焊接件、锻件、其他毛抷。 二、 选择题（请将正确答案的代号填入括号内,每题2分,共10题20分） 1 ?切削用量中对切削力的影响最大的是（ B ）0 A 切削速度 B 切削深度 C 进给量 D 切削宽度 2 ?积屑瘤容易在（A ）切削时产生。 A 低速 B 中速 C 高速 D 超高速 3.工乙尺寸链是有环、 圭寸闭环、 组成环三种， 其中组成环分为：增环和（C A 封闭环 B 环 C 减环 D 增环 4.轴类零件的常用材料是（ A ）钢，在高精度要求下选用轴承钢等材料。 5?外圆表面的加工顺序是：先加工大直径的外圆，然后加工小直径的外圆，以免 降低工件的（B ）。 A 强度 B 刚度 C 硬度 D 韧性
机械制造工艺学课后习题及参考答案
机械制造工艺学复习题及参考答案 第一章 1.1什么叫生产过程、工艺过程、工艺规程？ 生产过程是指从原材料变为成品的劳动过程的总和。 在生产过程中凡属直接改变生产对象的形状、尺寸、性能及相对位置关系的过程，称为工艺过程。 在具体生产条件下，将最合理的或较合理的工艺过程，用文字按规定的表格形式写成的工艺文件，称为机械加工工艺规程，简称工艺规程。 1.2、某机床厂年产CA6140 卧式车床2000 台，已知机床主轴的备品率为15%，机械加工废品率为5%。试计算主轴的年生产纲领，并说明属于何种生产类型，工艺过程有何特点？若一年工作日为280 天，试计算每月(按22 天计算)的生产批量。解：生产纲领公式 N=Qn(1+α)(1+β)=（1＋15％）（1＋5％）=2415 台/年 查表属于成批生产,生产批量计算: 定位？各举例说明。 六点定位原理：在夹具中采用合理布置的6个定位支承点与工件的定位基准相接触，来限制工件的6个自由度，就称为六点定位原理。 完全定位：工件的6个自由度全部被限制而在夹具中占有完全确定的唯一位置，
称为完全定位。 不完全定位：没有全部限制工件的6个自由度，但也能满足加工要求的定位，称为不完全定位。 欠定位：根据加工要求，工件必须限制的自由度没有达到全部限制的定位，称为欠定位。 过定位：工件在夹具中定位时，若几个定位支承重复限制同一个或几个自由度，称为过定位。 （d）一面两销定位，X，两个圆柱销重复限制，导致工件孔无法同时与两 销配合，属过定位情况。 7、“工件在定位后夹紧前,在止推定位支承点的反方向上仍有移动的可能性,因此其位置不定”,这种说法是否正确?为什么? 答：不正确，保证正确的定位时，一定要理解为工件的定位表面一定要与定位元件的定位表面相接触，只要相接触就会限制相应的自由度，使工件的位置得到确定，至于工件在支承点上未经夹紧的缘故。 8、根据六点定位原理,分析图中各工件需要限制哪些的自由度,指出工序基准,选择定位基准并用定位符号在图中表示出来。 9、分析图所示的定位方案，指出各定位元件分别限制了哪些自由度，判断有无 欠定位与过定位，并对不合理的定位方案提出改进意见。
硅工艺-《集成电路制造技术》课程-试题
晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。 2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。 15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 19．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。 金属化 24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。 29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。 30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。 31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。 32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。 平坦化 33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。 34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。 35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。 36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。 37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。
模具制造工艺试题及答案
