FET管介绍资料
1.FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞，每个
胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量FET并联；
达到开关大电流。也就是同样大小硅片和耐压下；胞越多；允许电流越大。
FET里；不仅FET胞是并联的，寄生二极管也是很多并在一起的！
得益于多胞结构；FET的寄身二极管拥有了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐量。在数据表中；以EAR（可重复雪崩耐量）和EAS（单次雪崩耐量）表示。它表征了FET抗电压（过压）冲击的能力。因此；许多小功率反激电源可以不用RCD吸收，FET自己吸收就够了。
用在过压比较严重的场合，这点要千万注意啊！大的雪崩耐受力；能提高系统的可靠性！FET的这个能力和电压；终身不会改变！
红色指示的是FET开关的沟道，兰色的是寄生的体二极管。
平时；FET是关断的。当栅上加正压时；在邻近栅的位置；会吸引许多电子。这样；邻近的P型半导体就变成了N型；形成了连接两个N取的通道（N沟道），FET就通了。显然；FET 的耐压越高；沟道越长；电阻越大。这就是高压FET的RDSON大的原因。
反之；P沟FET也是一样的，这里不在叙述。
所以；功率FET，常被等效为：
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件.具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类
场效应管的主要参数
Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大
漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,
也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
FET是实实在在的物质构成的；里面有导体/半导体/绝缘体。这些物质的相互搭配；做成了FET。那么；任何两个绝缘的导体，自然构成了物理电容——寄生电容。
红色的就是DS间的寄生电容Coss。蓝色的就是密勒电容Cgd。黑色的就是栅原电容Cgs。
Cgd+Cgs=Ciss——输入电容
Coss——输出电容
所以；Cgd/Cds在理论上存在，在数据表中也有所列。在微变等效中也可以作为参量计算分析，但；也仅在线性放大里的微变等效分析中有所使用。在开关过程的工程分析中，变态的变化导致只能用电荷量这个值来衡量。
Qgd就是Cdg储存的电荷量（弥勒电荷），Qds是Cds储存电荷量。
下面；分析这些电荷在开/关状态下，是如何影响FET工作的。
FET静态关断时，Cgd/Cgs充电状态如图示：
栅电压为零，Qgs=0。Qgd被充满，Vgd=Vds。
注：由于Cds通常和其它杂散电容并联在一起；共同对电源施加影响，因此；这里暂时不做分析。问题将在后面和杂散参数一起一并讨论。
给FET的栅极施加正脉冲。
由于Cgd在承受正压时，电容量非常小（Cgd虽然小；但是Qgd=Cgd*Ugd，Qgd仍然是很大的），Cgs远大于Cgd。因此；脉冲初期，驱动脉冲主要为Cgs充电，直到FET开始开启为止。开启时；FET的栅电压就是门槛电压Vth。
大多数情况下；栅电压达到Vth前，只有很小的电流流过FET。FET一直处于关断状态。
当FET栅电压达到Vth，FET开始导电。无论负载在漏极还是在源极，都将因有电流流过而承受部分或全部电压。这样FET将经历由阻断状态时承受全部电压逐渐变到短路而几乎没有电压降落为止的过程。
这个过程中，Cgd同步经历了放电过程。放电电流为I=Qgd/ton。
Igd——密勒电流分流了FET的驱动电流！使得FET的栅电压上升变缓。
弥勒电荷越大；这个斜坡越长。
弥勒电荷不仅和器件有关还和漏极电压有关。一般；电压越高；电荷量越大。
驱动电阻太小导致的震铃
