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集成电路封装与测试复习题-答案

一、填空题

1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;结构保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。

7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、

光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。

11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。

12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

13、DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。

14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、

丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解释

1、芯片的引线键合技术(3种)

是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上

而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。2、陶瓷封装

陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。

3、共晶

是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。

4、封装的层次

集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。

5、可靠性工程

可靠性则是对封装的可靠性相关参数的测试。产品的可靠性即产品可靠度的性能,具体表现在产品使用时是否容易出故障,产品使用寿命是否合理等。

6、再流焊接技术

再流焊接是预先在PCB焊接部位(焊盘)施放适量和适当形式的焊料,然后贴放表面组装元器件,经固化后,再利用外部热源使焊料再次流动达到焊接目的的一种成组或逐点焊接工艺。

7、3D封装

是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)

及SDRAM的叠层封装。

8、切筋

是指切除框架外引脚之间的堤坝及在框架带上连在一起的地方。

9、气密性封装

是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装。

10、顺型涂封

顺型涂封的原料一般为液状树脂,将组装完成的印制电路板表面清洗干净后,以喷洒或沉浸的方法将树脂原料均匀地涂上,再经适当的烘烤热处理或紫外处理后即成为保护涂层。

11、封装可靠性工程

芯片封装流程完成后,封装厂会对产品进行可靠性的测试,可靠性检测是检测产品“未来”的质量,包括预处理、温度循环测试、热冲击、高温储藏、温度和湿度、高压蒸煮。

12、生胚片

将各种无机和有机材料混合后,经一定时间的球磨后即称为浆料。也称为生胚片载体系统,陶瓷管壳的基板是有多层生胚片采用低温共烧技术连接在一起的。

13、柯肯达尔空洞

是指线材、键合点金属与金属间化合物之间的两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷

,产生空洞。

14、墓碑效应

小型片状之表面黏装零件,因其两端之金属封头与板面焊垫之间,在焊锡性上可能有差异存在或者是两端散热的速率不同导致焊锡的固化速率不同。经过红外线或热风熔焊后,偶尔会出现一端焊牢而另一端被拉起的浮开现象,特称为墓碑效应。

15、转移成型技术

将将芯片与引线框放在模具中,加热塑封预成型块并放入转移罐,将其压入浇道通过浇口进入模腔,然后快速固化到一定硬度,用塑料将芯片与引线框架包装起来。

16、应力消除

芯片切割之前需要对芯片进行减薄处理,并且经过减薄以后的芯片其后表面的裂纹会在此步骤中去除掉,芯片的强度也会增加(应力消除),可用干式抛光、化学研磨液、湿式刻蚀发、干式刻蚀发。

三、问答题

1、详细描述狭义芯片封装的工艺流程及其每一步所实现的作用。

工艺流程:为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

作用:为IC芯片提供机械支撑和环境保护、接通半导体芯片的电流通路、提供信号的输入和输出通路、提供热通路,散逸半导体芯片产生的热

2、在芯片的组装过程中,常常运用到各种不同的焊接技术,详细叙述波峰焊技术和再波峰焊技术的工艺流程并比较其应用范围。

工艺流程:波峰焊技术:准备,元件插装,喷涂钎剂,预热,波峰焊,冷却,清洗再波峰焊技术:印刷焊锡膏与pcb通孔焊盘,放置插装件,再流焊接。

应用范围:一般情况下,波峰焊用于混合组装方式,再流焊用于全表面贴装方式

3、在芯片的制造过程中首先需要对芯片进行减薄与切割,详细叙述芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。

芯片切割方式:机械式切割,激光式切割,隐形式切割

工艺流程:机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例,DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行切割再减薄激光式切割:以激光全切割为例,将DBG加工后的晶片转放到框架上,剥离掉表面保护胶带后,从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片,所以就可以从芯片间照射激光,只将DAF切割隐形式切割:是将激光聚光与工件内部,在工件内部形成改质层,通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法

4、WLP(Wafer Level Package)封装的定义是什么?试描述它的结构以及它的制造工艺流程。

WLP是晶圆级封装以BGA技术为基础,直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序,之后再进行切割制成单颗组件