一、填空 1、典型的刀具磨损过程分为初期磨损、正常磨损和急剧磨损阶段。2．精加工基准的选择原则应遵循如下原则：统一基准、基准重合、互为基准和自为基准等原则。 3．在切削加工中，用于描述切削机理的指标是切削层及切削层参数，切削层参数包括切削层公称厚度 hD 、切削层公称宽度bD 和切削面积，其中切削面积=hD × bD。 4．积屑瘤很不稳定，时生时灭，在粗加工时产生积屑瘤有一定好处，在精加工时必须避免积屑瘤的产生。 5、工件加工顺序安排的原则是先粗后精、先主后次穿插进行、先基面后其它、先面后孔。 6、基本时间和辅助时间的总和，称为作业时间。 7、切削用量三要素是指__ 切削速度 _、___背吃刀量和_ 进给量 __。 8、根据力的三要素，工件夹紧力的确定就是确定夹紧力的大小、_方向_ ______和作用点。 9、刀具的正常磨损有前刀面磨损、后刀面磨损和前后刀面同时磨损。 10工件经一次装夹后所完成的那一部分工艺内容称为安装。 11、工件通常采用的三种定位方法是直接找正法、划线找正法和夹具定位的方法。 12、主偏角是指过主切削刃上选定点，在基面内测量的_ 主切削刃和假定进给方向的夹角。 13、砂轮的的特性由磨粒、结合剂、粒度、硬度、组织五方面要素决定。 14、所谓基准就是工件上用来确定其它点线面的位置的那些__点___、__线___、____面__， 一般用中心线、对称线或平面来做基准。 15．切削运动包括主运动和进给运动两种，其中主运动运动是切削运动中速度最高，消耗功率最大的运动。 16．最常用的刀具切削部分的材料是高速钢、硬质合金，其中硬度高的是硬质合金，制造工艺性好的是高速钢。 17．工件定位时被限制的自由度少于六个，但能满足工件加工技术要求的定位形式称为不完全定位。 18. 工件以一面两孔定位时，常采用一个支承板，一个圆柱销和一个削边销作为定位元件限制工件的自由度，该定位方式共限制了工件的 6 个自由度，其中削边销限制了工件一个自由度。 19．一个或一组工人，在一个工作地对同一个或同时对几个工件所连续完成的那部分工艺过程称为工序。
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或
是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
机械制造工艺学试题及答案
一、是非题(10分) 1.只增加定位的刚度和稳定性的支承为可调支承。（×） 2.机械加工中，不完全定位是允许的，而欠定位则不允许。（√） 3.一面双销定位中，菱形销长轴方向应垂直于双销连心线。（√） 4.装配精度要求不高时，可采用完全互换法。（×） 5.车削细长轴时，工件外圆中间粗两头细，产生此误差的主要原因是工艺系统刚度差。 （√） 6.机床的热变形造成的零件加工误差属于随机性误差。（×） 7.机床的传动链误差是产生误差复映现象的根本原因。（×） 8.工序集中则使用的设备数量少，生产准备工作量小。（×） 9.工序余量是指加工、外圆时加工前后的直径差。（×） 10.工艺过程包括生产过程和辅助过程两个部分。（×） 二、填空(30分) 1.机械加工中，加工阶段划分为（粗加工）、（半精加工）、（精加工）、（光整加工）。 2.达到装配精度的方法有（互换法）、（调整法）、（修配法）。 3.加工精度包括（尺寸）、（形状）、（位置）三方面的容。 4.定位误差由两部分组成，其基准不重合误差是由（定位基准）与（工序基准）不重合造成的，它的大小等于（两基准间尺寸）的公差值。 5.圆偏心夹紧机构中，偏心轮的自锁条件是（ e D) 20 ~ 14 ( ），其中各符号的意义是（ D为圆偏 心盘的直径；e为偏心量）。 6.机床主轴的回转误差分为（轴向跳动）、（径向跳动）、（角度摆动）。 7.机械加工中获得工件形状精度的方法有（轨迹法）、（成型法）、（展成法）等几种。 8.机床导轨在工件加工表面（法线）方向的直线度误差对加工精度影响大，而在（切线）方向的直线度误差对加工精度影响小。 9.选择精基准应遵循以下四个原则，分别是：（基准重合）、（基准统一）、（互为基准）、（自为基准）。 10.夹具对刀元件的作用是确定（刀具）对（工件）的正确位置。 11.划分工序的主要依据是( 工作地点不变 )和工作是否连续完成。 三、解释概念(10分) 1.经济精度 在正常生产条件下即完好设备、适当夹具、必需刀具、一定的熟练工人，合理的工时定额下，某种加工方法所达到的公差等级和粗糙度。 2.工艺系统刚度 垂直加工面的切削力FY与刀刃相对加工面在法线方向上的相对变形位移Y之比为工艺系统刚度K， 即K＝ y F y 3.粗基准 未加工面为定位基面的定位基准。 4.原理误差 由于采用了近似的加工运动或近似的刀具形状而产生的误差。
船舶机械制造工艺学
船舶机械制造工艺学 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