来源于变压器漏感和寄生电容引起的阻尼振荡。由于变压器的初级有漏感，当电源开关管由饱和导通到截止关断时会产生反电动势，反电动势又会对变压器初级线圈的分布电容进行充放电，从而产生阻尼振荡，即产生振铃。变压器初级漏感产生反电动势的电压幅度一般都很高，其能量也很大，如不采取保护措施，反电动势一般都会把电源开关管击穿，同时反电动势产生的阻尼振荡还会产生很强的电磁辐射，不但对机器本身造成严重干扰，对机器周边环境也会产生严重的电磁干扰。
振铃可能是多种原因造成的。其种之一是当开关足够快时；负载的电感效应被放大，在开或关的线性时间区，使系统满足了三点振荡要求。
Cgd在T2~T3这期间是放电过程，当到了T3时，放电完成，由于D端对于G端电势比较低，Cgd就应该反向从G端充电，使得T3到T4这段时间的Vgs上升的斜率没有T0~T2那么大！T2到T4这段，Cgd是放电和反向充电的过程！有误请改正
在t0~t2时间，Cgs还是充电还没有完成，在t2~t3时间段，Cgd分流了Ig大部分或全部电流，此时间内可认为Cgs是没有充电行为的，直到t3时刻，Cgd放电完成，不再分流Ig,Ig 全部流向Cgs,所以Vgs又开始往上升，直到Vgs电压等于驱动电压！
FET的栅电压达到Vth后；电流流过FET的沟道，此时；FET工作在线性区。FET视在斜率随Id大小变化而变。但；从Vg、Id的变化量看，两者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。
其中；同样粗细的亮色线为一组；代表各自的Vg和Id的关系。
由于在FET开的过程中，栅电压变缓，是弥勒电容分流引起的，所以；也叫弥勒效应区。因此；在断续反激电源里，弥勒效应区的栅电压斜率基本不变。而正激、半/全桥等；斜率随负载而变。
提问：既然在正激半/全桥电路里；弥勒效应区的栅电压斜率随负载电流而变。那么；
1）为啥在断续的反激电路里；它会不变？
2）斜率变了；这个斜坡时间是变长了？还是短了？还是不变？
期待你的参与！谢谢！
因为这时的D极电流也是从零斜坡上升的
反激电源断续时；每次变压器（负载）电流初始状态都是“0”！负载电流的斜坡要比栅电压远远的缓多了
正激、半/全桥等；斜率随负载而变。
应该随着随着负载的增大斜率增大！
因为负载重时：MOS导通瞬间的ID2-ID1增大。
所以；在开关电源里，驱动脉冲沿略微的抖动是正常的。但是；弥勒效应时间基本不变。弥勒效应时间（开关时间）ton/off=Qgd/Ig
注：1）Ig指FET的栅驱动电流。
FET “ON”Ig=（Vb-Vth）/Rg
2）Vb：稳态栅驱动电压
FET经过弥勒区后；完全导通。原先阻断D-S的PN结被开启的沟道短路。由于失去了部分绝缘层，Cgd变大；以至和Cgs相当。并且；Cgd通过低阻抗的开启沟道；和Cgs实现物理上的并联。这样；使得后期的驱动栅电压沿发生了变化。如图示：
FET的关断过程和开启过程的物理变化是一样的，只是过程刚好相反。
自己分析一下！让我们分享一下你的成果！
如前面介绍，完整周期的驱动波型如图示：
大家发现没有；FET开通延时是ton1-ton2，而关断延时是toff1-toff3。想想为啥会这样？在电路中是否有危害？如何补偿？
FET开通延时指未开通之前不包括米勒效应区，关断延时是指开通的状态包括米勒效应区，从上面的图可以看出开关损耗基本集中在这一块，用软开关能解决吗？
显然；脉冲被加宽了！
如果是开关电源；将限制最小脉冲宽度和对称性。如果是逆变器；将导致输出齐次谐波。。。适当的减慢“ON”；加快“OFF”，能补偿这样的变化。
仔细看看FET沟道部分结构，大家看；是否可以拼出这来：
将图上下倒一下；就不难发现，FET的D-S间并联了三极管。由于这个效应；FET有电压变化率承受限制。现在的一线厂家基本或完全解决了这个问题，在实际工程中；不用过于担心，但；对于二线及杂牌厂家，一定要实测！
开关电源的地线；始终有噪音流淌着；无论你是否愿意。
为了防制FET误开通，我们总希望Vth高些。一般；标准的优质管子的门槛在3~4.5V水平。但是任何事务都有两面性；门槛高；低压场合用就有问题。这样；就诞生了FET新品一族: 逻辑电平FET。
现在；逻辑电平FET有这几个等级：
1.8V逻辑兼容门槛Vth: 0.6~1.2V
2.5/2.7V逻辑兼容门槛Vth: 0.8~1.8V
3.3V逻辑兼容门槛Vth: 1.2~2.7V
5V逻辑兼容门槛电压:1.8~2.7V
所以;选器件前,先要根据场合找对类!
