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纳米材料物理基础光学性质剖析

纳米材料物理基础光学性质剖析
纳米材料物理基础光学性质剖析

纳米材料物理基础——光学性质

纳米材料具有体材料不具备的许多光学特性。已有的研究表明,利用纳米材料的特殊光学性质制成的光学材料将在日常生活和高科技领域内具有广泛的应用前景。例如纳米SiO2光学纤维对波长大于600nm的光的传输损耗小于10dB/km,此值比SiO2体材料的光传输损耗小许多倍。纳米结构材料在结构上与常规的晶态和非晶态体系有很大的差别,表现为:小尺寸、能级离散性显著、表(界)面原子比例高、界面原子排列和键的组态的无规则性较大等。这些特征导致纳米材料的光学性质出现一些不同于常规晶态和非晶态的新现象。

纳米材料的光吸收

大块金属具有不同的金属光泽,表明它们对可见光中的各种波长的光的反射和吸收能力不同。当尺寸减小到纳米级时,各种金属纳米粒子几乎都呈黑色,它们对可见光的反射率极低,而吸收率相当高。例如,Pt纳米粒子的反射率为1%,Au纳米粒子的反射率小于10%。纳米SiN、SiC以及Al2O3粉等对红外有一个宽频强吸收谱。

纳米材料的红外吸收谱宽化的主要原因:

(1)尺寸分布效应:通常纳米材料的粒径有一定的分布,不同的颗粒的表面张力有差异,引起晶格畸变程度的不同,这就导致纳米材料键长有一个分布,造成带隙的分布,这是引起红外吸收宽化的原因之一。

(2)界面效应:界面原子的比例非常高,导致不饱和键、悬挂键以及缺陷非常多,界面原子除与体相原子能级不同外,相互之间也可能不同,从而导致能级分布的展宽,与常规大块材料不同,没有一个单一的、择优的键振动模,而存在一个较宽的键振动模的分布,对红外光作用下的红外光吸收的频率也就存在一个较宽的分布。纳米结构材料红外吸收的微观机制研究还有待深入,实验现象也尚需进一步系统化。

光吸收中的红移和蓝移现象

在有些情况下,粒径减小至纳米级时,可以观察到光吸收带相对粗晶材料呈现“红移”现象,即吸收带移向长波方向。从谱线的能级跃迁而言,谱线的红移是能隙减小,带隙、能级间距变窄,从而导致电子由低能级向高能级及半导体电子由价带到导带跃迁引起的光吸收带和吸收边发生红移。当半导体粒子尺寸与其波

尔半径相近时,随着粒子尺寸的减小,半导体粒子的有效带隙增加,其相应的吸收光谱和荧光光谱发生蓝移,从而在能带中形成一系列分立的能级。与体材料相比,纳米微粒的吸收带普遍存在向短波方向移动,即为蓝移。

我们知道,表面等离激元共振(surface plasmon resonance, SPR)是表面导电电子相对于离子背底的集体振荡。在碱金属中,有限尺寸效应特别强,表面等离激元频率随着粒子大小的降低向较低能量移动,这就发生了红移(red shift),因而每个原子的极化率增加,许多理论研究结果表明,这种行为来源于超出离子背底边界的电子溢出(electronic spillout),从而引起平均电子密度的降低。绝大多数早期的工作都是针对于大粒子与环绕介质(比如胶体溶液或基体嵌入原子团)的相互作用。尽管存在着某些相互矛盾的结果,但绝大多数的实验都显示出随着原子团尺寸的减小,产生与基体有关的蓝移现象。

纳米材料的颜色

因为颜色与SP紧密相关,而纳米材料的SP会与体材料的不同。实际上,当纳米尺度与光波波长相当时,光的频率就与SP的相近,于是SP就吸收能量。SP的频率是材料介电常数的函数,而且与纳米材料的形状有关。对于球形纳米粒子,SP频率是体等离子体频率的约0.58,因此,虽然等离子体的频率可能处于紫外区,但是SP的频率就会处于可见光范围内,比如接近于520nm,因而就显示出颜色来。

Ung等测定了在衬底上的纳米膜,壳层纳米粒子以及纳米粒子膜的颜色变化。图8.6表示的是纳米粒子膜透射颜色的变化。可以看到,透射颜色随着材料的不同或Au纳米膜厚度的不同,有很大的变化。随着粒子间距的增

左图为8.6 Au纳米粒子膜透射颜色的变化(a)薄的Au溅射膜,(b)直径为13.2nm的Au纳米粒子上覆盖了柠檬酸离子的胶状粒子,(c)覆盖巯基丙酸钠离子,再覆盖的SiO2壳层,(d-h)

1.5nm,

2.9nm,7nm,12.5nm和17.5nmAu纳米膜。

右图为8.7 纳米Au膜的反射颜色的变化。

加,颜色从蓝色变为红色。柠檬酸稳定的胶状Au膜的颜色几乎与溅射膜的一样,说明了粒子事实上是彼此互相接触的,而对于较厚的壳层覆盖的,颜色则随着壳层厚度的变厚逐渐地更红。图8.7可以看出,从(a)到(h)随着粒子间距的增加,光泽逐渐降低。从(d)到(g),样品颜色逐渐加重,到(h)时,已变为蓝色,这是由于较厚膜(约400nm)衬底的干涉效应所引起。膜的反射率虽然随着Au的体积分数的增加而增加,但是令人惊奇的是即使在膜只含有1%(体积分数)Au粒子的情况,也仍然有金属光泽。

纳米材料的光发射

20世纪90年代初期开始,发现了纳米晶(p-Si)具有很强的光致发光(photoluminescence,PL)。人们先后研究了纳米晶Si的PL,一起在光电子学中得到广泛应用。另一方面,能源问题一直困扰我们,化石燃料存量越来越少,长生的废弃带来了很多有害影响;核电始终存在危害,迟迟难于达到应用成度。寻找新的洁净安全的能源为人们所关注。2004年,Klimov研究组发现的效应和器件达到前所未有的能量效率,可能在照明上拍上大用场。

量子产额(quantum yield,QY )指一个入射光子被物体吸收后发射出来的光子数。QY存在内在和外在之分,内在QY是材料本身固有的,吸收一个光子后能发射出来的总光子数。由于材料的折射率,样品内部发射光子只有少数能发射到样品表面。所以实际测量的是外部QY,QY值一般指的是材料的内在。

纳米材料的光致发光

光致发光(PL)是指由波长从紫外到近红外范围内的光来激发所产生的一种发光。由于半导体纳米晶PL具有很高的量子产额(从上一小节可以看到有时甚至可高达100%),加上其化学适应性以及好的加工性能,因而是很有希望的颜色可选择的纳米级光发射体。即使只有单层也可得到高达每平方厘米数瓦的输出功率。因此我们这里主要以半导体纳米晶的光致发光为例进行讨论。

CdSe和CdSe/ZnS纳米晶的PL谱

CdSe纳米晶。图(a)表示了300摄氏度下生长的几个CdSe纳米晶样品的PL谱,同时也表示出了吸收谱。吸收谱上可以看出5个可分解的电子转变,表明CdSe纳米晶具有很窄的粒度分布。图(b)是CdSe/ZnS纳米晶的PL谱和吸收谱。图中的数字表示覆盖层ZnS的厚度,百分数则表示光发射的量子产额。可以

