各种集成电路简介

各种集成电路简介

转帖]三.（精华）各种集成电路简介第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的

78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识）有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为

100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。

79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。第二节语音集成电路电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。别看语音IC应用电路很简单，但是它确确实实是一片含有成千上万个晶体管芯的

集成电路。其内部含有振荡器、节拍器、音色发生器、ROM、地址计算器和控制输出电路等。音乐片内可存储一首或多首世界名曲，价格很便宜，几角钱一片。音乐门铃都是用这种音乐片装的，其实成本很低。不同的语言片内存储了各种动物的叫声，简短语言等，价格要比音乐片贵些。但因为有趣，其应用越来越多。会说话的计算器、倒车告警器、报时钟表等。语音电路尽管品种不少，但不能根据用户随时的要求发出声音，因为商品化的语音产品采用掩膜工艺，发声的语音是做死的，使成本得到了控制。一般语音集成电路的生产厂家都可以特别定制语音的内容，但因为要掩模，要求数量千片以上。近年来出现的OTP语音电路解决了这一问题。OTP就是一次性可编程的意思，就是厂家生产出来的芯片，里面是空的，内容由用户写入（需开发设备），一旦固化好，再也不能擦除，信息也就不会丢失。它的出现为开发人员试制样机提供了方便，特别适合于小批量生产。业余制作采用可录放的语言电路是十分方便的，UM5506、ISD1400、ISD2500等，外围元件极少。bitbaby第一次知道可录放语音集成电路，是在九几年的无线电杂志上，记得那时是

UM5101和T6668，都是用41256等DRAM的。那时多想有那么一套，不用磁带就可以录音的怪物，还能在放音时随意变调呢。早期的数码留言机也用它们，由于使用DRAM，如果没有后备电池，一旦断电后，所有的信息都会丢失。现

在采用EEPROM的语音电路大大方便了电子爱好者，它随录随放，不怕掉电，使用方便，外围元件少。只是价格较贵些，每秒钟成本约1元人民币。这类语音录放集成电路首推（美国）ISD公司的ISD系列。国内、台湾都有厂家生产兼容的芯片及软包封的芯片、模块，但从结构来看，猜想来自于ISD。第三节数字集成电路数字集成电路产品的种类很多种。数字集成电路构成了各种逻辑电路，如各种门电路、编译码器、触发器、计数器、寄存器等。它们广泛地应用在生活中的方方面面，小至电子表，大至计算机，都是有数字集成电路构成的。结构上，可分成TTL型和CMOS型两类。74LS/HC等系列是最常见的TTL电路，它们使用5V的电压，逻辑“0”输出电压为小于等于0.2V，逻辑

“1”输出电压约为3V。CMOS数字集成电路的工作电压范围宽，静态功耗低，抗干扰能力强，更具优点。数字集成电路有个特点，就是它们的供电引脚，如16脚的集成电路，其第8脚是电源负极，16脚是电源正极；14脚的，它的第7脚是电源的正极。通常CMOS集成电路工作电压范围为3-18V，所以不必像TTL集成电路那样，要用正正好好的5V电压。CMOS集成电路的输入阻抗很高，这意味着驱动CMOS集成电路时，所消耗的驱动功率几乎可以不计。同时CMOS集成电路的耗电也非常的省，用CMOS 集成电路制作的电子产品，通常都可以用干电池供电。

CMOS集成电路的输出电流不是很大，大概为10mA左右，但是在一般的电子制作中，驱动一个LED发光二极管还是没有问题的。此外，CMOS集成电路的抗干扰能力也较强，即行话所说的噪声容限较大，且电源电压越高，抗干扰能力越强。电子制作中常用的数字集成电路有4001、4011、4013、4017、4040、4052、4060、4066等型号，建议多买些备用。市场上的数字集成电路进口的较多，产品型号的前缀代表生产公司，常见的有MC1XXXX（摩托罗拉）、CDXXXX（美国无线电RCA）、HEFXXXX（飞利普）、TCXXXX（东芝）、HCXXXX（日立）等。一般来说，只要型号相同，不同公司的产品可以互换。这里有一张表，是关于集成电路前缀及其生产公司的。需要注意的是，CMOS集成电路容易被静电击穿，因此需要妥善保存。一般要放在防静电原包装条中，或用锡箔纸包好。另外焊接的时候，要用接地良好的电烙铁焊，或者索性拔掉插头，利用余热焊接。不过说实话，现在的CMOS集成电路因为改进了生产工艺，防静电能力都有很大提高，不少人都不太注意为CMOS集成电路防静电，IC却也活着。第四节模拟集模拟集成电路被广泛地应用在各种视听设备中。收录机、电视机、音响设备等，即使冠上了

