1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ),
对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大;
B. 曲率小;
C. 大;
D. 小;
E. 重空穴;
F. 轻空穴
2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(F )。
A. 施主
B. 受主
C.复合中心
D.陷阱 F. 两性杂质
3、在通常情况下,GaN呈( A )型结构,具有( C ),它是( F )半导体材料。
A. 纤锌矿型;
B. 闪锌矿型;
C. 六方对称性;
D. 立方对称性;
E.间接带隙;
F. 直接带隙。
4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,m n*/m0值是乙的2倍,那么用类
氢模型计算结果是(D )。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
5、.一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到
原来的(C )。 A.1/4 ; B.1/e ; C.1/e2; D.1/2
6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时,半导体具有( B )半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征
7、在室温下,非简并Si中电子扩散系数Dn与ND有如下图(C )所示的最恰当的依赖关系:
8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向(A )移动;当掺杂浓度一定时,温度从室温逐步增加,费米能级向( C )移动。A.Ev ; B.Ec ; C.Ei; D. E F
9、把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现(D )。
A.改变禁带宽度;
B.产生复合中心;
C.产生空穴陷阱;
D.产生等电子陷阱。
10、对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与(C )。
A.非平衡载流子浓度成正比;
B.平衡载流子浓度成正比;
C.非平衡载流子浓度成反比;
D.平衡载流子浓度成反比。
11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率
的变化分别是(B )。
A.变大,变小;
B.变小,变大;
C.变小,变小;
D.变大,变大。
12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率(B )空穴的俘获率,它是(D )。
A.大于;
B.等于;
C.小于;
D.有效的复合中心;
E. 有效陷阱。
13、在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是( A )。
A. In (W m=3.8eV) ;
B. Cr (W m=4.6eV);
C. Au (W m=4.8eV);
D. Al (W m=4.2eV)。
14、在硅基MOS器件中,硅衬底和SiO2界面处的固定电荷是(B ),它的存在使得半导体表面的能带(C )弯
曲,在C-V曲线上造成平带电压( F )偏移。
A.钠离子;
B.过剩的硅离子;
C.向下;
D.向上;
E. 向正向电压方向;
F. 向负向电压方向。
1.受主是能增加(B)浓度的杂质原子,施主是能增加(A)浓度的杂质原子. A、电子B、空穴
2.如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用,则这种杂质称为(B)。
A、受主
B、两性杂质
C、施主
3.对于掺杂浓度为N D的非简并半导体,0 K下,其电子浓度=(D );在低温下,其电子浓度=(B );在高温本征温度下,其电子浓度=(C);A、N D B、n D+C、n i D、0
4.对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更( A )的能量,本征温度区的起始温度更( A )。
A.高
B. 低
5在一定温度下,非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积(C)本征载流子浓度的平方。该关系(D )于本征半导体,(D)于非本征半导体。A、大于B、小于C、等于D、适用E、不适用
6.电子是(A),其有效质量为(D);空穴是(B),其有效质量为(C)。
A、粒子
B、准粒子
C、负
D、正
E、0
7.p型半导体中的非平衡载流子特指(C ),其空穴的准费米能级(I )电子的准费米能级。
A、n0
B、p0
C、Δn
D、Δp
E、n
F、p
G、高于
H、等于
I、小于
8.在室温下,低掺杂Si的载流子散射机制主要是( B D )。
A、压电散射
B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射D.晶格振动散射
9.适用于( B )半导体。A、简并B、非简并
10.Ge和Si是(B )能隙半导体,(D)是主要的复合过程。而GaAs是(A);能隙半导体,(C )是主要的复合过程。A、直接B、间接C、直接复合D、间接复合
11.在外加电场作用下,载流子的(C)运动是定向的。在无外加电场时,载流子的(B)运动是随机的。
A、扩散
B、热
C、漂移
12. p型半导体构成的MIS结构,若W m >W s,假定绝缘层中无电荷时,其平带电压(A)。A、V FB>0 B、V FB<0 C、V FB=0
13. 最有利于陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )的陷阱
A、E A
B、E D
C、E F
D、E i
E、少子
F、多子
14.金属与n型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( A ),该结构正向电流的方向是( D )。
A、W m>W s
B、W m C、W m=W s D、从金属到半导体 E、从半导体到金属 1.简并半导体一般是重掺杂半导体,这时电离杂质对载流子的散射作用不可忽略。 2.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后,电子迁移率会下降/减小,电阻率会上升/增大。 3.电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。 4.随温度的增加,P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。 5.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有杂质补偿的作用,在制造各种半导体器件时,往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6.ZnO是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。 7.相对Si而言,InSb是制作霍尔器件的较好材料,是因为其电子迁移率较高/大。 8.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质,通常起复合中心的作用,使得载流子寿命减小。 9. 有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过回旋共振实验来测量。 10.某N型Si半导体的功函数W S是4.3eV,金属Al的功函数W m是4.2 eV,该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。 11.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/E i。 12.MIS结构中半导体表面处于临界强反型时,表面少子浓度等于内部多子浓度,表面反型少子的导电能力已经足够强,称此时金属板上所加电压为开启电压/阈值电压。 13.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正向偏压于金属,则半导体表面电子势垒高度将降低,空间电荷区宽度将相应地(减少/变窄/变薄)。 1.如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是 D 。A.禁带变宽 B.少子迁移率增大C.多子浓度减小 D.简并化 2.已知室温下Si的本征载流子浓度为3 10 10 5.1- ? =cm n i 。处于稳态的某掺杂Si半导体中电子浓度 3 15 10 5 . 1- ? =cm n ,空穴浓度为3 12 10 5.1- ? =cm p,则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B.存在大注入的非平衡载流子 C.处于热平衡态 D.是简并半导体 3.