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第一章 二极管试题打印

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第一章 二极管试题打印

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。若把电源电压调到V1=10V ,则电流的大小将是___。

A 、I=2mA

B 、I<2mA

C 、I>2mA

2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C 时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时, 则Vd 的大小将是___。 A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V

5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A 、B 、C 白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。

A 、

B B 、

C C 、A

6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时,用黑表笔(带正电)接A 点,红表笔(带负电接B 点),则万用表的指示值为___.

A 、18欧姆

B 、6欧姆

C 、3欧姆

D 、2欧姆

7.在同一测试电路中,分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好?

A 、A

B 、B

C 、C

10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。

A 、Vo=13V

B 、Vo=1.4V

C 、Vo=5V

D 、Vo=0.7V

1.场效应管属于__ 控制型器件。

2.在图1.1.9所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。

3.在图1.1.10所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。

4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。

5.如图1.1.8所示。试估算A 点的电位为__。

第一章二极管及其应用(1)

第一章二极管及其应用(2)

1、填空:(每空1分40分)

(1)、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。用于制造电子器件的半导体类型有 型半导体和 型半导体。 (2)、PN 结具有 性能,即:加 电压( 端电位高于 端电位)时,PN 结导通。加 电压( 端电位高于 端电位)时,PN 结截止。 (3)、当普通晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为 伏,锗二极管的正向压降为 伏。硅二极管的死区电压为 伏,锗二极管的死区电压为 伏。

(4)、二极管因所加 电压过大而 并且出现

的现象, 称为热击穿。 (5)、PN 结加上正向电压时 ,加上反 向电压时 ,这种特性称为PN

结的 性。 (6)、二极管由 个 结组成。 (7)、普通晶体二极管用字母 表示,图形符号为 ,并标出其正负。

(8)普通整流晶体二极的主要参数为 、 。 (9)、正向测量二极管是指指针式万用表(电阻档)的 表笔接二极管的

端,表笔接二极管的端。这时加在二极管两端的电压为

向电压,二极管导通,万用表的指针有较大偏转。

( 10)、稳压二极管用字母表示,其图形符号为。

(11)、在稳压电路中通常给稳压二极管加上电压,即使它处于反向击穿状态。这样稳压二极管两端的电压就是其稳压值电压。

(12)、稳压二极管的主要参数为、、耗散功率。

(13)、发光二极管用字母表示,其图形符号为。它的正向工作电压比普通晶体二极的,发光强弱与流过它的有关,此电量越大,发光越强。(14、将变成的过程叫做整流。

(15)常用的单相整流电路有,,。(16)、整流电路的输入电压为电压,用万用表测量时可以不分红黑表笔接法,整流电路的输出电压为电压,用万用表测量时应注意红黑表笔的接法,红表笔应接整流输出的端,黑表笔应接整流输出的端。

(17)、桥式整流电路中,端是整流输出的正端,端是

整流输出的负端,其余两个二极管正、负极混接端是交流输入端。

(18)指针式万用表的黑表笔接PN结的P侧,红表笔接N侧,这时,给PN结两端所加的电压是向电压,(又称偏置)。这时PN结导通。反之,截止。

(19)、PN结具有单向导电性,其导电方向是从到。

(20)根据材料分类二极管有和之分。

(21)、滤波电路的作用是将的直流电变为的直流电。

常见、广泛使用的滤波电路是滤波电路,使用的的滤波元件

为。

(22)、电容滤波电路的电解电容器的正极应接整流输出的端,其负极应接整流输出的端,如果接反,电解电容器将损坏。

二、判断题:(每题2分30分)

1、二极管导通时,相当于一个开关的接通,截止时相当于开关的断开。()

2、发光二极管的正向降压与普通二极管相同。()

3、给PN结加上正向电压也就是说N端电位高于P 端电位。()

4、PN结电击穿后,撤除反向电压它仍能恢复单向导电性,而热击穿后却不能。

()

5、二极管由两个PN 结组成。()

6、只要给二极管加上正向电压,它就会导通。

7、硅二极管的死区电压为0.3伏,锗二极管的死区电压为0.5伏。

8、1N4004二极管(反向耐压400V)两端加上反向500V电压将会反向击穿而损坏。()