“数码设备”的好名声，却也离不开模拟集成电路。实际上，模拟集成电路在应用上比数字集成电路复杂些。每个数字集成电路只要元器件良好，一般都能按预定的功能

工作，即使电路工作不正常，检修起来也比较方便，1是1，0是0，不含糊。模拟集成电路就不一样了，一般需要一定数量的外围元件配合它工作。那么，既然是“集成电路”，为什么不把外围元件都做进去呢？这是因为集成电路制作工艺上的限制，也是为了让集成电路更多地适应于不同的应用电路。对于模拟集成电路的参数、在线各管脚电压，家电维修人员是很关注的，它们就是凭借这些判断故障的。对业余电子爱好者来说，只要掌握常用的集成电路是做什么用的就行了，要用时去查找相关的资料。许多电子爱好者都是从装收音机、音响放大器开始的，用集成电路装，确实是一种乐趣。相信大家对这两者也都感兴趣。装的收音机有两种，一是AM中波的，通常用CIC7642、TA7641集成块装。另一种是FM调频的，通常要求具有一定的水平，用TDA7010、TDA7021、TDA7088，CXA1019（CXA1191）、CXA1238等。这些集成块也是收音机长商所采用的经典IC。CIC7642外形象一个9013，仅三个引脚，工作于1.5V下，其内部集成了多个三极管，用于组装直放式收音机，而且极易成功，因此许多电子入门套件少不了它。其兼容型号为MK484、YS414，许多进口的微型收音机、电子表收音机都用。

TA7641P装出来的收音机为超外差式，性能要好，但是因为有中周，制作调试都有点复杂，如果能买到套件组装，那也

不算麻烦（照着指示把元件焊到电路板上就行啦：－〕。

TDA7000系列是飞利普公司的产品，有bitbaby没见过

的TDA7000，以及TDA7010T，TDA7021T，TDA7088T，后三者有个后缀T，表示是微型贴片封装的。bitbaby也没见过标准DIP（双列直插塑封）封装的，所以尽管它们的应用电路简单，做起来可麻烦，整个集成电路和一粒赤豆差不多大。（下面有图）TDA7088T是可以用变容管和电位器实现

电调谐的。

CXA1019是索尼公司生产的，CXA1191是它的改进

型号，它们被称为单片AM/FM收音集成电路，因为一片IC 包含了从高频放大、本振到中频放大、低频（音频）放大的所有功能。CXA1238是AM/FM立体声收音集成电路，它不包括音频放大器，但有立体声解码功能，通常用于WALKMAN收放机等。

这里有个知识，就是CXA的收音IC同一型号有三种不同的大小（即后缀M型为贴片封装，S型为小型封装，P型为DIP封装）。音响功放电路也是电子爱好者们津津乐道的话题。通过亲手制作，不但深入了解了原理，更是具有意义。bitbaby并不是发烧友（也烧不起），对吹毛求疵的“

金耳朵”更是持有怀疑态度。请各位新手不要误入歧途。做一套实用的音响才是聪明之举，不要相信什么“把XXXX IC换成运放之皇NE5532后效果立竿见影”。

Bitbaby帮别人装过许多功放，也有不少经验。有的虽然只

是用收录机用的功放集成块，但因为用了较大功率的电位器、较大容量的滤波电容、较大口径的扬声器，效果还是比收录机好。TA7240P是收录机中常用的功放IC，双声道，各5.8W，12V左右供电，音质一般般。

TDA1521是高保真功放IC，功率较大，音质较好，上点档次的电脑有源音箱也都用该集成块。

LM1875（TDA2003、TDA2030、TDA2030A）等应用电路差不多，功率不同，TDA2030A是TDA2030的改进型，功率稍大。这些集成块应用也很多，但假货也多，有的假货是用廉价IC打磨过的，有的则是粗制滥造。