下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中,导带电子都处于导带底E c能级位置 4.下面说法正确的是 D 。 A.空穴是一种真实存在的微观粒子 B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的 D.同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高 5.空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比,载流子迁移率要高,这是因为 B 。 A. 无杂质污染 B.晶体生长更完整 C.化学配比更合理 D.宇宙射线的照射作用 6.半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于 A 。A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构 7.若某材料电阻率随温度升高而单调下降,该材料是 A 。A.本征半导体B.杂质半导体 C.金属导体 D.简并半导体 8.对于只含一种杂质的非简并p型半导体,费米能级随温度上升而D。A.上升B.下降C.不变D.经过一极值后趋近E i 9.GaAs具有微分负电导现象,原因在于在强电场作用下, A 。 A.载流子发生能谷间散射 B.载流子迁移率增大 C.载流子寿命变大 D.载流子浓度变小 10.以下4种不同掺杂情况的N型Ge半导体中,室温下电子迁移率由大到小的顺序是 C acbd a) 掺入浓度1014 cm-3的P原子; b) 掺入浓度1015 cm-3的P原子; c) 掺入浓度2×1014 cm-3的P原子,浓度为1014 cm-3的B原子; d) 掺入浓度3×1015 cm-3的P原子,浓度为2×1015 cm-3的B原子。 11.以下4种Si半导体,室温下功函数由大到小的顺序是C adcb a.掺入浓度1016 cm-3的B原子; b.掺入浓度1016 cm-3的P原子; c.掺入浓度1016 cm-3的P 原子,浓度为1015 cm-3的B 原子; d.纯净硅。 12.以下4种不同掺杂情况的半导体,热平衡时室温下少子浓度最高的是 D 。 A.掺入浓度1015 cm -3 P 原子的Si 半导体; B.掺入浓度1014 cm -3 B 原子的Si 半导体; C.掺入浓度1015 cm -3 P 原子Ge 半导体; D.掺入浓度1014 cm -3 B 原子Ge 半导体。 (已知室温时:Si 的本征载流子浓度310105.1-?=cm n i ,Ge 的本征载流子浓度313104.2-?=cm n i ) 13. 直接复合时,小注入的P 型半导体的非平衡载流子寿命 τd 决定于 B 。 E. 0 1n r d B. 01p r d C. p r d ?1 D. 其它 14. 在金属-SiO 2-p 型Si 构成的MIS 结构中,SiO 2中分布的可动正电荷不会影响 C 。 A.半导体表面势 B.平带电压 C.平带电容 D.器件的稳定性 15.不考虑表面态的影响,如需在n 型硅上做欧姆电极,以下四种金属中最适合的是 A 。 A.In (W m =3.8 eV) B.Cr (W m =4.6 eV) C.Au (W m =4.8 eV) D.Al (W m =4.2 eV) 1、本征半导体是指( A )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电阻率最高 C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等 2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级EF 随温度上升而( D )。 A. 单调上升 B. 单调下降 C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei 4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 5、公式中的是半导体载流子的( C )。 A. 迁移时间 B. 寿命C. 平均自由时间 D. 扩散时间 6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A ) A. 含硼1×1015cm-3的硅 B. 含磷1×1016cm-3的硅 C. 含硼1×1015cm-3,磷1×1016cm-3的硅 D. 纯净的硅 7、室温下,如在半导体Si 中,同时掺有1×1014cm-3的硼和1.1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为( G )。将该半导体由室温度升至570K ,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。(已知:室温下,ni ≈1.5×1010cm-3;570K 时,ni ≈2×1017cm-3) A 、1×1014cm-3 B 、1×1015cm-3 C 、1.1×1015cm-3 D 、2.25×105cm-3 E 、1.2×1015cm-3 F 、2×1017cm-3 G 、高于Ei H 、低于Ei I 、等于Ei 8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。 A 、EA B 、ED C 、EF D 、Ei E 、少子 F 、多子 9、MIS 结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(B ),若增加掺杂浓度,其开启电压将( C )。 A 、相同 B 、不同 C 、增加 D 、减少 10、对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与( D )。 A 、平衡载流子浓度成正比 B 、非平衡载流子浓度成正比 C 、平衡载流子浓度成反比 D 、非平衡载流子浓度成反比 11、可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是( A ) A 、n 型 B 、p 型 C 、本征型 D 、高度补偿型 12、如在半导体中以长声学波为主要散射机构是,电子的迁移率与温度的( B )。 A 、平方成正比 B 、次方成反比 C 、平方成反比 D 、次方成正比 13、为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为( A )。 A、【100】 B、【111】 C、【110】 D、【111】或【110】 14、简并半导体是指( A )的半导体。 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 15、在硅基MOS器件中,硅衬底和SiO2界面处的固定电荷是(B ),它的存在使得半导体表面的能带(C ),在C-V曲线上造成平带电压( F )偏移。 A、钠离子 B、过剩的硅离子 C、向下 D、向上 E、向正向电压方向; F、向负向电压方向 1、硅的导带极小值位于布里渊区的<100>方向上,根据晶体的对称性共有 6 个等价能谷。 2、n型硅掺砷后,费米能级向Ec(上)移动,如升高材料的工作温度,则费米能级向 Ei(下)移动。 3、对于导带为多能谷的半导体,如GaAs,当能量适当高的子能谷的曲率较小时,有可能观察导负微分电导现象,这是因为这种子能谷中的电子的有效质量较大。 4、复合中心的作用是促进电子和空穴的复合,起有效的复合中心的杂质能级必须位于Ei(禁带中线),并且对电子和空穴的俘获系数r n和r p必须满足 r n=r p。 5、热平衡条件下,半导体中同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件是_p0+n D+=n0+p A-。 6、金半接触时,常用的形成欧姆接触的方法有_隧道效应和_反阻挡层 7、MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型和体材料的导电类型_相反(相同或相反),若增加掺杂浓度, 其开启电压将_增加(增加或减小)。 8、在半导体中,如果温度升高,则考虑对载流子的散射作用时,电离杂质散射概率减小和晶格振动散射概率增大。 1、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指( A )的半导体。 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3,则该半导体为(B)半导体;其有效杂质浓度约为(E )。 A. 本征, B. n型, C. p型, D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为(B ),并且该乘积和(E、F )有关,而与(C、 D )无关。A、变化量;B、常数;C、杂质浓度;D、杂质类型;E、禁带宽度;F、温度 5、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得(C )靠近中间能级Ei;如果增加掺杂浓度,有可能使得( C )进入(A ),实现重掺杂成为简并半导体。A、Ec;B、Ev;C、EF;D、Eg;E、Ei。 