看到,没有加覆盖层ZnS,量子产额很少,加上之后显著提高,且以覆盖层厚为1.6ML时的为最大。

ZnS和ZnS掺杂纳米晶的PL谱

从20世纪90年代中期到2004年,对ZnS掺杂纳米晶的发射谱和结构等进行了一系列的研究,掺杂元素主要是Mn,也有掺Ni、Cu和Eu的,所有测定中Mn掺杂的量只达到5%,但是Karar等人在2004年却进行了0~40%Mn整个固溶体区域中的研究,测定了室温下的PL,XRD分析表明,所有的样品为闪锌矿结构,Mn浓度分别为1%、5%、30%和40%时,晶格参数分别为0.5402nm、0.5365nm、0.5347nm和0.5316nm。即使是在Mn浓度很高时,也没有观察到任何的MnS或其他相的痕迹,因此是(Zn,Mn)S固溶体,平均晶粒度约为2nm,但是TEM测定的约为4nm。

磁光效应

磁光效应就是指极化光与磁性物质交互作用后所产生的一种效应。它分为Faraday效应和Kerr效应。1846年,Faraday发现在玻璃样品上加上磁场时,透射光的极化面发生旋转,这就是Faraday效应。如图1(a)所示,红色表示加在物质上的磁场或磁化作用,黄线表示极化光,极化光通过被磁化的物质后产生Faraday效应。注意,所加磁场的方向与光束行进的方向平行。1877年Kerr在观察极化光束从磁性物质反射后,光束的极化以及强度有了改变,这就是磁光科

尔效应(magneto-ptical Kerr effect, MOKE)。如图1(b)所示。

随着铁磁物质磁化强度矢量M的方向相对于材料的表面和人射光束的人射平面的取向,MOKE实际上分为3种效应:纵向MOKE、极性MOKE(Polar MOKE)和横向MOKE。可以用图形清晰地分别表示如下。

纵向MOKE是由于磁化强度矢量处于材料的表面内并平行于入射平面,如图2(a)所示。通常用s极化和P极化分别表示垂直和平行于入射平面光的极化。纵向MOKE简单,其人射光束或者只在s平面或者只在P平面极化,因此其反射光就转变为椭圆极化光。椭圆的主轴常常围绕着主平面有些微的旋转,称之为Kerr 旋转。这种椭圆率称为Kerr椭圆率。透射中也存在着同样的效应,当然通常这只能在薄膜中才看得到,因为绝大多数磁物质在磁光活跃的区域是不透明的。这些效应的符号和数量比例于M和它的方向。在垂直人射方向没有观察到什么效应。图2(b)所示的为横向MOKE梗概图,此时磁化强度垂直于外加磁场和人射平面。与纵向MOKE不同,第一,它只是在P平面内极化;第二,反射光仍然保持线性极化,只有反射振幅的变化,即M的变化只是从+M变为-M,反射率从R+?R 变为R-?R。在垂直人射上没有什么效应。图2(c)所示的是极化MOKE梗概图,此时磁化矢量垂直于样品表面。像纵向MOKE一样,它只是在p平面或s平面内

发生。这种效应中的人射光处于这些线性极化态的一种,反射时转化为椭圆极化光。在垂直人射方向可观察到效应。

纳米材料具有体材料不具备的许多光学特性。已有的研究表明,利用纳米材料的特殊光学性质制成的光学材料将在日常生活和高科技领域内具有广泛的应用前景。例如纳米SiO2光学纤维对波长大于600nm的光的传输损耗小于10dB/km,此值比SiO2体材料的光传输损耗小许多倍。纳米红外反射材料在灯泡工业上有很好的应用前景。利用纳米材料对紫外的吸收特性而制作的日光灯管不仅可以减少紫外光对人体的损害,而且可以提高灯管的使用寿命。此外,我们的研究结果表明,作为光存储材料时,纳米材料的存储密度明显高于体材料。综上所述,纳米材料光学特性的研究已取得了不少进展。

听课内容--纳米半导体光催化

一、简介

?纳米

纳米——10-9米,由于颗粒尺寸的微细化,使得纳米材料具有块状材料所不具备的独特性质,如比表面积大大增大,吸附能力大大增强。

?半导体

半导体——常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,具有热敏、光敏等特性。

半导体的能带结构

半导体存在一系列的满带,最下面的满带成为价带(valence band,VB);存在一系列的空带,最上面的空带称为导带(conduction

band,CB);价带和导带之间为禁带。

当用能量等于或大于禁带宽度(Eg)的光照射时,

半导体价带上的电子可被激发跃迁到导带,同时在价带

上产生相应的空穴,这样就在半导体内部生成电子(e-)

-空穴(h+)对。

为了形象地说明电子空穴对,利用生活中常见的石榴来

比喻:石榴籽:光致电子

石榴籽留下的空洞:光致空穴

光致电子:存在于导带中。光致空穴:存在于价带中。

二者有复合的趋势,即在持续的光照射下,光子不断的轰击价带,导致光致电子和光致空穴不断产生,该分离过程以纳秒计算,然后,光致电子重新回到光致空穴中,二者复合。

?光催化

光催化于1967年被当时还是东京大学研究生的藤岛昭教授发现。在一次试验中对放入水中的氧化钛单晶进行了紫外灯照射,结果发现水被分解成了氧和氢。这一效果作为“本多·藤岛效果”(Honda-Fujishima Effect)而闻名于世,该名称组合了藤岛教授和当时他的指导教师----东京大学校长本多健一的名字。

1976 年,John.H.Carey报道了TiO2光催化氧化法用于污水中PCB 化合物

脱氯去毒的成功结果后,自从那时起,针对光催化技术,学术界围绕太阳能利用、光催化降解有机物等展开了多方面的研究。

1985年,Mutsunaga等发现在金属卤灯发出的近紫外光照射下,TiO2 - Pt 电极具用杀菌效果,这一发现开创了用光催化方法杀菌消毒的先河。因其具备良好的耐候性、耐化学腐蚀性、抗紫外线能力强、透明性优异等特点,被广泛应用于汽车、感光材料、光催化剂、化妆品、食品包装材料、陶瓷添加剂、气体传感器及电子材料等。我国的光催化研究起步于上世纪90年代,现在正在蓬勃发展;国家环境光催化工程技术研究中心,位于福州大学内,付贤智院士领衔,是我国目前光催化领域中规模最大、科研实验条件最好、在国内外光催化领域具有重要影响的研究机构。中科院化学所光化学重点实验室,赵进才院士领衔,致力于可见光下有毒有机污染物催化降解,取得重要成果,在国内外具有广泛影响。南京大学长江学者特聘教授邹志刚教授,973计划“光催化材料及其应用的基础研究”的首席科学家,首次实现了可见光催化光解水制氢(Nature 414,625,2001)。

二、光催化剂及其原理

常见的光催化材料

下面以TiO2为例,讲述一下其作为光催化剂的一些优点:

TiO2的结构与性质

TiO2晶型结构示意图

金红石型 锐钛矿型

何谓光催化?

光催化剂(一般为半导体材料)在光(可见光或者紫外光)

的照射下,通过把

T i O

光能转化为化学能,从而具有氧化还原能力,使化合物(有机物、无机物)被降解的过程称为光催化净化。 生活中见到的光催化过程就是光合作用。

从光合作用这种最简单的光催化反应,总结下一个光催化反应发生的三个基本条件:叶绿素---光催化剂光-------特定波长范围(400-600nm 之间最佳),非所有光都可以反应物------二氧化碳和水

光催化反应的三个基本条件:

光催化剂------一般为半导体材料

光------------特定波长范围,非所有光都可以

反应物--------空气中的有机物或溶液中的有机污染物或水

光催化的一般原理图

可同时实现有机物的氧化和无机金属离子的还原,对于复杂的实际废水处理有重要指导意义TiO2光催化的主要限制因素单纯的TiO2只能吸收波长小于387nm 的紫外光,而这部分光在太阳光谱中只占不到5%。所以,对TiO2改性,使其可见光化,能吸收太阳光中的可见光,提高光能的利用率,成为近年来研究的热点。

hv >Eg

Eg =3.2eV

-

e +h λ<380nm

2TiO 22CO ,H O,etc

导带 价带 -e 或2VOCs H O 2O ?