傻瓜功放是一种厚膜集成电路，其实不过是把各分立元

件封装在一起，只有输入引脚用来接音源，输出引脚接音箱，以及电源引脚，方便了使用。

此外，还有TDA2822、LM386等的小功率音频放大器，在电池供电的产品中作功放。用它们也可做有源音箱，廉价的有源音箱就用它们。

集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基

常用集成电路的型号及功能说明

型号功能 ACP2371NI 多制式数字音频信号处理电路ACVP2205 梳状滤波、视频信号处理电路 AN5071 波段转换控制电路 AN5195K 子图像信号处理电路 AN5265 伴音功率放大电路 AN5274 伴音功率放大电路 AN5285K 伴音前置放大电路 AN5342K 图像水平轮廓校正、扫描速度调制电路AN5348K AI信号处理电路 AN5521 场扫描输出电路 AN5551 枕形失真校正电路 AN5560 50/60Hz场频自动识别电路 AN5612 色差、基色信号变换电路 AN5836 双声道前置放大及控制电路 AN5858K TV/AV切换电路 AN5862K(AN5862S) 视频模拟开关 AN5891K 音频信号处理电路 AT24C02 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C04 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C08 2线电可擦、可编程只读存储器 ATQ203 扬声器切换继电器电路 BA3880S 高分辨率音频信号处理电路 BA3884S 高分辨率音频信号处理电路 BA4558N 双运算放大器 BA7604N 梳状切换开关电路 BU9252S 8bitA/D转换电路 CAT24C16 2线电可擦、可编程只读存储器 CCU-FDTV 微处理器 CCU-FDTV-06 微处理器 CD54573A/CD54573CS 波段转换控制电路 CH0403-5H61 微处理器 CH04801-5F43 微处理器 CH05001(PCA84C841) 微处理器 CH05002 微处理器 CH7001C 数字NTSC/PAL编码电路 CHT0406 微处理器 CHT0803(TMP87CP38N*) 8bit微处理器 CHT0807(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0808(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0818 微处理器 CKP1003C 微处理器 CKP1004S(TMP87CK38N) 微处理器 CKP1006S(TMP87CH38N) 微处理器

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

集成电路技术应用专业简介

集成电路技术应用专业简介 专业代码610120 专业名称集成电路技术应用 基本修业年限三年 培养目标 本专业培养德、智、体、美、劳全面发展，具有良好职业道德和人文素养，掌握微电子工艺和集成电路设计领域相关专业理论知识，具备微电子工艺管理、集成电路设计及应用等能力，从事微电子制造和封装测试工艺维护管理、集成电路辅助逻辑设计、版图设计和系统应用等方面工作的高素质技术技能人才。 就业面向 主要面向半导体制造、集成电路设计等企事业单位，在微电子工艺技术员、集成电路逻辑和版图设计助理工程师、系统应用工程师等岗位，从事微电子工艺制造和封装测试、集成电路逻辑设计、版图设计、FPGA开发与应用、芯片应用方案开发等工作。主要职业能力 1．具备对新知识、新技能的学习能力和创新创业能力； 2．掌握半导体器件、集成电路的基础理论知识； 3．具备微电子工艺加工及相关设备操作能力； 4．具备集成电路逻辑设计及仿真能力； 5．具备集成电路版图设计与验证的能力；

6．具备FPGA开发与应用的能力； 7．具备芯片应用方案开发能力。 核心课程与实习实训 1．核心课程 半导体器件物理、集成电路制造工艺、半导体集成电路、VerilogHDL应用、集成电路版图设计技术、系统应用与芯片验证。 2．实习实训 在校内进行集成电路制造工艺、半导体集成电路项目、项目化版图设计与验证等实训。 在集成电路企业及相关科研院所进行实习。 衔接中职专业举例 电子与信息技术电子技术应用 接续本科专业举例 电子科学与技术微电子科学与工程 声明：此资源由本人收集整理于网络，只用于交流学习，请勿用作它途。如有侵权，请联系，删除处理。