6、如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是(C)。 A、变大,变大 B、变小,变小 C、变小,变大 D、变大,变小 8、最有效的复合中心能级的位置在(D )附近,最有利于陷阱作用的能级位置位于(C )附近,并且常见的是(E )陷阱。A、EA;B、EB;C、EF;D、Ei;E、少子;F、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的(C )。A、1/4 B、1/e C、1/e2 D、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的( A )。 A、散射机构; B 、复合机构;C、杂质浓度梯度;C、表面复合速度。 11、下图是金属和n型半导体接触能带图,图中半导体靠近金属的表面形成了 (D )。 A、n型阻挡层 B、p型阻挡层 C、p型反阻挡层 D、n型反阻挡层 12、欧姆接触是指( D )的金属-半导体接触。 A、Wms=0 B、Wms<0 C、Wms>0 D、阻值较小并且有对称而线 性的伏-安特性 13、MOS器件中SiO2层中的固定表面电荷主要是( B ),它能引起半导体表面层中的能带( C )弯曲,要恢复平带,必须在金属与半导体间加(F )。A.钠离子;B硅离子.;C.向下;D.向上;E. 正电压;F. 负电压 简答题: 07年 1.试画出中等掺杂的Si的电阻率随温度变化的曲线,并分析解释各段对应的原因和特点电阻率随温度的变化分三个阶段: AB:本征激发可忽略。温度升高,载流子浓度增加,杂质散射导致 迁移率也升高,故电阻率ρ随温度T升高下降;(2分) BC:杂质全电离,以晶格振动散射为主。温度升高,载流子浓度基 本不变。晶格振动散射导致迁移率下降,故电阻率ρ随温度T升 高上升;(2分) CD:本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降,但载流子浓度 升高很快,故电阻率ρ随温度T升高而下降;(2分) 2.试比较半导体中浅能级杂质和深能级杂质对其电学参数的影响,并说明它们在实践中的不同应用。答:在常温下浅能级杂质可全部电离,可显著地改变载流子的浓度,从而影响半导体材料的电导率。深能级杂质在常温下,较难电离,并且和浅能级杂质相比,掺杂浓度不高,故对载流子的浓度影响不大,但在半导体中可以起有效的复合中心或陷阱作业,对载流子的复合作用很强。(4分) 所以,在实际的应用中,通过浅能级杂质调节载流子的浓度、电阻率,改变材料的导电类型;而通过深能级杂质提供有效的复合中心,提高器件的开关速度。(3分) 09年A卷 1、在本征半导体中进行有意掺杂各种元素,可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质,它们 分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在? 答:浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电(电离施主)或带负电(电离受主)的离子,并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。它可有效地提高半导体的导电能力。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。(2分) 深能级杂质是指杂质所在的能级位置在禁带中远离导带或价带,在常温下很难电离,不能对导带的电子或价带的空穴的浓度有所贡献,但它可以提供有效的复合中心,在光电子开关器件中有所应用。(2分) 当半导体中既有施主又有受主时,施主和受主将先互相抵消,剩余的杂质最后电离,这就是杂质补偿。(1分) 利用杂质补偿效应,可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型,制造各种器件。(1分) 2、什么是扩散长度、牵引长度和德拜长度,它们由哪些因素决定? 答:扩散长度指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离,它由扩散系数和材料的非平衡载流子的寿 命决定,即L=(2分) 牵引长度是指非平衡载流子在电场E 的作用下,在寿命τ时间内所漂移的距离,即()L E E μτ=,由电场、迁移率和寿命决定。(2分) 德拜长度是德拜研究电介质表面极化层时提出的理论的长度,用来描写正离子的电场所能影响到电子的最远距离。在半导体中,表面空间电荷层厚度随掺杂浓度、介电常数和表面势等因素而改变,其厚度用一个特征长度即德拜长度L D 表示。它主要由掺杂浓度决定。掺杂大,L D 小。(2分) 3.试说明半导体中电子有效质量的意义和性质,并说明能带底和能带顶、内层电子和外层电子的有效质量的各自特点。 答:有效质量是半导体内部势场的概括。在讨论晶体中的电子在外力的作用下的运动规律时,只要将内部周期性势场的复杂作用包含在引入的有效质量中,并用它来代替惯性质量,就可以方便地采用经典力学定律来描写。由于晶体的各向异性,有效质量和惯性质量不一样,它是各向异性的。(2分) 在能带底附近,由于2 2k E ??为正,电子有效质量大于0;(1分) 在能带顶部附近,由于22k E ??为负,电子有效质量小于0。(1分) 内层电子形成的能带窄,E ~k 曲线的曲率小,22k E ??小,有效质量大;(1分) 外层电子形成的能带宽,E ~k 曲线的曲率大,22k E ??大,有效质量小。(1分) 4.什么叫复合中心?何谓间接复合过程?有哪四个微观过程?试说明每个微观过程和哪些参数有关。 答:半导体内的杂质和缺陷能够促进复合,称这些促进复合的杂质和缺陷为复合中心;(1分) 间接复合:非平衡载流子通过复合中心的复合;(1分) 四个微观过程:俘获电子,发射电子,俘获空穴,发射空穴;(1分) 俘获电子:和导带电子浓度和空穴复合中心浓度有关。 (1分) 发射电子:和复合中心能级上的电子浓度。 (1分) 俘获空穴:和复合中心能级上的电子浓度和价带空穴浓度有关。 (1分) 发射空穴:和空的复合中心浓度有关。 (1分) 5、⑴计算本征硅在室温时的电阻率;⑵ 但掺入百万分之一的砷(As)后,如杂质全部电离,计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍。 (电子和空穴的迁移率分别为1350cm 2/(V .s)和500 cm 2/(V .s),假使在杂质浓度小于1×1017cm -3时电子的迁移率为850 cm 2/(V .s),n i =1.5×1010cm -3,硅的原子密度为5×1022cm -3。) 6、有一块足够厚的p 型硅样品,在室温300K 时电子迁移率μn =1200 cm 2/(V.s),电子的寿命s n μτ10=。如在其表面处稳定地注入的电子浓度为3 12107)0(-?=?cm n 。试计算在离开表面多远地方,由表面扩散到该处的非平衡载流子的电流密度为1.20mA/cm 2。(表面复合忽略不计)。(k 0=1.38×10-23J/K ),q=1.6×10-19C ,k 0T=0.026eV) 09年B 3. 写出至少两种测试载流子浓度的实验方法,并说明实验测试原理。 (10分) 答:可以采用四端电极法、C-V 测试以及霍耳效应来测试载流子浓度;(2分) 方法⑴: C -V 测试法:a)采用金半接触结构,测试C -V 曲线,可以得到21 V C 曲线为一条直线,斜率为2 ()s D A q N N ε, 因此可以求出掺杂浓度N D 或N A ;b)若采用MIS 结构,测试高频C -V 曲线,由C -V 曲线的最大值求出氧化层厚度d 0,再结合最小值可以求出掺杂浓度;(4分) 方法⑵:霍耳效应。霍耳实验中,根据I x ,B z ,d ,测出霍耳电压V H ,由霍耳电压正负判断导电类型,因为 H H x z V d R I B =, 因此求出霍耳系数R H ;再根据1H R pq =或1H R nq =-求出载流子浓度。 (4分) 4. 在一维情况下,描写非平衡态半导体中载流子(空穴)运动规律的连续方程为: 22p p p p p E p p p p D E p g t x x x μμτ?????=---+????,请说明上述等式两边各个单项所代表的物理意义。 答:p t ??――在x 处,t 时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数;(1分) 22p p D x ??――由于扩散,单位时间、单位体积中空穴的积累数;(1分) p p E p E p x x μμ??--??――由于漂移,单位时间、单位体积中空穴的积累数;(1分) p p τ?-――由于复合,单位时间、单位体积中空穴的消失数;(1分) p g ――由于其他原因,单位时间、单位体积中空穴的产生数。(1分) 1. 有一块半导体硅材料,已知在室温下(300K )它的空穴浓度为p 0= 2.25×1016cm -3,室温时硅的Eg=1.12eV ,n i =1.5×1010cm -3,k 0T=0.026eV 。(8分) ⑴ 计算这块半导体材料的电子浓度;判断材料的导电类型; ⑵ 计算费米能级的位置。 12年docx 2、施主浓度N D =1015cm -3的薄n 型Si 样品,寿命为1s μ, 室温下进行光照射,光被均匀吸收,电子-空穴对的产生率是s cm /10320-。已知:31022105.1,/400,/1100-?