模电复习
第一章 半导体器件基础
⒈ 讨论题与思考题
⑴ PN 结的伏安特性有何特点？
⑵ 二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？ ⑶ 硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？
⑷ 在结构上，三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？
⑸ 三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，由很薄的基区联系在一起。那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？
⑹ 场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？
⒉ 复习题
题1.1 流过硅二极管的电流I D =1mA 时，二极管两端压降U D =0.7V ，求电流I D =0.1mA 和10mA 时，二极管两端压降U D 分别为多少？
题 1.2电路如图题1.4中二极管是理想的，t U u ωsin m i ?=： ① 画出该电路的传输特性； ② 画出输出电压波形。
题1.3在图题1.8所示电路中，已知β=100，U I = 5V ，V CC BE(on)=0.7V ，试求晶体三极管进入饱和区所需R B 的最大值。
题1.4两个三极管工作在放大区，看不出它们的型号，测得各管脚的电位分别如题图所示，判断它们是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管，识别管脚并分别标上E 、B 、C 。
题1.5 题图1.10电路中，测得U E 若三极管β=50，求I E 、I B 、I C 和U C 。
第二章 放大器基础
⒈ 讨论题与思考题
⑴ 为什么放大电路能把小能量的电信号放大到所要求的程度？试说明组成放大电路的基本原则？ ⑵ 在阻容耦合放大电路中，耦合电容有何作用？若耦合电容采用电解电容，其极性应如何安排？ ⑶ 什么是放大电路的静态分析？静态分析时依据什么电路？
⑷ 什么是放大电路的动态分析？进行动态分析时依据什么电路？
⑸ 放大电路的输出动态范围也可以通过实验的方法测得。怎样用示波器观察基本共射放大电路的最大不失真输出电压波形？
⑹ 场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？
⒉ 复习题
题2.1 单管放大电路与三极管特性曲线如题图2.1(a)、(b)所示。 ① 用图解法确定静态工作点Q ；
② 当R C 由4k Ω增大到6k Ω时，工作点Q 将怎样移动？ ③ 当R B 由200k Ω变为100k Ω时，工作点Q 将怎样移动？ ④ 当-V cc 由 -12V 变为 -6V 将怎样移动？
(a) (b)
题图2.1
题2.2 放大电路如题图2.2(a)所示，三极管的输出特性曲线如题图2.2(b)所示。用图解法： ① 画出直流负载线并确定工作点Q(设U BEQ =0.7V)；
② 画出交流负载线，并确定对应i B 由0~100μA 变化时，u CE 的变化范围，并计算输出正弦电压有
效值。
(a) （a ）
题图2.2 题2.3 题图2.3 所示电路中，三极管β=100，='b b r 100Ω，U =0.7V 。
① 求三极管的静态工作点Q ；
② 求电压增益A u 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.3
题2.4 题图2.4 所示放大电路中，三极管β=100，U
①
求静态工作点Q ；
② 用等效电路法求电压增益A u =u o /u i 、源电压 增益A us =u o /u s ；
③ 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题2.5三极管β=100，C 1、C 2可视为交流短路。 ① 求集电极直流电流I C 和电位U C ；