包括两个基本工艺:1.薄膜再分布技术工艺流程:a.在IC芯片上涂覆金属布线层介质材料 b.淀积金属薄膜并用光刻方法制备金属导线和所连接的凸点焊区 c.在凸点焊区淀积UBM d.在UBM上制作凸点 2.凸点的制作可以通过应用预测焊球、丝网印刷或电化学淀积的方法制作。

5、简述集成电路狭义封装的流程。

工艺流程:为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码

6、在电子产品的生产过程中常用到表面贴装技术,是简述表面贴装技术的组装方式有哪些。

1、单面混合组装:先贴法、后贴法

2、双面混合组装:SMC/SMD 和THC同侧方式、SMC/SMD和THC不同侧方式

3、全表面组装:单面表面组装、双面表面组装。

7、集成电路封装中,经常会用到金属凸点的制作工艺,如倒装芯片封装、微小模塑封封装等,试描述金属凸点的工艺流程及其所实现的功能(包括了多金属层的制作以及凸点的制作)。

凸点形成办法:蒸镀焊料凸点,电镀焊料凸点,印刷焊料凸点,钉头焊料凸点放球凸点焊料转移凸, 蒸镀凸点。以蒸镀凸点为例,

蒸镀凸点工艺流程:1、现场对硅片溅射清洗(a)在沉积金属前去除氧化物或者照相掩膜。同时使得硅片钝化层以及焊盘表面粗糙以提高对UBM的结合力2、金属掩膜:常常用带图样的钼金属掩膜来覆

盖硅片以利于UBM以及凸点金属的沉积。金属掩膜组件一般由背板、弹簧、金属模板以及夹子等构成。硅片被夹在背板与金属模板之间,然后通过手动对位,对位公差可控制在25nm 3、UBM蒸镀(b)然后按顺序蒸镀Cr层、CrCu层、Cu层以及Au层 4、焊料蒸镀(c)在UBM表面蒸镀一层97Pb/Sn或95Pb/Sn。厚度约为100-125nm。形成一个圆锥台形状

8、CSP(Chip Size Package)封装的几种实现形式与其制造工艺流程是什么?试对其进行简要的描述。

CSP是芯片尺寸封装,是封装外壳的尺寸不超过裸芯片尺寸1.2倍的一种先进封装形式(特点:封装尺寸小,可满足高密封装;电学性能优良;测试、筛选、老化容易;散热性能优良;内无需填料;制造工艺、设备的兼容性好)

实现形式:刚性基板封装、柔性基板封装、引线框架CSP封装、晶圆级CSP封装、薄膜型CSP封装。

工艺流程:芯片制造、芯片测试、金属化、光刻、腐蚀、除抗蚀剂、聚酰亚胺保护层、光刻、聚酰亚胺图形、除抗蚀剂、聚酰亚胺固化、切割、安装焊球。

9、详细描述芯片切割的方法和种类,如激光切割、DAF等技术。

芯片切割方式:机械式切割,激光式切割,隐形式切割

工艺流程:机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例,DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行切割再减薄激光式切割:以激光全切割为例,将DBG加工后的晶片转放到框架上,剥离掉表面保护胶带后,从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片,所以就可以从芯片间照射激光,只将DAF切割

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隐形式切割:是将激光聚光与工件内部,在工件内部形成改质层,通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法

10、详细叙述SMT贴片机的构成,和每个组件的作用。

11、什么是气密性封装,常见的气密性封装形式有哪些,工艺流程是怎样的。

气密性封装:是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装常见的气密性封装形式:金属封装、陶瓷封装、玻璃封装以瓷封装为例,工艺流程:引脚/基板黏结、芯片黏结、打线键合、基板/封盖黏结、引脚镀锡、引脚切割成型。

12、3D多芯片封装的概念是什么,如何实现,封装的设计难点在哪。

3D的概念:是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。

封装两种方法实现:封装内的裸芯片对叠;封装内的封装堆叠或称为封装堆叠

封装的设计难点:在于芯片的减薄和芯片的堆叠

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集成电路芯片封装技术复习题

¥ 一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 ' 7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、

光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 ^ 13、DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) ] 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。 2、陶瓷封装