9、普通晶体二极管导通后,其两端电压(正向压降)为0.3伏。()

10、用指针式万用表电阻挡检测正常的二极管两端时,万用表的指针有较大偏转说明黑表笔所接引脚就是二极管的正端。()

11、用指针式万用表电阻挡检测二极管两端时如果正反检测,万用表指针

都不动,则说明二极管内部断路。不能正常使用()

12、用指针式万用表电阻挡检测二极管两端时如果正反检测,万用表指针

两次都偏转很大,则说明二极管内部短路,不能正常使用。()

13、稳压二极管为达到其稳压值应正向应用。()

14、稳压二极管稳压电路中限流电阻可有可无。()

15、发光二极管两端加上1.5伏就会发光。()

16、发光二极管发光强弱与流过它电流有关,电流越大,发光越弱。()17、变压器输入输出电压都是交流电。()

18、整流电路的输入电压为交流电压,输出电压为直流电压。()

19、电容滤波电路的电解电容器的正极应接整流输出的低电位端,其负极应接整流输出的高电位端,如果接反,电解电容器将损坏。()

20、整流电路输整流出端并接滤波电容后,输出电压会升高。()

21、单相半波整流电路的输出电压为交流输入电压的0.9倍。()

22、变压器中心抽头式单相全波整流电路的输出电压为交流输入电压的

0.45倍。()

23、桥式整流电路中输出电压为交流输入电压的1.2倍。()

24、桥式整流滤波电路中输出电压为交流输入电压的1.2—1.4倍。()

25 、单相半波整流滤波电路的输出电压为交流输入电压的0.9倍。()

26、二极管的正极电位是-8V,负极电位是-5V,则该管处于导通状态。()

27、、晶体二极管击穿后,立即烧毁。()

四,作图题

1、画出简单的直流稳压电源电路(包括有变压器、二极管4个,滤波

电容,稳压元件等)

半导体基础与二极管应用练习题

一、选择题

1.在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体()

A、带正电

B、带负电

C、不带电

D、不能确定

2.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为()

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、不能确定

3.在一个放大电路中,测得某三极管各极对地的电位为U

1=3V,U

2

=﹣3V,U

3

=﹣2.7V,则可知该管

为()。

A. PNP锗管

B. NPN硅管

C. NPN锗管

D. PNP硅管

4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为()。

A、NPN型,放大状态

B、PNP型,截止状态

C、NPN型,饱和状态

D、PNP型,放大状态

5.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和

6.3V,则 6V所对应的电极为()。

A. 发射极

B.集电极

C.基极

6.二极管的反向电阻()。

A.小 B.大 C.中等 D.为零

7.测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为()。

A.70 B.40 C.50 D.60

8.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为()

A.10V

B.102 V

C. 10/2 V

D.20V

9.桥式整流加电容滤波电路,设整流输入电压为20V,此时,输出的电压约为( )

A.24V

B.18V

C.9V

D.28.2V

10.两个硅稳压管,U

z1 = 6V,U

z2

=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值()。

A. 15 V

B. 6.7 V

C. 9.7 V

D. 3 V

二、填空题

11.由于掺入的杂质不同,杂质半导体分为两类,一类是在Si或Ge的晶体中掺入正三价的硼,称为或,在其中是多数载流子,是少数载流子;另一类是在Si或Ge中掺入正五价的磷,称为或,在其中是多数载流子,是少数载流子。

12.PN结最重要的特性是____________________,它是一切半导体器件的基础。

13.晶体三极管在放大状态下,其集电极电流I

C 与基极电流I

B

的关系式为 __________ 。

14.稳压二极管主要工作在________区。在稳压时一定要在电路中加入限流。

15.发光二极管(LED)的正向导通电压比普通二极管高,通常这 V,其反向击穿电压较低为

V,正常工作电流为 mA.