② 求电压增益A u =i o
u u 。
题图2.5
题2.6 题图2.6 所示放大电路中，三极管β=100，U = 0.6V ，='b b r 200Ω。
① 求电压放大倍数A u ；
② 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题2.7 在题图2.7 所示放大电路中，已知管子β=50，='b b r 300Ω，U =0.7V ，电容C 1、C 2、C 3可视为交流短路，R s =500Ω。
① 计算电压增益A u1=s o1u u 、A u2=s o2
u u ， 输入电阻R i 、输出电阻R o1、R o2。 ② 说明此放大电路的功能。
题图2.7
题2.8 在题图2.8所示共集电路中，输出电压通过耦合电容C 3加到R B3的下端，已知='b b r 300Ω，
='e r b 1k Ω，g m =100mS ，R B1=R B2=20k Ω，R B3=100k Ω，R E =R L =1k Ω，所有电容可视为短路，c r b '、ce r 可忽略，
求输入电阻R i 。
题2.9 题图2.9中FET 的U GS(off) = 2V ，I DSS = 1mA 。求： ①
为使静态时I DQ = 0.64mA
，源极电阻R 应选多 大？
② 电压放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o ； ③ 若C 3虚焊开路，则A u 、R i 、R o 为多少？
第三章 多级放大电路
⒈ 讨论题与思考题
⑴为提高电压放大倍数和改善电路性能指标，放大电路中往往采用由多个单级放大电路级连而成的多级放大器。多级放大器有那几种耦合方式？它们各有什么特点和问题？几种耦合方式的优缺点，怎么根据需求组成多级放大电路？
⑵直接耦合放大电路存在零点漂移问题。什么是零点漂移？怎样衡量放大器的零点漂移？ ⑶什么是差动放大电路？差动放大电路有何特点，通过什么方法抑制零漂？电流源电路在差动放大电路中起什么作用？
⑷差放电路的静态工作点如何设置，不同接法的差放电路的动态特性中如何分析？交流等效电路的画法。
⒉ 复习题
题3.1在题图3.1的电路中，设+V CC =+12V ，–V EE =–6V ，R B =1k Ω，R C =15k Ω，R E =7.5k Ω，R W =200Ω且滑动端位于中点，R L =∞，晶体管T 1、T 2的特性相同，β=100r bb’=300Ω，U BE =0.7V 。
① 求静态电流I CQ1、I CQ2以及集电极静态电位（对地）U CQ1和 U CQ2。
② 若u i1=20mV ，u i2=15mV ，且共模电压放大倍数的影响可忽略 不计，求两管集电极对地电压u C1（即u A ）和u C2（即u B ）。
题图3.1
题3.2恒流源式差动放大电路如题图3.2所示，已知三极管的U BE =0.7V ，?=50，r bb’=100Ω，稳压管的U Z =+6V ，+V CC =+12V ，–V EE =–12V ，R B =5k Ω，R C =100k Ω，R E =53k Ω，R L =30k Ω。 ① 简述恒流源结构的优点；
② 求静态工作点Q （I BQ 、I CQ 、U CEQ ）； ③ 求差模电压放大倍数A ud ；
求差模输入电阻R id 与输出电阻R od 。
题图3.2
题3.3具有镜像电流源的差动放大电路如题图3.3所示。已知V CC =V EE =15V ，R B =10k Ω，R C =100k Ω，R L =150k Ω，R W =0.3k Ω，R =144k Ω，三极管T 1~T 4特性相同，U BE =0.6V ， β=100，r bb’=100Ω，T 3管的r ce =100k Ω
。试计算： ①
I C1、I
C3、U CEQ1、U CEQ2、U CEQ3； ② 差模输入电阻R id 、输出电阻R od ； ③ 差模电压放大倍数A ud ； ④ 共模电压放大倍数A uc ；
⑤ 当u i1=50mV 、u i2=30mV 时，u o =? u C1=?