集成电路封装测试题 期末2017

1、引线键合技术的分类及结构特点? 答: 1、热压焊:热压焊是利用加热和加压力,使焊区金属发生塑性形变,同时破坏压 焊界面上的氧化层,使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引 力范围,从而使原子间产生吸引力,达到“键合”的目的。 2、超声焊:超声焊又称超声键合,它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量, 通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定的压力。于是,劈刀 就在这两种力的共同作用下,带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜)表面迅 速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层,使两个纯净的金属面紧密接触,达到原子间的“键合”,从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊:球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活,而且焊点牢固,压点面积大,又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能,从而又具有超声焊的优点,有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此,这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点? 答:TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带:Cu的厚度为35-70um, Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些? 答:TAB的关键技术主要包括三个部分: 一是芯片凸点的制作技术; 二是TAB载带的制作技术; 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外,还可以单独进行倒装焊(FCB) 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法? 答:蒸镀焊料凸点:蒸镀焊料凸点有两种方法,一种是C4 技术,整体形成焊料凸点; 电镀焊料凸点:电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层,然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点:焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上,然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点:这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点:化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。

集成电路设计复习题及解答

集成电路设计复习题及解答 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。2.集成电路分类情况 如何? 1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2.什么 是集成电路设计?集成电路设计流程。 (三个设计步骤:系统功能设计逻辑和电路设计版图设计)3.模拟 电路和数字电路设计各自的特点和流程4.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现? 5.版图设计规则的概念,主要内容以及表示方法。为什么需要指定 版图设计规则?6.集成电路设计方法分类?(全定制、半定制、PLD)7.标准单元/门阵列的概念,优点/缺点,设计流程8.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念 9.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。10.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么 阶段应用?11.集成电路的可测性设计是指什么? Soc设计复习题 1.什么是SoC? 2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战? 3.SoC设计的特点 4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么? 5.什么是软硬件 协同设计?

6.常用的可测性设计方法有哪些? 7.IP的基本概念和IP分类 8.什么 是可综合RTL代码 9.么是同步电路,什么是异步电路,各有什么特点?10.逻辑综合的 概念。 11.什么是触发器的建立时间(SetupTime),试画图进行说明。12. 什么是触发器的保持时间(HoldTime),试画图进行说明。13.什么是验证,什么是测试,两者有何区别?14.试画图简要说明扫描测试原理。 绪论 1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2、集成电路分类情况如何? 双极型PMOS单片集成电路NMOSMOS型CMOS按结构分类BiMOSBiMOS 型BiCMOS厚膜混合集成电路混合集成电路薄膜混合集成电路SSIMSI集成 电路LSI按规模分类VLSIULSIGSI组合逻辑电路数字电路时序逻辑电路线 性电路按功能分类模拟电路非线性电路数字模拟混合电路按应用领域分类1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次 分层分级设计和模块化设计. 将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别,这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别;这样的分解一直继续 到使最终的设计级别的复杂性足够低,也就是说,能相当容易地由这一级 设计出的单元逐级组织起复杂的系统。从层次和域表示分层分级设计思想域:行为域:集成电路的功能

集成电路封装与测试复习题(含答案)

第1章集成电路封装概论2学时 第2章芯片互联技术3学时 第3章插装元器件的封装技术1学时 第4章表面组装元器件的封装技术2学时 第5章BGA和CSP的封装技术4学时 第6章POP堆叠组装技术2学时 第7章集成电路封装中的材料4学时 第8章测试概况及课设简介2学时 一、芯片互联技术 1、引线键合技术的分类及结构特点 答: 1、热压焊:热压焊是利用加热和加压力,使焊区金属发生塑性形变,同时破坏 压焊界面上的氧化层,使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的 引力范围,从而使原子间产生吸引力,达到“键合”的目的。 2、超声焊:超声焊又称超声键合,它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量, 通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定的压力。于是,劈刀 就在这两种力的共同作用下,带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜)表面迅 速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层,使两个纯净的金属面紧密接触,达到原子间的“键合”,从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊:球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活,而且焊点牢固,压点面积大,又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能,从而又具有超声焊的优点,有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此,这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点

答:TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带:Cu的厚度为35-70um, Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些 答:TAB的关键技术主要包括三个部分: 一是芯片凸点的制作技术; 二是TAB载带的制作技术; 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外,还可以单独进行倒装焊(FCB) 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法 答:蒸镀焊料凸点:蒸镀焊料凸点有两种方法,一种是C4 技术,整体形成焊料凸点; 电镀焊料凸点:电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层,然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点:焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上,然后经过回流而形成凸点 钉头焊料凸点:这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点:化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。 5、比较各种芯片互联方法的优缺点 答:(1):引线键合(WB)特点:焊接灵活方便,焊点强度高,通常可以满足70nm

半导体集成电路考试题目与参考答案

第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路? 2.按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写? 3.按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类? 4.按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类? 5.什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响? 6.名词解释:集成度、wafer size、die size、摩尔定律? 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用? 2.在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响?。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤? 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤? 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足? 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应? 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应? 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法? 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应? 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应? 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些? 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释

集成电路期末试题及答案

集成电路期末试题及答案Michael Chen 2022年1月10日 第一部分:选择题 1. 集成电路是指() A. 多个电路板连接在一起 B. 多个电子元件连接在一起 C. 多个电气设备连接在一起 D. 多个电子器件集成在一起 答案:D 2. 集成电路的分类依据是() A. 外部尺寸 B. 工作原理 C. 制造工艺 D. 功耗大小 答案:C 3. 集成电路的封装形式包括()

A. DIP B. SIP C. QFP D. 以上都是 E. 以上都不是 答案:D 4. CMOS是指() A. 生物科学中的一种病毒 B. 一种通信协议 C. 一种数字电路设计技术 D. 一种模拟电路设计技术 答案:C 5. 集成电路的发展趋势是() A. 更小封装 B. 更低功耗 C. 更高速度 D. 以上都是 答案:D

第二部分:填空题 1. 集成电路的最早应用是在(电子计算机)中。 2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和(蚀刻)。 3. 集成电路的数字功耗由(开关功耗)和(短路功耗)组成。 4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外,还有(BGA)。 5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器(Intel 4004)的发布。 第三部分:简答题 1. 请简要解释集成电路的概念,并举例说明。 答:集成电路是将多个电子器件(如晶体管、电容器等)集成在一 个芯片上的电路。通过微影工艺在芯片上形成电路连接,实现各种电 路功能。例如,常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集 成电路技术制造的。 2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。 答:薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。它通过在芯 片表面上沉积一层薄膜,为后续工艺提供基础。常用的薄膜沉积工艺 包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。PVD是通过物 理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜;CVD则是 通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。薄膜沉积可以实现 金属导线、绝缘层等结构的形成,为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。

集成电路封装考试答案

集成电路封装考试答案 名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 3.芯片互联: 将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 4.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 5.可润湿性: 指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 6.印制电路板: 为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 7.气密性封装: 是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装。 8.可靠性封装: 是对封装的可靠性相关参数的测试。 9.T/C测试: 即温度循环测试。10.T/S 测试: 测试封装体抗热冲击的能力。 11.TH测试: 是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。 12.PC测试: 是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。

13.HTS测试: 是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高 温氮气炉中,然后测试它的电路通断情况。 14.Precon测试: 模拟包装、运输等过程,测试产品的可靠性。 15.金线偏移: 集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路,造成元器件的缺陷。 16.再流焊: 先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上,再将片式元器件贴放在印制 板表面规定的位置上,最后将贴装好元器件 分印制板放在再流焊设备的传送带上。 简答: 1.芯片封装实现了那些功能? 传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持 2.芯片封装的层次 五个层次:零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺 第一层次:芯片层次的封装 第二层次:将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺 第三层次:将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺 第四层次:将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程 3.简述封装技术的工艺流程 硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码 4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明 打线健合技术(WB):将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚

《集成电路芯片封装技术》考试题

得分评分人 得分评分人 得分 评分人 《集成电路封装与测试技术》考试试卷 班级: 学号 姓名 一 一、填空题(每空格1分 共18分) 1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。 2、按照器件与电路板互连方式,封装可分为引脚插入型(PTH )和 两大类。 3、芯片封装所使用的材料有许多,其中金属主要为 材料。 4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、在芯片贴装工艺中要求:己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上,焊盘的尺寸要与芯片大小要 。 6、在倒装焊接后的芯片下填充,由于毛细管虹吸作用,填料被吸入,并向芯片-基板的中心流动。一个12,7mm 见方的芯片, 分钟可完全充满缝隙,用料大约0,031mL 。 7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。 8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料,则烧结后的膜是一种介电体,通常可用于制作 。 9、能级之间电位差越大,噪声越 。 10、薄膜电路的顶层材料一般是 。 11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。 12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。 13、导电胶是 与高分子聚合物(环氧树脂)的混合物。 14、绿色和平组织的使命是: 。 15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时,铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。 16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板,它通常被归类于 层次的电子封装技术 17、印制电路板通常以 而制成。 18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后,除了焊接点、指状结合点、开关等位置外,为了使成品表面不会受到外来环境因素,通常要在表面进行 处理。 二、选择题(每题2分 共22分) 1、TAB 技术中使用( )线而不使用线,从而改善器件的热耗散性能。 A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银 2、陶瓷封装基板的主要成分有( ) A 、金属 B 、陶瓷 C 、玻璃 D 、高分子塑料 3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列(DIP )封装,前者适合于高可靠性的元器件制作,后者适合于低成本元器件大量生产”,这句话说法是( )。 A 、 正确 B 、错误 4、在芯片切割工序中,( )方法不仅能去除硅片背面研磨损伤,而且能除去芯片引起的微裂和凹槽,大大增强了芯片的抗碎裂能力。 A 、 DBT 法 B 、DBG 法 5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要( )。 A 、低 B 、高 6、打线键合适用引脚数为( ) A 、3-257 B 、12-600 C 、6-16000 7、最为常用的封装方式是( ) A 、塑料封装 B 、金属封装 C 、陶瓷封装 8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用( )方法进行装配。 A 、波峰焊 B 、回流焊 9、相同成分和电压应力下,长电阻较之短电阻电位漂移要( ) A 、小 B 、大 10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声( ) 。 A 、高 B 、低 11、( )技术适合于高密度和高频率环境 A 、厚膜技术 B 、薄膜技术

《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题

《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题 一、单项选择题: 1、下面哪项不是AiP天线技术出现的原因?() A)随着应用频率的提高天线尺寸越来越小,可集成于封装体内 B)AiP技术有利于降低射频芯片与天线互连距离,降低互连损耗 C)AiP天线引入可以降低封装的成本, 2、从工艺流程分类,eW1B属于下面哪种类型的扇出型封装?O Achip-first(face-down) Bchip-first(face-up) Cchip-Iast(RD1-first) 3、下面哪种封装形式不能进行多芯片集成?O A.chip-firstFanout(face-down) B.chip-firstFanout(face-up) C.chip-1astFanout(RD1-first) D.W1-CSP 4、下面哪种扇出型封装形式更容易实现细线宽线距的RD1再布线?O Achip-first(face-down) Bchip-first(face-up) Cchip-1ast(RD1-first) 5、DeSmear在处理基材时的顺序?() A)蓬松.除胶.活化(

B)清洁.除胶■中和 C)蓬松■除胶■中和(C产 D)清洁-蓬松-除胶 6、以下哪个参数不属于信号完整性设计考虑的范畴?O A)S参数;( B)特性阻抗; O延时;( D)直流压降 7、采用以下哪个手段可以明显降低电源/地平面的交流阻抗?O A)并联电容;((:确?’:案) B)串联电容; O串联电感;( D)并联电阻 8、下面哪些表述是正确的?O A.材料表面越粗糙润湿性越好 B.泊松比是纵向应变与横向应变之比 C.弹性模量又称杨氏模量{ D.湿扩散系数与温度不相关 二、多项选择题: 1、毫米波通讯应用中采用什么方法增加基站传输距离?O A)采用大规模相控阵列⑺―)

集成电路芯片封装技术复习题

一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、 光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。 2、陶瓷封装 陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。

半导体集成电路封装技术测试试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

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半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。 广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。 4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次? 第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。6.封装的分类? 按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面? 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词: SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装 DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装 PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作 2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序 3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等