常用集成电路功能

鹏运发科技有限公司收音机用集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统 2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191 3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600 4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619 5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800 6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003 7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111 8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149 9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T 10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130 11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131 12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343 13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA7640 音频功率放大集成电路 序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1001 720mW单声道音频功放电路 DIP8 2 YD1006 18W单声道音频功放电路 TO-220B 3 YD1008 22W单声道音频功放电路 TO-220B 4 YD1026 具有待机、静音功能的25W双声道音频功放电路 FZIP12 5 YD131 6 2W双声道音频功放电路 FDIP14 μPC1316C 6 YD1519 具有待机、静音功能的6W双声道音频功放电路 FSIP9 TDA1519 7 TDA2003 10W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2003 8 YD2025 2.3W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 9 YD2025A 2.4W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 10 YD2025H 2.4W单声道音频功放电路 HDIP12 11 YD2030 18W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030 12 YD2030A 20W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030A

硅集成电路基本工艺流程简介

硅集成电路基本工艺流程简介 近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。以下是关于这些基本工艺的简单介绍。 IC制造工艺的基本原理和过程 IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。 一、硅片制备（切、磨、抛） 1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）： 1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O99％ 经过提纯:>99.999999% 2) 提拉法 基本原理是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体.

2、晶体切片：切成厚度约几百微米的薄片 二、晶圆处理制程 主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件，是整个集成电路制造过程中所需技术最复杂、资金投入最多的过程。 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 其工艺流程如下： 1、表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2、初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 3、CVD法沉积一层Si3N4。 CVD法通常分为常压CVD、低压CVD 、热CVD、电浆增强CVD及外延生长法（LPE）。 着重介绍外延生长法（LPE）：该法可以在平面或非平面衬底上生长出十分完善的和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜的结构。在外延工艺中，可根据需要控制外延层的导电类型、电阻率、厚度，而且这些参数不依赖于衬底情况。 4、图形转换（光刻与刻蚀） 光刻是将设计在掩模版上的图形转移到半导体晶片上，是整个集成电路制造流程中的关键工序，着重介绍如下： 1）目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线。 2）原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复印在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗蚀剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂融解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，然后在SiO2层或金属蒸发层得到与掩模板(用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600 800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高)相对应的图形。 3）现主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术，步骤如下：涂胶、前烘、曝光、显影、坚模、腐蚀、去胶。 4）光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 5) 掺杂工艺（扩散、离子注入与退火） 掺杂是根据设计的需要，将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻欧姆接触，通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素，如硼，或五价元素，如磷、砷等掺入半导体衬底，掺杂方法有两种：