=?≈?≈cm n s V cm s V cm i p n μμ,设杂质全电离,求: (1)光照下样品的电导率;(5分) 非平衡载流子浓度3 1410-==?=?cm g p n τ 1分 电子浓度3150101.1-?=?+=cm n n n 1分 空穴浓度31414502010101025.2/-=+?≈?+=?+=cm p n n p p p i 1分 11191415102106.1)400101100101.1(---??=???+??=+=cm S pq nq p n μμσ 2分 (2)电子和空穴准费米能级E Fn 和E Fp 与平衡费米能级E F 的距离,并在同一能带图标出E F , E Fn 和E Fp ; 答:eV n n T k E E F Fn 002.0ln 00=???? ??=- eV p p T k E E Fp F 52.0ln 00=???? ??=- (3)若同时给该样品加10V/cm 的电场,求通过样品的电流密度。(4 分) 2/2102.0cm A E J =?==σ 12年成电 2、对于掺杂的元素半导体Si 、Ge 中,一般情形下对载流子的主要散射机构是什么?写出其主要散射机构所决定的 散射几率和温度的关系。(4分) 答:对掺杂的元素半导体材料Si 、Ge ,其主要的散射机构为长声学波散射(1分)和电离杂质散射 其散射几率和温度的关系为: 声学波散射:3/2 s p T ∝,电离杂质散射:3/2 i i p N T -∝(根据题意,未含Ni 也可) 3.在300K时,某Si器件显示出如下的能带图: (1)平衡条件成立吗?试证明之。(6分) 答:成立。(4分) 因为费米能级处处相等的半导体处于热平衡态(即 0=dx dE F )(2分) 或 E Fn =E Fp =E F (2分) 或 np=n i 2 (2分) 或 J=0 (2分) (2)在何处附近半导体是简并的?(4分) 答:在靠近x=L 附近 (4分)或 分为三个区域,每个区各为 2分 或 2L/3 (3)试推导流过x=x 1处的电子的电流密度表达式?(4分) 答: 0==+=dx dE dx dn qD E nq J F n n n μμ 四、一束恒定光源照在n 型硅单晶样品上,其平衡载流子浓度 n0=1014cm-3,且每微秒产生电子-空穴为1013cm-3。如τn=τp=2 μs ,试求光照后少数载流子浓度。(已知本征载流子浓度ni=9.65× 109cm-3) 五、在一个均匀的n 型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。在样品上施加一个50V/cm 的电场,在电场力的作用下这些少数载流子在100μs 的时间内移动了1cm ,求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。(kT=0.026eV ) 解:在电场下少子的漂移速率为:4110/100cm v cm s s μ== 迁移率为:()4210/50v cm V s E μ== 扩 散系数为:220.026200/ 5.2/ p kT D cm s cm s q μ==?= 2010期中: 7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点出 现的几率相同 的几率相同。 8. 硅的晶体结构和能带结构分别是 金刚石 型和 间接带隙型。 9.在常温下,将浓度为1014/cm3 的As 掺入Si 半导体中,该半 导体中起主要散射作用的是 声学波散射。 1/下列哪个参数不能由霍尔效应实验确定 C 。 A.迁移率 B.载流子浓度 C.有效质量m* D.半导体极性 2.重空穴指的是 D 。 A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.比电子质量大的空穴 C.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 D.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 3.半导体中载流子迁移率的大小主要决定于 B 。 A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.晶体结构 4.若某材料电阻率随温度升高而单调下降,该材料是 A 。 A.本征半导体 B.杂质半导体 C.金属 D.杂质化合物半导体 5.以长声学波为主要散射机构时,电子的迁移率μn 与温度的 B 。 A. 平方成正比 B. 3/2次方成反比 C. 平方成反比 D. 1/2次方成正比 6. 对于一定的n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致 D 靠近Ei ; A 、Ec; B 、Ev; C 、Eg; D 、EF 。 7. 当施主能级ED 与费米能级EF 相等时,电离施主的浓度为施主浓度的 C 倍; A 、1; B 、1/2; C 、1/3; D 、1/4. 8. 在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3,则该半导体为 B 半导体;其有效杂质浓度约为 E 。 A. 本征; B. n 型; C. p 型; D. 1.1×1015cm-3; E. 9×1014cm-3 简述N 型半导体载流子浓度、费米能级随温度变化的规律,并绘出示意图,在图中标明所处温区。 四、分析化合物半导体PbS 中S 的间隙原子是形成施主还是受主? 三、设半导体有两个价带,带顶均在k=0处且能量相等,带顶空穴有效质量有以下关系:212m m ,试定性画出两者的E-k 关系图。 五、 1)计算下面两种材料在室温下的载流子浓度: (1)掺入密度为1014/cm3 B 的锗材料; (2)掺入密度为1014/cm3 B 的硅材料。 2)制作一种p-n结需要一种P型材料,工作温度是室温(300K), 试判断上面两种材料中哪一种适用,并说明理由。(在室温下,硅:ni=1.5×1010/cm3 锗:ni=2.4×1013/cm3) 七、室温下,在元素半导体Si中掺入1016/cm3 P后,半导体为哪种极性半导体?P元素是施主还是受主?此时半导体的多数载流子和少数载流子分别是什么?浓度分别是多少?(室温下,Si的ni =1.5×1010/cm3)。 半导体为N型半导体;P元素是施主;多子是电子,空穴是少子; 室温下,ND=1016/cm3 >>ni=1.5×1010/cm3.半导体处于饱和电离区 八、试论证非简并半导体在热平衡时载流子浓度积与杂质浓度无关,而与禁带宽度有关。 第一章习题 1.HTML指的是( A )。 A超文本标记语言(Hyper Text Markup Language) B家庭工具标记语言(Home Tool Markup Language) C超和文本标记语言(Hyperlinks and Text Markup Language) 2.web标准的制定者是( B )。 A 微软 B万维网联盟(W3C) C网景公司(Netscape) 3.用HTML标记语言编写一个简单的网页,网页最基本的结构是( D )。 A 第三部分安全技术理论知识 单选题一、 1.按《煤矿安全规程》规定,矿井安全监控设备必须定期进行调试、校正,每月至少(A)次。甲烷传感器、便携式甲烷检测报警仪寄采用载体催化元件的甲烷检测设备,每(A)天必须使用校准气样和空气样调校1次。每()天必须对甲烷超限断电功能进行测试。A.1,7,7B.2,7,10C.1,10,7D.1,7,10 2.必须每天检查矿井安全监控设备及电缆是否正常。使用便携式甲烷检测报警仪或便携式光学甲烷检测仪与甲烷传感器进行对照,并将记录和检查结果报监测值班员;当两者读数误差大于允许误差时,先以读数较大者为依据,采取安全措施并必须在(D)内对2种设备调校完毕。 A.14hB.48hC.2hD.8h 3.矿井安全监控系统配制甲烷校准气样的相对误差必须小于(C)。制备所用的原料气应选用浓度不低于(C)的高纯度甲烷气体。A.10%,99.9%B.10%,90% C.5%,99.9%D.5%,90% 4.采煤工作面甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复电浓度分别是(A)。A.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444C.≥0.5%CH,≥1.0%CH,<0.5%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,<1.5%CH 4445.采煤工作面回风巷甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复 电浓度分别是(B)。 A.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444B.≥1.0%CH,≥1.0%CH,<1.0%CH 444C.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,<1.5%CH 4446.专用排瓦斯巷甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复电浓度分别是(C)。 A.