1+X集成电路理论知识复习题库含答案

1+X集成电路理论知识复习题库含答案 1、组装电子产品有很高的技术要求,包括严格的安装顺序如()。 A、先低后高 B、先易后难 C、先重后轻 D、先一般元器件后特殊元器件 答案:ABD 2、电镀工序中在进行清洗后会进行干燥处理,一般采用()或()的方式。 A、悬挂晾干 B、气泵吹干 C、挤压速干 D、高速甩干 答案:BD 略 3、在集成电路制造工艺中,测量二氧化硅膜厚度的方法有()。 A、比色法 B、光干涉法 C、椭圆偏振法 D、四探针法 答案:ABC 4、运放组件的整体布局的一般按照以下顺序()。 A、按照具体电路的对称性要求以及电路结构,将电路中的具体晶体管按 照电路中的相对位置对称排布 B、按照具体电路设计的文件,确定每个支路通过的最大工作电流 C、按照每个支路的最大工作电流对应的导线宽度增加一定的裕量,确保 电路的性能 D、根据具体电路的要求,确定电路中的输入输出引线,确定其与电源和 地在整体布局中的位置 答案:ABCD 5、切割机显示区可以进行()、()等操作。 A、给其他操作人员发送消息 B、设置参数 C、切割道对位 D、操作过程中做笔记 答案:BC

略 6、电镀的主要目的是增强暴露在塑封体外面的引线的()和()。 A、防水性 B、抗氧化性 C、抗腐蚀性 D、耐高温能力 E、美观性 答案:BC 略 7、属于湿法刻蚀的优点的是()。 A、各向同性 B、各向异性 C、提高刻蚀的选择比 D、不产生衬底损伤 答案:CD 湿法刻蚀可以控制刻蚀液的化学成分,使得刻蚀液对特定薄膜材料的刻蚀 速率远大于其他材料的刻蚀速率,从而提高刻蚀的选择比,同时也不产生衬底 损伤。湿法刻蚀的效果是各向同性的,这导致刻蚀后的线宽难以控制,是湿法 刻蚀的缺点。 8、防静电铝箔袋的作用是()。 A、防静电 B、防电磁干扰 C、防潮 D、防水 答案:ABCD 防静电铝箔袋具有防静电、防电磁干扰、防潮三大功能,具有良好的防水、阻氧、避光等特点,可以最大程度地保护静电敏感元器件免受潜在静电危害。 9、在进入集成电路制造车间前注意着装规范,其目的是为了防止人体、衣物等产生()和()对芯片造成损害。 A、灰尘 B、潮气 C、热量 D、静电 答案:AD

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】 (试题按章节分类) 【填空】 1、切筋成型其实是两道工序:切筋和打弯,通常同时完成。 2、对SMT装配来讲,尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件,一个突出的问题是引脚的非共面性。 3、打码方法有多种,其中最常用的是印码:包括油墨印码(ink marking)和激光印码(Laser Marking)两种。 4、在完成打码工序后,所有器件都要100%进行测试。这些测试包括一般的目检、老化试验和最终的产品测试。 5、对于连续生产流程,元件的包装形式应该方便拾取,且不需作调整就能够应用到自动贴片机上。 【选择】 1、气密性封装是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装形式,通常用作芯片封装的材料中,能达到所谓气密性封装的只有:金属、陶瓷和玻璃 2、金属封装现有的封装形式一般包括平台插入式金属封装、腔体插入式金属封装、扁平式金属封装和圆形金属封装等。 3、根据所使用材料的不同,元器件封装主要分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装三种类型。 4、金属封装由于在最严酷的使用条件下具有杰出的可靠性而被广泛用于军事和民用领域。 【讨论】 1、各向异性材料、各向同性材料的区别是什么? 所有物理性质在不同方向是一样的是各向同性材料,大部分物理性质在不同方向是不一样的是各向异性材料。 2、除氧化铝外,其他陶瓷封装材料有哪些? 氮化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻石等材料。 【填空】 6、金属与玻璃之间一般黏着性不佳。 7、控制玻璃在金属表面的湿润能力是形成稳定粘结最重要的技术。 8、玻璃密封材料的选择应与金属材料的种类配合。 9、酚醛树脂、硅胶等热硬化型塑胶为塑料封装最主要的材料。 【选择】 5、塑料封装具有低成本、薄型化、工艺较为简单、适合自动化生产等优点。 6、玻璃密封的主要缺点是:强度低、脆性高。 7、通孔插装式安装器件又分为以下几种:

集成电路封装与测试技术知到章节答案智慧树2023年武汉职业技术学院

集成电路封装与测试技术知到章节测试答案智慧树2023年最新武汉职业技术学院 第一章测试 1.集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提 供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。() 参考答案: 对 2.制造一块集成电路芯片需要经历集成电路设计、掩模板制造、原材料制造、 芯片制造、封装、测试等工序。() 参考答案: 对 3.下列不属于封装材料的是()。 参考答案: 合金 4.下列不是集成电路封装装配方式的是()。 参考答案: 直插安装 5.封装工艺第三层是把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间进行粘贴固定、 电路电线与封装保护的工艺。()

参考答案: 错 6.随着集成电路技术的发展,芯片尺寸越来越大,工作频率越来越高,发热量 越来越高,引脚数越来越多。() 参考答案: 对 7.集成电路封装的引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装、球状凹点。 () 参考答案: 错 8.封装工艺第一层又称之为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板 引线架之间进行粘贴固定、电路连线与封装保护工艺。() 参考答案: 对 9.集成电路封装主要使用合金材料,因为合金材料散热性能好。() 参考答案: 错 第二章测试

1.芯片互联常用的方法有:引线键合、载带自动焊、倒装芯片焊。() 参考答案: 对 2.载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。() 参考答案: 对 3.去飞边毛刺工艺主要有:介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺、水去飞边毛刺。 () 参考答案: 对 4.下面选项中硅片减薄技术正确的是()。 参考答案: 干式抛光技术 5.封装工序一般可以分成两个部分:包装前的工艺称为装配或称前道工序,在 成型之后的工艺步骤称为后道工序。() 参考答案: 对 6.封装的工艺流程为()。 参考答案:

集成电路试题库

半导体集成电路典型试题 绪论 1、什么叫半导体集成电路? 【答案:】 通过一系列的加工工艺,将晶体管,二极管等有源器件和电阻,电容等无源元件,按一定电路互连。 集成在一块半导体基片上。封装在一个外壳内,执行特定的电路或系统功能。 2、按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写 【答案:】 小规模集成电路(SSI),中规模集成电路(MSI),大规模集成电路(VSI),超大规模集成电路(VLSI),特大规模集成电路(ULSI),巨大规模集成电路(GSI) 3、按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类? 【答案:】 双极型(BJT)集成电路,单极型(MOS)集成电路,Bi-CMOS型集成电路。 4、按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类? 【答案:】 数字集成电路,模拟集成电路,数模混合集成电路。 5、什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响? 【答案:】 集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。 6、名词解释:集成度、wafer size、die size、摩尔定律? 【答案:】 7、分析下面的电路,指出它完成的逻辑功能,说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,分析它的工作原理。 【答案:】

该电路可以完成NAND逻辑。与一般动态组合逻辑电路相比,它增加了一个MOS管M kp,它可以解决一般动态组合逻辑电路存在的电荷分配的问题。对于一般的动态组合逻辑电路,在评估阶段,A=“H” B=“L”, 电荷被OUT处和A处的电荷分配,整体的阈值下降,可能导致OUT的输出错误。 该电路增加了一个MOS管M kp,在预充电阶段,M kp导通,对C点充电到V dd。在评估阶段,M kp 截至,不影响电路的正常输出。 8、延迟时间 【答案:】 时钟沿与输出端之间的延迟 第1章集成电路的基本制造工艺 1、四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用 【答案:】 减小集电极串联电阻,减小寄生PNP管的影响 2、在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响 【答案:】 电阻率过大将增大集电极串联电阻,扩大饱和压降,若过小耐压低,结电容增大,且外延时下推大 3、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤 【答案:】 第一次光刻:N+隐埋层扩散孔光刻 第二次光刻:P隔离扩散孔光刻 第三次光刻:P型基区扩散孔光刻 第四次光刻:N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻:引线孔光刻

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