-2O ?+VOCs

?HO

纳米材料物理-磁光性能

纳米材料的磁光性能 磁光效应 磁光效应就是指极化光与磁性物质交互作用后所产生的一种效应。它分为Faraday效应和Kerr效应。1846年,Faraday发现在玻璃样品上加上磁场时,透射光的极化面发生旋转,这就是Faraday效应。如图1(a)所示,红色表示加在物质上的磁场或磁化作用,黄线表示极化光,极化光通过被磁化的物质后产生Faraday效应。注意,所加磁场的方向与光束行进的方向平行。1877年Kerr在观察极化光束从磁性物质反射后,光束的极化以及强度有了改变,这就是磁光科尔效应(magneto-ptical Kerr effect, MOKE)。如图1(b)所示。 图 1 随着铁磁物质磁化强度矢量M的方向相对于材料的表面和人射光束的人射平面的取向,MOKE实际上分为3种效应:纵向MOKE、极性MOKE(Polar MOKE)和横向MOKE。可以用图形清晰地分别表示如下。 纵向MOKE是由于磁化强度矢量处于材料的表面内并平行于入射平面,如图2(a)所示。通常用s极化和P极化分别表示垂直和平行于入射平面光的极化。纵向MOKE简单,其人射光束或者只在s平面或者只在P平面极化,因此其反射光就转变为椭圆极化光。椭圆的主轴常常围绕着主平面有些微的旋转,称之为Kerr旋转。这种椭圆率称为Kerr椭圆率。 透射中也存在着同样的效应,当然通常这只能在薄膜中才看得到,因为绝大多数磁物质在磁光活跃的区域是不透明的。 这些效应的符号和数量比例于M和它的方向。在垂直人射方向没有观察到

什么效应。 图(b)所示的为横向MOKE 梗概图,此时磁化强度垂直于外加磁场和人射平面。与纵向MOKE 不同,第一,它只是在P 平面内极化;第二,反射光仍然保持线性极化,只有反射振幅的变化,即M 的变化只是从+M 变为-M ,反射率从R+?R 变为R-?R 。在垂直人射上没有什么效应。 图(c)所示的是极化MOKE 梗概图,此时磁化矢量垂直于样品表面。像纵向MOKE 一样,它只是在p 平面或s 平面内发生。这种效应中的人射光处于这些线性极化态的一种,反射时转化为椭圆极化光。在垂直人射方向可观察到效应。 金属纳米粒子和纳米粒子薄膜的磁光效应 Menendez 等制备了嵌人于非晶态Al 2O 3层中的Fe 纳米粒子A ,B 和C 三种样品,它们的粒径分别为2.4nm ,4nm 和8nm ,含量分别为10%,30%和40% , Al 2O 3层的厚度分别17nm ,18nm 和18.5nm ,测定了它们的MOKE 。图3是这三个样品的Kerr 椭圆率和旋转角与能量关系的测定结果。最明显的特点是在所有的样品中,不论是椭圆率还是旋转角谱,由于干涉的作用,都在4--4.5 e V 附近出现峰值。作者应用不同的有效媒介近似的广义方法描述了实验结果,从理论与实验符合程度发现,在纳米平均粒径大于4 nm 时,两则符合得较好,而在粒径为约2nm 时,两者的偏差大。这就说明,在粒径小于4nm 时,纳米粒子的磁光性能,因为其电子结构与体材的不同。 图 2

材料物理性能课后习题答案

材料物理性能习题与解答

目录 1 材料的力学性能 (2) 2 材料的热学性能 (12) 3 材料的光学性能 (17) 4 材料的电导性能 (20) 5 材料的磁学性能 (29) 6 材料的功能转换性能 (37)

1材料的力学性能 1-1一圆杆的直径为2.5 mm、长度为25cm并受到4500N的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解:根据题意可得下表 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-2一试样长40cm,宽10cm,厚1cm,受到应力为1000N拉力,其氏模量为3.5×109 N/m2,能伸长多少厘米? 解: 拉伸前后圆杆相关参数表 ) ( 0114 .0 10 5.3 10 10 1 40 1000 9 4 0cm E A l F l E l l= ? ? ? ? ? = ? ? = ? = ? = ? - σ ε 10 909 .4 0? 0851 .0 1 = - = ? = A A l l ε 名义应变

1-3一材料在室温时的氏模量为3.5×108 N/m 2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。 解:根据 可知: 1-4试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。 证: 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。 1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。 解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程: Voigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程: )21(3)1(2μμ-=+=B G E ) (130)(103.1)35.01(2105.3)1(288MPa Pa E G ≈?=+?=+=μ剪切模量) (390)(109.3) 7.01(3105.3)21(388 MPa Pa E B ≈?=-?=-=μ体积模量. ,.,1 1 2 1 212 12 1 2 1 21 S W VS d V ld A Fdl W W S W V Fdl V l dl A F d S l l l l l l ∝====∝= ===???? ? ?亦即做功或者: 亦即面积εεεεεεεσεσεσ)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量) (1.323)84 05.038095.0()(1 12211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量). 1()()(0)0() 1)(()1()(10 //0 ----= = ∞=-∞=-=e e e E t t t στεσεεεσεττ;;则有:其蠕变曲线方程为:. /)0()(;0)();0()0((0)e (t)-t/e στσσσσσστ==∞==则有::其应力松弛曲线方程为