16.光电二极管在电路中要连接才能正常工作。

17.半导体三极管按极性可分为________型和________型二类。

18. 当三极管被接成共射极放大电路时,从输出特性可划分为三个工作区域,即_______________区,_______________区和 _______________区。则在模拟电路中,三极管一般工作在____________ 状态,而在数字电路中,三极管一般工作

_______________ 和 ______________状态。

19、根据器件的工作原理,双极型三极管属于控制型器件,而场效应三极管属于

控制型器件。

三、综合题

1.电路如下图所示,二极管是导通还是截止,R=10K,试求出AO两点间的电压U

AO

(设二极管的正向压降是0.7V)

A

O

D

2.如下图所示,稳压管D

1

、D

2

的稳定电压分别为8V、6V,设稳压管的正向压降是0.7V,

试求U

O

3.整流电路如图所示,二极管为理想元件,变压器原边电压有效值U

1

为220V,负载电阻

R

L

=750Ω。变压器变比

10

2

1=

=

N

N

k

.试求:

(1) 变压器副边电压有效值U

2

;

(2) 负载电阻R

L

上电流平均值I

;

(3) 在下表列出的常用二极管中选出哪种型号的二极管合适。

i

O

u

1

u

O

最 大 整 流 电 流

平 均 值最 高 反 向 峰 值 电 压

21

AP

210

AP

24

AP

16mA

16mA

100mA

20V

25V

50V

N

1

-

+

4.整流滤波电路如图所示,变压器副边电压有效值U

2

10

=V,负载电阻

R

L

=500Ω,,电容C=1000μF,当输出电压平均值U

O

为:(1)14V; (2)12V ; (3)10V; (4)9V ; (5)4.5V 五种数据时,分析哪个是合理的?哪个表

明出了故障?并指出原因。(15分)

?

u

O

D

2

u

1

-

+

-

+

二极管的基本特性与应用(精)

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平 面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固 地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电 压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当 二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工

二极管整流电路试题知识分享

二极管整流电路试题

晶体二极管及整流电路试题(一) 姓名学号 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导 体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为电压时,反向电流会急剧 增大,该现象为。若反向电压 继续增大,容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、____ ___、 _ 和,二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。 9、整流是指_______________________________________,单相整流电路分、和电路。 10、有一直流负载R L =9Ω,需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

二极管基本知识介绍18页

二极管 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二、二极管的类型

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 三、二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1.正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当

肖特基二极管(学)

肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为 B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴

极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

《电子技术基础》二极管的基础知识

课题:晶体二极管 教学目标: 知识目标:1、掌握晶体二极管的构成、符号 2、掌握晶体二极管的导电特性 3、分析使用二极管时的主要参数及伏安特性 能力目标:1、培养学生分析、探究问题的能力 2、培养学生灵活运用知识的能力 3、培养学生的动手和实践能力 情感目标:使学生在学习过程中,获得知识的同时进一步激发学生学习的动机和兴趣 教学重点:晶体二极管的构成、符号、导电特性及伏安特性的分析 教学难点:1、伏安特性分析。 2、几个参数的记忆及区分。 教学方法:启发、引导、观察、讨论、讲解、实验结合 课时安排: 2课时 (教学用具:多媒体课件,实验用器材) 教学过程: 新课导入:提出学习目标,复习提问导入新课 1、什么是半导体?常见的的半导体材料有哪几种? 2、半导体根据内部载流子的不同分为哪几种? 新课讲授: 一、二极管的结构和符号 (一)结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出P型半导体和N型半导体,在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构,即PN结,PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线,并将其封装在密封的壳体中,即构成半导体二极管,如图。接在P区的引线称为阳极(正极)用a表示,接在N区的引线称为阴极或负极,用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 (二)符号 电子技术中的元件在电路图中都是用符号来表示的,如电阻用什么符号表示? 二极管的符号如下图: 图中三角箭头代表二极管正向导电时电流的方向。

(三)分类 1、二极管根据所用半导体材料不同分为锗管和硅管。 2、根据内部结构不同可分为点接触型和面接触型。点接触型主要用于高频小电流场合如:检波、混频、小电流整流。面接触型主要用于低频大电流场合如:大电流整流。 知识拓展 认识常见的几种二极管:小功率二极管、大功率二极管、贴片二极管、发光二极管等。 要求:学生课后利用网络查找更多形式的二极管。 二、二极管的导电特性 通过实验来探究学习二极管的导电特性,在做实验之前首先了解一下实验所用的元件 (一)认识元件 认识实验中使用的元件:电池、电阻、开关、二极管、指示灯。 (二)实验一 实验电路如下图:讲解电路构成。 请实验小组说明指示灯情况,说明了什么? 结论:指示灯亮,说明二极管导通,称为导通状态。 二极管导通时,其阳极电位高于阴极电位,此时的外加电压称为正向电压,二极管处于正向偏置状态,简称“正偏”。 (三)实验二 实验电路如下图:讲解电路构成。 请实验小组说明指示灯情况,说明了什么? 结论:灯泡不亮,说明二极管不导通,称为截止状态

(完整版)二极管试题(打印版)(可编辑修改word版)

永州综合职业中专学校电子技术基础 半导体二极管及整流滤波电路试题 班级: 、姓名 、得分 。 一、填空题 1、纯净的半导体称为 ,它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺 入少量的 价元素,可形成 P 型半导体,其中多数载流子为 ,少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素,可形成 N 型半导体,其中多数载流子为 ,少数载流子为 。 3、如图,这是 材料的二极管的 曲线,在正向电压超过 V 后,正常导通后,此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时 , 即称为 电压时,反 向电流会急剧增大,该现象为 。其中 稳压管一般工作在 区。 V(v 4、二极管的主要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。 5、PN 结的单向导电性指 。 6、二极管的主要参数有 、 和 。 7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部 ;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。 8、整流是指 。 9、 有 一 直 流 负 载 R L =9Ω , 需 要 直 流 电 压 V L =45V,现 有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和 2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管若, 采用桥式整流电路,应选用 型二极管 只。 10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去,获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类。 二、判断题 1、( )将 P 型半导体和 N 型半导体的接触并连在一起,就会形成 PN 结。 2、( )P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、( )P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。 4、( )硅二极管死区电压是 0.3V ,正向压降是 0.7V 。 5、( )硅的导通电压为 0.3V ,锗的导通电压为 0.7V 。 6、( )二极管只要加上了正向电压,就一定能导通。 7、( )二极管正向使用时不能稳压。 8、( )电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 9、( )电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器,常选用于负载电流较小的场合。 10、( )稳压二极管一般工作在反向击穿区。

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

半导体二极管基础知识测试题

2020秋季电子技术基础第一次月考 半导体二极管基础知识测试题 (满分100分,时间:1.5小时) 一、填空题(每题2分,第19题1分,共37分) 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 、 和 。 2、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是 。 3、半导体具有 特性、 特性和 特性。 4、二极管P 区的引出端叫 极或 极, N 区的引出端叫 极或 极。 5、按二极管所用的材料不同可分为 和 两类;二极管按用途分,有 二极管、 二极管、 二极管、 二极管、 二极管、 二极管和 二极管等。 6、二极管的正向接法是 接电源的正极, 接电源的负极;反向接法则相反。 7、硅二极管导通时的正向管压降约为 V,锗二极管导通时的管压降约为 V 。 8、二极管最主要的特性是 ,它是指:PN 结正偏时呈 状态,正向电阻 很(小,大),正向电流很 (小,大); PN 结反偏时呈 状态,反向电阻很 (小,大),反向电流很 (小,大)。 9、二极管是用一个PN 结制成的半导体器件,它的最基本的性质是 硅 管的死区电压和正向压降比锗管的 ,而反向饱和电流比锗管的 得 多。 10、硅二极管的死区电压约为 V 。 11、使用二极管时,应考虑的主要参数是 、 。 12、电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会 ;如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会 。 13、2CW 是 材料的 二极管; 2AP 是 材料的 二极管; 2DZ 是 材料的 二极管; 2AK 是 材料的 二极管。 14、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已 ;有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大,表明二极管已 。

二极管整流电路试题

一、晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1、纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的 3 价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为电压时,反向电流会急剧 增大,该现象为。若反向电压 继续增大,容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________,单相整流电路分、和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L =9Ω,需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r Z 越大,

极管入门知识:二极管结构和工作原理

在自然界中,根据材料的导电能力,我们可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。常见的导体如铜和铝、常见的绝缘体如橡胶、塑料等。什么是半导体呢半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。到此,请记住两种半导体材料:硅、锗。因为以后你会听说硅管、锗管。意思很明显,说明这种二极管或三极管是用硅或锗作为基材的。 半导体硅原子结构图 半导体有几个特性有必要了解一下:热敏性、光敏性和掺杂性; 半导体的热敏性:半导体的导电能力受温度影响较大,当温度升高时,半导体的导电能力大大增强,被称为半导体的热敏性。利用半导体的热敏性可制成热敏元件,在汽车上应用的热敏元件有温度传感器,如水温传感器、进气温度传感器等。 半导体硅的空穴和自由电子示意图 半导体的光敏性:半导体的导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时,导电能力增强,称为半导体光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。在汽车上应用的光敏元件有汽车自动空调上应用的光照传感器。 半导体的掺杂性:当在导体中掺入少量杂质,半导体的导电性能增加。 什么是本征半导体、P型半导体和N型半导体,有哪些区别 本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。 P型半导体:在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素硼(B)或镓,就形成P型半导体。 P型半导体示意图-空穴是多数载流子 N型半导体:在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价元素磷(P)就形成N型半导体。 N型半导体中自由电子是多数载流子

PN结和二极管 在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型,另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN 结。一个PN结就是一个二极管,P区的引线称为阳极,N区的引线称为阴极。 二极管结构图:P区引线成为阳极、N区引线成为阴极 二极管的单向导电性能 二极管具前单向导电性能, (1)正向导通:当PN结加上正向电压,即P区接蓄电池正级,N区接蓄电池负极时,PN结处于导通状态,如图所示,试灯有电流通过,点亮。 二极管正向导通示意图 注意二极管正向导通时存在着电压降,什么意思呢如果蓄电池电压是12V,则试灯上的电压一定小于12V,大约是吧,哪在那里呢在二极管上,这就是二极管的电压降。二极管的电压降取决于二极管采用的是锗管还是硅管:锗管的电压降是左右;而硅管的电压降是左右。如果蓄电池电压低于二极管正常导通的电压降,则二极管将不能导通。这个原理的重要性在二极管你可能体会不到,但是到了三极管就显的非常重要了。 (2)反向截止:当PN结加上反正电压,即P区接蓄电池负极,N区接蓄电池正极时,PN结处于截止状态,如图所示,试灯没有电流通过,不能点亮。 二极管反向截止示意图 二极管接反向电压时,存在着一个耐压的问题:如果加在二极管的反向电压过高,二极管受不了,就会击穿,此时二极管不在处于截止状态,而是处于导通状态。如果我们设定一个击穿电压,当达到反向击穿电压时,二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了

(完整版)单相整流电路试题

单相整流电路试题 1、在单相整流电路中,流过负载电阻的电流是()。 A.交流电流 B.平滑直流 C.脉动直流 D.纹波电流 2、一个半波整流电路的变压器副边电压有效值为10V,负载电阻为500Ω,流过二极管的平均电流为()。 A.90mA B.180 mA C.9 mA D.18 mA 3、整流电路如图P10.3所示,输出电压 U o1 和 U o2 分别为()。 A.40.5V,-9V B.-40.5V,9V C.45V, -9V D.-45V,+9V 4、图P10.4(1)所示为单相全波整流电路,因故障VD2烧断。当 u 2 = U 2m sin?ωtV 时,输出电压 u o 的波形应为图P10.4(2)所示的()。

A B C D 5、在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ,则负载两端的平均电压是()。 A.100V B.90V C.45V D.141V 6、在单相桥式整流电路中,如果某个整流二极管极性接反,则会出现()现象。 A.输出电压升高 B.输出电压降低 C.短路无输出 D.输出电压不变 7、在单相桥式整流电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 ,若负载开路,则每只整流二极管承受的最高反向电压是()。 A . 2 U 2 B. 2 U 2 C . U 2 D . 2 2 U 2 8、桥式整流电路如图P10.8(1)所示,当 u= U m sin?ωtV 时,因故障VD3烧断。输出电压 u o 的波形应为图P10.8(2)所示的()。

A B C D 9、桥式整流电路的变压器副边电压为20V,每个整流二极管所承受的最大反向电压为()。 A.20V B.28.28V C.40V D.56.56V 10、测量桥式整流电路的输出直流电压为9V,此时发现有一只二极管已经断开,其变压器副边电压为()。 A.10V B.15V C.20V D.25V 11、如果在整流电路的负载两端并联一个滤波电容,其输出波形脉动的大小将随着负载电阻值和电容量的增加而()。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定 12、在单相半波整流电容滤波电路中,设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V,若滤波电容开路,则二极管承受的最高反向电压可达到()。 A.200V B.141V C. 282V D.100V 13、桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压为20V,当R L C ≥(3~5)T/2时,输出电压为()。 A.24V B.28V C.9V D.18V 14、图P10.14所示电路中,负载电阻 R L 增大时,输出电压 U o 和二极管导通角θ的变化为()。

肖特基二极管与快恢复二极管区别

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 (他们恢复时间都是很快的): 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)(此处为什么不提是什么材料?),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)(用这个方法可以判断出该器件)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~! 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下,为何会有反向恢复时间

《晶体二极管及二极管整流电路》试题

《晶体二极管及二极管整流电路》试题 一、判断题(每空2分,共36分) 1 1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。() 2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。() 3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。() 4. 二极管是线性器件。() 5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。() 6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。() 7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。() 8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。() 9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。() 10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。() 11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。() 12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。 13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。() 14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。() 15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。() 16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择( ) 17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。() 18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。() 二、单选题(每空2分,共32分) 1. 本征半导体是()。 A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体

肖特基二极管讲解

肖特基二极管简介 肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称,是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件,以其发明人博士(1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

二极管基本知识

二极管基本知识 1. 基本概念 二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结,在PN结的两端各引出一个引线,并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,就构成了晶体二极管,如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极,N区的引出的电极称为负极或阴极。 1.1 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系,用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。 1.2 正向特性 1)外加正向电压较小时,二极管呈现的电阻较大,正向电流几乎为零,曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏, 锗的死区电压约为0.2伏,该电压值又称门坎电压或阈值电压。 2)当外加正向电压超过死区电压时,PN结内电场几乎被抵消,二极管呈现的电阻很小,正向电流开始增加,进入正向导通区,但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加,如BC段特性曲线陡直,伏安关系近似线性,处于充分导通状态。 3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降),且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V。

1.3 反向特性 1)二极管承受反向电压时,加强了PN结的内电场,二极管呈现很大电阻,此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区,此时电流称为反向饱和电流。实际应用中,反向电流越小说明二极管的反向电阻越大,反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下,锗二极管则达几百微安,大功率二极管稍大些。 2)当反向电压增大到一定数值时(图中D点),反向电流急剧加大,进入反向击穿区,D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏,因此除稳压管外,二极管的反向电压不能超过击穿电压。 2. 整流电路 2.1 单向半波整流电路 二极管就像一个自动开关,u2为正半周时,自动把电源与负载接通,u2为负半周时,自动将电源与负载切断。因此,由下图可见,负载上得到方向不变、大小变化的脉动直流电压uo如下图所示。由于该电路只在u2的正半周有输出,所以称为半波整流电路。如果将整流二极管的极性对调,可获得负极性的直流脉动电压。 2.2 全波整流电路 整流原理: 设变压器二次侧的电压为:

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。

8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为:和电路。将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程: ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L=9Ω,需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻r Z越大,说明稳压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已_______ ,又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大,表明该二极管已_______ 。 14、如图,V1、V2为理想二极管。 1状态,V2状态。 AB= V 15、如图,V为理想二极管。 状态, 6V

半导体二极管及其基本电路

第二章半导体二极管及其基本电路 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后,主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上,还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。(一)主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点,半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路 (二)基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管(包括稳压管)的V-I特性及主要性能指标 (三)教学要点: ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手,重点介绍PN结的单向导电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标

2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料,我们称之为半导体。在电子器件中,常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;以及掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点: 1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。 2.1.2 半导体的共价键结构 在电子器件中,用得最多的半导体材料是硅和锗,它们的简化原子模型如下所示。硅和锗都是四价元素,在其最外层原子轨道上具有四个电子,称为价电子。由于原子呈中性,故在图中原子核用带圆圈的+4符号表示。半导体与金属和许多绝缘体一样,均具有晶体结构,它们的原子形成有排列,邻近原子之间由共价键联结,其晶体结构示意图如下所示。图中表示的是晶体的二维结构,实际上半导体晶体结构是三维的。 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构

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