以IR公司的命名规则为例：IRF是标准FET的代号（IRF6XXX/IRF7XXX除外）。IRLXXXX 中的L表示逻辑电平驱动。
一般；在产品列表里会给出典型栅电压时的RDSON或电流值（如1.8V、2.7V、3.3V栅电压时的值）。选时；根据各公司命名规则去搜就可以了
为应对不同工作状态；FET根据寄身体二极管特性分成快恢复和普通规格。
所有MOSFET厂家；都是买一搭一无论你是否愿意！
一个开关沟道搭一二极管！
正向时；二极管是阻断的，倒没啥。可FET是双向可通的器件，反向流电流时；在死区时间里，二极管将必然导通
如ZVS/同步整流。反向回复时间和电荷量决定了电源的效率和电磁噪音。
看trr和Qrr
trr是二极管恢复时间；Qrr是恢复电荷量。在电路里；类似在FET的DS间并联电容。这两个值越大；电容量也越大。这个电容值还和温度和实际流过二极管的电流大小有关。电流越大；温度越高，等效电容越大。
因此；在对比不同数据表时；一定要看清测试条件。否则；劣管也能标出好参数的。
这里；二极管流过电流时间基本和Qrr&trr无关。
EAR/EAS这两个量描述的是FET抗雪崩击穿的能力。
EAR描述的是可重复的雪崩耐量。EAS描述的是单次耐量。
如在小功率反激里；取消RCD吸收后，大电流负载时的漏极电压就需要EAR这个量来考核安全。再如大电流半/全桥电路里，桥短路时电流非常大；即便在安全工作区能关断FET；仍会因引线等杂散寄生电感的作用而产生过压，当关的比较快时；过压就会超过FET耐压极限而击穿。EAS是衡量FET此时是否安全的参量...这里只列举了这两个量的概念了两个实际工程中的应用实例。它们的意义远非这些。
这是这两个量的典型图表：
这两个量不仅和芯自身特性片有关；还和结温和电流都有关系。使用时；一定要根据实际情况正确选用不同的曲线。
现在的FET工艺；可以保证FET的寄生二极管可以象TVS（快速功率稳压二极管）一样承受击穿。EAR/EAS是描述这个二极管承受击穿能量的指标。
EAR是指可重复击穿的雪崩耐量。EAS是指单次的雪崩耐量。
实际工程中；是用电感储能/释放的模式来测量的。电感储能：W=1/2I^2L
安全工作区SOA
先看这两张图
这是两个同为600V的MOSFET，都能在600V下承受最大饱和电流。即在15V栅压时；MOSFET能流过的最大电流（MOSFET进入了线性区；呈恒流状态），此时的电流不随电压增高而增加！
状态位置见图中兰圈内的红线区域（最大到600V，呵呵有些画过了）
显然；这两个FET都能在这电压电流下挺住，但；能坚持的时间却不一样。左边图显示；能挺1微秒，而右侧约能挺10微秒。
FET是通过吸引电子（P沟是排斥电子呵呵）方式导通的，通时；电流没有经过PN结（只有沟道体电阻）。这样；FET就成了多子导电的器件，温度越高；压降越大。因此；FET是自均流器件。
也正因为此；FET允许瞬间流过超额定电流若干倍的电流而不会损坏。
我们通常可以用I^2R来计算FET电阻型损耗，再用热阻来计算温升；看器件（结）是否超过允许温度。这是器件稳态的计算方法。
但是；脉冲电流的时间非常短；造成的损耗瞬间聚集在FET的沟道或周围材料里。热无法瞬间导出而只加热FET沟道或周围局部物质。因此；器件工况和稳态是完全不同的，现引入瞬态热阻概念来计算器件（结）的温升。
这是典型的瞬态结—壳热阻曲线。
按占空比和脉冲宽度；在左测查出对应热阻；就可以和通常一样计算了。需要注意；有些厂家给的是绝对热阻；而有些是给的相对归一化热阻。
就是按占空比和脉冲时间查热阻啊！
FET天生集成了三个店容Cdg、Cgs、Cds。前两主要介绍了Cdg和Cgs，下面讨论Cds。Cds包括了三部分内容：
1）沟道的Cds
2）寄生二极管的Qrr
3）PCB等布局引起的分部电容
这是个最受争议的东西；几多喜欢几多恨。
软开关喜欢；硬开关怕。电磁降噪也要它
在硬开关电路里；每次FET开通前，Cds总是被充的高高的电压；存了W=1/2CU^2的能量。无论FET开的多快；这些能量总是在FET的开关线性区，通过沟道释放。也就是说；
FET在“开”的足够快时；开的速度和损耗无关。电容里的那些能量都是要FET消耗掉的！所以；在做反激电源时，通常要取比较低的反压。对于高压供电电源，工作电压越高；损耗越大。
这电容在增加FET“ON”的损耗同时；缓冲了“OFF”时的电压变化率。
FET关的时候；电流首先被挤入D-S间并的这个电容。是D-S在短暂的一瞬间电压不会升起。如果在电压升起前；FET能关断，就实现了零电压软关断。这个电容越大；FET的关断损耗越低。
虽然在硬开关电路里，D-S间的电容常令我们很讨厌。但是；适度的容量配合适当的驱动；可以将FET损耗减到最小，而噪音也同时可以最佳化。
从另一方面可以看出；FET不是越大越好，选大FET有时损耗会更大。只有适度的选用合适的FET/IGBT才是上上之选。
自然负载换流的ZVS；就是利用CDS和变压器等感性元件的二阶相应，达到初始零电压开通的。CDS的波动范围决定了LC过度相应时间的时间。
CDS的稳定性；对利用延时达到零压状态的拓扑是致命的。如ZVS反激拓扑；临界ZVS PFC 等。
ZVS拓扑里；由于FET可以零电压开关，CDS短路引起的损耗不付存在，为了达到低损耗；甚至要在DS间并联外加的电容。CDS的稳定性反而成为最主要的问题。由此；一旦FET 的反向寄生二极管有续流过程，Qrr的温度特性变得更重要。