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444C.≥2.5%CH,≥2.5%CH,<2.5%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,<1.5%CH 4447.煤与瓦斯突出矿井采煤工作面进风巷,甲烷传感器报警浓度、断电浓度、。)D复电浓度分别是(. A.≥2.0%CH,≥2.5%CH,<2.0%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444C.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444D.≥0.5%CH,≥0.5%CH,<0.5%CH 4448.采用串联通风的被串采煤工作面进风巷,甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复电浓度分别是(A)。 A.≥0.5%CH,≥0.5%CH,<0.5%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444C.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,<1.5%CH 4449.采煤机的甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复电浓度(A)。A.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444C.≥0.5%CH,≥1.0%CH,<0.5%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,<1.5%CH 44410.煤巷、半煤岩巷和有瓦斯涌出的岩巷掘进工作面,甲烷传感器报警浓度、断电浓度、复电浓度分别是(A)。 A.≥1.0%CH,≥1.5%CH,<1.0%CH 444B.≥1.5%CH,≥1.5%CH,<1.5%CH 444C.≥0.5%CH,≥1.0%CH,<0.5%CH 444D.≥1.5%CH,≥2.0%CH,< 《建筑施工企业会计》复习题 一、单项选择题 1.1494年,意大利数学家(B)出版了《算术、几何、比与比例概要》一书,第一次系 统地介绍了借贷复式记账法,并给予理论的阐述。这本书的问世,被认为是近代会计发展史上的一个里程碑。 A、卢瑟.古利克 B、卢卡.帕乔利 C、卢卡.利特尔顿 D、阿波罗尼斯 2.会计所使用的主要计量尺度是(C )。 A 实物量度 B 劳动量度 C 货币量度 D 实物量度和货币量度 3.会计的基本职能是(C )。 , A 核算和管理 B 控制和监督 C 核算和监督D核算和分析 4.会计的一般对象可概括为(B)。 A 销售活动 B 再生产过程中的资金运动 C 生产活动 D 管理活动 5.会计主体假设规定了会计核算的(B )。 A时间范围B空间范围 C期间费用范围D成本开支范围 6.> 7.下列经济业务发生,使资产和所有者权益项目同时增加的是(C )。 A工程施工领用原材料B以现金发放工资 C收到投资者投入的货币资金D收到购货单位预付款,并存入银行 8.下列经济业务,属于资产和权益同时减少的是(D ) A、将现金存入银行 B、购进设备一台,货款未付 C、收到国家投入设备一台 D、以银行存款偿还应付账款 9.下列经济业务发生,不会导致会计等式两边总额发生变化的有(A )。 A收回应收账款并存入银行B从银行取得借款并存入银行 ^ C以银行存款偿还应付账款D收到投资者以固定资产进行的投资 10.引起资产和所有者权益同时增加的经济业务是(A ) A、收到投资者投入设备一台(修改过) B、施工生产过程中领用原材料 C、从银行取得长期借款 D、资本公积转增资本 11.建筑施工企业购入材料的运输费,一般记入(A ) A、材料的成本 B、工程的成本 C、管理费用 D、营业外支出 12.会计科目是(A )。 A账户的名称B账簿的名称 , C报表项目的名称D会计要素的名称 13.在借贷记帐中,账户的哪一方记增加数,哪一方记减少数取决于(B )。 A 账户的结构 B 账户所反映的经济业务的内容和性质 C 账户的格式 D 账户的名称 14.下列科目中属于资产类科目的是( A )。 A应收账款B机械作业 重力勘查技术习题解答 习 题 一 参 考 答 案 1.名词解释:大地水准面;莫霍面。 2.决定各类岩(矿)石密度的主要因素是哪些 决定沉积岩、火成岩密度的主要因素各是什么 答:根据大量的测定和长期的研究结果,一般认为决定岩(矿)石密度大小的主要因素有:①岩(矿)石的矿物成分及含量;②岩(矿)石的孔隙度及孔隙中的含水量; ③岩(矿)石的埋藏深度。 决定沉积岩、火成岩密度的主要因素各是:孔隙度、矿物成分及含量。 3.试绘出图中A 、B 、C 各点的引力、惯性离心力和重力的方向。 4.重力位的导数: 重力位的一阶导数:x W ,y W ,z W 物理含义:重力场在相应坐标轴上的分量。 重力位的二阶导数:6个 yy xx W W 、、xy W :考察点附近等位面的曲率; xz W 、yz W :重力等位面的不平行性; zz W :重力垂直梯度,重力等位面的疏密性; 物理含义:ij W 表示i g 在j 方向的变化率。 重力位的三阶导数: zzz W , 物理含义:重力垂直梯度在垂直方向的变化率 5、假定地球是一个密度均匀的正球体,位于球心处单位质点所受的引力应是多大有人说,按牛顿万有引力定律,该处的引力应为无穷大(因为 ∞→→2 0lim r GM r ),对不对为什么 图1-1 答:不对,应为零,万有引力定律适应于两质点之间或两物体的大小相对于距离可以忽略的情况。 6、重力等位面上重力值是否处处相等为什么如果处处相等,等位面的形状如何如果重力有变化,等位面的形状又有何变化 答:等位面上重力位相等,重力值是矢量,有大小和方向,若处处相等则为平面。 7、利用用赫尔默特公式计算: 1)从我国最南边的南沙群岛(约北纬5)到最北边的黑龙江省漠河(约北纬 54),正常重力值变化有多大 请用用赫尔默特公式计算。 答:1901-1909年赫尔默特公式 2229.78030(10.005302sin 0.000007sin 2)/g m s ???=+- 南沙群岛处有:1 1.000040059g = 漠河有:2 1.00346367g = 则:2 210.003423611m/s g g -= 2)两极与赤道间的重力差是多大 3)若不考虑地球的自转,仅是由于地球形状引起的极地与赤道间重力差为多少 8、利用2c /g r =(c 为常数)计算地面的正常重力的垂直变化率。(取地球半径66.3710m r =?,g 取×106g.u.。 解:依题设,知道:2c /g r = 将上式对r 求导得到正常重力场随r 的变化率为 32c 2g g r r r ?=-=-? 代入所给值,得 3.076g.u g r ?=-? 答:地面的正常重力的垂直变化率为 3.076g.u -。 9、将地球近似看成半径为 6370km 的均匀球体,若极地处重力值为2m/s ,试估算地球的总质量为多少 一、判断题 1.传输接口出现下行和上行指示灯均无闪烁,表明下行光耦合器存在故障。(对) 2.采掘工作面设置的甲烷传感器在爆破前应移到安全地点,爆破后及时恢复到正确位置。(对) 3.传感器用传输电缆现在常用的一种特制的监测信号软电缆 MHYVR1×2×7/0.43+1×2×7/0.3 (对) 4.在井下检修防爆型监控设备时,应切断后极电源。(错) 5.离子型烟雾传感器是煤矿井下火灾早期监测的主要装备之一。(对) 6.高低浓度甲烷传感器应用转换电路实现两种检测元件在不同的检测条件下工作。(对) 7.红外温度传感器在矿井火灾监测与预报、设备温升测量等方面,具有很好的应用前景。(对) 8.监控设备故障排除后要及时恢复运行,组织安全检查工、瓦斯检查工等人员对相关区域瓦斯等有毒有害气体状况进行全面检查,只有当有毒有害气体正常,监测设备运行正常后才能解除警戒。(对) 9.对井下所有需要安装的监控设备要在地面进行检查。(对) 10.井下监测电缆每间隔100mm作标签标识。(对) 11.采用数据接口传输的系统,应在数据接口输出端口、分站通讯信号输出端口各设置一台信号避雷器。(对) 12.非色散红外甲烷传感器的缺点:抗潮湿性差。(错) 13.用于连接外部本质安全电路的插头和插座,应与连接非本质安全电路的插头和插座分开,并且不能互换。(对) 14.监控分站红色指示灯不亮,表明上级计算机呼叫不到分站。(对) 15.各类人员发现煤矿安全监控系统出现故障时,要及时向矿调度室汇报。(对) 16.发生瓦斯安全监控设备故障时,严禁解除安全监控系统的故障闭锁功能进行生产作业。(对) 17.矿用光端机(光纤通信接口)的井上部分功能是下发数据时将主控计算机标准RS232串行脉冲型号转成光信号。(对) 18.差动变压器压力传感器的灵敏度高、分辨率高、稳定性好、频率响应高、测量精度高、体积小等特点,特别适用于煤矿井下风压的监测。(对) 19.红外温度传感器在矿井火灾监测与预报、设备温升测量等方面,具有很好的应用前景。(对) 20.断电仪在下井安装使用前必须进行通电检查、功能实验和精度校准。(对) 21.为了防止设备电源或电池组的电池之间连接极性接反使该防爆型式失效,使用一只二极管做为保护措施是不允许的。(对) 22.采用数据接口传输的系统,应在数据接口输出端口、分站通讯信号输出端口各设置一台信号避雷器。