集成电路制造工艺流程

集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

各种集成电路介绍

第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。

集成电路基本工艺

集成电路基本工艺 发表时间：2011-07-29T10:01:47.187Z 来源：《魅力中国》2011年6月上供稿作者：朱德纪李茜刘丹彤 [导读] 在此，我们重点是讨论集成电路芯片加工过程中的一些关键手艺。 朱德纪李茜刘丹彤中国矿业大学，江苏徐州 221000 中图分类号：TN47 文献标识码：A 文章编号：1673-0992（2011）06-0000-01 摘要：当今社会已进入信息技术时代，集成电路已经被广泛应用于各个领域，典型的集成电路制造过程可表示如下： 在此，我们重点是讨论集成电路芯片加工过程中的一些关键手艺。 集成电路基本工艺包括基片外延生长、掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。 关键词：外延、掩膜、光刻、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、淀积、金属层 集成电路芯片加工工艺，虽然在进行IC设计时不需要直接参与集成电路的工艺流程，了解工艺的每一个细节，但了解IC制造工艺的基本原理和过程，对IC设计是大有帮助的。 集成电路基本工艺包括基片外延生长掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。 下面我们分别对这些关键工艺做一些简单的介绍。 一、外延工艺 外延工艺是60年代初发展起来的一种非常重要的技术，尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上，但是未经过外延生长的基片通常不具有制作期间和电路所需的性能。外延生长的目的是用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。常用的外延技术主要包括气相、液相金属有机物气相和分子束外延等。其中，气相外延层是利用硅的气态化合物或液态化合物的蒸汽在衬底表面进行化学反应生成单晶硅，即CUD单晶硅；液相外延则是由液相直接在衬底表面生长外延层的方法；金属有机物气相外延则是针对Ⅲ?Ⅴ族材料，将所需要生长的Ⅲ?Ⅴ族元素的源材料以气体混合物的形式进入反应器中加热的生长区，在那里进行热分解与沉淀反映，而分子束外延则是在超高真空条件下，由一种或几种原子或分子束蒸发到衬底表面形成外延层的方法。 二、掩模板的制造 掩模板可分成整版及单片版两种，整版按统一的放大率印制，因此称为1×掩模，在一次曝光中，对应着一个芯片陈列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。单片版通常八九、实际电路放大5或10倍，故称作5×或10×掩模，其图案仅对应着基片上芯片陈列中的单元。 早期掩模制作的方法：①首先进行初缩，把版图分层画在纸上，用照相机拍照，而后缩小为原来的10%~%20的精细底片；②将初缩版装入步进重复照相机，进一步缩小，一步一幅印到铬片上，形成一个阵列。 制作掩模常用的方法还包括：图案发生器方法、x射线制版、电子束扫描法。 其中x射线、电子束扫描都可以用来制作分辨率较高的掩模版。 三、光刻技术 光刻是集成电路工艺中的一种重要加工技术，在光刻过程中用到的主要材料为光刻胶。光刻胶又称为光致抗蚀剂，有正胶、负胶之分。其中，正胶曝光前不溶而曝光后可溶，负胶曝光前可溶而曝光后不可溶。 光刻的步骤：①晶圆涂光刻胶；②曝光；③显影；④烘干 常见的光刻方法：①接触式光刻；②接近式光刻；③投影式光刻 其中，接触式光刻可得到比较高的分辨率，但容易损伤掩模版和光刻胶膜；接近式光刻，则大大减少了对掩模版的损伤，但分辨率降低；投影式光刻，减少掩模版的磨损也有效提高光刻的分辨率。 四、刻蚀技术 经过光刻后在光刻胶上得到的图形并不是器件的最终组成部分，光刻只是在光刻胶上形成临时图形，为了得到集成电路真正需要的图形，必须将光刻胶上的图形转移到硅胶上，完成这种图形转换的方法之一就是将未被光刻胶掩蔽的部分通过选择性腐蚀去掉。 常用的刻蚀方法有：湿法腐蚀、干法腐蚀。 湿法腐蚀：首先要用适当的溶液浸润刻蚀面，溶液中包含有可以分解表面薄层的反应物，其主要优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。存在的问题有钻蚀严重、对图形的控制性较差、被分解的材料在反应区不能有效清除。 干法刻蚀：使用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术，按反应机理可分为等离子刻蚀、反应离子刻蚀、磁增强反应例子刻蚀和高密度等离子刻蚀等类型，是大规模和超大规模集成电路工艺中不可缺少的工艺设备。干法刻蚀具有良好的方向性。 五、氧化 在集成电路工艺中常用的制备氧化层的方法有：①干氧氧化；②水蒸气氧化；③湿氧氧化。 干氧氧化：高温下氧与硅反应生成sio2的氧化方法； 水蒸气氧化：高温下水蒸气与硅发生反应的氧化方法； 湿氧氧化：氧化首先通过盛有95%c左右去离子睡的石英瓶，将水汽带入氧化炉内，再在高温下与硅反映的氧化方法。 影响硅表面氧化速率的三个关键因素：温度、氧化剂的有效性、硅层的表面势。 六、扩散与离子注入 扩散工艺通常包括两个步骤：即在恒定表面浓度条件下的预淀积和在杂志总量不变的情况下的再分布。预淀积只是将一定数量的杂质