因此；在ZVS拓扑里；当FET的寄生二极管有可能被打开，Qrr的高/低温之比成为衡量是否合用的重要参数。
这里需要注意：
1）ZVS拓扑减少了器件的电压应力，但；或多或少的增加了电流应力。
2）ZVS抑制了系统电压的变化率，可以减少高频段的电磁噪音。但；由于电流应力的增加；低频段噪音可能会劣化
除了FET的管芯，封装也是非常重要的。
普通塑封的FET封装大体包括绑定线和壳体部分。
由于物理引线的存在；多少都会在引线上寄生电感。封装大小不同；电感量也不一样。
对于标准封装：
TO-247：漏极（串联）电感：4.8nH
源极（串联）电感：6nH
TO-220：漏极（串联）电感：3.7nH
源极（串联）电感：4.5nH
D2PACK 漏极（串联）电感：0.8nH
源极（串联）电感：4.5nH
D2PACK-7P: 漏极（串联）电感：0.8nH
源极（串联）电感：2.7nH
同样电流下；引脚电感会随开关速度提高而增大感应电压。尤其是源极电感，感应电压直接拖延器件的关断。
大封装有利散热，却不利于高速开关，受限于更高频工作。小封装可以工作在更高频率，但；并管增加了工艺复杂性。
常用二极管参数
常用整流二极管 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明1A5 600V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 1A6 800V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 6A8 800V/6.0A 400A/1.1V/10uA[T60] D9.1X9.1d1.3 1N4002 100V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4004 400V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4006 800V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4007 1000V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N5398 800V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5399 1000V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5402 200V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5406 600V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5407 800V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5408 1000V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 RL153 200V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL155 600V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL156 800V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL203 200V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL205 600V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL206 800V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL207 1000V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RM11C 1000V/1.2A 100A/0.92V/10uA D4.0X7.2d0.78 MR750 50V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR751 100V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR752 200V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR754 400V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR756 600V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR760 1000V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 常用整流二极管(全桥） 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明RBV-406 