(对) 23.入井线缆的入井口处必须装设通讯线路避雷器。(对) 24.高低浓度甲烷传感器在4-100%CH4时,使用载体催化式测量并闭锁热导式以防激活。(错) 25.非色散红外甲烷传感器的优点:检测精度高、稳定可靠(59d)、无中毒现象。(对) 26.图纸资料要真实的反映安全监测监控系统的真实情况。(对) 27.严禁在井下用非防爆仪器、仪表检查和测量防爆型监控设备。(对) 28.风速传感器在安装的初期可每周调校3次,待传感器稳定运行应每月调校1次。(错) 29.热导甲烷传感器的缺点是由于其他气体和气室结构的影响其检测精度低。(对) 30.在维修本安型监控设备时,应保证本质安全电路的电气参数和保护性能不变。(对) 31.普通传输电缆连接采用本质安全型接线盒(KLH-2、KLH-3),接线盒处也需预留100mm 第七章账务处理程序 一、单项选择题 1、()不能反映各科目的对应关系,不便于分析和检查经济业务的来龙去脉,不便于查对账目。 A、记账凭证账务处理程序 B、汇总记账凭证账务处理程序 C、日记账账务处理程序 D、科目汇总表账务处理程序 2、科目汇总表的汇总范围是()。 A、全部科目的借、贷方发生额和余额 B、全部科目的借、贷方余额 C、全部科目的借、贷方发生额 D、汇总收款凭证、汇总付款凭证、汇总转账凭证的合计数 3、以下项目中,属于科目汇总表账务处理程序缺点的是()。 A、不便于理解 B、增加了登记总分类账的工作量 C、不便于检查核对账目 D、不便于进行试算平衡 4、记账凭证账务处理程序下,不能作为登记明细分类账依据的是()。 A、原始凭证 B、汇总原始凭证 C、记账凭证 D、记账凭证汇总表 5、记账凭证账务处理程序是指对发生的经济业务事项,先根据原始凭证或汇总原始凭证填制记账凭证,再直接根据()逐笔登记总分类账的一种账务处理程序。 A、原始凭证 B、原始凭证汇总表 C、记账凭证 D、会计凭证 6、规模较小、业务量较少的单位适用()。 A、记账凭证账务处理程序 B、汇总记账凭证账务处理程序 C、多栏式日记账账务处理程序 D、科目汇总表账务处理程序 7、汇总记账凭证账务处理程序和科目汇总表账务处理程序的主要不同点是()。 A、登记日记账的依据不同 B、编制记账凭证的依据不同 C、登记总分类账的依据不同 D、编制汇总记账凭证的依据不同 8、下列各项中,()不属于汇总记账凭证账务处理程序步骤。 A、根据原始凭证编制汇总原始凭证 B、根据各种记账凭证编制有关汇总记账凭证 C、根据各种汇总记账凭证登记总分类账 2018科目一内部题库 第1页 1、机动车仪表板上(如图所示)亮表示什么? A 、驻车制动解除 B 、制动踏板没回位 C 、行车制动器失效 D 、制动系统出现异常 答案:D 2、驾驶人有下列哪种违法行为一次记6分? A 、使用其他车辆行驶证 B 、饮酒后驾驶机动车 C 、车速超过规定时速50%以上 D 、违法占用应急车道行驶 答案:D 3、下列哪种违法行为的机动车驾驶人将被一次记12分? A 、驾驶故意污损号牌的机动车上道路行驶 B 、机动车驾驶证被暂扣期间驾驶机动车的 C 、以隐瞒、欺骗手段补领机动车驾驶证的 D 、驾驶机动车不按照规定避让校车的 答案:A 4、在道路与铁路道口遇到一个红灯亮时要尽快通过道口。 答案:错 5、这个标志是何含义? A 、向左急转弯 B 、向右急转弯 C 、向左绕行 D 、连续弯路 答案:A 6、驾驶机动车遇到这种信号灯亮时,如果已越过停止线,可以继续通行。 答案:对 7、这个标志是何含义? A 、双向交通 B 、分离式道路 C 、潮汐车道 D 、减速让行 答案:A 8、机动车仪表板上(如图所示)亮,表示驻车制动器操纵杆可能没松到底。 答案:错 9、在路口右转弯遇同车道前车等候放行信号时如何行驶? A 、从前车左侧转弯 B 、从右侧占道转弯 C 、鸣喇叭让前车让路 D 、依次停车等候 答案:D 10、机动车发生正面碰撞时,安全气囊加上安全带的双重保护才能充分发挥作用。 答案:对 11、灯光开关在该位置时,前雾灯点亮。 答案:对 12、这个开关控制机动车哪个部位? A 、风窗玻璃除雾器 B 、风窗玻璃刮水器 C 、危险报警闪光灯 D 、照明、信号装置 习题: 1, 计算?? ????=572396a 与??? ???=864142b 的数组乘积。 2, 对于B AX =,如果???? ? ?????=753467294A ,??????????=282637B ,求解X 。 3, 已知:?? ?? ? ?????=987654321a ,分别计算a 的数组平方和矩阵平方,并观察其结果。 4, 角度[]604530=x ,求x 的正弦、余弦、正切和余切。(应用sin,cos,tan.cot) 5, 将矩阵?? ?? ??=7524a 、??????=3817b 和??? ???=2695c 组合成两个新矩阵: (1)组合成一个4?3的矩阵,第一列为按列顺序排列的a 矩阵元素,第二列为按列顺序排列的b 矩阵元素,第三列为按列顺序排列的c 矩阵元素,即 ?? ??? ???? ???237 912685 574 (2)按照a 、b 、c 的列顺序组合成一个行矢量,即 []296531877254 6, 将(x -6)(x -3)(x -8)展开为系数多项式的形式。(应用poly,polyvalm) 7, 求解多项式x 3-7x 2+2x +40的根。(应用roots) 8, 求解在x =8时多项式(x -1)(x -2) (x -3)(x -4)的值。(应用poly,polyvalm) 9, 计算多项式9514124234++--x x x x 的微分和积分。(应用polyder,polyint ,poly2sym) 10, 解方程组???? ? ?????=??????????66136221143092x 。(应用x=a\b) 11, 求欠定方程组?? ? ???=???? ??5865394742x 的最小范数解。(应用pinv) 12, 矩阵???? ? ?????-=943457624a ,计算a 的行列式和逆矩阵。(应用det,inv) 13, y =sin(x ),x 从0到2π,?x =0.02π,求y 的最大值、最小值、均值和标准差。(应用max,min,mean,std) 14, 参照课件中例题的方法,计算表达式() 2 2 e 1053y x y x z ---=的梯度并绘图。(应用meshgrid, gradient, contour, hold on, quiver) 15, 用符号函数法求解方程a t 2+b*t +c=0。(应用solve) 16, 用符号计算验证三角等式:(应用syms,simple) 17, 求矩阵?? ? ? ??=2221 1211a a a a A 的行列式值、逆和特征根。(应用syms,det,inv,eig) 18, 因式分解:6555234-++-x x x x (应用syms, factor) 19, ? ??? ?? ?? =)sin()log(12 x x e x x a f ax ,用符号微分求df/dx 。(应用syms,diff) 20, 符号函数绘图法绘制函数x=sin(3t)cos(t),y=sin(3t)sin(t)的图形,t 的变化范围为[0,2π]。(应用syms,ezplot) 21, 绘制曲线13++=x x y ,x 的取值范围为[-5,5]。(应用plot) 22, 有一组测量数据满足-at e =y ,t 的变化范围为0~10,用不同的线型和标记点画出a=0.1、a=0.2和a=0.5三种情况下的曲线,在图中添加标题-at e =y ,并用箭头线标识出各曲线a 的取值,并添加标题-at e =y 和图例框。(应用plot,title,text,legend) 23 24, x= [66 49 71 56 38],绘制饼图,并将第五个切块分离出来。 煤矿安全考试中心 煤矿安全监测监控系统使用相关人员培 训考试题库 目录 第一部分法律法规 (2) 一、判断题 (2) 二、单选题 (4) 三、多选题 (9) 第二部分煤矿安全基本知识 (12) 一、判断题 (12) 二、单选题 (15) 三、多选题 (19) 第三部分专业知识 (23) 一、判断题 (23) 二、单选题 (27) 三、多选题 (38) 第一部分法律法规 一、判断题 1.安全生产教育、培训,应坚持“统一规划,归口管理,分级实施,分类指导,教考分离”的原则。()YES 2.安全生产立法最根本的目的就是为了保护劳动者在生产过程中的生命安全与健康。()YES 3.安全生产违法行为轻微并及时纠正,没有造成危害后果的,可不予行政处罚。()YES 4.安全生产责任制是“安全第一,预防为主,综合治理”方针的具体体现,是煤矿企业最基本的安全管理制度。()YES 5.安全生产责任制是一项最基本的安全生产制度,是其他各项安全规章制度得以切实实施的基本保证。()YES 6.安全与生产的关系是,生产是目的,安全是前提,安全为了生产,生产必须安全。()YES 7.把作业场所和工作岗位存在的危险因素,如实告知从业人员,会有负面影响,增加思想负担,不利于安全生产。()NO 8.从业人员有获得符合国家标准的劳动防护用品的权利。()YES 9.从业人员有权拒绝违章指挥和强令冒险作业。()YES 10.法律责任是指违法者对其违法所造成的对社会和受害者的危害应承担的法律后果。()YES 11.凡属违法行为,都应追究违法者的刑事责任,给予刑事制裁。()NO 12.