纳米材料物理热学性质

纳米材料的热学性质 纳米材料是一种既不同于晶态,又不同于非晶态的第三类固体材料,通常指三维空间尺寸至少有一维处于纳米量级 ( 1 n m~1 0 0 n m)的固体材料。由于纳米材料粒径小,比表面积大,处于粒子表面无序排列的原子百分比高达 l 5 ~5 0 %。纳米粒子的这种特殊结构导致其具有不同于传统材料的物理化学特性。纳米材料的高浓度界面及原子能级的特殊结构使其具有不同于常规块体材料和单个分子的性质,纳米材料具有表面效应,体积效应,量子尺寸效应宏观量子隧道效应等,从而使得纳米材料热力学性质具有特殊性,纳米材料的各种热力学性质如晶格参数,结合能,熔点,熔解焓,熔解熵,热容等均显示出尺寸效应和形状效应。可见,纳米材料热力学性质在各方面均显现出与块体材料的差异性,研究纳米材料的热力学性质具有极其重要的科学意义和应用价值。 一热容 1996年,在低温下测定了纳米铁随粒度变化的比热,发现与正常的多晶铁相比,纳米铁出现了反常的比热行为,低温下的电子比热系数减50 %。 1998年,通过研究了粒度和温度对纳米粒子热容的影响,建立了一个预测热容的理论模型,结果表明:过剩的热容并不正比于纳米粒子的比表面,当比表面远小于其物质的特征表面积时,过剩的热容可以认为与粒度无关。 2002年,又把多相纳米体系的热容定义为体相和表面相的热容之和,因为表面热容为负值,所以随着粒径的减小和界面面积的扩大,将导致多相纳米体系总的热容的减小, 二.晶格参数,结合能,内聚能 纳米微粒的晶格畸变具有尺寸效应,利用惰性气体蒸发的方法在高分子基体上制备了1. 45nm 的pd纳米微粒,通过电子微衍射方法测试了其晶格参数,发现 Pd 纳米微粒的晶格参数随着微粒尺寸的减小而降低。结合能的确比相应块体材料的结合能要低。通过分子动力学方法,模拟 Pd 纳米微粒在热力学平衡时的稳定结构,并计算微粒尺寸和形状对 晶格参数和结合能的影响,定量给出形状对晶格参数和结合能变化量的贡献研究表明:在一定的形状下,纳米微粒的晶格参数和结合能随着微粒尺寸的减小而降低,在一定尺寸时,球形纳米微粒的晶格参数和结合能要高于立方体形纳米微粒的相应量。 三纳米粒子的熔解热力学 熔解温度是材料最基本的性能,几乎所有材料的性能如力学性能,物理性能以及化学性能都是工作温度比熔解温度( T /Tm )的函数,除了熔解温度外,熔解焓和熔解熵也是描述材料熔解热力学的重要参量;熔解焓表示体系在熔解的过程中,吸收热量的多少,而熔解熵则是体系熔解过程中熵值的变化。几乎整个熔解热力学理论就是围绕着熔解温度,熔解熵和熔解焓建立的块体材料的熔解温度(有时称熔点) 熔解焓(或称熔解热)和熔解熵一般是常数,但对于纳米材料则非如此实验表明:纳米微粒的熔解温度依赖于微粒的尺寸。 四反应体系的化学平衡 利用纳米氧化铜和纳米氧化锌分别与硫酸氢钠溶液的反应,测定出不同粒径,不同温度时每个组分反应的平衡浓度,从而计算出平衡常数,进而得到化学反应的标准摩尔吉布斯函数;通过不同温度的标准摩尔吉布斯函数,可得化学反

纳米材料物理

纳米材料的基本效应 纳米材料的特殊性能是由于纳米材料的特殊结构,使之产生四大效应,即尺寸效应(量子尺寸效应、小尺寸效应)/表(界)面效应/量子效应(宏观量子隧道效应、库仑堵塞与量子隧穿)/介电限域效应,从而具有传统材料所不具备的物理、化学性能。 宏观尺度的金属材料在高温条件下,其能带可以看作是连续的。 (久保理论) 对于纳米金属颗粒来说,低温下能带的离散性会凸现出来。相邻电子能级之间的间隔d将随颗粒体积V的减小而增加。量子尺寸效应:当粒子尺寸下降到某一值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象;纳米半导体颗粒存在不连续的最高被占据分子轨道(HOMO)和最低未被占据分子轨道能级(LUMO),能隙变宽的现象,均称为量子尺寸效应。 能带理论表明,金属费米能级附近电子能级一般是连续的,这一点只有在高温或宏观尺寸情况下才成立。对于只有有限个导电电子的超微粒子来说,低温下能级是离散的,对于宏观物体包含无限个原子(即导电电子数N→∞),由久保公式可得能级间距d→0,即对大粒子或宏观物体能级间距几乎为零;而对纳米微粒,所包含原子数有限,N值很小,这就导致d有一定的值,即能级间距发生分裂。当能级间距大于热能、磁能、静磁能、静电能、光子能量或超导态的凝聚能时,必须要考虑量子尺寸效应,这会导致纳米微粒磁、光、声、热、电以及超导电性与宏观特性有着显著的不同。

Ag的电子数密度n = 6 × 1022/cm3,由公式 当T=1K时,能级最小间距d/kB=1,代入上式,求得d=20nm。根据久保理论,当d>kB时才会产生能级分裂,出现量子尺寸效应.由此得出,当粒径d<20nm,Ag纳米微粒变为 非金属绝缘体,如果温度高于1K,则要求d << 20nm才有可能变为绝缘体。这里应当指出,实际情况下金属变为绝缘体除了满足d>kB外,还需满足电子寿命>h/d的条件。实验表明,纳米Ag的确具有很高的电阻,类似于绝缘体,这就是说,纳米Ag满足上述两个条件。 Shift to higher energy in smaller size Discrete structure of spectra Increased absorption intensity

《材料物理性能》课后习题答案

1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解: 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。 1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。 解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程: V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程: ) (2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量 ) (1.323)84 05.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量 ). 1()()(0)0() 1)(()1()(1 //0 ----= = ∞=-∞=-=e E E e e E t t t στεσεεεσετ τ ;;则有:其蠕变曲线方程为:. /)0()(;0)();0()0((0)e (t)-t/e στσσσσσστ ==∞==则有::其应力松弛曲线方程为1.0 1.0 0816.04.25 .2ln ln ln 2 2 001====A A l l T ε真应变)(91710 909.44500 60MPa A F =?==-σ名义应力0851 .0100 =-=?=A A l l ε名义应变)(99510 524.445006MPa A F T =?==-σ真应力

半导体纳米材料的光学性能及研究进展

?综合评述? 半导体纳米材料的光学性能及研究进展Ξ 关柏鸥 张桂兰 汤国庆 (南开大学现代光学研究所,天津300071) 韩关云 (天津大学电子工程系,300072) 摘要 本文综述了近年来半导体纳米材料光学性能方面的研究进展情况,着重介绍了半导体纳米材料的光吸收、光致发光和三阶非线性光学特性。 关键词 半导体纳米材料;光学性能 The Optica l Properties and Progress of Nanosize Sem iconductor M a ter i a ls Guan B ai ou Zhang Gu ilan T ang Guoqing H an Guanyun (Institute of M odern Op tics,N ankaiU niversity,T ianjin300071) Abstract T he study of nano size sem iconducto r particles has advanced a new step in the understanding of m atter.T h is paper summ arizes the p rogress of recent study on op tical p roperties of nano size sem icon2 ducto r m aterials,especially emphasizes on the op tical2abso rp ti on,pho to lum inescence,nonlinear op tical p roperties of nano size sem iconducto r m aterials. Key words nano size sem iconducto r m aterials;op tical p roperties 1 引言 随着大规模集成的微电子和光电子技术的发展,功能元器件越来越微细,人们有必要考察物质的维度下降会带来什么新的现象,这些新的现象能提供哪些新的应用。八十年代起,低维材料已成为倍受人们重视的研究领域。 低维材料一般分为以下三种:(1)二维材料,包括薄膜、量子阱和超晶格等,在某一维度上的尺寸为纳米量级;(2)一维材料,或称量子线,线的粗细为纳米量级;(3)零维材料,或称量子点,是尺寸为纳米量级的超细微粒,又称纳米微粒。随着维数的减小,半导体材料的电子能态发生变化,其光、电、声、磁等方面性能与常规体材料相比有着显著不同。低维材料开辟了材料科学研究的新领域。本文仅就半导体纳米微粒和由纳米微粒构成的纳米固体的光学性能及其研究进展情况做概括介绍。2 半导体纳米微粒中电子的能量状态 当半导体材料从体块减小到一定临界尺寸以后,其载流子(电子、空穴)的运动将受限,导致动能的增加,原来连续的能带结构变成准分立的类分子能级,并且由于动能的增加使得能隙增大,光吸收带边向短波方向移动(即吸收蓝移),尺寸越小,移动越大。 关于半导体纳米微粒中电子能态的理论工作最早是由AL.L.Efro s和A.L.Efro s开展的[1]。他们采用有效质量近似方法(E M A),根据微粒尺寸R与体材料激子玻尔半径a B之比分为弱受限(Rμa B,a B=a e+ a h,a e,a h分别为电子和空穴的玻尔半径)、中等受限(a h