600V/*4A 80A/1.10V/10uA 25X15X3.6 RBV-606 600V/*6A 150A/1.05V/10uA 30X20X3.6 RBV-1306 600V/*13A 80A/1.20V/10uA 30X20X3.6 RBV-1506 600V/*15A 200A/1.05V/50uA 30X20X3.6 RBV-2506 600V/*25A 350A/1.05V/50uA 30X20X3.6 常用肖特基整流二极管SBD 型号VRM/Io IFSM/ VF Trr1/Trr2 封装用途说明EK06 60V/0.7A 10A/0.62V 100nS D2.7X5.0d0.6 SK/高速 EK14 40V/1.5A 40A/0.55V 200nS D4.0X7.2d0.78 SK/低速 D3S6M 60V/3.0A 80A/0.58V 130p SB340 40V/3.0A 80A/0.74V 180p SB360 60V/3.0A 80A/0.74V 180p SR260 60V/2.0A 50A/0.70V 170p MBR1645 45V/16A 150A/0.65V <10nS TO220 超高速
常用二极管型号及参数大全
1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
晶体二极管的主要参数
晶体二极管的主要参数： 1 电阻 ⑴直流电阻 在晶体二极管上加上一定的直流电压V，就有一对那个的直流电流I，直流电压V与直流电流I的比值，就是晶体二极管的等效直流电流。 ⑵动态电流 在晶体二极管上加一定的直流电压V的基础上，再加上一个增量电压，则晶体二极管也有一个增量电流△I。增量电压△V与增量电流△I的比值，就是晶体二极管的动态电阻，即动态电阻为晶体二极管两端电压变化与电流变化的比值。 二极管的正向直流电阻和动态电阻都是随工作点的不同而发生变化的。 普通晶体二极管反响运动时，其直流电阻和动态电阻都很大，通常可以尽是为无穷大。 2 额定电流 晶体二极管的额定电流是指晶体二极管长时间连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。在二极管连续工作时，为使PN结的温度不超过某一极限值，整流电流不应超过标准规定的允许值。 例如：2AP1 的额定电流为12mA; 2AP5为16mA；2AP9为5mA。 对于大功率晶体二极管，为了降低它的温度，增大电流，必须加装散热片。 3 反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管在工作中能承受的最大反向电压，它也是使二极管不致反响击穿的电压极限值。在一般情况下，最大反向工作电压应小于反向击穿电压。选用晶体二极管时，还要以最大反向工作电压为准，并留有适当余地，以保证二极管不致损坏。 例如：2AP21型二极管的反向击穿电压为15V最大反向工作电压小于10V；2AP26的反向
击穿电压为150V，最大反向工作电流小于100V。 4 最高工作频率 最高工作频率是指晶体二极管能正常工作的最高频率。选用二极管时，必须使它的工作频率低于最高工作频率。 例如：2AP8BD 最高工作频率为150MHz；2CZ12的最高工作频率为3kHz；2AP16的最高工作频率为40MHz。 晶体二极管的分类： 按用途分： 检波二极管
(完整版)整流二极管
整流二极管 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的常用参数 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N
唐宋八大家简介--王安石(历史评价)
北宋 元佑元年(1086年)，王安石去世，司马光曾说：介甫文章节义过人处甚多，&&方今&&不幸谢世，反复之徒必诋毁百端，&&朝廷宜加厚礼，以振浮薄之风。。司马光对王安石的道德文章进行了肯定，而对作为政治家的王安石，进行了全盘否定。北宋时期，其反对派就以修史的方法进行批评，朱熹多次批评王安石及其后学：学术不正，坏了读书人，但是朱熹对王安石个人是给予了相当肯定的 南宋至晚清 王安石本以「天命不足畏，人言不足恤，祖宗不足法」，锐行变法，但因性格、运气、旧党及富豪反对和用人不当，导致变法失败，其人亦被旧党标上「变乱祖宗法度，祸国殃民」，所促成的党争更加速了北宋亡国。宋高宗为开脱父兄的历史罪责，以靖康元年以来士大夫们的议论，把国事失图由蔡京上溯至王安石。绍兴四年五月宋高宗诏命重修《神宗实录》以否定王安石变法为基调，这一定谳对于后世产生了深远影响。王安石作为北宋亡国元凶的论调，经宋国史至元人修《宋史》所承袭，成为封建时代官方定论。 南宋以后，王安石变法总体上是被否定的，但对王安石的部分新法措施则有不同程度的肯定看法。在诸新法措施中，尤以科举改革、免役法、保甲法、保马法得到较多的肯定。 持肯定者在南宋有陆九渊，元朝有吴澄、虞集，明朝有陈汝錡、章衮，入清后有颜元、李绂、蔡上翔、杨希闵、龚自珍、陆心源等。王夫之认为王安石的三不足之说是祸天下而得罪于名教。如蔡上翔以为荆公之时，国家全盛，熙河之捷，扩地数千里，开国百年以来所未有者。南渡以后，元佑诸贤之子孙，及苏程之门人故吏，发愤于党禁之祸，以攻蔡京为未足，乃以败乱之由，推原于荆公，皆妄说也。其实徽钦之祸，由于蔡京。蔡京之用，由于温公。