《船舶机械制造工艺学》复习题 一. 填空题 1.加工误差可分为：系统误差及随机误差。 2.系统误差可分为：常值系统误差及变值系统误差。 3.加工误差的统计方法主要有分布曲线法及点图法。 4.机械制造系统一般由物质子系统、信息子系统与能量子系统等组成。 5.工艺过程由铸锻造、机械加工、热处理、装配等工艺过程组成。 6.机械加工过程由工序、安装、工位、工步、走刀组成。 7.生产类型可分为单件生产、成批生产和大量生产。 8.机械零件的加工质量包括：加工精度及表面质量。 9.影响加工精度的机床误差主要有以下几个方面：机床主轴的误差；机床导轨 的误差；机床轴线与导轨的平行度误差；机床传动链误差。 10.机床主轴的回转误差可以分为三种基本形式：纯径向跳动、纯角度摆动和 纯轴向窜动。 11.车削时轴承孔误差对加工精度影响较小；主轴颈误差对加工精度影响较 大。 12.镗孔时主轴颈误差对加工精度影响较大；轴承孔误差对加工精度影响较 小。 13.工艺系统由机床、夹具、工件所组成的系统。 14.工件定位精基准的选择原则：基准重合原则、基准统一原则、自为基准 原则、互为基准原则。 15.工件在机床上的安装方法有：直接找正安装、划线找正安装、采用夹具 安装。 16.夹具的组成：定位元件、夹紧机构、夹具体、其他元件及装置。 17.钻床夹具的组成：定位元件、夹紧装置、对刀引导元件、连接元件 及夹具体。 18.一批零件的加工工序数目，随一定条件下的工艺特点和组织形式而改变。在解决这 个问题时，可以采用原则上完全不同的方法，即工序集中和工序分散。 19.零件加工工艺基准主要有定位基准、测量基准、装配基准三种。 20.工序加工余量的影响因素主要有：前道工序的表面粗糙度、前道工序的尺寸 公差、前道工序造成的空间偏差、本工序的安装误差等四个方面。
半导体工艺试卷及答案
杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）
1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分） 答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。 2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。（10分） 答：（1）原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内 （2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小的结晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提升、结晶，获得大的单晶锭。 （3）CZ和FZ优缺点比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。直拉法在Si单晶的制备中更为常用，占75％以上。直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英吋）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶的主要缺点是，由于使用坩埚，Si单晶的纯度不如区熔法。区熔法制备Si单晶的主要优点是，由于不使用坩锅，可制备高纯度的硅单晶，电阻率高达2000Ω-mm，因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。区熔法制备Si单晶的缺点是：1）成本高； 3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分） 答：（1）LOCOS：即“硅的局部氧化”技术（Local Oxidation of Silicon）CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。STI：浅沟槽隔离(STI)是用于隔绝活动区域的制造方法，它会使实际电流不同于模拟结果。具体情况取决于电晶体位置。 （2）取代原因：LOCOS结构影响了有源区长度，为了减小鸟嘴，出现了改进的LOCOS 结构，PBL和PELOX结构。PBL（poly buffer LOCOS多晶衬垫LOCOS）结构是在掩蔽氧化层的SiN和衬底SiO2之间加入一层薄多晶，这样减小了场氧生长时SiN薄膜的应力，也减小了鸟嘴。PELOX（poly encapsulated Locol Oxidation多晶镶嵌LOCOS）结构是在SiN层的顶部和侧部嵌如多晶或非晶薄膜，然后在生长场氧，它同样能减小鸟嘴。因为两种结构增加了工艺的复杂性，故LOCOS一般用于0.5~0.35μm的工艺中。为了更有效的隔离器件的需要，尤其是对于DRAM器件而言；对晶