纳米材料的光学特性

纳米材料的光学特性 美国著名物理学家,1965年诺贝尔物理奖获得者R.P Feynman在1959年曾经说过:“如果有一天能按人的意志安排一个个原子分子将会产生什么样的奇迹”,纳米科学技术的诞生将使这个美好的设想成为现实。 纳米材料是纳米科学技术的一个重要的发展方向。纳米材料是指由极细晶粒组成,特征维度尺寸在纳米量级(1~100nm)的固态材料。由于极细的晶粒,大量处于晶界和晶粒内缺陷的中心原子以及其本身具有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等,纳米材料与同组成的微米晶体(体相)材料相比,在催化、光学、磁性、力学等方面具有许多奇异的性能,因而成为材料科学和凝聚态物理领域中的研究热点。 1 纳米材料的分类和结构 根据不同的结构,纳米材料可分为四类,即:纳米结构晶体或三维纳米结构;二维纳米结构或纤维状纳米结构;一维纳米结构或层状纳米结构和零维原子簇或簇组装。纳米材料的分类如图表1所示。纳米材料包括晶体、赝晶体、无定性金属、陶瓷和化合物。 2 纳米材料的光学性质 纳米材料在结构上与常规晶态和非晶态材料有很大差别,突出地表现在小尺寸颗粒和庞大的体积百分数的界面,界面原子排列和键的组态的较大无规则性。这就使纳米材料的光学性质出现了一些不同于常规材料的新现象。

纳米材料的光学性质研究之一为其线性光学性质。纳米材料的红外吸收研究是近年来比较活跃的领域,主要集中在纳米氧化物、氮化物和纳米半导体材料上,如纳米Al2O3、Fe2O3、SnO2中均观察到了异常红外振动吸收,纳米晶粒构成的Si膜的红外吸收中观察到了红外吸收带随沉积温度增加出现频移的现象,非晶纳米氮化硅中观察到了频移和吸收带的宽化且红外吸收强度强烈地依赖于退火温度等现象。对于以上现象的解释基于纳米材料的小尺寸效应、量子尺寸效应、晶场效应、尺寸分布效应和界面效应。目前,纳米材料拉曼光谱的研究也日益引起研究者的关注。 半导体硅是一种间接带隙半导体材料,在通常情况下,发光效率很弱,但当硅晶粒尺寸减小到5nm或更小时,其能带结构发生了变化,带边向高能态迁移,观察到了很强的可见光发射。研究纳米晶Ge的光致发光时,发现当Ge晶体的尺寸减小到4nm以下时,即可产生很强的可见光发射,并认为纳料晶的结构与金刚石结构的Ge 不同,这些Ge纳米晶可能具有直接光跃迁的性质。Y.Masumato发现掺CuCl纳米晶体的NaCl在高密度激光下能产生双激子发光,并导致激光的产生,其光学增益比CuCl 大晶体高得多。不断的研究发现另外一些材料,例如Cds、CuCl、ZnO、SnO2、Bi2O3、Al2O3、TiO2、SnO2、Fe2O3、CaS、CaSO4等,当它们的晶粒尺寸减小到纳米量级时,也同样观察到常规材料中根本没有的发光观象。纳米材料的特有发光现象的研究目前正处在开始阶段,综观研究情况,对纳米材料发光现象的解释主要基于电子跃迁的选择定则,量子限域效应,缺陷能级和杂质能级等方面。 纳米材料光学性质研究的另一个方面为非线性光学效应。纳米材料由于自身的特性,光激发引发的吸收变化一般可分为两大部分:由光激发引起的自由电子-空穴对所产生的快速非线性部分;受陷阱作用的载流子的慢非线性过程。其中研究最深入的为CdS纳米微粒。由于能带结构的变化,纳米晶体中载流子的迁移、跃迁和复合过程均呈现与常规材料不同的规律,因而其具有不同的非线性光学效应。 纳米材料非线性光学效应可分为共振光学非线性效应和非共振非线性光学效应。非共振非线性光学效应是指用高于纳米材料的光吸收边的光照射样品后导致的非线性效应。共振光学非线性效应是指用波长低于共振吸收区的光照射样品而导致的光学非线性效应,其来源于电子在不同电子能级的分布而引起电子结构的非线性,电子结构的非线性使纳米材料的非线性响应显著增大。目前,主要采用Z-扫找(Z-SCAN)和DFWM技术来测量纳米材料的光学非线性。

纳米材料论文

纳米材料的特性与应用 摘要:纳米材料在结构、光电和化学性质等方面的诱人特征,引起物理学家、材料学家和化学家的浓厚爱好。80年代初期纳米材料这一概念形成以后,世界各国对这种材料给予极大关注。它所具有的独特的物理和化学特性,使人们意识到它的发展可能给物理、化学、材料、生物、医药等学科的研究带来新的机遇。纳米材料的应用前景十分广阔。近年来,它在化工、催化、涂料等领域也得到了一定的应用,并显示出它的独特魅力。 关键词:纳米材料特性应用 1. 纳米发展简史 1959年,着名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德。费曼预言,人类可以用小的机器制作更小的机器,最后实现根据人类意愿逐个排列原子、制造产品,这是关于纳米科技最早的梦想。 1991年,美国科学家成功地合成了碳纳米管,并发现其质量仅为同体积钢的1/6,强度却是钢的10倍,因此称之为超级纤维.这一纳米材料的发现标志人类对材料性能的发掘达到了新的高度。1999年,纳米产品的年营业额达到500亿美元。 2.什么是纳米材料 纳米(nm)是长度单位,1纳米是10-9米(十亿分之一米),对宏观物质来说,纳米是一个很小的单位,不如,人的头发丝的直径一般为7000-8000nm,人体红细胞的直径一般为3000-5000nm,一般病毒的直径也在几十至几百纳米大小,金属的晶粒尺寸一般在微米量级;对于微观物质如原子、分子等以前用埃来表示,1埃相当于1个氢原子的直径,1纳米是10埃。 一般认为纳米材料应该包括两个基本条件:一是材料的特征尺寸在1-100nm之间,二是材料此时具有区别常规尺寸材料的一些特殊物理化学特性。 3. 纳米材料的特性 广义地说,纳米材料是指在三维空间中至少有一维处在纳米尺度范围(1-100nm)或由他们作为基本单元构成的材料。 3.1表面与界面效应 这是指纳米晶体粒表面原子数与总原子数之比随粒径变小而急剧增大后所引起的性质上的变化。例如粒子直径为10纳米时,微粒包含4000个原子,表面原子占40%;粒子直径为1纳米时,微粒包含有30个原子,表面原子占99%。主要原因就在于直径减少,表面原子数量增多。再例如,粒子直径为10纳米和5纳米时,比表面积分别为90米2/克和180米2/克。如此高的比表面积会出现一些极为奇特的现象,如金属纳米粒子在空中会燃烧,无机纳米粒子会吸附气体等等。 3.2小尺寸效应