国家对从事煤矿井下作业的职工采取了特殊的保护措施。()YES 13.过于自信和疏忽大意的过失而造成重大事故发生的,由于主观上不希望发生,不是有意识行为,不应对责任人定为重大责任事故罪。()NO 14.矿产资源的开采,不论开采规模的大小,在安全和物质保证上都必须立足于保护矿山职工的人身安全。()YES 15.矿山职工有享受劳动保护的权利,没有享受工伤社会保险的权利。()NO 基础会计学练习题以及答案 一、 1、现代会计的开端是(管理会计的形成并与财务会计相分离而单独成科) 2、会计的最基本的两项职能是(反映职能和监督职能) 3、凡支出的效果与几个会计年度相关的,应作为(资本性支出) 4、对于与本期收有关的一切未来费用,应在本期内预提,属于(配比)原则的规定 5、会计等式的标准形式(资产=负债+所有者权益) 6.按照借贷记账法的记录方法,下列四组账户中,增加额均记在贷方的是(负债、所有者权益) 9.不单独设置"预付账款"账户的企业,发生预付货款业务应记入的账户是(应收账款) 10.原始凭证的概念是(在经济业务发生或完成时取得或填制的,用来证明经济业务的发生或者完成的情况,并作为记账的原始依据) 11.属于记账编制凭证的是(记账凭证) 12.对于经营性租入的固定资产,应登记的账簿是(备查账) 13."管理费用"明细账一般采用的账页格式是(多栏式) 15.平时对各项财产物资的增加数和和减少数,都要根据会计凭证连续记入有关账簿,并且随时结出账面结存数的盘存方法叫(永续盘存制) 16.既属于财务成果报表又属于月报表的是(利润表) 17.按照报送对象的不同利润表属于(对外会计报表) 18.特定的会计凭证账簿组织和特定的记账程序相互结合的方式称为(会计核算) 19.会计核算形式中最基本的一种会计核算形式是(记账凭证核算) 20.位于我国会计法规体系中最高层次的是(《中华人民共和国会计法》) 21.会计主体是指会计所服务的(特定单位) 22.存货在物价上涨时的计价采用后进先出法,体现了(谨慎性原则) 23.科目属于负债的是(流动负债、长期负债) 24.按照借贷记账法的记录方法,记录在账户的贷方的是(负债、所有者权益) 25.对于需要安装的机器设备,应将其购进时支付的价款、包装费、运输费和安装费记入(固定资产)账户的借方. 26.按用途和结构分,"盈余公积"账户属于(所有者投资账户) 28.属于外来原始凭证的是(购买货物取得的发货票、增值税专用发票、银行为企业待收款项的收款通知单等) 29.原始凭证的基本内容包括(1、原始凭证的名称2、填制凭证的日期3、填制凭证单位名称或者填制人姓名4、经办人员的签名或盖章5、接受凭证单位名称6、经济业务内容(以上通称为凭证要素) 30.按账簿的用途的分类,现金日记账属于(序时账簿) 31."原材料"明细账一般采用的账页格式是(数量金额式) 32账簿按用途可分为(序时账簿、分类账簿、联合账簿、备查账簿) 33.在核对银行存款时,如果企业银行存款日记账余额与银行对账单余额不符,应编制(银行存款对账单) 34.银行存款清查的方法是(与开户银行核对账) 35.(记账凭证)不能作为调整或登记账簿的凭证 36.按照反映的内容不同,现金流量表属于(会计报表) 38.直接根据记账凭证,逐笔登记总分类账的依据是(记账凭证核算形式) 39.我国会计法规体系主要由(《会计法》、〈〈企业会计准则〉〉、〈〈企业会计制度〉〉等会计核算方面法规制度) 40.集中核算方式就是把(企业)主要会计核算工作都集中在企业一级的会计部门进行. 41.在社会主义市场经济条件下,会计的对象是社会再生产过程中主要(以货币表现的经济活动) 42.企业资产以历史成本计价现不以现行成本或清算价格计价,依据的会计核算基本前提是(历史成本原则) 43.经济业务中引起资产和负债同时减少的是(还款) 44.按照借贷记账法的记录方法,下列账户中,账户的贷方登记增加额的是(负债所有者权益) 45."材料采购"账户应按(数量金额)设置明细账. 46."待摊费用"按经济内容分类属于(流动资产) 47"预提费用"按用途和结构分类属于(负债) 48.将会计凭证划分为原始凭证和记账凭证的依据是(填制的程序和用途) 说明:原科目一考试题库涉及到饮酒、醉酒驾驶机动车及伪造、变造或者使用伪造、变造的机动车登记证书、号牌、行驶证、驾驶证的相关内容共计21道,其中有关饮酒、醉酒驾驶的18道,有关伪造、变造或者使用伪造、变造的机动车登记证书、号牌、行驶证、驾驶证的3道。 《中华人民共和国道路交通安全法》修正案5月1日实施后,该部分内容的考试题库需做相应调整。经整理共需调整试题10道,其中涉及饮酒、醉酒驾驶机动车9道,涉及变造或者使用伪造、变造的机动车登记证书、号牌、行驶证、驾驶证内容1道。具体情况如下图所示: 序号试题编号原试题内容调整后试题内容 一、选择题 1 1.1.1.2 2 (原试题内容)饮酒后驾驶机动车的,处暂扣______,并处200元以上500元以下罚款。 A、机动车 B、行驶证 C、1个月以上3个月以下驾驶证 D、3个月以上驾驶证,由民警决定 答案:C (调整后试题内容)饮酒后驾驶机动车的,处暂扣______,并处1000元以上2000元以下罚款。 A、机动车 B、行驶证 C、6个月机动车驾驶证 D、6个月以上驾驶证,由民警决定 答案:C 2 1.1.1.23(原试题内容)醉酒后驾驶机动车的,由公安机关交通管理部门约束至酒醒,处拘留和暂扣3个月以上6个月以下驾驶证,并处500元以上2000元以下罚款。 A、15日以下 B、15日以上 C、1个月以下 D、1个月以上 答案:A (调整后试题内容)醉酒驾驶机动车的,由公安机关交通管理部门约束至酒醒,吊销机动车驾驶证,______内不得重新取得机动车驾驶证,并依法追究刑事责任。 A、1年 B、2年 C、5年 D、10年 答案:C 3 1.6.1.8 (原试题内容)机动车驾驶人有饮酒后或者醉酒后驾驶机动车违法行为的,一次记______分。 A、2 B、3 C、6 D、12 答案:D 不需调整 4 1.6.1.11 (原试题内容)机动车驾驶人有饮酒后或者醉酒后驾驶营运机动车违法行为的,一次记______分。 A、2 B、3 C、6 D、12 答案:D 不需调整 5 3.4.1.30 (原试题内容)行车中遇醉酒的行人时,应______。 A、鸣喇叭警示 B、迅速从一侧绕过 C、减速慢行,保持足够的横向间距 D、紧随其后行驶 答案:C 不需调整 6 1.1.1.2 (原试题内容)饮酒后驾驶营运机动车的,处暂扣3个月机动车驾驶证,并处______罚款。 A、200元 B、500元 C、1000元 D、2000元 答案:B (调整后试题内容)饮酒后驾驶营运机动车的,处十五日拘留,并处______罚款。 A、2000元 B、5000元 C、10000元 D、20000元 答案:B 7 1.1.1.3 (原试题内容)醉酒后驾驶营运机动车的,由公安机关交通管理部门约束至酒醒,处15日以下拘留和暂扣6个月机动车驾驶证,并处______罚款。 A、200元 B、500元 C、1000元 D、2000元 答案:D (调整后试题内容)醉酒驾驶营运机动车的,由公安机关交通管理部门约束至酒醒,吊销机动车驾驶证,______内不得重新取得机动车驾驶证,并依法追究刑事责任;重新取得机动车驾驶证后,不得驾驶营运机动车。 A、1年 B、2年 C、5年 D、10年 答案:D 8 1.1.1.4 (原试题内容)一年内有醉酒后驾驶机动车的行为,被处罚两次以上的,吊销机动车驾驶证,______内不得 作业名称:2012年秋季管理信息系统(专)网上作业1 题号:1题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 作业级信息的特点是()。 A、大部分来自内部,信息的精度高,使用寿命短 B、大部分来自外部,信息的精度高,使用寿命短 C、大部分来自内部,信息的精度高,使用寿命长 D、大部分来自外部,信息的精度高,使用寿命长 标准答案 学员答案 本题得分:5 题号:2题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 作为资源,信息不同于物质能源的显著不同是()。 A、转换性 D、价值性 标准答案 学员答案 本题得分:5 题号:3题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 上报给公司的月计划完成情况的月报告属于( )。 A、战略级信息 B、战术级信息 C、作业级信息 D、公司级信息 标准答案 学员答案 本题得分:5 题号:4题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 数据()。 A、是经过处理的信息 B、经过解释成为信息 C、必须经过加工才成为信息 D、不经过加工也可以称作信息 标准答案 学员答案 本题得分:5 题号:5题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 管理信息系统可以()管理决策。 A、替代 B、辅助 C、决定 D、指导 本题得分:5 题号:6题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 管理信息系统的结构是指() A、管理信息系统的物理结构 B、管理信息系统各个组成部分之间关系的总和 C、管理信息系统的软件结构 D、管理信息系统的硬件结构 标准答案 学员答案 本题得分:5 题号:7题型:单选题(请在以下几个选项中选择唯一正确答案)本题分数:5 内容: 现代管理信息系统是( )。 