题3.4差动放大电路如题图3.4所示。已知三极管的β1=β2=50，β3=80，r bb’=100Ω，U BE1=U BE2=0.7V ，U BE3=–0.2V ，–V EE =–12V ，当输入信号u i =0时，测得u o 为零。 ① 估算T 1、T 2管的工作点I C1、I C2和电阻R E 的大小。 ② 当u i =10mV 时，估算输出电压u o 的值。
③ 若要在T 2管的集电极得到最大不失真输出幅度 U o2max ，对应的u i 有效值为多少？
题图3.4
题3.5 在题图3.5所示差动放大电路中，已知β=80，r be =2k Ω，u i =20mV ，电流源I =2mA 。求： ① 输出电压u o =？ ② 输入电流i i =？
③ 最大不失真的输出电压幅值U ommax =？
第四章 集成运算放大器 ⒈ 讨论题与思考题
⑴恒流源在集成电路中除作偏置电路外，还可作为放大电路的有源负载，以提高电压增益。试说明恒流源作负载，对放大器的动态性能有何改善？
⑵集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直接耦合放大电路。通常集成运算放大器由哪几部分组成？各部分电路具有哪些主要性能？ ⑶集成运算放大器技术参数与选择方法？ ⑷集成运放理想化的条件？
⒉ 复习题（选择填空）
第六章 反馈
⒈ 讨论题与思考题
⑴ 什么是反馈？如何判别电路有无反馈？ ⑵ 如何判断反馈极性和组态？
⑶ 方框图分析法主要用途是什么？结合实例说明求基本放大器输入电路和输出电路的原理和法则。
⑷ 定性和定量分析反馈放大器应大致采取什么步骤？一般说来，四种类型的负反馈放大器的主要分析内容是什么？
⑸深度负反馈条件下，估算增益的方法？
⑹ 试说明负反馈对放大器对输入电阻和输出电阻有何影响？负反馈为什么可以扩展频带？ ⑺负反馈放大器产生自激振荡的条件是什么？
⒉ 复习题
(a) (b)
(c) (d) 题图6.1
(b) 题图6.2 题6.3 反馈放大电路如题图6.3所示。
① 判断图中级间反馈的极性或组态（负反馈应讨论组态）。 ② 若满足深度负反馈条件，则A uf =u o /u i 、R if 、R of 各为多 少？
题图6.3
题6.4 设题图6.4所示电路中的运放是理想的，试问电路中存在何种极性和组态（类型）的级间反馈？推导出A uf =u o /u i 的表达式。
题6.5 在题图6.5所示电路中:
① 计算在未接入T 3且u i =0时，T 1管的U C1Q 和 U EQ （设β1=β2=100，U BEQ1=U BEQ2=0.7V ）。 ② 计算当u i =+5mV 时，u C1、u C2各是多少？给 定r be =10.8k Ω。
③ 如接入T 3并通过c 3经R F 反馈到b 2，试说明 b 3应与c 1还是c 2相连才能实现负反馈。
④ 在第③小题情况下，若|F A |>>1，试计算R F 应是多少才能使引入负反馈后的电压放大倍数A uf
题6.6 由差动放大器和运算放大器组成的反馈放大电路如题图6.6所示。回答下列问题： ① 当u i =0时，U C1=U C2=？（设U BE =0.7V ）
② 要使由u o 到b 2的反馈为电压串联负反馈，则c 1和c 2 应分别接至运放的哪个输入端（在图中用+、–号标出）？ ③ 引入电压串联负反馈后，闭环电压放大倍数A uf =u o /u i 是多少？设A 为理想运放。
④ 若要引入电压并联负反馈，则c 1、c 2又应分别接至运放 的哪个输入端（在图中标出）？R f 应接到何处？若R f 、R b 数 值不变，则A uf =？
题图6.6
题6.7 已知负反馈放大器的开环增益A 为105，若要求获得100倍的闭环增益，问其反馈系数F 应取多大？如果由于制造误差，其开环增益A 减小为103，则此时的闭环增益A f 变为多少？相应的闭
环增益的相对变化量A A
f
f
是多少？
第七章 信号运算和处理
⒈ 讨论题与思考题
⑴ 试说明“虚短”和“虚断”的概念？
⑵ 与同相放大器、加法器和差动放大器相对应是否有同相积分电路、求和积分电路和差动积分电路？试画出其典型电路形式。
⑶如何用节点电流法或叠加原理求解运算电路？
⑷理解滤波的概念，什么叫通带、阻带和截止频率？按通带和阻带相互位置不同，有源滤波器通常可以分为哪几类？它们的理想幅频特性如何？
⑸试说明运放工作在非线性区时的特点？如何确认运放是工作在线性区或非线性区？
⒉复习题
(a)
(b)
题图7.1
题7.2设题图7.2中的A为理想运算放大器，其共
模与差模输入范围都足够大，+V CC和–V EE同时也是
运放A的电源电压。已知晶体三极管的r be1=r be2=1kΩ，
β1=β2=50，I为理想恒流源，求电压放大倍数
A u=u o/u i=？
题图7.2
题7.3电路如题图7.3所示。请回答：
①欲实现u o=K(u i2-u i1)的运算关系（K为常数），电阻
R1、R2、R3、R4之间应有什么关系？设A1、A2均为理想
运算放大器。
②在实际电路中，输入电压u i1、u i2的大小应受什么限
制？
题图7.3
题7.4电路如题图7.4(a)所示，A为理想运算放大器。
①求u o对u i1、u i2的运算关系式。
②若R1=1kΩ，R2=2kΩ，C=1μF，u i1和u i2的波形如图(b)
所示，t=0时u C=0
电压数值。
题图7.4 (a) (b)
题7.5理想运放组成题图7.5(a)所示的电路，其中R1=R2=100kΩ，C1=10μF，C2=5μF。图(b)
相对于u i的波形。
题图7.5 (a) (b)
题7.6 理想运放组成题图7.6所示电路，导出u o =f (u i1,u i2) 的表达式，输入信号应满足什么条件？
题图7.6
题7.7试判断题图7.7中的各种电路是什么类型的滤波器（低通、高通、带通还是带阻滤波器，有源还是无源，几阶滤波）。
(a) (b)
(c) (d)
题图7.7
题7.8 将正弦信号u i =U m sin ωt 分别送到题图7.8(a)、(b)和(c)三个电路的输入端，试分别画出它们的输出电压u o 的波型，并在波形图上标 出各处电压值。已知U m =15V ，而且 ① 图(a)中稳压管的稳压值U Z =±7V ；
② 图(b)中稳压管参数同上，且参考电压U REF =6V ，R 1=R 2=10k Ω；
Ω
题图7.8 题7.9 在题图7.9所示电路中： ① 分析电路由哪些基本单元组成； ② 设u i1=u i2=0时，电容上的电压u C =0，u o =12V 。求当u i1=–10V 、u i2=0时，经过多少时间u o 由+12V
变–12V ；
③ u o 变成–12V 后，u i2由0改为+15V
；
④ 画出u o1和u o 的波形。
题图7.9 题7.10拟定一个开立方电路。
题7.11 题图7.11中运放和乘法器都是理想的，电容C 上的初始电压为零，试写出u o1﹑u o2及u o 的表达式。
题图7.11