举例说明纳米材料的结构与其性质的关系

代鹏程无机化学2009级硕博连读学号:200911461 题目:举例说明纳米材料的结构与其性质的关系 答: 目录 1、纳米材料定义 2、纳米材料的结构 3、纳米材料的性能 4、以量子点为例说明纳米材料结构与其性质的关系 5、以纳米线为例说明纳米材料结构与其性质的关系 1、纳米材料定义 纳米材料是纳米级结构材料的简称。狭指由纳米颗粒构成的固体材料,其中纳米颗粒的尺寸最多不超过100纳米,在通常情况下不超过10纳米;从广义上说,纳米材料,是指微观结构至少在一维方向上受纳米尺度(1~100nm)限制的各种固体超细材料,它包括零维的原子团簇(几十个原子的聚集体)和纳米微粒;一维纳米纤维;二维纳米微粒膜(涂层)及三维纳米材料。 2、纳米材料的结构 材料学研究认为:材料的结构决定材料的性能,同时材料的性能反映材料的结构。纳米材料也同样如此。对于纳米材料,其特性既不同于原子,又不同于结晶体,可以说它是一种不同于本体材料的新材料,其物理化学性质与块体材料有明显的差异。 纳米材料的结构特点是:纳米尺度结构单元,大量的界面或自由表面,以及结构单元与大量界面单元之间存在的交互作用。在结构上,大多数纳米粒子呈现为理想单晶,也有呈现非晶态或亚稳态的纳米粒子。纳米材料的结构上存在两种结构单元;即晶体单元和界面单元。晶体单元由所有晶粒中的原子组成,这些原子严格地位于晶格位置;界面单元由处于各晶粒之间的界面原子组成,这些原子由超微晶粒的表面原子转化而来。 纳米材料由于非常小,使纳米材料的几何特点之一是比表面积(单位质量材料的表面积)很大,一般在102~104m2/g。它的另一个特点是组成纳米材料的单元表面上的原子个数与单元中所有原子个数相差不大。例如:一个由5个原子组成的正方体纳米颗粒,总共有原子个数53=125个,而表面上就有约89个原子,占了纳米颗粒材料整体原子个数的71%以上。这些特点完全不同于普通的材料。例如,普通材料的比表面积在10m2/g以下,其表面原子的个数与组成单元的整体原子个数相比较完全可以忽略不计。 由于以上纳米材料的两上显著不同于普通材料的几何特点,从物理学的观点来看,就使得纳米材料有两个不同于普通材料的物理效应表现出来,这是一个由量变到质变的过程。一个效应我们称之为量子尺寸效应,另一个被称之为表面效应。量子尺寸效应是由于材料的维度不断缩小时,描述它的物理规律完全不同

《材料物理性能》课后习题答案

《材料物理性能》 第一章材料的力学性能 1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解: 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2) 可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。 1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和 0816 .04.25.2ln ln ln 22 001====A A l l T ε真应变) (91710909.44500 60MPa A F =?==-σ名义应力0851 .010 0=-=?=A A l l ε名义应变) (99510524.445006MPa A F T =?== -σ真应力) (2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量) (1.323)84 05.038095.0()(1 12211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量

纳米材料的物理性能.

《材料科学前沿》 学号:S1******* 流水号:S2******* 姓名:张东杰 指导老师:郝耀武

纳米晶材料的物理性能 摘要:纳米材料由于其独特的微观结构和奇异的物理化学性质,目前已成为材料领域研究的热点之一。纳米晶材料具有优异的物理特性,这是由所组成的微粒的尺寸、相组成和界面这三个方面的相互作用来决定的。本文简要介绍了纳米晶材料的定义,综述了纳米晶材料的各种物理特性。 关键词:纳米材料,纳米晶材料,物理性能 1、引言 纳米材料是指三维空间尺度至少有一维处于纳米量级(1~100nm)的材料,它是由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。由于其组成单元的尺度小,界面占用相当大的成分。因此,纳米材料具有多种特点,这就导致由纳米微粒构成的体系出现了不同于通常的大块宏观材料体系的许多特殊性质。纳米体系使人们认识自然又进入一个新的层次,它是联系原子、分子和宏观体系的中间环节,是人们过去从未探索过的新领域。实际上由纳米粒子组成的材料向宏观体系演变过程中存在结构上有序度的变化和在状态上的非平衡性质,使体系的性质产生很大的差别。对纳米材料的研究将使人们从微观到宏观的过渡有更深入的认识。 纳米材料按其结构可分为四类:晶粒尺寸至少在一个方向上在几个纳米范围内的称为三维纳米材料;具有层状结构的称为二维纳米材料;具有纤维结构的称为一维纳米材料;具有原子簇和原子束结构的称为零维纳米材料。 纳米晶材料(纳米结构材料)的概念最早是由H.Gleiter出的,这类固体是由(至少在一个方向上)尺寸为几个纳米的结构单元(主要是晶体)所构成。纳米晶材料是一种非平衡态的结构,其中存在大量的晶体缺陷。当然,纳米材料也可由非晶物质组成,例如:半晶态高分子聚合物是由厚度为纳米级的晶态层和非晶态层相间地构成的故是二维层状纳米结构材料。又如纳米玻璃的组成相均为非晶态,它是由纳米尺度的玻璃珠和界面层所组成。我们这里主要讨论纳米晶材料的物理性能。

影响纳米材料光催化性能的因素

1、半导体的能带位置 半导体的带隙宽度决定了催化剂的光学吸收性能。半导体的光学吸收阈值λg与Eg有关,其关系式为:λg=1240/Eg。半导体的能带位置和被吸附物质的氧化还原电势,从本质上决定了半导体光催化反应的能力。热力学允许的光催化氧化还原反应要求受体电势比半导体导带电势低(更正);而给体电势比半导体价带电势高(更负)。导带与价带的氧化还原电位对光催化活性具有更重要的影响。通常价带顶VBT越正,空穴的氧化能力越强,导带底CBB越负,电子的还原能力越强。价带或导带的离域性越好,光生电子或空穴的迁移能力越强,越有利于发生氧化还原反应。对于用于光解水的光催化剂,导带底位置必须比H+/H 2 O的氧化 还原势负,才能产生H 2,价带顶必须比O 2 /H 2 O(+的氧化还原势正,才能产生O 2 ,。 因此发生光解水必须具有合适的导带和价带位置,而且考虑到超电压的存在,半 导体禁带宽度Eg应至少大于。目前常被用作催化剂的半导体大多数具有较大的禁带宽度,这使得电子-空穴具有较强的氧化还原能力。 2、光生电子和空穴的分离和捕获 光激发产生的电子和空穴可经历多种变化途径,其中最主要的是分离和复合两个相互竞争的过程。对于光催化反应来说,光生电子和空穴的分离与给体或受体发生作用才是有效的。如果没有适当的电子或空穴的捕获剂,分离的电子和空穴可能在半导体粒子内部或表面复合并放出荧光或热量。空穴捕获剂通常是光催化剂表面吸附的OH-基团或水分子,可能生成活性物种·OH,它无论是在吸附相还是在溶液相都易引发物质的氧化还原反应,是强氧化剂。光生电子的捕获剂主要是吸附于光催化剂表面上的氧,它既能够抑制电子与空穴的复合,同时也是氧化剂,可以氧化已经羟基化的反应产物。 3、晶体结构 除了对晶胞单元的主要金属氧化物的四面体或八面体单元的偶极矩的影响,晶体结构(晶系、晶胞参数等)也影响半导体的光催化活性。TiO 2 是目前认为最 好的光催化剂之一。TiO 2 主要有两种晶型—锐钛矿和金红石,两种晶型结构均可 由相互连接的TiO 6 八面体表示,两者的差别在于八面体的畸变程度和八面体间相互连接的方式不同。结构上的差异导致了两种晶型有不同的质量密度及电子能带结构。锐钛矿的质量密度略小于金红石,且带间隙()略大于金红石(),这是其光催化活性比金红石的高。 4、晶格缺陷 根据热力学第三定律,除了在绝对零度,所有的物理系统都存在不同程度的不规则分布,实际晶体都是近似的空间点阵式结构,总有一种或几种结构上的缺陷。当有微量杂质元素掺入晶体时,也可能形成杂质置换缺陷。这些缺陷的存在