A、计算机系统 煤矿监测监控人员试题 与答案 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】 柳林县金家庄煤矿监控工试卷 队组:姓名:得 分: 一、填空题(每空1分,共20分) 1、煤矿企业应建立安全制度.高瓦斯矿井,煤(岩)与瓦斯突出矿井,必 须装备矿井系统. 2、煤矿使用的涉及安全生产的产品,必须取得煤矿矿用产品。未取 得煤矿矿用产品安全标志的,不得。 3、串联通风必须在进入被串联工作面的风流中装设,且瓦斯和 二氧化碳浓度都不得超过。 4、使用局部通风机供风的地点必须实行、,保证停风 或瓦斯超限后切断停风区内全部 电气设备的电源。 5、装备矿井安全监控系统的矿井,主要通风机、局部通风机应设置设备 传感器,主要风门应设置 传感器,被控设备开关的负荷侧应设置传感器。 6、安全监控设备布置图和接线图应标明传感器、声光报警器、、分站、电 源、中心站等设备的位置、接线、、传输电缆等,并根据实际布置及时修改。 7、采区设计、采掘作业规程和安全技术措施,必须对安全监控设备的种类、 数量和,信号电缆和电源电缆的敷设,等做出明确规定,并绘制布置图。 8、矿井安全监控系统必须具备甲烷和甲烷装置的全部功 能。 9、监测工必须掌握监控系统断电状态和馈电状态监测、、显示、存 储和报表等操作功能。 二、选择题(每题2分,共20分) 1、装备矿井安全监控系统的开采容易自燃、自燃煤层的矿井,应设置 和温度传感器。 A 开停传感器 B 一氧化碳传感器 C 风速传感器 2、采掘工作面的进风流中,氧气浓度不低于20%,二氧化碳浓度不超 过 %。 A % B % C % 3、使用局部通风机供风的地点必须实行,保证停风后切断停风区内 全部非本质安全型电气设备的电源。 会计凭证习题及参考答案 一、单项选择题 1.下列单据属于外来原始凭证的是( C )。 A.收料单 B.领料单 C.购货发票 D.内部借款单 2.销售产品一批,部分货款收到,还有部分对方暂欠时,应填制的记账凭证是(C)。 A.收款凭证 B.付款凭证 C.收款凭证和转账凭证 D.付款凭证和转账任证 3.下列单据属于自制原始凭证的是( C )。 A.购货发票 B.电话费收据 C.工资计算单 D.银行汇票 4.企业从银行提取现金,应填制的记账凭证是(B)。 A.银行存款收款凭证 B.银行存款付款凭证 C.现金收款凭证 D.现金付款凭证 5.“发料汇总表”属于( A )。 A.汇总原始凭证 B.汇总记账凭证 C.外来原始凭证 D.累计凭证 6. 限额领料单属于( C )。 A.一次凭证 B.汇总凭证 C.累计凭证 D.转账凭证 7. 以下属于累计凭证的是(C )。 A.发票 B.收据 C.限额领料单 D.商品销货汇总表 8.将现金存入银行,按规定应编制(B)。 A.现金收款凭证 B.现金付款凭证 C.转账凭证 D.银行存款收款凭证 9.领料汇总表属于会计凭证中的(D)。 A、一次凭证 B、累计凭证 C、单式凭证 D、汇总记账凭证 10.下列属于外来原始凭证的是( C )。 A、入库单 B、发料汇总表 C、银行收账通知 D、出库单 11.下列不属于会计凭证的是( C )。 A、发货票 B、领料单 C、购销合同 D、住宿费收据 12.原始凭证和记账凭证的相同点是( A )。 A、反映经济业务的内容相同 B、编制时间相同 C、所起作用相同 D、经济责任的当事人相同 13.下列业务应编制转账凭证的是( D )。 A、支付购买材料价款 B、支付材料运杂费 C、收回出售材料款 D、车间领用材料 14.企业减现金存入银行应编制( B )。 A、银行存款付款凭证 B、库存现金付款凭证 C、银行存款收款凭证 D、库存现金收款凭证 15.下列科目可能是收款凭证借方科目的是( C )。 A、在途物资 B、应收账款 C、银行存款 D、待摊费用 16.外来原始凭证一般都是( A )。 A、一次凭证 B、累计凭证 C、汇总原始凭证 D、记账凭证 17.下列科目可能是收款凭证贷方科目的是( C )。 A、制造费用 B、待摊费用 C、应收账款 D、坏账准备 18.将会计凭证划分分为原始凭证和记账凭证的依据是( C )。 A、填制时间 B、取得来源 C、填制的程序和用途 D、反映的经济内容 19.原始凭证是( B )。 A、登记日记账的依据 B、编制记账凭证的依据 C、编制科目汇总表的依据 D、编制汇总记账凭证的依据 20.制造费用分配表是( D )。 A、外来原始凭证 B、通用记账凭证 C、累计凭证 D、自制原始凭证 2018年驾考科目一最新题集 1.机动车仪表板上(如图所示)亮表示什么?选择题 a.驻车制动解除 b.制动踏板没回位 c.行车制动器失效 d.制动系统出现异常 答案:d 2.驾驶人有下列哪种违法行为一次记6分?选择题 a.使用其他车辆行驶证 b.饮酒后驾驶机动车 c.车速超过规定时速50%以上 d.违法占用应急车道行驶 答案:d 3.有下列哪种违法行为的机动车驾驶人将被一次记12分? 选择题 a.驾驶故意污损号牌的机动车上道路行驶 b.机动车驾驶证被暂扣期间驾驶机动车的 c.以隐瞒、欺骗手段补领机动车驾驶证的 d.驾驶机动车不按照规定避让校车的 答案:a 4.在道路与铁路道口遇到一个红灯亮时要尽快通过道口。 判断题答案:错 5.这个标志是何含义? 选择题 a.向左急转弯 b.向右急转弯 c.向左绕行 d.连续弯路 答案:a 6.驾驶机动车遇到这种信号灯亮时,如果已越过停止线,可以继续通行。 判断题 答案:对 7.这个标志是何含义? 选择题 a.双向交通 b.分离式道路 c.潮汐车道 d.减速让行 答案:a 8.机动车仪表板上(如图所示)亮,表示驻车制动器操纵杆可能没松到底。 判断题 答案:错 9.在路口右转弯遇同车道前车等候放行信号时如何行驶? 选择题 a.从前车左侧转弯 b.从右侧占道转弯 c.鸣喇叭让前车让路 d.依次停车等候 答案:d 10.机动车发生正面碰撞时,安全气囊加上安全带的双重保护才能充分发挥作用。 判断题 答案:对 11.灯光开关在该位置时,前雾灯点亮。 判断题 答案:对 12.这个开关控制机动车哪个部位? 选择题a.风窗玻璃除雾器 b.风窗玻璃刮水器 c.危险报警闪光灯 d.照明、信号装置 答案:b 13.安装防抱死制动装置(ABS)的机动车制动时,制动距离会大大缩短,因此不必保持安全车距。 判断题 答案:错 14.机动车仪表板上(如图所示)亮表示什么? 选择题 a.前照灯开启 b.危险报警闪光灯开启 c.前后位置灯开启 d.前后雾灯开启 答案:c 15.机动车仪表板上(如图所示)亮时,防抱死制动系统处于打开状态。 判断题 第一章 课后习题: 1.设计现代OS的主要目标是什么? 答:方便性,有效性,可扩充性和开放性. 2. OS的作用可表现为哪几个方面? 答: a. OS作为用户与计算机硬件系统之间的接口(用户观点); b. OS作为计算机系统资源的管理者(设计者观点); c. OS作为扩充机器.(虚拟机观点) 13、OS具有哪几大特征?它的最基本特征是什么? a. 并发(Concurrence)、共享(Sharing)、虚拟(Virtual)、异步性(Asynchronism)。 b. 其中最基本特征是并发和共享。 25、从资源管理的角度看,操作系统具有哪些功能? 处理机管理、存储器管理、设备管理和文件管理。 补充习题: 1、在计算机系统中配置操作系统的主要目的是(A),操作系统的主要功能是管理计算机系统中的(B),其中包括(C)管理和(D)管理,以及设备管理和文件管理。这里的(C)管理主要是对进程进行管理。 A:(1)增强计算机系统的功能;(2)提高系统资源的利用率; (3)提高系统的运行速度;(4)合理地组织系统的工作流程,以提高系统吞吐量。 B:(1)程序和数据;(2)进程;(3)资源;(4)作业;(5)任务。 C、D:(1)存储器;(2)虚拟存储器;(3)运算器;(4)处理机;(5)控制器。 2、操作系统有多种类型: (1)允许多个用户以交互方式使用计算机的操作系统,称为(A); (2)允许多用户将若干个作业提交给计算机系统集中处理的操作系统称为(B); (3)在(C)的控制下,计算机系统能及时处理由过程控制反馈的数据,并做出响应。A、B、C:(1)批处理操作系统;(2)分时操作系统;(3)实时操作系统;(4)微机操作系统;(5)多处理机操作系统。 3、从下面关于操作系统的论述中,选出一条正确的论述:( ) (1)对批处理作业,必须提供相应的作业控制信息; (2)对于分时系统,不一定全部提供人机交互功能; (3)从响应角度看,分时系统与实时系统的要求相似; (4)采用分时操作系统的计算机系统中,用户可以独占计算机操作系统的文件系统;(5)从交互角度看,分时系统与实时系统相似。 4、操作系统是一种(A),在OS中采用多道程序设计技术,能有效地提高CPU、内存和I/O设备的(B),为实现多道程序设计需要有(C)。 A:(1)应用软件;(2)系统软件;(3)通用软件;(4)软件包。 B:(1)灵活性;(2)可靠性;(3)兼容性;(4)利用率。 C:(1)更大的内存(2)更快的CPU;(3)更快的外部设备;(4)更先进的终端。 5、操作系统是一种应用软件。() 6、分时系统中,时间片越小越好。() 7、多道程序设计是指在一台处理机上同一时刻运行多个程序。()HTML习题答案汇总
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