题7.12 电路如题图7.12所示，运放和乘法器都具有理想特性。 求u o1﹑u o2和u o 的表达式；
题图7.12
第八章 波形产生与变换电路 ⒈ 讨论题与思考题
⑴ 正弦波振荡器的组成、振荡条件和分析要点？ ⑵ 石英晶体振荡器的电路类型和电路中晶体的作用？ ⑶ 波形变换电路的种类、电路组成和分析方法？
⒉ 复习题
题8.1 用相位平衡条件判断题图7.1所示的电路是否有可能产生正弦波振荡，并简述理由，假设耦
(a)
(c) (d)
题图8.1
题8.2 题图8.2是一个三角波发生电路，为了实现以下的几种不同要求，U R 和U S 应作哪些调整？ ① u o1端输出对称矩形波，u o 端输出对称三角波； ② 对称的矩形波以及三角波的电平可以移动（例如使 波形上移）；
③ 输出矩形波的占空比可以改变（例如占空比减小）。
题图8.2
第九章 功率放大电路 ⒈ 讨论题与思考题
⑴ 功率放大器有何特点？对其有何基本要求？ ⑵ 功率放大电路的选管原则？
⑶ 分析乙类互补对称电路的传输特性及波形失真，说明减少或消除失真的方法？
⒉ 复习题
题9.1 在图9.1所示的OCL 电路中，已知V CC =20V ，R L =8Ω，u i 为正弦电压。求：
① 在输入信号U i =10V （有效值）时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。 ② 在U CE(sat)≈0和u i ③ 每个管子的P CM 至少应为多少？
④ 每个管子的耐压|U (BR)CEO |至少应为多少？
题9.2 OTL 放大电路如题图9.2所示，设T 1、T 2的特性完全对称，u i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16?。试回答以下问题：
① 静态时，电容C 2两端电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？ ② 动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？
③ 若R 1=R 2=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，|U BE |=0.7V D 2、R 2中任意一
个开路，将会产生什么后果？
题图6.4
题9.3 OTL 电路同题图9.2，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载电阻的电流为i o =0.45cos ωt (A)。求：
① 负载上得到的输出功率P O 。 ② 电源提供的平均功率P V 。 ③ 管子T 1、T 2的管耗P T1、P T2。
第十章 直流稳压电源 ⒈ 讨论题与思考题
⑴ 直流稳压电源的组成及各部分的功能？
⑵ 根据桥式整流电路的工作原理，分析电路故障现象？
⑶ 常见滤波电路类型以及它们的外特性如何？在实际应用中应如何选择电路类型？ ⑷ 衡量稳压电路质量的性能指标是什么？
⑸ 试从反馈角度分析线性串联稳压电路的工作原理及影响稳压性能的主要因素？ ⑹ 常见线性集成稳压电路的种类？其使用特点如何？
⒉ 复习题
题10.1 电路如题图10.1所示。若U 21=U 22=20V ，试回答下列问题： ①
标出u O1和
u O2对地的极性。u O1和u O2中的平均值各为多大？ ② u O1和u O2的波形是全波整流还是半波整流？
③ 若U 21=18V ，U 22=22V ，画出u O1和u O2的波形，并计算出u O1 和u O2的平均值。
题图10.1
题10.2 具有整流滤波和放大环节的稳压电路如题图10.2所示。 ① 分析电路中各个元件的作用，从反馈放大电路的角度来看哪个是输入量？T 1、T 2各起什么作用？反馈是如何形成的？
② 若U P =24V ，稳压管稳压值U Z =5.3V ，晶体管U BE ≈0.7V ，U CES ≈2V ，R 1=R 2=R W =300Ω，试计算U o 的可调范围。
③ 试计算变压器次级绕组 的电压有效值大约是多少？ ④ 若R 1改为600Ω，你认 为调节R W 时能输出的U o 最 大值是多少？
题图10.2
题10.3 三端稳压器W7815组成如题图10.3所示电路，已知W7815的I omax =1.5A ，U o =15V ，U Imax ≤40V ，稳压管的U z =+5V ，I zmax =60mA ，I zmin =10mA 。 ① 要使U I =30V ，求副边电压有效值U 2=？ ② 试计算限流电阻R 的取值范围。 ③ 试计算输出电压U o 的调整范围。
题图10.3
模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题 第一章 半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。（对） 二极管 1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。（对） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（错） 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（错） 三极管 1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。（错） 2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错） … 3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。（错） 4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（错） 5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。（错） 6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（错） 场效应管 1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。（错） 第二章 1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对 2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（对） 3、放大电路的三种组态 / 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错） 三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。（对） 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错） 射极输出器不具有电压放大作用。（对） 4、多级放大电路 直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。（错） 直流放大器只能放大直流信号。（错） 现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（错）。 多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。（错） ~ 多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（错） 第四章 在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（对） 第五章 从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。（错） 差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。（错） 放大器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。（错）
模电实验教案实验
课程教案 课程名称：模拟电子技术实验 任课教师：何淑珍 所属院部：电气与信息工程学院 教学班级：自动化1301-02 教学时间：2014 —2015学年第二学期 湖南工学院 课程基本信息
实验一单管共射放大电路的研究 一、本次实验主要内容 按要求连接实验电路，调试静态工作点，测量电压放大倍数、输入电阻、输出电阻，分析静态工作点对输出波形失真的影响。 二、教学目的与要求 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响；掌握放大器各性能指标及最大不失真输出电压的测试方法；熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 三、教学重点难点 1、静态工作点调试； 2、输入电阻、输出电阻的测量。 四、教学方法和手段 课堂讲授、操作、讨论； 五、作业与习题布置 完成实验报告
实验一单管共射放大电路的研究(验证性) 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表。 表实验1的设备与器材 序号名称型号与规格数量备注 1实验台1台 2双踪示波器1台 3交流毫伏表1只 4万用表1只 5晶体管1只 6电阻若干 7电容若干 3. 实验电路与说明 实验电路如图所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
(完整版)模电复习答案
基本概念复习 第一章 电路基本元件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 （6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。 A ．NPN 型硅管 B ．NPN 型锗管 C ．PNP 型硅管 D ．PNP 型锗管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A 第二章 基本放大电路 一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
模电实验(附答案)
实验一 晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1．学会放大器静态工作点的调式方法和测量方法。 2．掌握放大器电压放大倍数的测试方法及放大器参数对放大倍数的影 响。 3．熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2—1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。偏置电阻R B1、R B2组成分压电路，并在发射极中接有电阻R E ，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号后，在放大器的输出端便可得到一个与输入信号相位相反、幅值被放大了的输出信号，从而实现了电压放大。 三、实验设备 1、 信号发生器 2、 双踪示波器 3、 交流毫伏表 4、 模拟电路实验箱 5、 万用表 四、实验内容 1．测量静态工作点 实验电路如图1所示，它的静态工作点估算方法为： U B ≈ 2 11B B CC B R R U R +? 图1 共射极单管放大器实验电路图
I E ＝ E BE B R U U -≈Ic U CE = U C C －I C （R C ＋R E ） 实验中测量放大器的静态工作点，应在输入信号为零的情况下进行。 1）没通电前，将放大器输入端与地端短接，接好电源线（注意12V 电源位置）。 2）检查接线无误后，接通电源。 3）用万用表的直流10V 挡测量U E = 2V 左右，如果偏差太大可调节静态工作点（电位器RP ）。然后测量U B 、U C ，记入表1中。 表1 B2所有测量结果记入表2—1中。 5）根据实验结果可用：I C ≈I E ＝E E R U 或I C ＝C C CC R U U - U BE ＝U B －U E U CE ＝U C －U E 计算出放大器的静态工作点。 2．测量电压放大倍数 各仪器与放大器之间的连接图 关掉电源，各电子仪器可按上图连接，为防止干扰，各仪器的公共端必须连在一起后接在公共接地端上。 1）检查线路无误后，接通电源。从信号发生器输出一个频率为1KHz 、幅值为10mv （用毫伏表测量u i ）的正弦信号加入到放大器输入端。 2）用示波器观察放大器输出电压的波形，在波形不失真的条件下用交流毫
模电试卷及答案
《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式：开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共 10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) + - 命 题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教务处制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题 一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分） 1、N型半导体的多数载流子是空穴。（） 2、P型半导体的多数载流子是空穴。（） 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 （） 4、运算电路中一般引入负反馈。（） 5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。（） 9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（） 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（） 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。（） 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。（） 13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。（） 14、共发射极放大电路输出与输入反相。（） 15、共基极放大电路输出与输入反相。（） 16、共集电极放大电路输出与输入反相。（） 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。（） 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。（） 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。（） 22、运放的共模放大倍数越小越好。（） 23、运放的差模放大倍数越小越好。（） 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （） 26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（） 27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（） 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。（） 29、用于滤波的电容通常串联连接。（） 30、用于滤波的电容通常并联连接。（） 31、用于滤波的电感通常串联连接。（） 32、用于滤波的电感通常并联连接。（） 33、稳压管正常工作状态下，处于正向导通状态。（） 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。（） 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。（） 36、电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（）
模电实验教案实验
模电实验教案实验 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
课程教案 课程名称：模拟电子技术实验 任课教师：何淑珍 所属院部：电气与信息工程学院 教学班级：自动化1301-02 教学时间：2014 —2015学年第二学期
湖南工学院课程基本信息
实验一单管共射放大电路的研究 一、本次实验主要内容 按要求连接实验电路，调试静态工作点，测量电压放大倍数、输入电阻、输出电阻，分析静态工作点对输出波形失真的影响。 二、教学目的与要求 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响；掌握放大器各性能指标及最大不失真输出电压的测试方法；熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 三、教学重点难点 1、静态工作点调试； 2、输入电阻、输出电阻的测量。 四、教学方法和手段 课堂讲授、操作、讨论； 五、作业与习题布置 完成实验报告
实验一单管共射放大电路的研究(验证性) 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表1.1。 3. 实验电路与说明 实验电路如图1.1所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]
模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模拟电子电路课程设计报告书 题目名称：直流稳压电源 姓名：刘海东潘天德 班级：15电科2 学号：23 26 日期：2017.6.11 目录 绪论 (2) 一设计目的 (3) 二设计要求与指标 (3) 三理论分析 (4) 四器件选择及计算 (9) 五具体制作步骤 (12) 六测试方法 (13) 七问题及总结 (15) 八心得体会 (17) 绪论 直流稳压电源一般由电源变压器，整流滤波电路及稳压电路所组成。变压器把市电交流电压变为所需要的低压交流电。整流器把交流电变为直流电。经滤波后，稳压器再把不稳定的直流电压变为稳定的直流电压输出。本设计主要采用直流稳压构成集成稳压电路，通过变压，整流，滤波，稳压过程将220V交流电，变为稳定的+/- 5v直流电，并实现电压可在8-15V连续可调。电源在生活中是非常常见的一种电器，任何电子电路都离不开电源，就像我们下学期即将学到的单片机一样，需要5V的直流电源，没有电源就不能进行正常的工作，如果用干电池进行供电，则有供电功率低，持续供电能力差，成本高等缺点。而交流电在产生、电能输送等方面具有独特的优点，发电站、各市电网中的电能传输都是以交流电的形式进行输送，如果我们对市电提供的电压进行降压整流等，把交流电转换成直流电，以获得我们所 需要的电压。 一设计目的 1.学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤，培养综合设计与调试能力。 2．学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3．培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 二设计要求与指标 2.1设计要求 （1）分析电路组成及工作原理； （2）单元电路设计计算； （3）采用分立元件电路； （4）画出完整电路图； （5）调试方法； （6）小结与讨论。 2.2设计指标 （1）输出电压：8~15V可调 （2）输出电流：I O=1A （3）输入电压：交流 220V+/-10% 一、判断。 1由于集成运放是直接耦合放大电路，因此只能放大直流信号，不能放大交流信号。（） 2理想运放只能放大差模信号，不能放大共模信号。（） 3不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端之间的电位差都为零。（） 4不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端均不从信号源索取电流。（） 5 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）6电路只要满足│AF│=1，就一定会产生正弦波振荡。 ( ) 7负反馈放大电路不可能产生自激振荡。 ( ) 8为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（） 9输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。 ( ) 10单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高（） 二、选择。 1所谓放大器工作在闭环状态，是指（） A. 考虑信号源内阻 B. 有反馈通路 C. 接入负载 D. 信号源短路 2差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（）共模信号是两个输入端信号的（）。 A、差 B．和 C．平均值 3在输入量不变的情况下，若引人反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 4直流负反馈是指（）。 A直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 5为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈 B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入（）； ②为了稳定放大倍数，应引入（）； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入（）； ④为了抑制温漂，应引入（）； ⑤为了展宽频带，应引入（）：6.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的（） A. 电压放大倍数 B. 输入电阻和输出电阻 C. 静态工作点 D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 7.如图一所示电路，输入电压v I = 5mV，输出电压v O = 40mV，则反馈电阻R f为（） A. 80kΩ B. 40 kΩ C. 50 kΩ D. 70 kΩ 8.NPN型和PNP型三极管的区别是（） A. 由两种不同的材料硅或锗构成 B. 掺入的杂质不同 C. P区和N区的位置不同 D. 所加的正负电源不同 9.如图二所示负反馈放大电路的类型是：（） A. 电压并联负反馈电路 B. 电压串联负反馈电路 C. 电流并联负反馈电路 D. 电流串联负反馈电路 10.在单管共射放大器中（） A. i o与v i反相 B. v o与i o同相 C. v o与v i同相 D. v o与v i反相 三.填空题。 ⒈集成运放的输入级电路通常是一个⑴，输出级电路通常是⑵。 ⒉在反馈放大电路中，根据反馈量的引入对净输入量的影响的不同，可将反馈分为⑶和⑷两种类型。 ⒊在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号⑸；大小相等、极性或相位相反的两个输入信号称为信号⑹。 ⒋金属—氧化物——半导体场效晶体管简称MOS管，按其导电沟道中用来导电的载流子的类型，可将其分为⑺和⑻两种。 ⒌工作于线性区的理想运放，其净输入端有两个特点：即净输入电压v di = 0和净输入电流i di = 0通常称为⑼和⑽。 图二 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。 模电总结复习资料 1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V，锗材料约为0、2~0、3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0、6~0、7V，锗管0、2~0、3V。 *死区电压------硅管0、5V，锗管0、1V。 3、分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 简要说明：本实验所有内容是经过十一年的使用并完善后的定稿；已经出版的较为成熟的内容，希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据，实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法，掌握基本的电子测试技术，这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中，所使用的主要电子仪器有：SS-7804型双踪示波器，EE-1641D函数信号发生器，直流稳压电源，DT890型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容，其中示波器的使用较难掌握，是我们学习的重点，要进行反复的操作练习，达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1.学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正 确使用方法。 2.学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3.熟悉实验装置，学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容 （一）、示波器的使用 1.示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器，广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展，示 波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为：通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此，它们各有各的优点。模拟示波器的优点是： ◆可方便的观察未知波形，特别是周期性电压波形； ◆显示速度快； ◆无混叠效应； ◆投资价格较低廉。 数字示波器的优点是： ◆捕捉单次信号的能力强； ◆具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标： ①. 带宽：带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性，它指的是输入信号的幅值不变而频率变化，使其显示波形的幅度下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围： ③. 输入阻抗： ④. 误差： ⑤. 垂直灵敏度：指垂直输入系统的每格所显示的电压值，通常为2mV-5V/DIV。 ⑥. 扫描时间：指水平系统的时间测量范围，通常低限 1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 C.NPN锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 图1 ① 9V 图2 一、 半导体器件 1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空 穴。 2． P 型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电 子。 3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。 4． PN 结及基单向导电性 ① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极, N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流 增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生 漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管 二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性 三部份组成 ① 正向特性 当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时, 流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性 二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例: 二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0 A V ,设 二极管是理想的. 解: 对于图4a ） 首先断开二极管D,求 A V 、 B V 此时, A V =－12V, B V =－6V , 则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,F V ＝０． 由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０ Ｉ＝２mA A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ 图1.PN 结外加正向电压 图2.PN 结外加反向电压 图3.二极管的伏案特性 O a) 判断题 1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√). 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（×）。 3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） 4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√） 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作（√） 6、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（√） 7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放大直流信号。（×） 9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差（×） 10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差（×） 11、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（×） 12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同（√） 13、运算放大电路一般均引入负反馈（√） 14、在集成运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（×）。 15、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波震荡（×） 16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（×） 17、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（×） 18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率（√）。 19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。 20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出平均电压变为原来的一半（×）。 二、填空题 1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成形成P型半导体。 2、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12uA增大到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。 3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000，第一级采用共射放大电路，第二级采用共射放大电路 4、为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 5为了稳定放大电路的输出电流，应引入电流负反馈。 6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 7、同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。 8、LC并联网络在谐振时呈阻性，在信号频率大于谐振频率时呈容性，在信号频率小于谐振频率时呈感性。 三、选择题 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A变窄B基本不变C变宽 2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B A前者反偏，后者也反偏B前者正偏，后者反偏C前者正偏，后者也正偏 3、Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管模电实验报告
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