材料物理性能测试思考题答案

有效电子数:不是所有的自由电子都能参与导电,在外电场的作用下,只有能量接近费密能的少部分电子,方有可能被激发到空能级上去而参与导电。这种真正参加导电的自由电子数被称为有效电子数。 K状态:一般与纯金属一样,冷加工使固溶体电阻升高,退火则降低。但对某些成分中含有过渡族金属的合金,尽管金相分析和X射线分析的结果认为其组织仍是单相的,但在回火中发现合金电阻有反常升高,而在冷加工时发现合金的电阻明显降低,这种合金组织出现的反常状态称为K状态。X射线分析发现,组元原子在晶体中不均匀分布,使原子间距的大小显著波动,所以也把K状态称为“不均匀固溶体”。 能带:晶体中大量的原子集合在一起,而且原子之间距离很近,致使离原子核较远的壳层发生交叠,壳层交叠使电子不再局限于某个原子上,有可能转移到相邻原子的相似壳层上去,也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去,从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异,与此相对应的能级扩展为能带。 禁带:允许被电子占据的能带称为允许带,允许带之间的范围是不允许电子占据的,此范围称为禁带。 价带:原子中最外层的电子称为价电子,与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带:价带以上能量最低的允许带称为导带。 金属材料的基本电阻:理想金属的电阻只与电子散射和声子散射两种机制有关,可以看成为基本电阻,基本电阻在绝对零度时为零。 残余电阻(剩余电阻):电子在杂质和缺陷上的散射发生在有缺陷的晶体中,绝对零度下金属呈现剩余电阻。这个电阻反映了金属纯度和不完整性。 相对电阻率:ρ (300K)/ρ (4.2K)是衡量金属纯度的重要指标。 剩余电阻率ρ’:金属在绝对零度时的电阻率。实用中常把液氦温度(4.2K)下的电阻率视为剩余电阻率。 相对电导率:工程中用相对电导率( IACS%) 表征导体材料的导电性能。把国际标准软纯铜(在室温20 ℃下电阻率ρ= 0 .017 24Ω·mm2/ m)的电导率作为100% , 其他导体材料的电导率与之相比的百分数即为该导体材料的相对电导率。 马基申定则(马西森定则):ρ=ρ’+ρ(T)在一级近似下,不同散射机制对电阻率的贡献可以加法求和。ρ’:决定于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的剩余电阻率。ρ(T):取决于晶格热振动的电阻率(声子电阻率),反映了电子对热振动原子的碰撞。 晶格热振动:点阵中的质点(原子、离子)围绕其平衡位置附近的微小振动。 格波:晶格振动以弹性波的形式在晶格中传播,这种波称为格波,它是多频率振动的组合波。 热容:物体温度升高1K时所需要的热量(J/K)表征物体在变温过程中与外界热量交换特性的物理量,直接与物质内部原子和电子无规则热运动相联系。 比定压热容:压力不变时求出的比热容。 比定容热容:体积不变时求出的比热容。 热导率:表征物质热传导能力的物理量为热导率。 热阻率:定义热导率的倒数为热阻率ω,它可以分解为两部分,晶格热振动形成的热阻(ωp)和杂质缺陷形成的热阻(ω0)。导温系数或热扩散率:它表示在单位温度梯度下、单位时间内通过单位横截面积的热量。热导率的单位:W/(m·K) 热分析:通过热效应来研究物质内部物理和化学过程的实验技术。原理是金属材料发生相变时,伴随热函的突变。 反常膨胀:对于铁磁性金属和合金如铁、钴、镍及其某些合金,在正常的膨胀曲线上出现附加的膨胀峰,这些变化称为反常膨胀。其中镍和钴的热膨胀峰向上为正,称为正反常;而铁和铁镍合金具有负反常的膨胀特性。 交换能:交换能E ex=-2Aσ1σ2cosφA—交换积分常数。当A>0,φ=0时,E ex最小,自旋磁矩自发排列同一方向,即产生自发磁化。当A<0,φ=180°时,E ex也最小,自旋磁矩呈反向平行排列,即产生反铁磁性。交换能是近邻原子间静电相互作用能,各向同性,比其它各项磁自由能大102~104数量级。它使强磁性物质相邻原子磁矩有序排列,即自发磁化。 磁滞损耗:铁磁体在交变磁场作用下,磁场交变一周,B-H曲线所描绘的曲线称磁滞回线。磁滞回线所围成的面积为铁 =? 磁体所消耗的能量,称为磁滞损耗,通常以热的形式而释放。磁滞损耗Q HdB 技术磁化:技术磁化的本质是外加磁场对磁畴的作用过程即外加磁场把各个磁畴的磁矩方向转到外磁场方向(和)或近似外磁场方向的过程。技术磁化的两种实现方式是的磁畴壁迁移和磁矩的转动。 请画出纯金属无相变时电阻率—温度关系曲线,它们分为几个阶段,各阶段电阻产生的机制是什么?为什么高温下电阻率与温度成正比? 1—ρ电-声∝T( T > 2/ 3ΘD ) ; 2—ρ电-声∝T5 ( T< <ΘD );

材料物理性能王振廷课后答案106页

1、试说明下列磁学参量的定义和概念:磁化强度、矫顽力、饱和磁化强度、磁导率、磁化率、剩余磁感应强度、磁各向异性常数、饱和磁致伸缩系数。 a、磁化强度:一个物体在外磁场中被磁化的程度,用单位体积内磁矩的多少来衡量,成为磁化强度M b、矫顽力Hc:一个试样磁化至饱和,如果要μ=0或B=0,则必须加上一个反向磁场Hc,成为矫顽力。 c、饱和磁化强度:磁化曲线中随着磁化场的增加,磁化强度M或磁感强度B开始增加较缓慢,然后迅速增加,再转而缓慢地增加,最后磁化至饱和。Ms成为饱和磁化强度,Bs成为饱和磁感应强度。 d、磁导率:μ=B/H,表征磁性介质的物理量,μ称为磁导率。 e、磁化率:从宏观上来看,物体在磁场中被磁化的程度与磁化场的磁场强度有关。 M=χ·H,χ称为单位体积磁化率。 f、剩余磁感应强度:将一个试样磁化至饱和,然后慢慢地减少H,则M也将减少,但M并不按照磁化曲线反方向进行,而是按另一条曲线改变,当H减少到零时,M=Mr或Br=4πMr。(Mr、Br分别为剩余磁化强度和剩余磁感应强度) g、磁滞消耗:磁滞回线所包围的面积表征磁化一周时所消耗的功,称为磁滞损耗Q( J/m3) h、磁晶各向异性常数:磁化强度矢量沿不同晶轴方向的能量差代表磁晶各向异性能,用Ek表示。磁晶各向异性能是磁化矢量方向的函数。 i、饱和磁致伸缩系数:随着外磁场的增强,致磁体的磁化强度增强,这时|λ|也随之增大。当H=Hs时,磁化强度M达到饱和值,此时λ=λs,称为饱和磁致伸缩所致。 2、计算Gd3+和Cr3+的自由离子磁矩Gd3+的离子磁矩比Cr3+离子磁矩高的原因是什么 Gd3+有7个未成对电子,Cr3+ 3个未成对电子. 所以, Gd3+的离子磁矩为7μB, Cr3+的离子磁矩为3μB. 3、过渡族金属晶体中的原子(或离子)磁矩比它们各自的自由离子 磁矩低的原因是什么 4、试绘图说明抗磁性、顺磁性、铁磁性物质在外场B=0的磁行为。

纳米材料在光学方面的应用要点

浅谈纳米材料的应用 【摘要】纳米技术是当今世界最有前途的决定性技术。文章简要地概述了纳米材料在力学、磁学、电学、热学、光学和生命等方面的主要,并简单展望了纳米材料的应用前景。 【关键词】纳米材料;纳米技术;应用 有人曾经预测在21世纪纳米技术将成为超过技术和基因技术的“决定性技术”,由此纳米材料将成为最有前途的材料。世界各国相继投入巨资进行,美国从2000年启动了国家纳米计划,国际纳米结构材料会议自1992年以来每两年召开一次,与纳米技术有关的国际期刊也很多。 一、纳米材料的特殊性质 纳米材料高度的弥散性和大量的界面为原子提供了短程扩散途径,导致了高扩散率,它对蠕变,超塑性有显著,并使有限固溶体的固溶性增强、烧结温度降低、化学活性增大、耐腐蚀性增强。因此纳米材料所表现的力、热、声、光、电磁等性质,往往不同于该物质在粗晶状态时表现出的性质。与传统晶体材料相比,纳米材料具有高强度——硬度、高扩散性、高塑性——韧性、低密度、低弹性模量、高电阻、高比热、高热膨胀系数、低热导率、强软磁性能。这些特殊性能使纳米材料可广泛地用于高力学性能环境、光热吸收、非线性光学、磁记录、特殊导体、分子筛、超微复合材料、催化剂、热交换材料、敏感元件、烧结助剂、润滑剂等领域。 (一)力学性质 高韧、高硬、高强是结构材料开发应用的经典主题。具有纳米结构的材料强度与粒径成反比。纳米材料的位错密度很低,位错滑移和增殖符合Frank-Reed模型,其临界位错圈的直径比纳米晶粒粒径还要大,增殖后位错塞积的平均间距一般比晶粒大,所以纳迷材料中位错滑移和增殖不会发生,这就是纳米晶强化效应。金属陶瓷作为刀具材料已有50多年,由于金属陶瓷的混合烧结和晶粒粗大的原因其力学强度一直难以有大的提高。应用纳米技术制成超细或纳米晶粒材料时,其韧性、强度、硬度大幅提高,使其在难以加工材料刀具等领域占据了主导地位。使用纳米技术制成的陶瓷、纤维广泛地应用于航空、航天、航海、石油钻探等恶劣环境下使用。 (二)磁学性质 当代机硬盘系统的磁记录密度超过1.55Gb/cm2,在这情况下,感应法读出磁头和普通坡莫合金磁电阻磁头的磁致电阻效应为3%,已不能满足需要,而纳米多层膜系统的巨磁电阻效应高达50%,可以用于信息存储的磁电阻读出磁头,具有相当高的灵敏度和低噪音。巨磁电阻效应的读出磁头可将磁盘的记录密度提高到1.71Gb/cm2。同时纳米巨磁电阻材料的磁电阻与外磁场间存在近似线性的关系,所以也可以用作新型的磁传感材料。高分子复合纳米材料对可见光具有良好的透射率,对可见光的吸收系数比传统粗晶材料低得多,而且对红外波段的吸收系数至少比传统粗晶材料低3个数量级,磁性比FeBO3和FeF3透明体至少高1个数量级,从而在光磁系统、光磁材料中有着广泛的应用。 (三)电学性质 由于晶界面上原子体积分数增大,纳米材料的电阻高于同类粗晶材料,甚至发生尺寸诱导金属——绝缘体转变(SIMIT)。利用纳米粒子的隧道量子效应和库仑堵塞效应制成的纳米器件具有超高速、超容量、超微型低能耗的特点,有可能在不久的将来全面取代目前的常规半导体器件。2001年用碳纳米管制成的纳米晶体管,表现出很好的晶体三极管放大特性。并根据低温下碳纳米管的三极管放大特性,成功研制出了室温下的单电

纳米材料的热学性质

纳米材料与团簇物理结课论文 纳米材料的热学性质 纳米材料是一种既不同于晶态,又不同于非晶态的第三类固体材料,通常指三维空间尺寸至少有一维处于纳米量级( 1 n m~1 0 0 n m)的固体材料。由于纳米材料粒径小,比表面积大,处于粒子表面无序排列的原子百分比高达l5~5 0%。纳米粒子的这种特殊结构导致其具有不同于传统材料的物理化学特性。 纳米材料的高浓度界面及原子能级的特殊结构使其具有不同于常规块体材料和单个分子的性质,纳米材料具有表面效应,体积效应,量子尺寸效应宏观量子隧道效应等,从而使得纳米材料热力学性质具有特殊性,纳米材料的各种热力学性质如晶格参数,结合能,熔点,熔解焓,熔解熵,热容等均显示出尺寸效应和形状效应。可见,纳米材料热力学性质在各方面均显现出与块体材料的差异性,研究纳米材料的热力学性质具有极其重要的科学意义和应用价值。 纳米材料的热学性质概述 一、纳米材料的熔点及内能 材料热性能与材料中分子、原子运动行为有着不可分割的联系。当热载子(电子、声子及光子)的各种特征尺寸与材料的特征尺寸(晶粒尺寸、颗粒尺寸或薄膜厚度)相当时,反应物质热性能的物性参数如熔化温度、热容等会体现出鲜明的尺寸依赖性。特别是,低温下热载子的平均自由程将变长,使材料热学性质的尺寸效应更为明显。

图1 几种纳米金属粒子的熔点降低现象 上图(图1)为几种纳米金属粒子的熔点降低现象。随粒子尺寸的减小,熔点降低。当金属粒子尺寸小于10nm后熔点急剧下降,其中3nm左右的金微粒子的熔点只有其块体材料熔点的一半,用高倍率电子显微镜观察尺寸2nm的纳米金粒子结构可以发现,纳米金颗粒形态可以在单晶、多晶与孪晶间连续转变。这种行为与传统材料在固定熔点熔化的行为完全不同,伴随着纳米材料的熔点降低,单位质量粒子熔化时的潜热吸收(焓变)也随尺寸的减小而减少。人们在具有自由表面的共价半导体的纳米晶体、惰性气体和分子晶体也发现了熔化的尺寸效应现象。 根据固体物理的基本原理,可以说明材料热学性质出现尺寸效应的根本原因,一般情况下,晶体材料的内能U可依据其晶格振动的波特性在德拜假设下估计出,即: (1) 式中,Θ为德拜温度;k为波矢;T为热力学温度;h为普朗克常数;k B为玻尔兹曼常数。求和是对于所有可能的k值进行的。k的允许值由其分量表示为: (2) 式中,L为晶格长度;N为状态度;△k x为特定方向上连续波矢的差。在其他方向的k分量也存在类似关系。 在块体材料内,式(1)通常简化为: (3) 式中,u bulk是块体材料单位容积的U值;n为原子数密度;x D为与德拜温度对应的积分限。上述关于u的表述只给出了来自块体材料声子模式的贡献,而表面声子的贡献则被忽略了。在块体材料中,表面声子的贡献确实可以忽略;但当材料至少一维尺寸大幅减少至纳米量级时,这

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