而龟山之用，又由于蔡京，波澜相推，全与荆公无涉。 他们给王安石以高度评价的原因主要有两点：其一，他们大都是江西临川人，对王安石的褒扬，实际上是中国古代尊重和敬仰乡贤优良传统的一种表现;其二，颜元、龚自珍肯定王安石及其变法，与他们和王安石有着相近的思想理路分不开。 南宋至晚清最具代表性的批判意见有三点：一是认为王安石变乱祖宗法度，祸国殃民，最终导致北宋亡国。这个观点定于南宋初期的《神宗实录》，后经宋国史至元朝人修《宋史》所承袭，成为元明清时期的官方定论，不仅为史家所认同，而且被社会普遍接受。二是对荆公新学进行了严厉抨击。荆公新学是王安石变法的指导思想和理论基础，自宋理宗取缔王安石配享孔庙后，荆公新学所遭受的抨击之严厉，要远甚于对新法措施的否定。南宋理学家对荆公新学的批判主要集中在两个方面：一是斥荆公新学为异端邪说于学不正、杂糅佛道或学本出于形名度数，二是把新学作为变乱祖宗法度而致北宋亡国的理论依据，予以无情打击。由于理学在元明清被定为一尊的统治思想，是当时思想的主流，荆公新学作为异端邪说遂成不易之论。三是把王安石的诸项新法称为聚敛之术聚敛害民。把王安石的理财思想视作兴利之道剥民兴利，是北宋熙宁、元佑时反变法派批评新法的主要观点，自南宋至晚清仍是绝大多数史家和思想家评议王安石新法的基本观点之一。
常见二极管参数大全
1N系列稳压管
快恢复整流二极管
常用整流二极管型号和参数 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管 100V,3A, 1N5402硅整流二极管 200V,3A, 1N5403硅整流二极管 300V,3A, 1N5404硅整流二极管 400V,3A,
常用二极管型号_大全
常用整流二极管型号大全lzg 极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片 二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41 IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 普通整流二极管参数(二) 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 RL201 50 2 70 5 1 DO--15 RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15
常用二极管型号与参数大全
1. 塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02 ?-13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?-13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?-13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?-13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?-13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2. 快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
宋代诗人王安石的罢相事件介绍
宋代诗人王安石的罢相事件介绍 王安石是著名的唐宋八大家之一，相信大家都对这位诗人多少有所了解吧!那么你想知道有关王安石罢相事件的相关始末吗?如果你想知道可别错过了，赶紧和我们一起来了解吧! 熙宁七年(1074年)春，天下大旱，饥民流离失所，群臣诉说免行钱之害，神宗满面愁容，欲罢除不好的法令。王安石认为天灾即使尧舜时代也无法避免，派人治理即可。监安上门郑侠反对变法，绘制流民旱灾困苦图献给神宗，并上疏论新法过失，力谏罢相王安石。 同年四月，曹太皇太后(慈圣皇后)、高太后(宣仁皇后高滔滔)亦向神宗哭诉“王安石乱天下”。神宗对变法也产生了怀疑，罢免了王安石的宰相职务，改任观文殿大学士、知江宁府，从礼部侍郎超九转而径授吏部尚书之衔。 王安石罢相后，奏请神宗让吕惠卿任参知政事，又要求召韩绛代替自己，二人坚持王安石制定的成法。吕惠卿掌握大权后，担心王安石回朝，借办理郑侠案件的机会陷害王安石的弟弟王安国，又兴起李士宁案件来倾覆王安石。韩绛觉察到吕惠卿的用意,，秘密奏请召回王安石。 熙宁八年(1075年)二月，王安石再次拜相。同年，王安石《三经义》写成，加封为尚书左仆射兼门下侍郎，吕惠卿外调为陈州知州。王安石复相后得不到更多支持，加上变法派内部分裂严重，新法很难
继续推行下去。 熙宁九年(1076年)，王安石多次托病请求离职。同年，长子王雱病故，王安石极度悲痛。十月，王安石辞去宰相，外调镇南军节度使、同平章事、判江宁府。次年，改任集禧观使，封舒国公。 元丰二年(1079年)，再次被任命为左仆射、观文殿大学士，改封荆国公。 人物评价1) 陆九渊：公畴昔之学问，熙甯之事业，举不遁乎使还之书。而排公者，或谓容悦，或谓迎合，或谓变其所守，或谓乖其所学，是尚得为知公者乎?英迈特往，不屑于流俗声色利达之习，介然无毫毛得以入于其心，洁白之操，寒于冰霜，公之质也。扫俗学之凡陋，振弊法之因循，道术必为孔孟，勋绩必为伊周，公之志也。不期人之知，而声光烨奕，一时钜公名贤，为之左次，公之得此，岂偶然哉。 2) 朱光庭：昔王安石当国，惟以破坏祖宗法度为事，每于言路，多置私人，持宠养交，寖成大弊。 3) 严有禧：惟王莽、王安石、贾似道三人力任为必可行，而皆以扰民致乱。 4) 崔鶠：除异己之人，著《三经》之说以取士，天下靡然雷同，陵夷至于大乱。 5) 罗大经：国家一统之业，其合而遂裂者，王安石之罪也。 后世纪念【墓葬】 据史载，王安石病逝后，葬钟山南麓东三里，原宝公塔与草堂寺