常用集成电路及主要参数

1 附录四、常用集成电路及主要参数 4.1 常用集成电路的引线端子识别及使用注意事项 4.1.1 集成电路引出端的识别 使用集成电路前，必须认真查对和识别集成电路的引线端，确认电源、地、输入、输出及控制端的引线号，以免因错接损坏元器件。 贴片封装(A、B)型，如附图4.1-1所示，识别时，将文字符 号正放，定位销向左，然后，从左下角起，按逆时针方向依次 为1、2、3……。 扁形和双列直插型集成电路：如附图 4.1-2(b)所示，识别 时，将文字符号标记正放，由顶部俯视，其面上有一个缺口或 小圆点，附图4.1-1贴片型，有时两者都有，这是“1”号引线 端的标记，如将该标记置于左边，然后，从左下角起，按逆时 针方向依次为1、2、3……。 一般圆型和集成电路：如附图4.1-2(a)所示，识别时，面向引出端，从定位销顺时针依次为1、2、3……。圆形多用于模拟集成电路。 (a) 园形外型（b）扁平双列直插型 附图4.1-2 集成电路外引线的识别 4.1.2 数字集成电路的使用 数字集成电路按内部组成的元器件的不同又分为：TTL电路和CMOS电路。不论哪一种集成电路，使用时，首先应查阅手册，识别集成电路的外引线端排列图，然后按照功能表使用芯片，尤其是牛规模的集成电路，应注意使能端的使用，时序电路还应注意“同步”和“异步”功能等。 使用集成路时应注意以下方面的问题。 1、TTL电路 （1）电源 ①只允许工作在5V±10％的范围内。若电源电压超过5.5V或低于4.5V，将使器件损坏或导致器件工作的逻辑功能不正常。 ②为防止动态尖峰电流造成的干扰，常在电源和地之间接人滤波电容。消除高频干扰的滤波电容取0.01～0.1PF，消除低频干扰取10—50／uF ③不要将“电源”和“地”颠倒，例如将741S00插反，缺口或小圆点置于右面，则电源的引线端与“地”引线端恰好颠倒，若不注意，这种情况极易发生，将造成元器件的损坏。 ④TTL电路的工作电流较大，例如中规模集成TTL电路需要几十毫安的工作电流，因此使用干电池长期工作，既不经济，也不可靠。 （2）输出端 ①不允许直接接地或接电源，否则将使器件损坏。 ②图腾柱输出的TTL门电路的输出端不能“线与”使用，OC门的输出端可以

CMOS集成电路制造工艺流程

C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京（24#） 任课教师张喜凤 目录

CMOS集成电路制造工艺流程 摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。 引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。

最新常用集成电路功能简介：2

常用集成电路功能简 介：2

IAP722 调频高放、混频集成电路 IFC380HC 图像中频放大集成电路 IN065 二本振压控振荡集成电路 IN706 数字混响延时集成电路 IR2112 半桥式变换驱动集成电路 IR2E01 发光二极管五位显示驱动集成电路IR2E02 发光二极管七位显示驱动集成电路IR3N06 调频中频放大集成电路 IR3R15 音频前置放大集成电路 IR3R18 双声道前置放大集成电路 IR3R20A 自动选曲集成电路 IR3R49 伺服控制集成电路 IR3Y29AM 色度解码集成电路 IRT1260 红外遥控信号发射集成电路 IS61C256AH-15N 存储集成电路 IS93C46 存储集成电路 IX0035CE 场扫描输出集成电路 IX0040AG 音频功率放大集成电路 IX0040TA 音频功率放大集成电路

IX0042CE 伴音制式切换6MHZ集成电路 IX0052CE 伴音中频放大、鉴频及前置放大集成电路IX0062CE 图像中频放大、视频放大集成电路 IX0064CE 图像中频放大、检波、视频放大集成电路IX0096CE 伴音信号处理集成电路 IX0101SE 微处理集成电路 IX0113 图像中频放大、检波、预视放集成电路 IX0113CEZZ 图像中频放大、检波及预视放集成电路IX0118CE 视频放大集成电路 IX0129CE 色度解码集成电路 IX0132CE 液晶显示解码集成电路 IX0147CE 电子选台集成电路 IX0162GE 伺服控制集成电路 IX0195CE 色度信号处理集成电路 IX0203GE 频段转换集成电路 IX0205CE 开关电源稳压集成电路 IX0211CE 图像中频放大、视频信号处理集成电路IX0212G 高频、中频放大集成电路 IX0214CE 音频控制集成电路

(工艺技术)集成电路的基本制造工艺

第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

常用集成电路功能全解

20106 前置放大器 258N 分离式双电源双运放 4N25 光电耦合晶体管输出 4N25MC 光电耦合晶体管输出4N26 光电耦合晶体管输出 4N27 光电耦合晶体管输出 4N28 光电耦合晶体管输出 4N29 光电耦合达林顿输出 4N30 光电耦合达林顿输出 4N31 光电耦合达林顿输出 4N32 光电耦合达林顿输出 4N33 光电耦合达林顿输出 4N33MC 光电耦合达林顿输出4N35 光电耦合达林顿输出 4N36 光电耦合晶体管输出 4N37 光电耦合晶体管输出 4N38 光电耦合晶体管输出 4N39 光耦可控硅输出 6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 光电耦合达林顿输出

6N139 光电耦合达林顿输出 74F00 高速四2输入与非门 74F02 高速四2输入或非门 74F04 高速六反相器 74F08 高速四2输入与门 74F10 高速三3输入与门 74F139 高速双2－4线译码/驱动器74F14 高速六反相斯密特触发 74F151 高速双2－4线译码/驱动器74F153 高速双4选1数据选择器74F157 高速双4选1数据选择器74F161 高速6D型触发器 74F174 高速6D型触发器 74F175 高速4D型触发器 74F244 高速八总线3态缓冲器 74F245 高速八总线收发器 74F32 高速四2输入或门 74F373 高速8D锁存器 74F38 高速四2输入或门 74F74 高速双D型触发器 74F86 高速四2输入异或门 CA3140 单BIMOS运行

CA3240 单BIMOS运行 CD4001 4二输入或非门 CD4002 双4输入或非门 CD4006 18位静态移位寄存器 CD4007 双互补对加反相器 CD4009 六缓冲器/转换－倒相CD4010 六缓冲器/转换－正相CD40103 同步可预置减法器 CD40106 六斯密特触发器 CD40107 双2输入与非缓冲/驱动CD4011 四2输入与非门 CD40110 计数/译码/锁存/驱动CD4012 双4输入与非门 CD4013 置/复位双D型触发器CD4014 8位静态同步移位寄存CD4015 双4位静态移位寄存器CD4016 四双向模拟数字开关 CD4017 10译码输出十进制计数器CD40174 6D触发器 CD40175 4D触发器 CD4018 可预置1/N计数器 CD4019 四与或选择门

集成电路工艺基础复习题

集成电路工艺基础 氧化 1、SiO 2的特性和作用 2、SiO 2 的结构分为哪两种 3、什么是桥键氧和非桥键氧 4、在无定形的SiO2中，Si 、O 那个运动能力强，为什么？ 5、热氧化法生长SiO2过程中，氧化生长的方向是什么？ 6、SiO 2只与什么酸、碱发生反应？ 7、杂质在S iO 2中的存在形式。 8、水汽对SiO 2网络的影响。 9、选用SiO 2作为掩蔽的原因。 是否可以作为任何杂质的掩蔽材料？为什么？ 10、制备SiO 2有哪几种方法？ 11、什么是Si 的热氧化法？热生长SiO 2的特点。 12、生长一个单位厚度的SiO 2需要消耗多少单位的S i ？ 13、热氧化分为哪几种方法？各自的特点是什么？ 14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的SiO 2层？ 15、分析Si 的热氧化的两种极限情况。 16、热氧化速率受氧化剂在SiO 2的扩散系数和与Si 的反应速度中较快还是较慢的影响？ 17、SiO 2生长厚度与时间的关系 18、氧化剂分压、温度对氧化速度的影响。 19、Si 表面晶向对氧化速率的影响。 20、什么是硅氧化时杂质的分凝现象？ 21、纳和氯对氧化的影响 当氧化层中如果含有高浓度钠时，则线性和抛物型氧化速率都明显变大；在干氧氧化的气氛中加氯，氧化速率常数明显变大。 22、SiO 2和Si-SiO 2界面中的四种类型电荷，解释可动离子电荷的主要存在形式和危害。 扩散 1、什么是扩散？扩散有哪几种形式？ 2、什么是间隙式杂质？什么是替位式杂质？ 3、为什么替位式杂质的运动相比间隙式杂质运动更为困难？ 4、菲克第一定律、菲克第二定律、扩散系数 ) 1 4 / 1 ( 2 2 - + = B A x o t + τ A ) /exp(kT E D D o ?-=

常用集成电路型号功能对应表

常用集成电路速查表 AN115 锁相环调频立体声解码电路1 AN260 FM中频放大及AM 高、中频放大电路2 AN262 音频前置放大电路3 AN278 FM中频放大电路4 AN360 低噪声音频前置放大电路5 AN362/AN362L 锁相环调频立体声解码电路6 AN366/AN366P FM/AM中频及AM高频放大电路8 AN426510 AN5265 音频功率放大电路10 AN5270 音频功率放大电路11 AN5274 音频功率放大电路12 AN5743 音频前置及功率放大电路13 AN5836〖KG1]双声道音频前置放大电路14 AN6210 录/放音双声道音频前置放大电路15 AN6612S 电机稳速控制电路16 AN6650 微型电机速度控制电路17 AN6875 LED电平显示驱动电路18 AN6884 LED电平显示驱动电路19 AN7060 音频前置放大电路20 AN7085N5 单片录/放音电路21 AN7105 双声道音频前置及0 3W×2功率放大电路22 AN7106K 双声道音频功率 放大电路23 AN7108 单片立体声放音电 路24 AN7110 1 2W音频功率放 大电路26 AN7120 音频功率放大电路 27 AN7147N〖KG1]5 8W×2 音频功率放大电路28 AN7161N 20W音频功率放 大电路29 AN7168 双声道音频功率放 大电路30 AN7169〖KG1]5 8W音频 功率放大电路31 AN7178 双声道音频功率放 大电路32 AN7222 FM/AM中频放大 电路33 AN7273 FM/AM中频放大 电路34 AN7310 双声道音频前置放 大电路35 AN7311 双声道音频前置放 大电路36 AN7312 具有ALC的双声 道音频前置放大电路37 AN7338K CD唱机声音效 果处理电路38 AN7420 锁相环调频立体声 解码电路39 AN8389SE1 CD唱机主轴 和进给电机、聚焦和跟踪线 圈伺服驱动电路40 AN8802CE1V CD唱机电机 伺服驱动电路41 AN89C2051～24PC 微处理 器42 BA328 双声道音频前置放 大电路43 BA335 自动选曲电路44 BA532 5 8W音频功率放 大电路45 BA536 4 8W×2音频功率 放大电路46 BA656 LED电平显示驱动 电路47 BA1102F 杜比B型降噪处 理电路48 BA1106F 杜比B型降噪处 理电路49 BA1332/BA1332L 锁相环 调频立体声解码电路50 BA1356 锁相环调频立体声 解码电路52 BA1362F 锁相环调频立体 声解码电路53 BA3283 放音电路54 BA3304F 双声道音频前置 放大电路54 BA3312N 具有ALC的双声 道音频前置放大电路55 BA3314 MIC音频前置放大 电路56 BA3404F 低电压自动返转 双声道音频前置放大电路 57 BA3416BL 双声道音频前 置放大电路58 BA3503F 单片立体声放音 电路59 BA3506 单片放音电路60 BA3515AFS 单片放音电路 61 BA3516F 单片放音电路62 BA3818F 电压比较器63 BA3822LS 双五段图示均衡 放大电路64 BA3828 电子选台预置电路 65 BA3880S BBE音频信号处

常用集成电路功能

7400 TTL 2输入端四与非门 7401 TTL 集电极开路2输入端四与非门7402 TTL 2输入端四或非门 7403 TTL 集电极开路2输入端四与非门7404 TTL 六反相器 7405 TTL 集电极开路六反相器 7406 TTL 集电极开路六反相高压驱动器7407 TTL 集电极开路六正相高压驱动器7408 TTL 2输入端四与门 7409 TTL 集电极开路2输入端四与门 7410 TTL 3输入端3与非门 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器7411 TTL 3输入端3与门 74112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器7412 TTL 开路输出3输入端三与非门 74121 TTL 单稳态多谐振荡器 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器74123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器74125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门7413 TTL 4输入端双与非施密特触发器74132 TTL 2输入端四与非施密特触发器74133 TTL 13输入端与非门 74136 TTL 四异或门 74138 TTL 3-8线译码器/复工器 74139 TTL 双2-4线译码器/复工器 7414 TTL 六反相施密特触发器 74145 TTL BCD—十进制译码/驱动器 7415 TTL 开路输出3输入端三与门 74150 TTL 16选1数据选择/多路开关 74151 TTL 8选1数据选择器 74153 TTL 双4选1数据选择器 74154 TTL 4线—16线译码器 74155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器 74156 TTL 开路输出译码器/分配器 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器74158 TTL 反相输出四2选1数据选择器7416 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器74161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器74162 TTL 可预置BCD同步清除计数器74163 TTL 可予制四位二进制同步清除计数器74164 TTL 八位串行入/并行输出移位寄存器