常用二极管型号及参数手册
常用二极管型号及参数手册
查询 >> 二极管资料 >> 二极管资料大全 硅双向触发二极管参数 二极管资料大全 常用快速恢复二极管资料 稳压二极管参数 变容二极管参数 电视机\VCD\DVD用二极管发光二极管参数 发光二极管符号显示 圆形发光二极管参数 激光二极管参数 特殊模型发光二极管 光电二极管参数 七段发光二极管参数 九段发光二极管参数 字母发光二极管参数 4×4圆矩发光二极 5×7圆矩发光二极 5×8圆矩发光二极 6×8圆矩发光二极 8×8圆矩发光二极 16×16圆矩发光 装饰式七段发光二极 裸发光二极管灯参数 裸发光二极管显示器 圆形发光二极管参数 闪烁圆形发光二极管 通用激光二极管参数 带监视器激光二极管 圆形发光二极管参数 金属封装发光二极管 圆柱平顶发光二极管 1.塑封整流二极管 序号型号I F V RRM V F Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号I F V RRM V F Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管
常用二极管型号参数大全
For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41
王安石简介
简介 王安石变法，指北宋时期，大臣王安石发动的旨在改革北宋建国以来积弊的一场改革。新法立意虽好，但并未处理好具体实行的问题以及与反对者的关系，于是与反对者间长期反复地争斗，导致处于被批评的局面，但是一些具体措施还是保留了下来。 编辑本段变法背景 三大矛盾 王安石变法[1] 1、阶级矛盾尖锐：北宋初年，宋朝统治者由于对土地兼并采取“不抑兼并”态度，导致三分之一的自耕农沦为佃户和豪强地主隐瞒土地，致使富者有田无税、贫者负担沉重，连年的自然灾害加剧了农民苦难，因而造成各地农民暴动频繁。 2、民族对立严重：北宋与西夏和辽国发生多次战争。 3、统治集团内部矛盾突出：改革派与守旧派斗争激烈。 三冗危机 1、冗官，北宋政府采用分化事权的方式，集中皇权。比如，宰相职位一般有很多人担任，同时还设置了枢密使、参知政事、三司使，
来分割宰相的军、政、财权。官职也不断增加，导致北宋机构臃肿；采用恩荫制，一个官僚一生当中可以推荐数十个亲属当官；北宋大兴科举，科举应试人数增加，取士人数也增加。 2、冗兵，为了防范军阀割据，农民起义，抵御北方民族的南侵，稳定社会秩序，宋代不断扩充军队的数量，形成了庞大的军事体系，军费开支几乎占到整个财政支出的十之八九，造成冗兵问题。 3、冗费，冗官、冗兵导致政府财政支出增加，与此同时由于土地兼并现象严重，富豪隐瞒土地，导致财政收入锐减，因而造成了北宋政府的财政危机。 两积问题 1、积贫，国家财政入不敷出，国库空虚，出现了严重的财政危机，导致积贫局面的形成。 2、积弱，北宋吸取中唐以后武将拥兵、藩镇割据的教训，大力削弱武将的兵权，领兵作战的将领没有调动军队的权利，带来的后果是指挥效率和军队战斗力降低，导致宋军在与辽、西夏的战争中连年战败，形成积弱的局面。 “三冗”、“两积”引起了严重的社会危机，革新除弊逐渐成为朝野共识。 编辑本段变法历程 王安石简介 王安石（公元1021—公元1086年5月21日），字介甫，晚号半山，北宋临川（今江西东乡县上池村）人，
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种 慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05 型号 电容量（工作电压） 电容比率工作频率最小值最大值 303B3～5p(25V)18p(3V)>61000MHz 2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz 2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4～650MHz 2CB143p(25V)18～30p(3V)5～750MHz 2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHz ISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHz AM-10930p(9V)460p(1V)15AM BB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AM ISV-14930p(8V)540p(1V)18AM S-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHz MV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHF KV-123630p(8V)540p(1V)20AM KV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHz IS14930p(8V)540p(1V)18AM S208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHz MV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHF DB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHz BB11210p(25V)180p(3V)>16AM 信息来源：常见铝电解电容器的套管颜色与含义 慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05 一般情况下，铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。塑料套管的颜色有多种，例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色，其目的并非仅仅为
二极管参数查询手册
二极管整流二极管 Fast Recovery Rectifiers（RE） 型号最大反向 峰值电压 最大平均正向电流 最大正向浪涌 电流 最大正向漏电 流 最大正向电压 最大反向 恢复时间 外形尺寸 Type Maximum Peak Reverse Voltage Maximum AverageRectified Current@Half-wave Resistive Load 60HZ Maximum Forward Peak Surge Current @8.3mS Superimposed Maximum Reverse Current @VR&25i?TA Maximum Forward Voltage @VR&25i?TA Maximum Reverse Recovery Time Package Dimensions V R Vo@T A I FM IR Vo@T A Trr V A ℃ A UA V A nS 1N4001 150 1 75 30 5 1.1 1 DO-41 1N4002 100 1 75 30 5 1.1 1 DO-41 1N4004 400 1 75 30 5 1.1 1 DO-41 1N4007 1000 1 75 30 5 1.1 1 DO-41 1N5391 50 1.5 60 50 5 1.1 1 DO-15 1N5392 100 1.5 60 50 5 1.4 1.5 DO-15 1N5393 200 1.5 60 50 5 1.4 1.5 DO-15 1N5395 400 1.5 60 50 5 1.4 1.5 DO-15 1N5399 1000 1.5 60 50 5 1.4 1.5 DO-15 RL204 400 2 75 70 5 1.1 2 DO-15 RL206 800 2 75 70 5 1.1 2 DO-15 RL207 1000 2 75 70 5 1.1 2 DO-15 1N5401 100 3 75 200 5 1.1 3 DO-201AD 1N5402 200 3 75 200 5 1.1 3 DO-201AD 1N5404 400 3 75 200 5 1.1 3 DO-201AD 1N5408 1000 3 75 200 5 1.1 3 DO-201AD 6A8 800 6 60 400 10 1.1 6 R-6 6A10 1000 6 60 400 10 1.1 6 R-6 1N5817 20 1 90 25 1 0.45 1 DO-41 1N5818 30 1 90 25 1 0.55 1 DO-41 1N5819 40 1 90 25 1 0.6 1 DO-41 SR160 60 1 100 40 1 0.7 1 DO-41 1N5820 20 3 95 80 2 0.475 3 DO-201AD 1N5821 30 3 95 80 2 0.5 3 DO-201AD 1N5822 40 3 95 80 2 0.525 3 DO-201AD SR360 60 3 75 80 3 0.75 3 DO-201AD SR560 60 5 85 150 5 0.7 5 DO-201AD
常用二极管型号及参数大全
1?塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1 .1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1 .1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1 .1 PX 20 ERA15-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200- 1000V r 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2?快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD